i

Universidad de Costa Rica

Facultad de Ingeniera
Escuela de Ingeniera Elctrica



IE 0502 Proyecto Elctrico



[Estudio e implementacin de un amplificador de
audio de tipo AB]



Por:
[David Jos Prez Arroyo A74837]



Ciudad Universitaria Rodrigo Facio
Diciembre del 2011



ii


[Estudio e implementacin de un amplificador de
audio de tipo AB]

Por:

[David Jos Prez Arroyo]



Sometido a la Escuela de Ingeniera Elctrica
de la Facultad de Ingeniera
de la Universidad de Costa Rica
como requisito parcial para optar por el grado de:


BACHILLER EN INGENIERA ELCTRICA


Aprobado por el Tribunal:



______________________________
Ing. Jos Miguel Pez
Profesor Gua


____________________________ ____________________________
Ing. Ignacio Ramrez Antilln Ing. Mauricio Espinoza
Profesor lector Profesor lector


iii


DEDICATORIA

A mi familia que siempre me apoy en los momentos ms complicados que surgieron
durante la realizacin del proyecto; y a toda las dems personas que contribuyeron a este
proyecto por ms pequeo que fuese su aporte.





iv


RECONOCIMIENTOS

A Don Jos Miguel Pez por toda su amabilidad y disponibilidad para apoyar el desarrollo
de este proyecto.
A Don Ignacio Ramrez por su ayuda en la realizacin de este proyecto, especialmente por
sus aportes en el captulo 2.
A Mauricio Espinoza por su amabilidad para atenderme toda vez que le fui a consultar.
En resumen muchas gracias a los miembros del tribunal.







v


NDICE GENERAL
NDICE DE FIGURAS .................................................................................................... VII
NOMENCLATURA ........................................................................................................... IX
RESUMEN ........................................................................................................................... X
CAPTULO 1: INTRODUCCIN ................................................................................ 1
1.1 OBJETIVOS ....................................................................................................................... 3
1.1.1 Objetivo general ................................................................................................... 3
1.1.2 Objetivos especficos ............................................................................................ 3
1.2 METODOLOGA ................................................................................................................ 4
CAPTULO 2: HISTORIA Y CONCEPTOS TERICOS ........................................ 5
2.1 ANTECEDENTES ............................................................................................................... 5
2.2 CLASES DE AMPLIFICADORES .......................................................................................... 6
2.3 CLASE AB ........................................................................................................................ 7
2.3.1 Circuito de Pre-Polarizacin ................................................................................. 7
2.3.2 Transistores Thermal Track: ................................................................................. 9
CAPTULO 3: ANLISIS DEL AMPLIFICADOR DE
POTENCIA 11
3.1 ANLISIS CUALITATIVO DEL AMPLIFICADOR .................................................................. 12
3.1.1 Fuentes de corriente ............................................................................................ 12
3.1.2 Etapa de entrada .................................................................................................. 13
3.1.3 Etapa de amplificacin de tensin (VAS) .......................................................... 15
3.1.4 Etapa de salida (OPS) ......................................................................................... 17
3.2 ANLISIS CUANTITATIVO DEL AMPLIFICADOR................................................................ 19
3.2.1 La impedancia de entrada del amplificador ........................................................ 19
3.2.2 LSVG .................................................................................................................. 20
3.2.3 CMRR ................................................................................................................. 20
3.2.4 Potencia .............................................................................................................. 21
CAPTULO 4: AMPLIFICADOR EXPERIMENTAL ............................................ 22
4.1 EL ESPEJO DE CORRIENTE ............................................................................................... 23
4.2 FUENTE DE CORRIENTE DEL VAS ................................................................................... 24
4.3 ETAPA DE SALIDA .......................................................................................................... 26
4.4 GANANCIA DE TENSIN ................................................................................................. 27
4.5 BARRIDO DE FRECUENCIA .............................................................................................. 31
4.6 IMPEDANCIA DE ENTRADA: ............................................................................................ 33
CAPTULO 5: CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES ............................... 35
5.1 CONCLUSIONES .............................................................................................................. 35
5.2 RECOMENDACIONES ....................................................................................................... 36


vi

BIBLIOGRAFA ................................................................................................................ 37
APNDICE I ....................................................................................................................... 39
1.1 Clase A: .............................................................................................................. 39
1.2 Clase B ................................................................................................................ 40
1.1.1 Configuracin en simetra complementaria ........................................................ 41
1.1.2 Distorsin de cruce por cero: .............................................................................. 42
APNDICE II ..................................................................................................................... 43
2.1 Distorsin Armnica: ......................................................................................... 43
2.2 Retroalimentacin: .............................................................................................. 44
2.3 Retroalimentacin en el amplificador de potencia ............................................. 46
APNDICE III .................................................................................................................... 49
ARQUITECTURA DEL AMPLIFICADOR ..................................................................................... 49
3.1 ETAPA DE ENTRADA ....................................................................................................... 51
3.1.1 Espejo de Corriente: ........................................................................................... 52
3.1.2 Fuentes de Corriente ........................................................................................... 53
3.1.3 Amplificador diferencial (Par diferencial) ......................................................... 56
3.2 ETAPA DE AMPLIFICACIN DE VOLTAJE (VAS). ............................................................. 62
3.2.1 VAS: ................................................................................................................... 63
3.2.2 Configuraciones tpicas del VAS ....................................................................... 64
3.3 ETAPA DE SALIDA .......................................................................................................... 67
3.3.1 Tipo de distorsiones ............................................................................................ 68
3.3.2 Anlisis de una etapa de salida simple ............................................................... 77
APNDICE IV .................................................................................................................... 80
4.1 ANLISIS EN DC: ........................................................................................................... 81
4.1.1 Fuente de corriente ............................................................................................. 81
4.1.2 Amplificador Diferencial .................................................................................... 85
4.1.3 Etapa de amplificacin de potencial: .................................................................. 90
4.2 ANLISIS EN PEQUEA SEAL: ....................................................................................... 93
4.2.1 Etapa de entrada .................................................................................................. 95
4.2.2 Etapa de amplificacin de tensin: ................................................................... 102
4.3 ETAPA DE SALIDA: ....................................................................................................... 105
4.4 DISEO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIN ................................................................... 108






vii


NDICE DE FIGURAS



Figura 2-1: Diferentes Clases de Operacin para un Amplificador de potencia[3] ......................................
Figura 2-2: Circuito de pre-polari!acin ["] ............................................................................................. #
Figura 2-3: $so de diodos en el circuito de %re-%olari!acin ["] ................................................................ &
Figura 2-': Dispositi(o )*ermal )rac+ [&] ................................................................................................ ,
Figura 2-": Dispositi(o )*ermal )rac+ [,] ............................................................................................... 1-
Figura 3-1: Amplificador en estudio [,] .................................................................................................. 11
Figura 3-2: Fuentes de Corrientes [,] ..................................................................................................... 12
Figura 3-3: .tapa de entrada [,] ............................................................................................................ 13
Figura 3-': /A0 ..................................................................................................................................... 1"
Figura 3-": O%0 ..................................................................................................................................... 1#
Figura '-1: .spe1o de corriente .............................................................................................................. 23
Figura '-2: Fuente de corriente e2perimental ........................................................................................ 23
Figura '-3: Fuente de corriente del /A0 ................................................................................................. 2'
Figura '-': Fuente de corriente e2perimental ........................................................................................ 2"
Figura '-": )ensin 3ase emisor simulada 4 e2perimental ...................................................................... 2
Figura '-: Comparacin de tensiones entre el transistor 4 el diodo ........................................................ 2#
Figura '-#: 5anancia de tensin simulada .............................................................................................. 2&
Figura '-&: 5anancia de tensin e2perimental ....................................................................................... 2,
Figura '-,: Desfase entre las se6ales de entrada 4 salida ........................................................................ 3-
Figura '-1-: 3arrido en frecuencia simulado .......................................................................................... 31
Figura '-11: 3arrido de frecuencias o7tenido e2perimentalmente .......................................................... 32
Figura '-12: Circuito para o7tener la impedancia de entrada e2perimentalmente ................................... 33
Figura '-13: 8mpedancia de entrada e2perimental ................................................................................. 3'
Figura "-1: .s9uem:tico de un amplificador Clase A ["] .......................................................................... 3,
Figura "-2: Concepto 7ase para el funcionamiento de la clase 3 [3] ......................................................... '-
Figura "-3: Configuracin en 0imetr;a complementaria [#] ..................................................................... '1
Figura "-': Distorsin por cruce por cero ["] .......................................................................................... '2
Figura "-": )ipos de retroalimentacin:[1-] ........................................................................................... '"
Figura "-: Ar9uitectura de 3 etapas [1-] ............................................................................................... ',


viii

Figura "-#: .tapa de entrada t;pica.[11] ................................................................................................. "1
Figura "-&: .spe1o de corriente [12] ....................................................................................................... "2
Figura "-,: Fuente de corriente constante [1-] ....................................................................................... "3
Figura "-1-: Fuente de corriente <e1orada [1-] ..................................................................................... ""
Figura "-11: Configuracin t;pica del amplificador diferencial [12] .......................................................... "#
Figura "-12: Corrientes de un par diferencial en funcin del (olta1e diferencial [12] ................................. "&
Figura "-13: Antes 4 despu=s de la incorporacin de >.. [11] .................................................................. 1
Figura "-1': %ares de retroalimentacin complementaria [11] ................................................................ 1
Figura "-1": Operacin del /A0 [11] ...................................................................................................... 3
Figura "-1: Diferentes configuraciones del /A0 .................................................................................... "
Figura "-1#: )ipos de .F [1-] ................................................................................................................. #2
Figura "-1&: )opolog;as en paralelo: ...................................................................................................... #"
Figura "-1,: .tapa de salida en an:lisis .................................................................................................. ##
Figura "-2-: Circuito e9ui(alente con el modelo de gran se6al ................................................................ #&
Figura "-21: Circuito con resistencias refle1adas en la 7ase ..................................................................... #&
Figura "-22: Amplificador de potencia [,] .............................................................................................. &-
Figura "-23: Amplificador de potencia ................................................................................................... &1
Figura "-2': Fuente de corriente ........................................................................................................... &2
Figura "-2": 0imulacin de la fuente de corriente ................................................................................... &3
Figura "-2: 0imulacin de la fuente de corriente restante ..................................................................... &'
Figura "-2#: .tapa de entrada. .............................................................................................................. &"
Figura "-2&: .tapa de entrada? en an:lisis .............................................................................................. &
Figura "-2,: 0imulacin etapa de entrada? en an:lisis ............................................................................. &,
Figura "-3-: .tapa de amplificacin de tensin ...................................................................................... ,-
Figura "-31: 0imulacin de la etapa de amplificacin de tensin ............................................................. ,2
Figura "-32: 8mpedancias de las fuentes de corriente constante ............................................................. ,'
Figura "-33: %e9ue6a se6al para el amplificador diferencial.................................................................... ,
Figura "-3': %e9ue6a se6al espe1o de corriente. .................................................................................. 1--
Figura "-3": %e9ue6a se6al del /A0. .................................................................................................... 1-2
Figura "-3: .tapa de salida ................................................................................................................ 1-"
Figura "-3#: .tapa de salida simplificada .............................................................................................. 1-
Figura "-3&: )opolog;a a usar para el dise6o de la fuente de alimentacin............................................. 1-&
Figura "-3,: 0alida del circuito ............................................................................................................. 1-,



ix


NOMENCLATURA

NFB: Retroalimentacin Negativa
LF: Bajas Frecuencias
HF: Altas Frecuencias
VAS: Etapas de amplificacin de Voltaje
OPS: Etapa de salida
CC o CDOM: Capacitor de Polo Dominante
EF: Emisor seguidor







x


RESUMEN

En el presente proyecto se seleccion y analiz una topologa de un amplificador de
potencia clase AB. Para esto se requiri de una extensa revisin bibliogrfica, de la que se
obtuvo los conocimientos necesarios para realizar un estudio a fondo del amplificador, esto
para entender el comportamiento general del circuito, para hacer que su implementacin
fuera ms sencilla. Ms detalladamente, se analiz cada una de las 3 etapas que componen
un amplificador de audio. Se busc conocer el funcionamiento de cada una de stas, las
ventajas obtenidas de la topologa en uso (comparndolas con otras topologas existentes),
los problemas ms comunes a las que son propensas y como evitarlos o disminuirlos.

Se compar el comportamiento obtenido experimentalmente, con el comportamiento
descrito en la teora y en las simulaciones realizadas. Midiendo parmetros importantes de
cada etapa, especialmente las corrientes a la que son polarizados cada transistor. Los cuales
estn muy apegados a los valores tericos.

Se hizo uso de transistores de ltima generacin hechos especialmente para las aplicaciones
de audio, los cuales dan como resultado una distorsin muy baja de la seal de salida. Esto
siendo posible gracias a la integracin de un diodo al chip del transistor, reduciendo as la
distorsin de cruce.

Se obtuvo un amplificador de potencia de una gran eficiencia y rendimiento sonoro. Su
capacidad se pudo experimentar en el laboratorio, concluyendo su gran desempeo a pesar
de que se tuvo que limitar la alimentacin del circuito debido a las caractersticas del
equipo en uso.

1


Captulo 1: Introduccin
El presente trabajo consta de cinco captulos y cuatro apndices. El primer captulo presenta
la introduccin, objetivos y metodologa del proyecto. El segundo captulo expone un poco
de historia (desde los avances ms importantes del siglo XX en el campo de la electrnica
analgica hasta el concepto de amplificacin), los tipos de amplificadores de potencia, la
clase AB y por ltimo se presentan los transistores Thermal Track.

El tercer captulo muestra el amplificador de potencia en estudio. La primera seccin
presenta las etapas que lo componen, se determina el tipo de topologa de la etapa, sus
ventajas, y algunos aspectos destacables de cada una. La segunda seccin expone y
comenta los parmetros del amplificador, obtenidos por el anlisis matemtico realizado en
el apndice IV, presentando las ventajas de cada uno de estos.

El cuarto captulo exhibe los parmetros del amplificador obtenidos, tanto en la medicin
experimental realizada, como en la simulacin correspondiente; realizando adems una
comparacin entre datos.

El quinto captulo muestra las conclusiones y las recomendaciones a las que se lleg
despus de terminar el proyecto.

En el primer apndice se ampla el tema relacionado con el segundo captulo, entindase los
tipos de amplificadores adems de la clase AB (estudiada en este proyecto), sus ventajas,
desventajas y caractersticas importantes de cada uno.







2

En el segundo apndice se explican los conceptos de estabilidad, distorsin y
retroalimentacin del amplificador. Se quiere hacer hincapi en que los temas no eran parte
de los objetivos del proyecto pero, se opt por realizar una investigacin general sobre los
problemas que sufren este tipo de amplificadores de audio.

En el tercer apndice se exponen todos los conceptos tericos de la composicin de un
amplificador de audio. Se detallan la arquitectura de tres etapas, la funcin de cada una de
las etapas, sus ventajas, desventajas y tipos de configuraciones disponibles.

Y por ltimo el cuarto apndice presenta todo el anlisis matemtico realizado para
obtener los datos del captulo cuatro, adems del clculo de la fuente de alimentacin.






















3


1.1 Objetivos

1.1.1 Objetivo general
Desarrollar un amplificador de audio tipo AB.

1.1.2 Objetivos especficos
Seleccionar y analizar una topologa de un amplificador de audio tipo AB,
basndose en los conocimientos adquiridos en los diferentes cursos de la carrera.
Implementar un amplificador de audio bsico de buena calidad.
Disear la fuente de alimentacin necesaria para alimentar al amplificador de
potencia.


















4

1.2 Metodologa

Para completar satisfactoriamente el presente proyecto se opt por dividirlo en tres etapas.
La primera etapa consisti en una revisin bibliogrfica con el fin de obtener los
conocimientos necesarios para la realizacin del proyecto. Se busc entender la
funcionalidad de las tres etapas que componen un amplificador de potencia, sus diferentes
topologas, las ventajas y desventajas de cada una de estas; con el fin de entender el circuito
en general.

La revisin bibliogrfica consisti en la visita a las bibliotecas de la universidad y una
bsqueda extensiva en la red mundial de informacin (en Ingles World Wide Web). Se
quiere hacer Hincapi en los puntos 10 y 11 de la bibliografa, donde se pudo encontrar
mayor informacin acerca del tema buscado.

La segunda etapa del proyecto consisti en el anlisis matemtico del amplificador a
estudiar. Para esta etapa se pusieron en prctica los conocimientos adquiridos en la primera
etapa del proyecto as como tambin, los conocimientos obtenidos en cursos anteriores de
la carrera, en especial el curso de Electrnica I ya que, el circuito en estudio estaba hecho
principalmente de transistores.

La ltima etapa consisti en la implementacin experimental del circuito, trabajo de
laboratorio. En esta etapa se probaron los conocimientos obtenidos en las dos anteriores
etapas, porque se deba tener un conocimiento amplio del circuito para poder solucionar
los problemas que surgieran durante la implementacin.
5

Captulo 2: Historia y Conceptos Tericos
2.1 Antecedentes

Fue a mediados del siglo XX que se descubri uno de los inventos ms importantes en la
historia de la electrnica, el transistor. Este fue desarrollado en los Laboratorios Bell de la
AT&T en Nueva Jersey en diciembre de 1947, por William Bradford Shockley en conjunto
con John Bardeen y Walter Houser Brattain. El transistor se considera como el mayor
invento del siglo XX, pues es un dispositivo electrnico bsico que dio lugar a los circuitos
integrados y dems elementos de alta escala de integracin.

Desde su invencin se ha utilizado como herramienta para solucionar diferentes problemas
electrnicos. Entre los ms importantes se encuentra la amplificacin de las seales. Una
definicin elemental de amplificacin fue dada por William Shockley: "
1
Si usted toma un
fardo de heno y lo ata a la cola de una mula y a continuacin le prende fuego, y compara
luego la energa disipada a partir de entonces por la mula con la energa disipada antes
por usted en frotar el fsforo, entender plenamente el concepto de amplificacin". En
palabras ms cientficas, el concepto de amplificacin tiene que ver no solo con la
capacidad para aumentar de tamao una seal elctrica (ya sea voltaje o corriente) sino con
la capacidad de entregarla a otra instancia (denominada carga) con ms energa de la que
tena originalmente.

Existen diferentes tipos de amplificacin. Estos se dividen segn el tipo de seal recibida
en la entrada y el tipo de seal amplificada en la salida. Por ejemplo, los amplificadores de
tensin reciben una seal de tensin en la entrada y en la salida dan la misma seal de
entrada, solo que amplificada. Existen otros tipos de amplificadores como los de corriente,
los transconductancia, los de potencia, etc.


1
David A. Kaplan. (1999). Los Silicon Boys, pg. 56


6

Los amplificadores de potencia son aquellos que, aparte de suministrar una mayor tensin,
proveen tambin una mayor corriente (amplificacin de tensin y amplificacin de
corriente y, por ende, amplificacin de potencia). Usualmente son utilizados en el campo
del audio, debido a que su amplificacin de voltaje se encarga de aumentar la seal de
entrada (seal de audio) y su amplificacin de corriente dar la corriente necesaria para
alimentar los altavoces (Bobinas), los encargados de generar el sonido. Este tipo de
amplificador posee varias clases de configuraciones, cada una con sus ventajas y
desventajas con respecto a la otra.

2.2 Clases de Amplificadores
Los amplificadores de potencia se clasifican en funcin del punto de trabajo en que se
polarizan los dispositivos de potencia (transistores), y en la fraccin del ciclo de seal
durante las que conducen, como consecuencia de ello. En la figura 2-1 se observa los
diferentes tipos de operacin. [3]


Figura 2-1: Diferentes Clases de Operacin para un Amplificador de potencia[3]





7


2.3 Clase AB
La clase AB, tiene todas las caractersticas de la clase B detalladas en el apndice I. La
nica diferencia es que integran al circuito una de las tantas soluciones al problema de la
distorsin de cruce por cero.

El mtodo para evitar gran parte de la distorsin es hacer funcionar los elementos activos
de modo que las corrientes I1 eIi2 no sean nulas dentro de un poco ms de los 180, o sea,
un poco ms de un semi-ciclo. En otras palabras, el dispositivo se polariza en la zona lineal
pero en un punto Q muy prximo al extremo de respuesta lineal. En esta configuracin se
sacrifica la disipacin de una pequea cantidad de potencia cuando opera sin seal, a
cambio de evitar la zona muerta de respuesta. [3]

2.3.1 Circuito de Pre-Polarizacin
Para reducir esta distorsin se necesita incluir, en la configuracin bsica del amplificador,
un circuito de pre-polarizacin. La funcin es montar la seal de entrada sobre
componentes de potencial directo de +0,7V y -0,7V para el par de transistores. De manera
que estos empiecen a conducir para tensiones de 0 0 < V y > V
i i
y no
V < V y V > V
i i
0,7 0,7 como el circuito original. En la figura 2-2 se muestra el concepto
de una red de polarizacin.

Figura 2-2: Circuito de pre-polarizacin [5]



8



Una de las soluciones ms simples para obtener las componentes de tensin en DC, sera la
utilizacin de fuentes independientes, con estos valores. Pero esta solucin no es prctica.
La utilizacin de divisores de voltajes resistivos es una de las soluciones ms pensada. Pero
debido a que las uniones base-emisor de los transistores varan su tensin de encendido al
variar la temperatura, lo cual no ocurre con el potencial en las resistencias, haciendo de sta
una solucin defectuosa.

La solucin ms frecuente es el uso de diodos montados sobre el disipador de los
transistores, para acoplarlos trmicamente a las uniones base-emisor y para compensar las
variaciones de los voltajes de las uniones debido a los cambios de temperatura. En la figura
2-3 se puede observar la red de polarizacin hecha a partir de diodos [5]



Figura 2-3: Uso de diodos en el circuito de Pre-Polarizacin [5]






9



Los diodos acoplados al disipador tienen ciertas desventajas, ya que el disipador no cambia
su temperatura de manera inmediata; entonces habr lapsos de tiempo en que el transistor
aumenta su temperatura y el diodo no. Provocando que vuelva aparecer la distorsin de
cruce. En la actualidad existen dispositivos creados especficamente para evitar este
problema. Seguidamente se detalla uno de estos dispositivos, los transistores Thermal
Track, componentes de ltima generacin.

2.3.2 Transistores Thermal Track:
La familia de transistores ThermalTrak, se desarroll especialmente para las aplicaciones
sonoras. Debido a los problemas que se presentaban en el periodo de warmup o tiempo
de calentamiento, la ON semiconductor ha ideado una solucin muy innovadora. Ha
integrado al mismo dispositivo una tecnologa de diodo ultra-rpido, para la deteccin de
cambio de temperatura, logrando as una alta fidelidad sonora. En la figura 2-4 se puede
observar el esquemtico de los dispositivos ThermalTrak [8].



Figura 2-4: Dispositivo Thermal Track [8]



10

Las ventajas de integrar el diodo a un mismo dispositivo, no slo es la precisin a los
cambios de temperatura sino, adems la reduccin de los componentes en el circuito, ya
que elimina circuitos de compensacin. Un buen parmetro para medir los transistores de
potencia es la variacin de hFE (constante de amplificacin) en funcin de la corriente de
colector. Por ejemplo, si comparamos el transistor de la serie 2N6031, de On
semiconductors, especializado en el manejo de altas potencias, con el transistor Thermal
Track NJL1302D, se puede ver claramente la superioridad de este ltimo. Pues para
cambios en la corriente entre los 0,5 y 3 amperios, el hFE del 2N6031 vara entre 75 a 120,
mientras que el NJL1302D, para los mismos valores de corriente, el hFE es prcticamente
lineal. En la figura 5-10 se visualiza mejor la comparacin anteriormente hecha.
[9].

Figura 2-5: Dispositivo Thermal Track [9]

Esta caracterstica es de suma importancia para tener valores fijos del hFE, ante cambios
de la corriente de colector por causas externas no deseadas.

En conclusin el uso de esta familia parece llevar a muy buenos resultados auditivos. Es
por estas razones que se ha decidido utilizar esta nueva y novedosa tecnologa, para el
desarrollo de este proyecto, implementando un amplificador de potencia de clase AB en
base a ellos.



11

Captulo 3: Anlisis del amplificador de Potencia
El presente capitulo realiza la justificacin del uso de la arquitectura del amplificador de
potencia seleccionada, as como de cules son las ventajas de los diferentes tipos de etapas
escogidas. Seguidamente se presenta en la figura 3-1 el amplificador en estudio:


Figura 3-1: Amplificador en estudio [9]

Como se puede apreciar en la figura 3-1, el amplificador en estudio es de la topologa de
tres etapas mencionada en el apndice II; configuracin que es considerada como una de las
mejores topologas para los amplificadores de audio.





12

Adems en la figura 3-1 se puede observar las 3 etapas debidamente identificadas y las
fuentes de corriente que polarizan la etapa de entrada y el VAS. Seguidamente se pretende
justificar el uso de este tipo de etapas

3.1 Anlisis cualitativo del amplificador
3.1.1 Fuentes de corriente
La figura 3-2 muestra el tipo de fuente de corriente utilizados en el amplificador:


Figura 3-2: Fuentes de Corrientes [9]


Es una fuente de corriente constante de doble transistor la cual tiene la funcin de polarizar
la VAS. Esta se compone por los transistores TR8 y TR9 en conjunto con C3, R9 y R5.
Este tipo de fuente es muy usada y brinda menos variaciones de tensin que otros tipos de
configuraciones como las que usan diodos, la idea es que la tensin base-emisor de TR8 sea
igual a la tensin en R20, logrando una corriente aproximadamente constante ante
variaciones de la carga. La cada en R19 se puede considerar despreciable para efectos
prcticos, aunque esto depender si el valor de la resistencia es muy alto. Para mayor
detalle sobre las fuentes de corriente referirse al apndice III.






13


Los restantes componentes, TR4, R10, R13 y C4 conforman una segunda fuente de
corriente. La idea de implementar una fuente sobre otra fuente de corriente es aprovechar el
potencial constante de la primera para generar otra corriente. Esta fuente aprovecha el
potencial constante del emisor-colector del transistor TR8. Para mayor detalle referirse al
apndice IV.

3.1.2 Etapa de entrada
La figura 3-3 presenta el tipo de etapa de entrada en estudio:

Figura 3-3: Etapa de entrada [9]






14


En la figura 3-3 el circuito ubicado en el lado izquierdo del transistor TR1 es un filtro paso
banda. El circuito tiene la funcin de filtrar las frecuencias no audibles, por ende no es
necesario amplificarlas. El rango usual del filtro paso banda es [20 Hz-20KHz] que son
aquellas frecuencias que son audibles por el odo humano; aunque en la actualidad se ha
demostrada que si se extiende este rango a [20 Hz-200KHz], las frecuencias mayores a
20KHz proporcionan una mejor ubicacin de los sonidos, dndole profundidad al sonido.

Del lado izquierdo del TR7 se puede ver la red de retroalimentacin, la encargada de sensar
la corriente de salida y transformarla en una tensin de retroalimentacin. Al tener una
retroalimentacin global se tendr ventajas en la reduccin de la distorsin armnica, la
reduccin de la impedancia de salida, el aumento del rechazo de la alimentacin (PSRR) y
una mejor estabilidad; remitirse al apndice II para obtener mayor detalle sobre los
beneficios de la retroalimentacin global en un amplificador de potencia.

Las resistencias R6 y R14 dan una retroalimentacin local al circuito brindando todas las
ventajas del uso de la retroalimentacin negativa, adems dan la posibilidad de usar una
mayor corriente de cola, esto con el objetivo de disminuir la distorsin de altas frecuencias
atribuida a las no-linealidades de los transistores. Las resistencias R11 y R12 su funcin es
dividir de igual manera la corriente de cola en las dos piernas del amplificador diferencial.

La incorporacin de un espejo de corriente garantiza la equidad de corriente en las dos
piernas de la etapa de entrada, brindando as la cancelacin del segundo armnico
obteniendo as una reduccin de la distorsin en altas frecuencias, adems proporciona un
menor DC offset debido a la desigualdad en las corrientes de base que fluyen a travs de
resistencias de entrada y de retroalimentacin.






15

Por ltimo la utilizacin de los pares de retroalimentacin complementaria (CFP por sus
siglas en ingles), garantiza una muy buena linealidad del circuito ya que aumenta el factor
de retroalimentacin local. Adems tiene un buen equilibrio entre el ruido y la linealidad
producido por los CFP; esto se puede observar por el valor de las resistencias R7 y R15.

Se puede garantizar que la etapa de entrada en estudio tendr muy buena linealidad y una
muy baja distorsin a altas frecuencias; concluyendo que la etapa de entrada est
maximizada. Para mayor detalle sobre la composicin de la etapa de entrada referirse al
apndice III.

3.1.3 Etapa de amplificacin de tensin (VAS)
En la figura 3-4 muestra la configuracin utilizada para la etapa de amplificacin de
tensin:


Figura 3-4: VAS








16


La VAS es de tipo Darlington, lo que significa que tendr una menor distorsin con
respecto a las dems configuraciones detalladas en el apndice III. El aumento del por
el uso de la topologa Darlington y el uso de la fuente de corriente lograr aumentar la
ganancia de lazo abierto, provocando mejor estabilidad. Adems el uso de la fuente de
corriente aumenta la impedancia de colector efectiva en el transistor lo que lleva
consecuentemente a una mayor ganancia de tensin. Refirase al apndice III para mayor
detalles el VAS.

El capacitor C6 es el encargado de manejar la estabilidad del circuito. Su funcin es evitar
una oscilacin de Nyquist; haciendo que la frecuencia PI disminuya. El mtodo de
estabilidad se conoce como compensacin de Miller de polo dominante. Referirse al
apndice II para mayor detalle sobre la estabilidad del circuito.

Concluyendo el VAS en estudio logra solucionar problemas de estabilidad del circuito,
dando mayor capacidad de corriente, logrando un alta amplificacin de tensin y una muy
baja distorsin debido a la NFB local.














17

3.1.4 Etapa de salida (OPS)

Lla figura 3-5 muestra la OPS en anlisis:


Figura 3-5: OPS








18

En la figura 3-5 se observa la etapa de salida de clase AB y de tipo emisor seguidor (EF,
por sus siglas en ingls Emitter follower) usando transistores en paralelo. Por ende esta
etapa tiene una distorsin de cruce muy baja; ya que el rango de tensin de cruce de una
OPS en EF es muy amplio en comparacin con otras topologas analizada en el apndice
III.

El problema del seguimiento trmico se resuelve con la utilizacin de los transistores
Thermal Track; adems reduce tambin la distorsin de cruce, debido al diodo integrado
al circuito integrado. Para mayor detalle de estos dispositivos consultar el captulo anterior.

Aunque este tipo de OPS no tiene una red de desconexin, como el otro tipo de seguidor
emisor detallado en el apndice III, no tiene problemas con la distorsin de conmutacin
debido que los valores de las resistencias de emisor son muy bajos; ofreciendo una va de
descarga de menor impedancia de las cargas almacenados en las bases transistores.

Con respecto a la distorsin provocada por las grandes seales, mejor conocida como
cada de beta; el uso de transistores en paralelo ayudar a dividir equitativamente la corriente
entre los dos transistores, reduciendo este tipo de distorsin. El uso de transistores en
paralelo aumenta la capacidad de potencia de salida del amplificador. Para mayor detalle
sobre las distorsiones que afectan a la OPS y sus diferentes soluciones referirse al apndice
III.

La funcin del capacitor C10 se relaciona con la conducta de los diodos en corriente
alterna, ya que se comportan como una resistencia dinmica por estar polarizados y como
las bases de los transistores estn unidas, se coloca el C10 para minimizar las diferencias de
stas.

Concluyendo se puede decir que se tiene una OPS con valores muy bajos de distorsin y
muy buena capacidad de potencia.




19


3.2 Anlisis cuantitativo del amplificador
En la presente seccin se exponen los parmetros del amplificador, obtenidos a partir del
clculo terico, expuestos en el apndice IV.

Despus de un anlisis del amplificador en DC (para obtener los puntos de operacin de
cada transistor) y en AC (pequea seal) se han obtenido los siguientes parmetros,
impedancia de entrada, ganancia de tensin de seal grande (LSVG, por sus siglas en ingls
Large Signal Voltage Gain) relacin de modo comn (CMRR, por sus siglas en ingls,
Common Mode Rejection Radio) y potencia disipada en los transistores de salida. A
continuacin se presentan los valores:

3.2.1 La impedancia de entrada del amplificador

La impedancia de entrada del amplificado obtenida de los clculos realizados en el
apndice IV fue:
k Z 32
i
( 3.2.1-1)

Se debe anotar que la impedancia de entrada debe ser grande para poder limitar la corriente
que recibe de la fuente de audio. Por lo que una impedancia de entrada de 32K cumple con
lo requerido.









20

3.2.2 LSVG
Se recuerda que el parmetro LSVG es la relacin entre el cambio en la tensin de salida
con respecto a cambios en la tensin de entrada. Lo que da a conocer cunto es
aproximadamente la ganancia de potencial en el modo comn y el modo diferencial. Este
parmetro usualmente tiene valores muy grandes. A continuacin se muestra el resultado
obtenido del anlisis del apndice IV:
A D o
V kV V 32 501 + =
( 3.2.2-1)
Como se puede ver en este parmetro la ganancia de tensin es muy alta, como se espera
que sea para este tipo de amplificador. Se menciona adems que los cambios en la
componente de modo comn de la seal de entrada sern muy poco amplificados, mientras
que los cambios en la componente en modo diferencial sern altamente amplificados.

3.2.3 CMRR
La relacin de rechazo de modo comn es un indicador sobre el valor de la ganancia de
modo comn ya que, se busca tener esta ganancia lo ms bajo posible en el amplificador.
Se busca que la ganancia del circuito sea, en su mayora diferencial, porque la ganancia en
modo comn tiene efectos negativos sobre el amplificador, el ms importante es la
ampliacin del ruido. Seguidamente se presenta el resultado del clculo:

dB
k
A
A
CMRR
A
D
84
32
501
log 20
log 20
=

=
( 3.2.3-1)
Como se observa en la figura (3.2.3-1) se tiene un valor alto del CMRR, por lo que se
garantiza que la ganancia sea principalmente diferencial.




21

3.2.4 Potencia
Con respecto a la potencia disipada en los transistores, se realiz un anlisis de la potencia
mxima terica que podra disipar los transistores, despreciando varias cada de tensin en
las resistencias por su valor tan pequeo; la idea fue poner un tope mximo de disipacin,
que nunca se pudiera alcanzar. Seguidamente se presenta el valor obtenido, para mayor
detalle consultar apndice IV:

W P
Max T
25 . 17
,
=

Esta potencia es la mxima terica que disipara cada uno de los cuatro transistores de
salida, es pequea por que se usan transistores en paralelo.






22

Captulo 4: Amplificador Experimental
El presente capitulo tiene como objetivo dar a conocer algunos de los parmetros obtenidos
experimentalmente. Se realizaron comparaciones entre los valores obtenidos por la
medicin experimental y por las simulaciones realizadas.
Primeramente se quiere hacer hincapi en las limitaciones que se tuvieron a la hora de
implementar el circuito

El circuito se implement en una tarjeta de prototipos, esto ya que es ms fcil de
implementar; pero esto conlleva un problema debido a que la tarjeta de prototipos
tiene una limitacin de corriente de tpicamente 1A, aunque hay datos que reflejan
que podra manejar hasta 3A.

La alimentacin del circuito no se pudo llevar a la diseada [+55V,-55V], esto
debido a las limitaciones de las fuentes de tensin usadas; por eso se trat de
obtener el valor ms cercano a la tensin diseada, se pudo manejar una
alimentacin de [+30V,-30V].


Las fuentes de tensin tenan una limitacin de corriente la cual provoc una
limitacin en la amplitud de la seal de entrada ya que, si se tena un valor muy alto
en la seal de entrada, las fuentes no podan entregar la corriente necesaria.


A continuacin se presentan los datos experimentales y se comparan con los obtenidos en
las simulacines realizada en OrCad.







23


4.1 El espejo de corriente

Los valores de corriente obtenidos de la simulacin se presentan en la figura 4-1:

Figura 4-1: Espejo de corriente

Mientras que el valor obtenido experimentalmente se presenta en la figura 4-2:


Figura 4-2: Fuente de corriente experimental



24

La figura 4-2 muestra el potencial entre las resistencias de las sendas piernas de corriente.
Si se recuerda que ambas resistencias tienen un valor de 68 , se puede obtener la corriente
por ellas aplicando la ley de Ohm; se obtiene, entonces, una corriente de mA mA 02 . 3 y 15 . 3 .

Si se comparan los resultados obtenidos se observa una corriente muy similar en el espejo
de corriente, lo cual concuerda con la teora; pero el valor de esta corriente es de casi el
doble de la simulada, esto se debe a las diferencias entre los Betas (HFE) de los transistores
y al uso de un tipo diferente en los transistores de la etapa de entrada y la fuente de
corriente.

Se puede concluir que la etapa de entrada est funcionando como lo estipula la teora.

4.2 Fuente de corriente del VAS
En la figura 4-3 se presenta la simulacin obtenida de la fuente de corriente que alimenta la
etapa de amplificacin de tensin.

Figura 4-3: Fuente de corriente del VAS




25

Recordando que la corriente que fluye por la resistencia R22 en la figura 4-3 se dirige a la
etapa de salida del amplificador, ms especficamente a polarizar los diodos (circuito de
polarizacin de la OPS) y luego entra al VAS.

Seguidamente se presenta en la figura 3-4 los valores obtenidos experimentalmente


Figura 4-4: Fuente de corriente experimental

En la figura 4-4 se aprecia el potencial de la resistencia R22 y R23 de la figura 3-1;
conociendo que su valor es 100 , se puede obtener su valor de corriente el cual ronda los
mA 12 .

Comparando los resultados obtenidos experimentalmente y simuladamente se comprueba
que la implementacin fue todo un xito. Pudiendo decir que tanto la etapa de entrada
como la etapa de amplificacin de tensin se mostraron debidamente polarizadas.








26

4.3 Etapa de salida

Con respecto a la etapa de salida se presenta en la figura 4-5, el valor de la tensin base
emisor obtenida experimental y simuladamente:


Figura 4-5: Tensin Base emisor simulada y experimental


Como se puede comparar en la figura 4-5 el valor experimental es muy cercano al valor
obtenido en la simulacin; ya que el valor experimental es prcticamente mV 500 y el
experimental es de mV 533 , dando un porcentaje de error de 6.6%. De lo anterior se
concluye que los transistores de la etapa de salida funcionaron correctamente.






27

Seguidamente se presenta en la figura 4-6, las tomas de los valores del potencial Base-
Emisor y la tensin de diodo. Recordando que como los transistores Thermal Track
integran un diodo en el circuito integrado, se realiz el sensado de temperatura de manera
mucho ms rpida y eficiente; por lo que estas dos tensiones tendieron a ser muy similares.


Figura 4-6: Comparacin de tensiones entre el transistor y el diodo

Como muestra la figura 4-6 las tensiones son muy parecidas. Se obtiene un porcentaje de
error menor al 2%; por lo que se puede decir que el diodo tiene una reaccin muy rpida y
precisa del sensado de temperatura en el transistor.



4.4 Ganancia de Tensin

A continuacin se presenta el valor obtenido simuladamente de la ganancia de tensin del
circuito, poniendo como entrada una sinodal de mV 100 de amplitud y Khz 1 de frecuencia.





28


Figura 4-7: Ganancia de tensin simulada

En la figura 4-7 se observa que con una entrada sinodal de mV 100 amplitud y Khz 1 de
frecuencia se obtiene una seal de salida de amplitud cercana a V 3 de amplitud con a
misma frecuencia. Lo que da una ganancia potencial de aproximadamente 28 dB.












29

Seguidamente se presenta la toma obtenida experimentalmente sobre la ganancia de
tensin:



Figura 4-8: Ganancia de tensin experimental

Como se puede apreciar en la figura 4-8, al alimentar el amplificador con una seal de
entrada con una amplitud de mV 100 y Khz 1 se obtiene una seal de salida de amplitud
V 6 . 2 a la misma frecuencia que la entrada.


Comparando las figuras 4-8 y 4-7 se puede observar que los datos obtenidos
experimentalmente estn acordes con los simulados; dndole validez a los datos obtenidos
en el laboratorio.





30

Con respecto al desfase entra las seales de entrada y salida se presenta la figura 4-9 a
continuacin:


Figura 4-9: Desfase entre las seales de entrada y salida

La figura 4-9 deja claro que las dos seales estn en fase. Por ende se concluye que en el
amplificador no hay un desfase entre la seal de entrada y la seal de salida.












31

4.5 Barrido de frecuencia

Se presenta el barrido de frecuencia del amplificador de potencia obtenido por medio de la
simulacin:


Figura 4-10: Barrido en frecuencia simulado

Como se puede apreciar en la figura 4-10 la forma del grfico es de un filtro paso banda,
acorde a la teora. La idea de este filtro es atenuar las frecuencias no audibles para el odo
humano. Para el amplificador en estudio se ampli un poco el rango de frecuencias de [20-
200K], esto para darle profundidad al sonido.








32

Se presenta ahora el barrido de frecuencias obtenido experimentalmente:


Figura 4-11: Barrido de frecuencias obtenido experimentalmente

Comparando las figuras 4-11 y 4-10 se aprecia la similitud entre stas, por lo que su
respuesta en frecuencia es muy similar a la deseada.

Se resalta que el amplificador implementado fue todo un xito, ya que a travs de las
diferentes pruebas realizadas, su comportamiento siempre estuvo muy similar al
comportamiento deseado.








33

4.6 Impedancia de entrada:
Para la medicin de este parmetro se utiliz el siguiente esquemtico presentado en la
figura 4-12:



Figura 4-12: Circuito para obtener la impedancia de entrada experimentalmente

La idea es poner en serie un potencimetro con el amplificador, esto para alimentar el
circuito con una seal de entrada, generalmente sinodal, de frecuencia adecuada; para
seguidamente medir la tensin obtenida en el amplificador (RX_Amplificador en la figura
4-12) al variar el potencimetro. Entones, cuando se obtiene una seal con la mitad de la
amplitud de la seal de entrada, se tiene el valor de la impedancia de entrada del
amplificador en el potencimetro.

Al realizar el procedimiento detallado anteriormente se obtuvo el siguiente resultado,
presentado en la figura 4-13.




34


Figura 4-13: Impedancia de entrada experimental

La seal de entrada fue una sinodal de frecuencia mayor a 200Hz, aproximadamente 330Hz
y de amplitud 20Vp-p; por lo que al obtener una seal de 10Vp-p se logr un valor de
12.67K.

El valor experimental varia con respecto al obtenido analticamente, ya que es
prcticamente el doble del parmetro experimental; error que se puede atribuir a la serie de
aproximaciones realizadas para facilitar el clculo del apndice IV. Pero es un valor muy
cercano al expuesto en la revista de donde se obtuvo el amplificador en estudio,
concluyendo que su implementacin fue muy exitosa.
35

Captulo 5: Conclusiones y recomendaciones
5.1 Conclusiones
Los amplificadores de potencia de clase AB, a pesar de su antigedad en el
mercado, siguen siendo una de las clases ms implementadas por lo fabricantes. De
esta clase surgieron clases posteriores, que en realidad son mejoras a la clase AB,
que dan como resultado un amplificador de audio de muy buena calidad sonora;
concluyendo que la clase AB es la base de donde evolucionaron otras.

La topologa de tres etapas de un amplificador de potencia es una de las ms
utilizadas e implementadas, ya que de stas se pueden obtener destacables ventajas
en lo que se refiere a estabilidad del circuito, una muy buena lineabilidad, una muy
baja distorsin, una muy buena eficiencia, entre otras.

Los transistores Thermal Track son una solucin muy innovadora al problema de
la distorsin de cruce. Logrando que la tensin entre nodo-ctodo del diodo sea de
un valor muy cercano a la tensin base-emisor del transistor. Consiguiendo as que
la distorsin sea despreciable, dando como resultado un buen rendimiento en el
campo fiabilidad del amplificador.

Se logr implementar un amplificador de audio de un comportamiento muy fiel a la
teora. Esto se refleja en los valores obtenidos experimentalmente, los cuales
coinciden con lo expresado en la teora y en las simulaciones.








36

5.2 Recomendaciones

En la implantacin del circuito se debe tener sumo cuidado a la hora de alambrarlo.
Debido que su gran tamao aumenta la complejidad, hacindose ms difcil de
analizar a la hora de encontrar errores. Se recomienda hacer uso de una tarjeta de
prototipos de buen tamao y hacer un buen completo de ella.

Cuando se realicen medidas al circuito verificar que ningn componente este
generando algn corto, debido a que se puede generar un pico de corriente que
puede alterar o afectar el funcionamiento de algn componente, especialmente a los
transistores de propsito general.

Recordar siempre limitar la corriente de corto circuito en las fuentes del laboratorio.
Esto porque, de lo contrario cuando se produzca algn corto se puede generar la
perdida de algn componente. Mientras que una limitada corriente de corto circuito
puede evitar la prdida de algn componente, al surgir algn altercado.

Cuando se le introduzca la seal de entrada al amplificador, se debe conocer de
antemano un aproximado de cuanta corriente de salida se va a obtener. Esto para
evitar el sobrecalentamiento del conductor (que deber de ser de un calibre
adecuado) , una disipacin de potencia muy alta en los transistores (altas
temperaturas) de la etapa de salida y para evitar daos fsicos a la tarjeta de
prototipos.



37

Bibliografa

[1]Electronic Circuits Design For Beginners en: http://knol.google.com/k/electronic-
circuits-design-for-beginners-chapter-8#. Consultado en Agosto 23, 2011.

[2]David A. Kaplan. (1999). Los Silicon Boys. EMECE Editores.

[3]Jos Mara Drake Moyano. (2005). Amplificadores de potencia. UNIVERSIDAD DE
CANTABRIA.

[4]J. I. Huircan. (2005). Amplificadores de Potencia, Conceptos bsicos .

[5]Foros De Electrnica. Diseo de Amplificadores de Potencia en:
http://www.forosdeelectronica.com/f31/diseno-amplificadores-potencia-12212/. Consultado
en Agosto 23, 2011.

[6] Boylestad, R. (1997) Electrnica: Teora de Circuitos. 4 edicin. Prentice Hall.

[7] Schilling, D. (1991) Circuitos Electrnicos: Discretos e Integrados. 1 edicin.
McGraw-Hill.

[8]Mark Busier. (2005) APPLICATION NOTE ThermalTrakt Audio Output Transistors.
ON Semiconductor.

[9] Nueva Electrnica. Amplificador Estero 110W Volumen N 300. (2010).

[10] G. Randy Slone. (1999). High-Power Audio Amplifier Construction Manual. 1
edicin. McGraw-Hill.

[11] Douglas Self. (2006) Audio Power Amplifier Desing Handbook. 4 Edicin.
Newnes.


38

[12] Gustavo A. Ruiz Robredo. (2001) ELECTRONICA BASICA PARA INGENIEROS .
1 edicin. Servicio de Reprografa Facultad de Ciencias Universidad de Cantabria.

[13]Paul R. Gray /Robert G. Meyer. (1955). Anlisis y Diseo de Ciruitos Integrados
Analogicos. 3 edicin. Prentice Hall.

[14] Hojas del fabricante, encontradas en el catalogo de Datashhet en:
http://www.datasheetcatalog.com/. Consultado en Agosto 23, 2011.






39

Apndices
Apndice I
1.1 Clase A:

Un amplificador de potencia estar funcionando en clase A, cuando la tensin de
polarizacin y la amplitud mxima de la seal de entrada posean valores tales que, la
corriente por el colector fluya continuamente en todos los dispositivos de salida; durante
todo el ciclo de la seal. O sea, los transistores siempre estarn consumiendo corriente. El
transistor se polariza en una zona de respuesta lineal, con capacidad de responder a seales
de cualquier polaridad. [4]

Su principal ventaja es su operacin lineal, por consecuencia su distorsin armnica es una
de las ms bajas en los amplificadores de potencia. Esta se manifiesta en una alta fidelidad
sonora de la seal de entrada. En contra parte, su principal desventaja es la alta disipacin
de temperatura. Esta causa la eficiencia ms baja en todos los tipos de amplificadores de
potencia; eficiencia mxima que ronda el 50%.

A continuacin en la figura 5-1 se presenta un circuito de un amplificador de potencia
Clase A:










Figura 5-1: Esquemtico de un amplificador Clase A [5]



40

1.2 Clase B
La clase B tiene la caracterstica de que la corriente slo fluye en un semi-ciclo de la onda
de entrada, donde es amplificada. Durante el otro medio ciclo, la seal no es amplificada.
Para conseguir un aumento considerable del rendimiento, se configura para que los
elementos activos (Transistores) trabajen en un semi-ciclo de la onda cada uno, es decir,
conduzcan 180. A esta forma de trabajo tambin se le conoce como Push-Pull. La idea
es trabajar con un par de transistores que se complementen mutuamente. El punto Q se
ubicar aproximadamente en el punto de corte en ambas rectas de carga, la de corriente
continua y la de seal de entrada. Las ventajas que ofrece el funcionamiento en clase B son
un menor consumo de corriente y un mayor rendimiento de aproximadamente un 78.5%.










Figura 5-2: Concepto base para el funcionamiento de la clase B [3]

En la figura 5-2 se observa el concepto bsico de la clase B. Donde la suma de las
corrientes de los 2 transistores, da la amplificacin de la corriente de entrada.










41

1.1.1 Configuracin en simetra complementaria


Figura 5-3: Configuracin en Simetra complementaria [7]

En la figura 5-3 se muestra un amplificador de clase B en simetra complementaria. Esta
configuracin no precisa el uso de transformadores. Ventaja de gran importancia, debido a
que le quita peso al circuito y abarata el costo.
Se usan transistores NPN y PNP para que cada uno de ellos conduzca en un semi-ciclo.
Cuando la tensin de la seal de entrada es positiva, T1 (NPN) conduce, mientras que T2
(PNP) est en corte. Cuando la tensin es negativa se intercambian los papeles. La
corriente en la carga tendr la siguiente forma: [7]

2 1 C C L
I I I =
( 1-1)

Sus ventajas con respecto a otras configuraciones son la eliminacin del transformador y no
necesita seales de entrada desfasadas 180. Entre sus desventajas es el uso de dos fuentes
de alimentacin una positiva y otra negativa.




42

1.1.2 Distorsin de cruce por cero:

En los circuitos prcticos, no se usa el verdadero funcionamiento en clase B debido a la
excesiva distorsin que puede producirse. Los transistores no son lineales cerca del corte
de corriente debido al umbral de tensin que poseen. Esto se produce por la tensin base
emisor de los transistores. Recordando que los transistores estn conformados de un par de
diodos y que tienen que superar un potencial de aproximadamente 0,7v para conducir.
Como esta tensin depende de la seal de entrada Vi, durante todo el tiempo en que la
seal, tenga un valor menor a 0,7v, los transistores Q1 y Q2 estarn en la zona de corte,
generando en la salida una tensin de cero volts, y produciendo una distorsin en el cruce
por cero y por ende distorsin en la seal. [5]













Debido a este problema, los amplificadores clase B tuvieron que migrar a otro tipo de clase.
Para solucionar este problema, se cre la clase tipo AB






Figura 5-4: Distorsin por cruce por cero [5]


43


Apndice II
2.1 Distorsin Armnica:

La distorsin armnica se define como cualquier deformacin, o coloracin, causados por
la generacin artificial de los armnicos. Se supone que la distorsin armnica siempre
ser asociada a las no-linealidades del circuito. La distorsin armnica se produce cuando
la seal de salida de un sistema no equivale a la seal que entr en l. Esta falta de
linealidad afecta la forma de onda, porque el equipo ha introducido armnicos que no
estaban en la seal de entrada. Puesto que son armnicos, es decir mltiplos de la seal de
entrada, esta distorsin no es tan disonante y es ms difcil de detectar. En todo sistema de
audio siempre se produce una pequea distorsin de la seal, dado que todos los equipos
actuales introducen alguna no linealidad. [10]


La distorsin armnica no siempre implica prdida de calidad. De hecho, la distorsin se
considera un efecto de sonido imprescindible para ciertos gneros musicales (bsicamente
rock) y as, se suele saturar artificialmente la seal bsica producida por ciertos
instrumentos (como guitarras elctricas). En este sentido, la distorsin apareci en la
msica primero como consecuencia indeseada de la saturacin de las etapas del sistema de
amplificacin, y despus se crearon unidades de efecto que producan artificialmente ese
efecto, con independencia del equipo utilizado.

Al hablar de distorsin armnica, normalmente se hace referencia a la llamada distorsin
armnica total (THD, por sus siglas en ingls Total Harmonic Distortion), que es
precisamente, la cantidad de armnicos que el equipo introduce y que no estaban en la seal
original. Para normalizar las medidas. La distorsin armnica total nunca debe estar por
encima del 1%. De estarlo, en lugar de enriquecer la seal, la distorsin empieza a
desvirtuarla y el sonido resultante empieza a dejar de parecerse al original, aunque se
utilizan distorsiones superiores con objetivo artstico.


44


En el amplificador tpico la THD se piensa a menudo que se debe simplemente a la
naturaleza de la clase-B de la etapa de salida, ya que pierde linealidad cuando el factor de
retroalimentacin cae al aumentar la frecuencia. Esto es, sin embargo, es cierto cuando
todas las dems fuentes de distorsin han sido eliminadas. En la gran mayora de los
amplificadores comerciales, la realidad es ms compleja, ya que las etapas de pequea
seal (las primeras dos etapas) puede generar distorsiones importantes por su cuenta.
2.2 Retroalimentacin:

El uso de la retroalimentacin negativa en los amplificadores es de suma importancia ya
que, trae una serie de beneficios muy importantes. La retroalimentacin negativa estabiliza
la ganancia del amplificador contra los cambios en los parmetros de los dispositivos
activos, debido a las variaciones del potencial de alimentacin, cambios en la temperatura o
envejecimiento de los dispositivos. Adems permite al diseador modificar las
impedancias de entrada y salida del circuito en cualquier forma. Tambin reduce la
distorsin de la forma de onda de la seal que produce. Algunas de las desventajas que trae
la retroalimentacin negativa son: reduce la ganancia del circuito, por lo que a menudo se
compensa aadindole una etapa adicional, un preamplificador. Y por ltimo la tendencia
que ocurran oscilaciones en el circuito, se le debe tener suma atencin para evitar la
inestabilidad, usualmente se le agregan capacitores que ayuden a la compensacin del
circuito, para mejorar la estabilidad. [13]

A continuacin se detallan los diferentes tipos de retroalimentacin que se dan en este tipo
de arquitectura.









45




Figura 5-5: Tipos de retroalimentacin:[10]
En la figura 5-5 se han representado a la arquitectura de tres etapas, cada una con la
simbologa de amplificador operacional; donde la etapa de entrada se ha representado por el
rtulo A1, la etapa de amplificacin de tensin con A2 y finalmente la etapa de salida con
A3.

La figura 5-5, prcticamente se da entender por s sola, pero para no dejar ninguna duda se
explicara a continuacin. La figura 5-15 (a) muestra la retroalimentacin local, la cual se
lleva a cabo de manera aislada entre la misma etapa. La figura 5-15 (b) muestra que una
retroalimentacin global es cuando, se toma la salida del circuito total (etapa de salida),
conformado por las tres etapas, y se retroalimenta a la entrada del mismo (etapa de
entrada). Y por ltimo en la figura 5-15 (c) se muestra que una retroalimentacin anidada
se da cuando, se toma la salida del circuito total y se retroalimenta a la entrada de las dos
etapas anteriores. Esta ltima no se utiliza en la mayora de amplificadores de audio. [10]


46


2.3 Retroalimentacin en el amplificador de potencia

El uso principal de la retroalimentacin negativa (NFB por sus siglas en ingls Negative
Feed-Back) en los amplificadores es la reduccin de la distorsin armnica, la reduccin
de la impedancia de salida, y el aumento del rechazo de la alimentacin (PSRR).

En el control de la distorsin del amplificador, hay dos principales armas. La primera es
hacer que la linealidad de los circuitos sea la mejor posible antes de cerrar el lazo de
retroalimentacin. Esto es incuestionablemente importante, pero debido a la dificultad de
obtener algunos parmetros en las diferentes etapas de amplificacin, se convierte en una
solucin poco manejable, adems la experiencia ha demostrado que este enfoque es de poca
efectividad. La segunda y ms usada es la aplicacin de la retroalimentacin negativa tanto
como sea posible, manteniendo la estabilidad del amplificador.

En circuitos simples, nada ms se aplicaba la retroalimentacin negativa y ese era el final
del asunto. En un amplificador de potencia tpico, que normalmente se constituye de varias
etapas, habr etapas que pueden provocar un cambio de fase, y si se llegara a cerrar
simplemente el lazo traera en su peor caso grandes oscilaciones, ya que en vez de obtener
una seal de error, constituida de la resta entre la seal de entrada y la retroalimentada, se
tendr una suma entre ambas, si hay un cambio de fase de 180. Asunto serio, ya que no
slo se quemar los altavoces conectados, pero tambin puede destruir los dispositivos de
salida por el sobrecalentamiento.








47

La seal obtenida en la salida de la etapa de entrada, se invierte en relacin con la seal de
entrada del amplificador. La etapa de amplificacin de tensin (VAS por sus siglas en
ingles,Voltage Amplifier Stage) la invierte de nuevo, volviendo a una cercana condicin
de fase cuando se aplica a la etapa de salida (OPS por sus siglas en ingles Output Stage).
La OPS es un amplificador no inversor, por lo que la seal retroalimentada tomada de la
OPS se considera que esta en fase cuando se aplica a la entrada inversora del amplificador
diferencial de entrada.

Refirindose a la figura 3-1, supongamos que el polo dominante del capacitor CC se
elimina del circuito y la seal de salida no se retroalimenta. En estas condiciones, la
ganancia de tensin de lazo abierto en bajas frecuencias del amplificador de potencia es el
producto de la etapa de transconductancia de entrada y la transimpedancia del VAS
(ganancia de tensin no se produce en el OPS). Este ser un factor de ganancia muy alta,
pero es difcil de predecir ya que aproximadamente un tercio del clculo depende del beta
del transistor del VAS, el cual puede cambiar muy fcilmente.

Como en cualquier circuito amplificador, la ganancia de tensin de lazo abierto puede
variar con respecto a la frecuencia. El rango de frecuencia donde la ganancia de lazo
abierto del circuito se mantiene constante se llama la regin de baja frecuencia. La regin
encima de esta, donde la ganancia disminuye de forma constante por un valor de 6 dB por
octava, se conoce como la regin de alta frecuencia. La frecuencia de ruptura en la que el
amplificador pasa de regin de baja frecuencia a la regin de alta frecuencia se denomina
frecuencia de polo dominante, normalmente abreviado como PI.
.









48

El factor que controla la frecuencia de PI es la capacitancia de Miller de las etapas que
contienen transistores. Sin la ayuda de CC, el factor de ganancia de tensin interacta con
el efecto de la capacitancia de Miller en las frecuencias altas produciendo una ganancia de
tensin y cambio de fase suficiente para causar una oscilacin sostenida, si se incorpora
cualquier retroalimentacin. La oscilacin auto-sostenida resulta de un cambio de fase
excesivo en el lazo de retroalimentacin que coloquialmente se conoce como la oscilacin
de Nyquist. La correccin de los problemas de cambio de fase y por lo tanto de estabilidad
se llama estabilidad de Nyquist; la funcin principal del capacitor de compensacin CC es
disminuir la frecuencia PI para que, la ganancia de tensin caiga por debajo la unidad antes
de provocar un cambio de fase suficiente para inducir la oscilacin. Una buena estabilidad
es el resultado consecuente. Este mtodo de compensacin que se conoce como
compensacin de Miller polo dominante.

La cantidad de retroalimentacin negativa aplicada debe ser maximizada en todas las
frecuencias de audio para obtener una muy buena linealidad, y el nico lmite es obtener
una estabilidad confiable en altas frecuencias. En teora de control clsica, la estabilidad de
un lazo se indica por su margen de fase y su margen de ganancia. Estos conceptos no son
muy tiles en el trabajo de amplificadores, donde muchas de las constantes de tiempo
significativas son vagamente conocidas. En la prctica, se deber consultar diferentes
criterios para determinar un factor de retroalimentacin que de una estabilidad fiable.
Usualmente cuando se utiliza la convencional arquitectura de 3-etapas, 30 dB en la
retroalimentacin globales a los 20 kHz es segura.











49


Apndice III
Arquitectura del amplificador

En la presente seccin se desarrollar un anlisis y la teora de la composicin de un
amplificador de audio.
Los amplificadores de potencia (audio) tienen diferentes arquitecturas. Estas han venido
mejorndose para obtener resultados cada vez ms satisfactorios en el campo del audio,
como lo son la eficiencia, la distorsin de altas frecuencias, linealidad, estabilidad, entre
otras. Muchos experimentos e investigaciones se han hecho para el desarrollo de la mejor
topologa de amplificador de audio, y una de las clsicas y todava en uso, sin lugar a
dudas, es la topologa de tres etapas desarrollado por el Sr. Lin, de la RCA en 1956. La cual
se muestra de manera simplificada en la figura 5-6 [10]



Figura 5-6: Arquitectura de 3 etapas [10]



50

La primera etapa es un amplificador de transconductancia, que recibe una seal de tensin
en la entrada y la amplifica en una seal de corriente, la cual se aplica a la entrada de baja
impedancia de la segunda etapa (VAS). Esta primera etapa casi siempre est compuesta de
un amplificador diferencial, debido a la conveniencia de tener una entrada de inversin para
la aplicacin de una retroalimentacin negativa. La primera etapa que comnmente se
llama la etapa de entrada.


La segunda etapa es un amplificador de transimpedancia. Se recibe la seal de corriente de
la etapa de entrada y la convierte en una seal de tensin de alto nivel, proporcionando
adems una ptima estabilidad. Como una cuestin de convencin, la segunda etapa recibe
automticamente un gran factor de retroalimentacin negativa local y esta ventaja
aumenta la linealidad de la seal (para ms informacin referirse al apndice II). La
segunda etapa es comnmente conocida como la etapa de amplificacin de tensin (VA o
VAS).


La tercera etapa es un amplificador de corriente. Recibe la seal de alto potencial de la
etapa de VAS y proporciona una ganancia de tensin cercana a la unidad y alta corriente
de salida, la cual alimenta el altavoz. Conocida comnmente como la etapa de salida (OP u
OPS). [10]












51




3.1 Etapa de entrada
En la presenta seccin se detallara la composicin de una etapa de entrada actual. Se
pretende dar una idea de la utilidad de sus componentes, analizndolos por separado.


Figura 5-7: Etapa de entrada tpica.[11]

En la figura 5-7 se presenta una etapa de entrada tpica de un amplificador de audio. Se
pueden distinguir tres componentes de esta. Primeramente la parte de mayor importancia
es el amplificador diferencial. Los otros dos componentes la fuente de corriente y el espejo
de corriente se colocan para mejorar la funcionalidad del primero. Se detallara a
continuacin cada una de las partes analizndolas por separado para poder entender su
funcin en conjunto.





52




3.1.1 Espejo de Corriente:

Un espejo de corriente es una configuracin con la que se pretende obtener una corriente
constante, esto es, una fuente de corriente. La forma ms simple de una fuente de corriente
est formada, por un resistor y dos transistores que tienen la misma tensin VBE.



Figura 5-8: Espejo de corriente [12]

Tal como se muestra en la figura 5-8, el transistor Q1 est operando en modo diodo (voltaje
colector-base sea cero) y por ello en numerosas ocasiones se puede ver representado segn
el esquema de la figura 5-8(b). Ambos circuitos se comportan como una fuente de
corriente de valor Io. Para mayor detalle sobre su anlisis referirse a punto 13 de la
bibliografa.







53




3.1.2 Fuentes de Corriente

Son circuitos usualmente hechos a base de transistores; son ampliamente utilizadas en
circuitos electrnicos integrados como elementos de polarizacin y como cargas activas en
etapas amplificadoras. Un ejemplo de una fuente de corriente simple el espejo de corriente,
analizado anteriormente. Las fuentes de corrientes en polarizacin resultan ms insensibles
a variaciones de las tensiones de polarizacin y de la temperatura, y son ms econmicas
que los elementos resistivos en trminos de rea de ocupacin, especialmente cuando las
corrientes son bajas. En el audio se usan como complementos y mejoras del par
diferencial. Seguidamente se estar comentando las configuraciones ms usadas en el
campo de audio.[11]


Figura 5-9: Fuente de corriente constante [10]


54




La Figura 5-9 ilustra una forma ms comn de la fuente de corriente constante. Incorpora
un par diodos polarizados directamente en serie DI y D2, como los elementos de regulacin
de tensin. Dl y D2 suministran el flujo de corriente directa de la resistencia RS. La
corriente de emisor del transistor Q1 es: [11]

mA
RE
V V V
BE D D
6 . 4
1500
7
150
7 . 0 7 . 0 7 . 0
2 1
=
+
=
+
(3.1.2-1)



Como se ilustra en la figura 5-9, el potencimetro VR1 y la resistencia R1 representan la
carga variable de la fuente corriente constante. Las variaciones de la corriente de salida de
la fuente (Corriente de colector Q1) son muy pequeas; esto porque la corriente de colector
es prcticamente igual a la corriente de emisor; y esta slo depender del valor de RE. [11]


El valor de la resistencia de RE puede ser alterado para proporcionar casi cualquier
corriente deseada, con un valor mnimo prctico de aproximadamente 50 ohms (donde la
relacin RE / Ic se convierte en no-lineal). RE tambin se puede sustituir por un
potencimetro (conectado como restato) en caso de necesitar cambiar la corriente de
salida de la fuente de corriente constante, de forma sencilla. Aunque la fuente de corriente
constante de la figura 5-9 est diseado para utilizar la cada de tensin de los dos diodos,
pero se puede utilizar cualquier elemento que proporcione una tensin de constante, como
LED, o diodos zener. En caso de la seleccin del transistor se puede utilizar cualquier tipo
de BJT, siempre que las condiciones del circuito no excedan los parmetros del transistor.
[11]



55


Figura 5-10: Fuente de corriente Mejorada [10]

La figura 5-10 representa un enfoque diferente para la construccin de una fuente de
corriente constante, se incorporan un transistor ms y varias resistencias. Cuando la fuente
alimentacin se aplica por primera vez, el flujo de corriente fluye por RC2, RC1, la unin
base-emisor de Ql, y RE. Cuando el flujo de corriente a travs de RE crea una cada de
tensin suficiente para encender Q2 (alrededor de 0,67 voltios), Q2 empieza a dar corriente
a RC2 y RC1. La corriente de colector de Q2 empieza a "robar" el flujo de corriente de la
base de Ql, esto se da en proporcin a la cada de tensin en RE. Si la tensin en RE trata
de aumentar, el Q2 robara ms corriente de la base de Q1, manteniendo la tensin constante
de RE. Si ocurre lo contrario y el voltaje de RE trata de caer, Q2 robar menos corriente de
Q1 logrando una vez ms, que la tensin en RE se mantiene constante.

En efecto, la cada de tensin en RE est firmemente regulada para ser aproximadamente
igual a la de Vbe de Q2. La cada de tensin en RB puede considerarse insignificante a
efectos prcticos. [11]



56

La fuente de corriente constante de la figura 5-10 es un diseo mucho mejor que el
anteriormente detallado. La accin del transistor dual reduce en gran medida las pequeas
variaciones en la regulacin de la tensin inherente a los diodos polarizados directamente o
diodos zener.

Desde la perspectiva del diseo, los valores de componentes para la fuente de corriente de
la figura 5-10 son fciles de determinar. La tensin de la fuente, entre la suma de las
resistencias RCl y RC2 da una corriente de aproximadamente la mitad de la corriente
deseada en la salida de la fuente de corriente constante. El clculo de la RE es el mismo
que el descrito para el circuito de la figura 5-9. El valor de la RB es no crtico y puede
permanecer en torno al 1 k para casi cualquier aplicacin de entrada. Los valores prcticos
de la Cl capacitor puede variar de 2,2uA a alrededor de 47 uA. [11]

3.1.3 Amplificador diferencial (Par diferencial)

Es el circuito ms importante de la etapa de entrada. Los anteriores circuito analizados,
complementan el trabajo del par diferencial. En la figura 5-11 se muestra un amplificador
diferencial tpico.




57


Figura 5-11: Configuracin tpica del amplificador diferencial [12]

Las ecuaciones que muestran la relacin entre las corrientes de salida y la tensin
diferencial estn dadas por [13]:

+
=
+
=
T
id
T
id
V
V
EE
c
V
V
EE
c
e
i
i
e
i
i
1
1
2
1
(3.1.3-1)

Note que para diferencias de tensiones de entrada mayores a varios cientos de milivolts, las
corrientes de colector se convierten en independientes dado que toda la corriente estar
fluyendo en uno de los transistores. Slo para diferencias de tensin menores a alrededor
de 50 mV, el circuito se comportar en forma aproximadamente lineal.





58

En las anteriores expresiones puede verse claramente que las corrientes de colector
dependen directamente de la corriente fijada por la fuente (IEE) y de la diferencia de
tensin aplicada a las bases (tensin diferencial de entrada). Si la seal diferencial es nula
ambas corrientes son idnticas e iguales a la mitad de la corriente fijada por la fuente (IEE).
[13]


Figura 5-12: Corrientes de un par diferencial en funcin del voltaje diferencial [12]


En las curvas de transferencia de la figura 5-12 se puede observar que las caractersticas
son lineales en una zona centrada alrededor del punto de trabajo, en el cual la pendiente es
mxima. Esta pendiente define la ganancia de transconductancia efectiva del amplificador
que depende del valor de la corriente IEE suministrada por la fuente de corriente constante
y queda determinada por la siguiente expresin:


1 con
4
F
= =

T
EE F
m
V
I
G m
(3.1.3-2)




59

Con la finalidad de aumentar el rango de tensin de entrada en el cual el par acoplado se
comporta de manera similar a un amplificador lineal, frecuentemente se incluyen resistores
de degeneracin en serie con los emisores de los transistores. Adems este es un ejemplo
de una retroalimentacin local, por lo cual da todas las ventajas de la retroalimentacin
negativa. [13]

Las ventajas del uso de un par diferencial en la etapa de entrada de un amplificador es por
lo general el bajo offset en DC, debido a la cancelacin de las tensiones VBE. Adems
tiene la ventaja importante de que su corriente estacionaria no tiene que fluir a travs de la
red de realimentacin. El par diferencial tiene la gran ventaja de que su caracterstica de
transferencia es matemticamente muy predecible. La corriente de salida est relacionada
con la diferencia de tensin de entrada, relacin que se puede ver en la ecuacin 3.1.3-1.
Adems el exacto balance DC del par diferencial es esencial para los amplificadores de
potencia; ya que las desviaciones ms pequeas de Ic en el par afectan gravemente la
cancelacin del segundo armnico.[11]

Es por estos motivos que se usan los espejos de corriente, ya que la corriente de la fuente de
corriente constante se divide por igual entre las dos piernas del espejo de corriente (es decir,
fuerza a las dos corrientes de colector ha estar muy cerca de la igualdad, dando la
cancelacin correcta del segundo armnico). En otras palabras, un espejo de corriente
equilibra el flujo de corriente elctrica a travs de dos vas de corriente desequilibrada.
Tambin hay menos DC offset debido a la desigualdad en las corrientes de base que fluyen
a travs de resistencias de entrada y de retroalimentacin










60

Pero si al incluir un espejo de corriente se siente que la distorsin de alta frecuencia
necesita una mayor reduccin. La no-linealidad del transistor puede atribuirse a la no-
linealidad de la resistencia interna del emisor Re; por lo que se puede reducir el valor de
esta, mediante el aumento de la corriente de cola y por ende la corriente de colector. Se
debe tener en cuenta que al aumentar la corriente de cola aumenta la ganancia, pero al
aumentar la ganancia podra verse afectada la estabilidad del circuito, por lo que es
conveniente volverla a su valor inicial (de lo contrario el capacitor del VAS tendra que ser
aumentado en forma proporcional para mantener la estabilidad). Esto se logra agregando la
resistencia de degeneracin, para que sustituya la parte que falta de la resistencia interna del
transistor. En resumen lo que se hace para reducir an ms la distorsin es aumentar la
corriente de los emisores, pero esto afectara a la ganancia, por lo que se agregan
resistencias externas para volver a tener la Re original, la relacionada con la ganancia
deseada. [11]

La resistencia interna de un transistor usualmente cumple con esta ecuacin:

mA I
I
R
C
C
e
en con
25
=
(3.1.3-3)

En la figura 5- se muestra un ejemplo de lo comentado anteriormente. Ya que inicialmente
(a) se tiene
42
0.6
25
, 600 = =
e c
R A I
. Y al aumentar 5-13(b)
, 20
1.35
25
, 35 . 1 = =
e c
R mA I
por lo que el valor de la resistencia de degeneracin
ser de
= 22
E
R
.



61


Figura 5-13: Antes y despus de la incorporacin de RE. [11]


Si se busca mejorar aun ms la linealidad, existen varias tcnicas, de las cuales una de la
ms usada debido a su menor complejidad y resultados es la de pares de retroalimentacin
complementaria (CFP por sus siglas en ingls). Cada vez que sea necesario incrementar la
linealidad de un circuito, a menudo es un buen mtodo incrementar el factor de
retroalimentacin local, ya que este tiene poco efecto sobre la estabilidad global del lazo.
Un mtodo fiable es reemplazar los transistores de entrada con unos CFP, como se muestra
en el escenario de la figura 5-14. [11]


Figura 5-14: Pares de retroalimentacin complementaria [11]


62


Un compromiso necesario en el circuito de CFP, es el valor de Rc, que establece la
proporcin de la corriente remanente que pasa por los dispositivos NPN y PNP a cada lado
del escenario. A mayor valor de Rc da una mejor linealidad, pero ms ruido, debido a la
menor corriente de colector en los dispositivos NPN que son las entradas de la etapa de
entrada, 2,2k es un buen compromiso. [11]

En conclusin la etapa de entrada constituida por un par diferencial no slo proporciona la
forma ms sencilla de hacer un amplificador acoplado en DC con una tensin offset
pequeo pero tambin puede cancelar totalmente la distorsin del segundo armnico que
sera generado por una etapa de entrada de un solo transistor. Una condicin esencial para
esto es que el par debe estar perfectamente equilibrado, por lo que la eleccin de los
componentes asociados a este fin debe ser de suma importancia.

3.2 Etapa de amplificacin de voltaje (VAS).

Como su nombre lo indica, la VAS es el responsable de toda la ganancia de tensin dentro
de un amplificador de potencia. La VAS recibe una seal de corriente amplificada de la
etapa de entrada y la convierte en una tensin de gran seal que se aplicar a la OPS. A
medida que aumenta la frecuencia por encima del PI, la impedancia de entrada y salida del
VAS comienza a caer como cae la reactancia capacitiva del capacitor de polo dominante.
La disminucin de la impedancia del VAS tiene un efecto mnimo en la capacitancia de
Miller dentro de las etapas de entrada y salida, forzando al capacitor de polo dominante a
convertirse en la principal influencia capacitiva en todo el amplificador. Por lo tanto, las
variables de compensacin para estabilidad de Nyquist y linealizacin ptima se reducen a
los efectos combinados de la transconductancia etapa de entrada, la ganancia de tensin de
la VA, y el valor de un capacitor (el de polo dominante CC).





63

Asumiendo que la etapa de entrada se ha llevado hasta sus lmites, una compensacin
ptima y linealizacin se simplifica a dos variables: la ganancia de potencial del VAS y el
valor del condensador de polo dominante. La ganancia de tensin debe ser tan alta como
sea posible, sin aadir complejidad innecesaria o inestabilidad al circuito. El valor ptimo
de CC es elegido para proporcionar una buena estabilidad y el mximo aprovechamiento
de la NFB global.

Una etapa VAS bien diseada contribuyen relativamente poco con la distorsin total de un
amplificador, la principal razn es porque en bajas frecuencias (LF, por sus siglas en ingls
Low Frequency), la retroalimentacin global linearizar todo el amplificador, mientras
que en altas frecuencias (HF, por sus siglas en ingls High Frequency) el VAS es
linealizado por NFB local a travs del capacitor de polo dominante (Conocido como CC o
CDOM).

3.2.1 VAS:
La figura 5-15 da una idea del funcionamiento del VAS:



Figura 5-15: Operacin del VAS [11]



64

G representa una fuente de corriente cuyo valor es controlado por la tensin diferencial
entre Rin y Rf2, y representa la transconductancia diferencial de la etapa de entrada, donde
la Rin ser el potencial de entrada y Rf2 la tensin retroalimentado. Luego F representa el
transistor del VAS, que es una fuente de corriente produciendo una corriente beta veces lo
que fluya a travs del ampermetro VA. El valor de la beta, representa la ganancia de
corriente, como es usual, modelando la relacin entre la corriente de colector y la corriente
de base. Rc representa la impedancia total de colector del VAS, un valor tpico es de 22 k.

El total de la ganancia de tensin claramente depende linealmente de beta. La derivacin
que se da en el circuito a travs de CDOM representa la retroalimentacin local, la cual
establece la ganancia esencial en HF que controla la estabilidad de Nyquist. La ganancia en
LF por debajo de la frecuencia de polo dominante sigue siendo variable (y por lo tanto
tambin el polo dominante), pero en ltima instancia, es de poca importancia si existe un
adecuado factor de retroalimentacin para la linealizacin total en HF relacionado con el
valor de CDOM esto ya que, ser muy poco probable que haya problemas en LF, donde la
ganancia es mayor.

3.2.2 Configuraciones tpicas del VAS
En la presente seccin se describirn tres tipos de configuraciones tpicas de un VAS. Cada
una de estas busca un objetivo en comn, el aumentar la ganancia de lazo abierto del VAS,
solo que cada una de estas lo hace de un forma diferente.

Es importante que la ganancia local de lazo abierto del VAS sea alta, para que el VAS puede
ser linealizado. Una forma de asegurar la suficiente ganancia del lazo es el uso de una
carga activa para aumentar la impedancia de colector efectiva en el transistor y as
aumentar la ganancia de tensin en bruto. Para esto se puede usar la tcnica del
bootstrapping o una fuente de corriente, aunque la fuente de corriente es ms confiable, y es
la opcin habitual para los amplificadores de alta fidelidad o profesional.





65


Figura 5-16: Diferentes configuraciones del VAS

En la Figura 5-33 (a) VAS con una carga de la fuente de corriente:

Este circuito representa un diseo muy comn, con una fuente de corriente constante, en
lugar de una resistencia pasiva. La fuente de corriente acta como una resistencia activa y
proporciona un mximo aprovechamiento del parmetro beta del transistor mientras se
aumenta la capacidad de generacin de corriente del VAS. La desventaja de este circuito es
que el transistor debe ser capaz de manejar alto voltaje (capaz de soportar la suma de los
voltajes alimentacin), y sera preferible contar con un factor de ganancia ms alta que la
que pueda proporcionar un solo transistor.


Figura 5-33 (b) bootstrap en el VAS

Bootstrapping es otra tcnica de carga activa, comparable a la utilizacin de una fuente de
corriente constante. Es menos costoso que incorporar una fuente de corriente, pero es ms
difcil de optimizar. Bootstrapping requiere la retroalimentacin de voltaje de la OPS, en
consecuencia, est a merced de las variaciones resultadas en la salida por desviaciones en la
impedancia de los altavoces.










66

Figura 5-33 (c) Darlington VA etapa:

Esta configuracin ayuda a disminuir la distorsin del VAS, aunque ya es muy poco
influyente, pero es una forma de mejorar aun ms el amplificador. La configuracin utiliza
una fuente de corriente constante, como la configuracin de la figura 5-33 (a). Tiene la
ventaja de mejorar la retroalimentacin local que se da a travs de CC, esto porque, si se
recuerda la ganancia de lazo abierto del amplificador es el producto de la transconductancia
la etapa de entrada, el beta del transistor del VAS y la impedancia de colector Rc:

c
R gm gain Lf =
(3.2.2-1)

Los dos ltimos factores representan la ganancia de VAS y por lo tanto la cantidad de NFB
local, entonces esta puede ser aumentada mediante el aumento de cualquiera de los dos.
Tenga en cuenta que siempre que el valor del CDOM sigue siendo el mismo, el factor de
retroalimentacin global en HF no ha cambiado y la estabilidad que no se ve afectado.

El beta eficaz del VAS puede aumentar considerablemente mediante la sustitucin del
transistor del VAS con un Darlington, en otras palabras, poner un emisor-seguidor antes.
Agregar una etapa extra al amplificador requiere de un anlisis ya que, si la adicin de esta
introduce un cambio de fase extra, la estabilidad en lazo global puede sufrir; pero en este
caso, la nueva etapa se encuentra dentro del lazo (CDOM) y hay poca probabilidad de que
se d este problema. El transistor del VAS, es capaz de suministrar ms corriente al OPS.
La resistencia en el emisor del transistor seguidor es para, la estabilizacin en DC, con
valores tpicos que van desde alrededor de 1 k a 100 ohmios.

En esta seccin se muestra cmo los arduos esfuerzos para optimizar la etapa de entrada
pueden ser mejor aprovechadas por el VAS. El VAS est encargado de toda la ganancia de
voltaje de un amplificador, adems es una etapa de suma importancia en el tema de la
estabilidad; que incluye el tema de los dos tipos de retroalimentacin que se dan en el
amplificador. El VAS no genera altas distorsiones pero es conveniente trabajar para
reducirlas. Para mayor detalle sobre el tema del VAS referirse a los puntos 10 y 11 de la
bibliografa


67

3.3 Etapa de Salida
No hay duda de que la etapa de salida (OPS) de una arquitectura de tres etapas presenta el
mayor obstculo en la bsqueda de la perfeccin en el sonido. Hay muchas opciones de
diseo, tipos de clase, y existen diversos mecanismos de distorsin al considerar la eleccin
de la topologa ptima. Cada uno de estos temas podra ser perfectamente desarrollado a
profundidad en un libro, pero el objetivo de esta seccin y de las anteriores es dar una idea
general de los temas del mundo del audio.

El propsito de la OPS es recibir la tensin de alto nivel de la de salida del VAS e
interconectarla a una carga reactiva de baja impedancia (es decir, un sistema de altavoces).
En otras palabras, la OPS es tpicamente un amplificador de corriente con ganancia de
voltaje unitaria. Existen OPS que incluyen la ganancia de la tensin, pero por lo general se
cree que el control de la distorsin, durante la manipulacin de grandes corrientes es lo
bastante complicado, para intentar generar ganancia de tensin al mismo tiempo. Adems si
el VAS puede proporcionar casi "sin distorsin" la amplificacin de tensin de hasta cerca
el potencial de alimentacin (que se puede), simplemente no hay razn prctica para tratar
de obtener un beneficio adicional de tensin en la OPS.

Debido a que el proyecto se centra en el desarrollo de amplificador de audio tipo AB en
simetra complementaria, en la presente seccin se estar detallando solo OPS de tipo AB.
Partiendo de los conocimientos ya expuestos en el captulo dos. Seguidamente se pretende
explicar los tipos de distorsin que se ven expuestos los amplificadores de tipo AB, para
continuar con las topologas ms usadas y conocidas de la etapa de salida; para finalizar
con el anlisis de una etapa de salida bsica.









68

3.3.1 Tipo de distorsiones
Las etapas de salida de tipo AB presentan tres principales tipos de distorsiones. La primera
es la distorsin de cruce, ya mencionada en el capitulo uno, la distorsin de conmutacin y
la distorsin proveniente de las no-linealidades de las seales grandes, mejor conocida
como la cada del beta. A continuacin se pretende explicar que son y cules son sus
causas; esto porque en la siguiente seccin se presentar los diferentes tipos de topologas,
cules son sus ventajas y desventajas, relacionndolas con el efecto que tienen en las
anteriores distorsiones.

Distorsin de cruce:

Este tipo de distorsin, como ya se mencion anteriormente, se da por la tensin base
emisor necesaria para poner a conducir los diodos de los transistores. Recordando que los
transistores estn conformados de un par de diodos y que tienen que superar una tensin
de aproximadamente 0,7v para que conduzcan. El trmino cruce por cero se refiere al
punto en que la seal tiene un valor nulo cuando los dispositivos se encuentran en
transicin, en este caso, el cambio de transistor. Este tipo de distorsin no puede ser
eliminado por completo (al menos, a nuestro nivel tecnolgico actual), pero puede ser
reducida muy eficientemente.

La distorsin de cruce genera desagradables armnicos de alto orden, con al menos el
potencial de aumentar en porcentaje cuando el nivel de la seal cae. La distorsin de cruce
disminuye en las frecuencias bajas; esto porque la frecuencia de los transistores se ve
afectada de los cambios en la amplitud de la seal salida. Tenga en cuenta que este
principio no tiene nada que ver con el nivel de distorsin de cruce slo los componentes de
frecuencia asociados a ella. Regresando a los principios involucrados con NFB global, se
estableci que la NFB global es mucho ms eficaz en la eliminacin de la distorsin en las
frecuencias bajas. En consecuencia, como la amplitud de la seal de salida disminuye, el
contenido de frecuencia de la distorsin de cruce cae en las regiones de baja frecuencia, las
que son efectivamente eliminadas por la NFB global.


69


Una de las soluciones ms usadas y efectivas es usar una red de polarizacin para poner a
conducir a los transistores a un potencial cercano a cero. O sea, como ya se explico en el
capitulo #1, montar la seal de entrada sobre componentes de voltaje directo de +0,7V y -
0,7V para el par de transistores. De manera que estos empiecen a conducir para tensiones
0 0 < V y > V
i i
y no V < V y V > V
i i
0,7 0,7 como el circuito original.

La red que se implementar en el amplificador en estudio es a partir de diodos. Las ventajas
ya fueron mencionadas anteriormente, por lo que concluyendo, la distorsin se disminuir
con una red de polarizacin a base de diodos, estos diodos estarn integrados al mismo
chip, junto con los transistores. Este tipo de transistores se llaman Themal Track los
cuales fueron detallados en el capitulo dos.

Distorsin de Conmutacin:

Distorsin de conmutacin se produce en los transistores complementarios de salida,
resultado de su incapacidad para apagarse (es decir, ir al corte) lo suficientemente rpido
cuando la seal de salida pasa por el punto de cruce por cero. A altas frecuencias de audio,
este retraso de desconexin se puede manifestar en forma de conduccin de cruce (es decir,
ambos transistores de salida estn conduciendo al mismo tiempo) causando un tipo de
distorsin muy similar a la anterior. Por esta razn, la distorsin de conmutacin es a
menudo confundida con la distorsin de cruce. La diferencia, sin embargo, fcilmente se
puede detectar puesto la distorsin de conmutacin generalmente desaparece en las
frecuencias ms bajas. En casos extremos, la distorsin de conmutacin puede causar un
sobrecalentamiento rpido de los transistores de salida y / o destruccin de los mismos. [10]






70

Esta depende de muchas variables, en particular las caractersticas de velocidad de los
dispositivos de salida y la topologa de la salida. La etapa de salida debe ser capaz de
polarizar inversamente las uniones base-emisor de los dispositivos de salida para
maximizar la velocidad en que estos se apaguen (corte). Una segunda influencia es el valor
de las resistencias de emisor, entre ms bajo sea su valor ms rpido la carga almacenada se
podr remover.

Este problema es causado por el proceso de fabricacin de los transistores, porque los
transistores de salida de alta potencia debe ser capaces de controlar corrientes altas y deben
tener una disipacin de potencia relativamente alta. La nica forma de que estas
caractersticas se pueden incorporar en un transistor es aumentando el tamao de los chips o
sea el tamao de los semiconductores internos. Desafortunadamente, esto conlleva a un
incremento proporcional de la capacitancia de la unin, lo que se traduce en una lentitud de
estos transistores. En una operacin de clase A para una OPS, la capacitancia interna de los
transistores de salida es slo una preocupacin en lo que respecta a la estabilidad. Pero en
la operacin de clase B, los transistores de salida se deben apagar rpidamente cuando su
perodo de conduccin cesa, o terminamos con la condicin de los dos transistores de salida
conduciendo simultneamente. [10]

Entre alguna de sus soluciones son la implementacin de una red de desconexin, que logre
maximizar la velocidad en que los transistores de salida pasen a corte. Otro tipo de
solucin es la reduccin de las resistencias de los transistores para ofrecer una va de
descarga de menor impedancia de las cargas almacenadas en las bases de los transistores.







71

Distorsin de grandes seales (cada de Beta)

Todos los transistores bipolares presentan la caracterstica de la disminucin del parmetro
beta cuando se manejan corrientes de colector altas. En una OPS, esto puede causar un tipo
distorsin debido a las no-linealidades de las grandes seales (LSN por sus siglas en ingls,
Large Signal Nonlinearity) comnmente se conocida como cada beta. En pocas
palabras, esto significa que los factores de ganancia de corriente en los transistores
bipolares caern al producirse corrientes pico de salida, de ah el nombre de "cada beta."
Efecto que solo se da en los transistores bipolares, los MOSFET son afortunadamente
inmune a esta deficiencia, debido a sus diferentes principios de funcionamiento. La
cantidad de LSN generado es altamente dependiente de las caractersticas del dispositivo.
[11]

La cada del beta radica principalmente en los transistores Predriver de la etapa de salida
(transistores encargados de darle un buffer extra a la OPS que reduzca los efectos de carga
del VAS) en lugar de los transistores de salida. A primera vista, esto parece un poco
contradictorio, ya que en los transistores de salida se vern las mayores variaciones Ic. Sin
embargo, hay que recordar que la ganancia de los transistores Predriver se multiplicara por
la ganancia de los transistores de salida. Puesto que los transistores Predriver son
generalmente dispositivos con menor disipacin y con los valores de beta ms altos, son
ms propensos a variaciones del beta.

Entre las soluciones ms importantes son la eleccin de mejores transistores con menor
cada de beta. Otra de las ms usadas es duplicar los dispositivos de salida. La cada del
beta depende de la corriente de colector, y si dos dispositivos de salida se conectan en
paralelo, la corriente de colector se divide en dos entre ellos, por lo que la cada del Beta se
reduce mucho. [10]






72

Tipos de OPS:
OPS en Emisor Seguidor:

Figura 5-17 ilustran el tipo ms frecuente de OPS el seguidor de emisor (EF). Como es
evidente, una OPS en EF es simplemente una topologa Darlington complementaria. Un
rendimiento ptimo para este tipo de OPS se logra con una polarizacin de CC de
aproximadamente 2,8 voltios (red de polarizacin).



Figura 5-17: Tipos de EF [10]

En la Figura 5-17 (a), los transistores Ql y Q2 se conocen normalmente como el Predriver.
Su funcin, como ya fue discutida anteriormente, es darle un buffer extra a la OPS para que
reduzca los efectos de carga del VAS. Otra manera de decir lo mismo es que su funcin es
"potenciar el beta" de los transistores de salida.


73

Las OPS en EF tienen una ventaja nica sobre otros tipos de diseos, con respecto a la
distorsin de cruce en los niveles de salida bajos. El rango de tensin de cruce de una OPS
en EF es muy amplio en comparacin con otras topologas. Por lo que a tensiones de salida
bajas, la pendiente de potencial de salida en la regin de cruce aumenta considerablemente
hacia el plano horizontal, causando que los habituales armnicos de alta frecuencia de la
distorsin de cruce, disminuyan radicalmente su frecuencia. Si bien esto no disminuye el
nivel de distorsin de cruce, se coloca en una menor frecuencia donde lo NFB global del
amplificador efectivamente los puede reducir. [10]

En este tipo de OPS habr que tener cuidado con el seguimiento trmico, ya que hay dos
diferentes uniones base-emisor entre la red de polarizacin y la resistencia de emisor Re,
llevando a diferentes corrientes y diferentes temperaturas. Por lo que el censado de
temperatura debe ser muy eficiente. Problema que en la actualidad puede ser solucionado
con el uso de los transistores Thermal track.

Una desventaja de las topologas de EF con respecto a las otras topologas, es la disipacin
de energa en un estado de reposo, (reposo se refiere al estado de un amplificador de
potencia de audio con una potencia aplicada, pero sin seal de entrada.) La red de
polarizacin deber polarizar cuatro uniones base-emisor, mientras que en otro tipo de
topologas se reduce sola a dos.



74



La figura 5-17(b) muestra otro tipo de OPS en EF, la operacin y el anlisis son idnticos a
los del circuito de la figura 5-17 (a) con la excepcin de la red de desconexin constituida
por R1 y CS. Si se asume que una oscilacin de tensin positiva acaba de ocurrir, dejando
una carga positiva en la base de Q3, a medida que el seal de voltaje del VAS cambie a la
regin negativa, la tensin en el emisor de Q2 debe estar ya 0,7V ms negativa que la
tensin de emisor de Q4, con el fin de superar la cada de VBE de Q4. A medida que la
corriente comienza a fluir a travs de RE2, tambin comienza a producirse una cada de
tensin negativa, que se suma a la del emisor de Q2, aumentando el potencial negativo.
Este potencial negativo se aplica a la base de Q3 a travs de Rl y el condensador de gran
velocidad de carga CS; forzando a que las cargas positivas sean rpidamente succionadas
de la base de Q3, haciendo que este transistor se apague rpidamente. El efecto es recproco
en la base de Q4 durante el cambio del semi-ciclo negativo a positivo; reduciendo as la
distorsin de conmutacin. [10]

Refirindose a la Figura 5-17 (a), la distorsin de conmutacin se podra reducir mediante
la reduccin del valor de Rl y R2. Esta modificacin ofrece una va de descarga de menor
impedancia a las cargas almacenados en las bases de Q3 y Q4, pero tambin aumenta la
disipacin de potencia del Predriver y acenta los efectos de la cada de beta.













75


OPS en paralelo:

Este tipo OPS no representan un nuevo tipo de configuraciones, ms bien son una mejora
de otros tipos de topologas como la EF; ya que brinda varias ventajas, primero aumenta la
capacidad de potencia de salida del amplificador de potencia. Segundo, reduce la cada del
Beta; la LSN puede reducirse eficazmente mediante la duplicacin de los dispositivos de
salida. Recordando que la cada del beta depende de la corriente de colector, y si dos
dispositivos de salida se conectan en paralelo, la corriente de colector se divide entre los
dos, por lo que consecuentemente la cada del Beta se reduce. En la figura 5-18 se muestra
un ejemplo de la duplicacin de los dispositivos de salida, para una de las dos topologas
antes vistas. [11]

Figura 5-18: Topologas en paralelo:


En trminos generales, existen algunas reglas bsicas para los dispositivos BJT en paralelo.
Ms importante an, algn tipo de NFB debe ser incorporada para asegurar que cada
dispositivo de salida comparta una corriente uniforme. Resistencias de degeneracin,
comnmente llamado resistencias RE, son universalmente utilizadas para este propsito.
Los valores tpicos de 0,1 a 1 ohm.


76


Para entender cmo las resistencias RE cumplen su tarea se detallar su comportamiento en
el circuito, consultando la Figura 5-18. Los transistores Q3 y Q5 estn en paralelo,
utilizando 0,33 ohmios RE. A pesar de que Q3 y Q5 son del mismo tipo, las caractersticas
de las tensiones Vbe probablemente variaran en pequea cantidad. Para fines de la
discusin, se supone que la diferencia de Vbe en Q3 es de 10 mV menos de Q5. Cuando
una seal de potencial positivo se aplique simultneamente a las bases de Q3 y Q5, el
primer transistor empezar a conducir. Como el flujo de corriente positiva aumenta a
travs de la OPS rpidamente, RE1 comenzar a producir una tensin superior a RE3, ya
que Q3 estar manejando la mayor cantidad de corriente en la OPS. Cuando la cada de
tensin en RE1 sea superior a la diferencia de los voltajes Vbe (es decir, 10 mV en este
caso), Q5 se ve obligado a iniciar la conduccin, porque la suma de las cada de tensin en
Vbe de Q3 y la cada de tensin en RE1 superar el Vbe Q5. Como la corriente positiva de
la OPS contina en aumento, las caractersticas desiguales de Vbe en Q3 y Q5 sern
negadas por las cadas de tensin desigual en RE1 y RE2, creando una condicin cercana al
equilibrio de corriente. [10]

Las resistencias de degeneracin son tambin muy valiosas en la prestacin de algn tipo
de compensacin trmica en los transistores de salida. El principio de funcionamiento es el
mismo al anterior. Si un transistor de salida comienza a mostrar una prdida excesiva al
calentarse, el exceso de corriente de fuga se manifestar como un aumento de la tensin en
la resistencia de degeneracin asociada y fuerza al otro dispositivo de salida asumir una
mayor parte de la corriente de carga.

Este tipo de resistencias de degeneracin no contribuyen a mejora de la linealidad en OPS.
Si bien es cierto que la retroalimentacin degenerativa mejora la linealidad, como se
explic en el apndice II, los bajos valores de las resistencias provocan una contribucin
insignificante a la linealidad; ya que es como si no estuvieran presentes.





77

3.3.2 Anlisis de una etapa de salida simple
En la figura 5-19 se presenta el circuito en anlisis:

Figura 5-19: Etapa de salida en anlisis

Primeramente se supondr que V V 55 =
+
y V V 55 =

, la impedancia del altavoz ser de

6 y la seal de salida del VAS ser de una amplitud 50V. Para analizar el
comportamiento del circuito con seal, ser necesario dividir el mismo en dos etapas: 1) Se
tomara primero a Q1 conduciendo y Q2 en corte, es decir, el comportamiento para el semi-
ciclo positivo de la seal de entrada; 2) se tomara el semi-ciclo negativo de la seal de
entrada donde, Q1 estar en corte y Q2 conduciendo activa.

Partiendo primero de la situacin indicada en el primer punto, se realiza el circuito
equivalente para seales grandes, en el cual se desprecia los parmetros de entrada de la
base del transistor, ya que stos, para el caso de transistores de potencia, son muy
pequeos. En la figura 5-20, se tiene el circuito equivalente que se utilizar para este
anlisis.



78


Figura 5-20: Circuito equivalente con el modelo de gran seal
La resistencia de la fuente se desprecia en la figura 5-20, ya que tiene un valor pequeo.
Ahora si se reflejan las resistencias a la base, cambiara el circuito de la siguiente manera:


Figura 5-21: Circuito con resistencias reflejadas en la base









79

Con la figura 5-21 se puede apreciar mejor el anlisis del circuito, aplicando mallas:

4) - (3.3.3
: forma siguiente la tendr salida de corriente la , osea anterior, lo suponiendo Ahora
unitaria. casi es tensin de
ganancia la pequeo de un valor con que; concluir puede se 3), - (3.3.3 ecuacin la Obsevando
3) - (3.3.3
) (
: obtiene se 2) - (3.3.3 en 1) - (3.3.3 ecuacin la do Sustituyen
2) - (3.3.3
) 1 )( (
: como expresar puede se base la de corriente la El
1) - (3.3.3 ) 1 )( (
1
1
1
1
1
L
i
L
o
o
i o
E
L E
L
i
o
FE L E
i
B
FE L B o
R
E
R
V
I
E V
R
R R
R
E
V
H R R
E
I
H R I V
= =
=
+
=
+ +
=
+ =

Por lo que se concluye que la forma de onda de la corriente de salida y la amplitud
depender de
i
E y
L
R .


















80



Apndice IV

En el presente apndice se analizar el amplificador a trabajar, en la figura 5-22 se
muestra dicho amplificador de potencia:


Figura 5-22: Amplificador de potencia [9]

El procedimiento a desarrollar en este apndice ser separar el amplificador en las tres
etapas anteriormente detalladas, con el objetivo de analizarlas por separado.





81

4.1 Anlisis en DC:
4.1.1 Fuente de corriente
En la figura 5-23 se muestra el circuito con las fuentes de corrientes, con sus respectivos
valores:

Figura 5-23: Amplificador de potencia


En la figura 5-23 se puede identificar que los transistores TR8 y TR9, al igual que las
resistencias R20, R19, R9 y R5, son parte de la topologa de fuente de corriente vista en el
apndice tres. Por lo que ya se tiene una idea de cmo funciona y como calcular su
corriente de salida. En la figura 5-24 se puede observar el circuito aislado.








82


Figura 5-24: Fuente de corriente

En el anlisis del apndice III, se despreci la cada de tensin de la resistencia R19, pero
en este caso la resistencia tiene un valor mayor; por lo que si se tomar en cuenta en el
anlisis; se quiere obtener la corriente de salida de esta fuente (
2 O
I ), primero se tomar
como V V
BE
5 . 0 , esto por que el transistor en uso es hecho de germanio; adems cuenta
con una corriente de Saturacin de
12
10 5 . 13


S
I y un 100
min
. Recordando el
modelo de Ebber-Moll:
s
C
T BE
V
V
s
B
V
V
s C
I
I
V V
e
I
I e I I
T
BE
T
BE
ln =
= =

(4.1.1-1)



83

mA
R
R e
I
V
R
R I V
I
T
BE
TR
TR TR
V
V
s
BE
BE BE
o
17 . 10
56
57 . 0
20 20
19
19
2
8
8 8
=
+
=
+
=

(4.1.1-2)
Seguidamente se presentar en la figura 5-25 los resultados de la simulacin del circuito,
con una tensin de alimentacin de 55V; tensin a la cual fue diseada el amplificador.

Figura 5-25: Simulacin de la fuente de corriente

En la figura 5-25 se puede comprobar los resultados de la corriente de salida. Dando como
valor una corriente de mA I
O
94 . 10
2
, valor muy cercano al obtenido en el anlisis.
Seguidamente se estar analizando la fuente de corriente restante de la figura 5-23,
aplicando mallas:


100 100 56
4 4 4 9 9 TR Tr TR TR TR
B BE C BE C
I V I V I + + = +
3) - (4.1.1




84

Si se desarrolla el lado izquierdo de la ecuacin (4.1.1-3), conociendo el valor de
10 54 de valor el y 17 . 10
-9
4 4

TR TR
S C
I mA I se obtiene:


V
mA
mA
I
I
V mA
s
C
T
8853 . 0 )
10 54
17 . 10
ln( 26 57 . 0
ln 17 . 10 56
9 -

+ =
+
(4.1.1-4)

Ahora desarrollando el lado derecho de la ecuacin:

0.8853V 100 ln 100
4 4
4
= + +

C
s
C
T C
I
I
I
V I
(4.1.1-5)

Y conociendo que el transistor TR4 de la figura 5-23 es igual que el TR8; lo que significa
que
12
10 5 . 13


S
I y 100
min
se obtiene una corriente de mA I
C
15 . 3
4
.

A continuacin se muestra la simulacin obtenida:

Figura 5-26: Simulacin de la fuente de corriente restante



85

En la figura 5-26 se puede corroborar el resultado anteriormente obtenido; el cual es de un
valor muy cercano; ya que el valor que se obtuvo fue de mA I
C
15 . 3
4
y la simulacin
arroja un mA I
C
55 . 3
4
.

4.1.2 Amplificador Diferencial
En la figura 5-27 se presenta la etapa de entrada aislada. Se cambi su circuito de
polarizacin (fuente de corriente) por una fuente de corriente, con su respectivo valor de
amperaje.

Figura 5-27: Etapa de entrada.

El circuito conformado por las resistencias R1, R2, R3 y R4 en conjunto con los
condensadores C1 y C2 es un filtro paso banda pasivo. Su funcin es filtrar las frecuencias
que no se desean amplificar; usualmente el intervalo va desde 20Hz -20KHz; que es el
intervalo de frecuencias que son audibles por el odo humano.


86

Pero debido a recientes experimentos este intervalo ha sido extendido a 20Hz -200KHz ya
que, se demuestra que aunque se amplifiquen frecuencias inaudibles, estas proporcionan un
efecto de mejor claridad y ubicacin de los sonidos.

El circuito formado por las resistencias R17 y R18 con el capacitor C5 es la red de
retroalimentacin. Su funcin es retroalimentar el potencial de salida, a la entrada;
tratando de tener en fase ambas seales.
Ambos circuitos no interfieren en el desempeo de la etapa de entrada, por lo que no se
tomaran en cuenta en el anlisis en DC; por lo que el circuito en anlisis quedar se
presenta en la figura 5-28.


Figura 5-28: Etapa de entrada, en anlisis

Las resistencias R11 y R12 estn en paralelo, para que la corriente que fluye por ellas sea
igual. Por lo que entonces la corriente que de R6 y R14 ser la mitad de la corriente de cola.
sea mA I I
R R
775 . 1
14 6
.


87

Ahora si suponemos que la tensin base- emisor del transistor TR2 es
7 . 0
2

TR
BE
V
:
A
k R
V
I
TR
BE
R
2 . 318
2 . 2
7 . 0
7
7
2
= =
(4.1.2-1)
Realizando un anlisis de nodos en el emisor de TR2 se puede observar:

6 7
2
R C R
I I I
TR
= +
(4.1.2-2)

De la ecuacin (4.1.2-2) se puede obtener la corriente de colector del transistor TR2
realizando una simple resta. La cual arroja un valor de mA I
TR
C
46 . 1
2
.
Consecuentemente se puede encontrar el valor de la corriente de base del mismo transistor,
conociendo que el
min
del transistor MPS06 es 100
min
= ; la cual da un valor de
A I
TR
B
6 . 14
2
.

Realizando otro anlisis de nodo en el colector de TR1:
1 2
7
TR TR
E B R
I I I = +
(4.1.2-3)

Desarrollando el lado izquierdo de la ecuacin de (4.1.2-8):
A
A A I I
TR
B R

8 . 332
6 . 14 2 . 318
2
7
=
+ = +
(4.1.2-4)


Ahora se desarrolla el lado derecho:
A
mA mA I I I
TR TR
C R E
315
46 . 1 775 . 1
2 1
6
=
= =
(4.1.2-5)



88

Comparando los resultados de las ecuaciones (4.1.2-4) y (4.1.2-5) se puede comprobar la
validez del clculo, ya que los valores son muy cercanos; el parmetro de
min
del TR2
pudo haber influido la no igualdad de los valores. Por ltimo se calcula el valor de la
corriente de polarizacin de entrada, la cual ser la corriente de base de TR1; la cual ser
entonces
A
I
I
TR
TR
C
C

15 . 3
1
1
= =
.

El circuito restante conformado por los transistores TR6 y TR3 y las resistencias R8 y R16
es un espejo de corriente. Lo que obligara a que
6 8 R R
I I
; debido a la propiedad del
espejo de corriente, analizada en el apndice III, si se conoce la corriente de colector se
puede obtener el voltaje
Be
V , usando las ecuaciones de Ebbers-Moll. Conociendo que el
transistor TR2 tiene los siguientes parmetros de 100
min
y
15
10 5 . 14


S
I :
662 . 0 ln =
s
C
T BE
I
I
V V
(4.1.2-6)

Realizando un anlisis de mayas en el espejo de corriente:
6 3
16 16 8 8
TR TR
BE R BE R
V R I V R I + = +
(4.1.2-7)

De la ecuacin (4.1.2-7) y conociendo las propiedades del espejo de corriente se puede
concluir que:
16 8 R R
I I
(4.1.2-8)

A continuacin se presenta en la figura 5-29 la simulacin como respaldo del anlisis
realizado anteriormente:


89


Figura 5-29: Simulacin etapa de entrada, en anlisis

La corriente de salida de la etapa de entrada es muy pequea, debido al efecto del espejo de
corriente. Mientras que el voltaje de salida ser:
o CE R EE
V V R I V
TR
= + +
3
8 8
(4.1.2-9)






90

4.1.3 Etapa de amplificacin de potencial:
El circuito en anlisis se presenta continuacin en la figura 5-30, sustituyendo el circuito de
fuente de corriente por una fuente de corriente constante.

Figura 5-30: Etapa de amplificacin de tensin
Los capacitores C6 y C10 tienen como funcin establecer una buena estabilidad en altas
frecuencias; por lo que no influyen en el anlisis. Adems, aunque el capacitor C10 acte
como circuito abierto, la corriente entregada por la fuente llegar al colector de TR11; esto
porque entre el colector de TR11 y el nodo situado entre la fuente de corriente y el C10, se
encuentra el circuito de polarizacin (diodos), que consumen la gran parte de la corriente
generada por la fuente. En la figura 5-22 se puede apreciar la ubicacin del circuito de
polarizacin.

Dicho esto se inicia el anlisis, conociendo el valor de
mA I
TR
C
92 . 10
11

y el valor de
la corriente de saturacin del transistor TR11, el cual es el BD139
mA I
TR
S
7 . 24
11

;
se averigua el valor de
11 TR
BE
V
:


91

338 . 0 ln =
s
C
T BE
I
I
V V
(4.1.3-1)

Seguidamente se realiza un anlisis de mallas entre el emisor de TR10 y la base de TR11:
A
R
V
I
V R I
TR
TR
BE
R
BE R
63 . 153
21
21
21 21
11
11
=
=
(4.1.3-2)

Utilizando un 100
min
, se puede encontrar la corriente de base de TR11, la cual ser
aproximadamente
A I
TR
B
2 . 109
11

. Aplicando nodos se obtendr la corriente de

emisor de TR10:
A I
I I I
TR
TR TR
E
E R B
83 . 262
10
10 11
21

= +
(4.1.3-3)

Y por ltimo se puede encontrar la corriente de base del TR10, el cual es el MPSA06, que
su 100
min
. Por lo que
A I
TR
B
6283 . 2
10

.
A continuacin se presenta la simulacin que sustenta los clculos anteriores:


92


Figura 5-31: Simulacin de la etapa de amplificacin de tensin

En la figura 5-31 se pueden comprobar los clculos obtenidos. Las corrientes de base y
emisor del transistor TR10, son las que reflejan ms margen de error, si se comparan con
los valores obtenidos en el anlisis Seguidamente se presentan los mrgenes de error:


% 5 . 22 100
5 . 214
83 . 262 5 . 214
% 3 . 23 100
176 . 2
6283 . 2 176 . 2
10
10
=

TR
TR
E
B
I
I

Estos porcentajes de error se pueden atribuir al uso del parmetro
min
, ya que este puede
variar muy fcilmente.



93

El anlisis de la etapa de salida en DC no se realiza; debido a que no es necesario. Se
recuerda que para las anteriores etapas si se puede usar el modelo de pequea seal, pero no
se puede usar para la etapa de salida; esto debido a que maneja seales muy grandes,
provocando que su punto de operacin vare constantemente. Por lo que un anlisis en DC
para obtener su punto de operacin es infructfero. Lo que se realiza al final es un anlisis
de potencia para calcular la potencia manejada por los transistores.

4.2 Anlisis en pequea seal:
Seguidamente se realiza el anlisis de la etapa de entrada y la etapa de entrada en pequea
seal. Para esto se mandan todas las fuentes de tensin a tierra y se sustituye los transistores
por el modelo de parmetros hbridos. Para iniciar se obtiene la impedancia de las fuentes
de corriente constante, haciendo uso del efecto Early. Para efectos del anlisis solo se
presentan las ecuaciones de este, para mayor detalle referirse al punto 7 de la bibliografa.

(4.2-1)
(4.2-2)
0
1
Z
h
oe
=
(4.2-3)

VA se conoce como la tensin Early y normalmente es de 100 a 120V para los transistores
npn y 50V para los pnp. En este anlisis se harn uso de las ecuaciones (4.2-2) y (4.2-3), ya
que con estas se puede obtener las impedancias de las fuentes de corrientes constante
mostradas en la figura 5-32.





94


Figura 5-32: Impedancias de las fuentes de corriente constante

Primeramente se obtiene la impedancia Zo1, tomando para los transistor PNP un 52
A
V
y usando las corriente de colector obtenidas en la pasada seccin.

K k Z
k
mA I
V
Z
T
C
A
TR
75 . 14 100 65 . 14
65 . 14
55 . 3
52
4
01
= + =
= = =
(4.2-4)
Ahora se obtiene la impedancia Zo2, despreciando la impedancia de TR8 y R19, que no
tienen mayor efecto sobre la impedancia obtenida de la fuente de corriente:
K k Z
k
mA I
V
Z
T
C
A
TR
820 . 4 56 762 . 4
762 . 4
92 . 10
52
4
01
+ =
= = =
(4.2-5)



95

4.2.1 Etapa de entrada
Seguidamente se calculan los
ie
H del modelo de parmetros hbridos para el amplificador
diferencial, conociendo que el
min
para los transistores MPSA06 (NPN) y MPSA56
(PNP), es el mismo y tiene el valor de 100
min
= :

k
mA
mV
I
V
H
k
A
mV
I
V
H
TR
TR
TR
TR
C
T
ie
C
T
ie
78 . 1
46 . 1
26 100
254 . 8
315
26 100
2
2
1
1
=

= =
=

= =

(4.2.1-1)

Recordando adems que las corrientes que fluyen por los transistores TR7 y TR5 son
iguales a las corrientes que fluyen por TR1 y TR2, respectivamente; por ende:

k H H
k H H
TR TR
TR TR
ie ie
ie ie
78 . 1
254 . 8
5 2
7 1
= =
= =
(4.2.1-2)
Realizando la sustitucin de los transistores por el modelo de parmetros hbridos el
circuito queda de la siguiente manera:


96


Figura 5-33: Pequea seal para el amplificador diferencial.

En la figura 5-33 se puede observar el circuito de pequea seal para el amplificador
diferencial. Se ha sustituido la fuente de corriente por su impedancia obtenida
anteriormente, esta sirve para el anlisis de corrientes y la obtencin de la impedancia de
entrada.
Realizando un anlisis de corrientes se puede concluir:
2 1
I I =
(4.2.1-3)
Por lo que el anlisis de una de las dos corrientes bastara para predecir la otra. Por lo que
se est analizando
1
I
.

La corriente
1
I
se puede expresar de la siguiente forma:
2 1 1
100 101
b b
I I I + =
(4.2.1-4)


97

Por lo que se ocupa una relacin entre las corrientes de base de los transistores TR1y TR2.
Observando la figura 5-33 se puede ver claramente que
K k H R
TR
ie
1 . 178 // 2 . 2 //
2
7

. Por lo que la corriente de colector de TR1 se
divide entre estas dos resistencias, de lo que se puede obtener la corriente que fluye por
1 TR
ie
H
mediante un divisor de corriente:

1
1
1
2
2
22 . 1
1 . 178 2 . 2
2 . 2 100
1 . 178 2 . 2
2 . 2
TR
TR
TR
TR
TR
ie
B
B
C
B H
I
k k
k I
k k
k I
I I

=
+

= =
(4.2.1-5)

Si se combinan las ecuaciones (4.2.1-4) y (4.2.1-5) se obtiene:
1 1
223
b
I I =
(4.2.1-6)

Ahora se tiene una relacin entre
b1 1
I y I
, por lo que se puede reflejar la resistencia
=100
6
R
a la base de TR1 para obtener la impedancia de entrada del circuito.

= + = k K Z 554 . 31 100 233 254 . 8
i
(4.2.1-7)

Seguidamente se obtiene la expresin de tensin de entrada con respecto a la tensin de
modo comn y modo diferencial. En la figura 5-33 se puede observar que la impedancia de
la fuente de corriente se suma con, la resistencia producto del paralelo entre las resistencias
de 12K. Dando como resultado una
= k Z 75 . 20
t
.




98

Si se realiza una malla desde la tensin
+
V
a tierra se obtendr:
) ( 75 . 20 138
) ( 75 . 20 100
223
254 . 8
) ( 75 . 20 100 254 . 8
2 1 1
2 1 1
1
2 1 1
1
I I k I
I I k I
I
k
I I k I I k V
TR
B
+ + =
+ + + =
+ + + =
+
(4.2.1-8)

Recordando que en el modo comn se cumple las siguientes expresiones:
A
V V V = =
+
(4.2.1-9)
2 1
I I =
(4.2.1-10)

Si se combinan las anteriores 2 ecuaciones y la ecuacin (4.2.1-8) se obtiene:
k
V
I
kI I V
A
A
A
638 . 41
75 . 20 2 138
1
1 1
=
+ =
(4.2.1-11)

Ahora en el modo diferencia se cumple las siguientes expresiones:
2
D
V
V V = =
+
(4.2.1-12)
2 1
I I =
(4.2.1-13)








99

Si se sustituyen las ecuaciones (4.2.1-12) y (4.2.1-13) en la ecuacin (4.2.1-8) se obtiene:
276
138
2
1
1
D
D
V
I
I
V
D
=
=
(4.2.1-14)

Seguidamente se expresa la corriente
1
I
en trminos de sus compontees en modo comn y
modo diferencial:
276 638 . 41
1 1 1
D A
A
V
k
V
I I I
D
+ =
+ =
(4.2.1-15)

Al igual que la corriente
1
I
y teniendo en cuenta que
D D
I I
2 1
=
:
276 638 . 41
2 2 2
D A
A D
V
k
V
I I I
=
+ =
(4.2.1-16)

Seguidamente se analiza el espejo de corriente con el modelo de parmetros hbridos.
Primeramente se obtienen los
ie
H de los transistores TR3 y TR6:


k
mA
mV
I
V
H H
TR
TR TR
C
T
ie ie
478 . 1
759 . 1
26 100
3
6 3
=

= =
=

(4.2.1-17)




100


A continuacin se sustituye los transistores por el modelo de parmetros hbridos:

Figura 5-34: Pequea seal espejo de corriente.



Realizando un anlisis de nodos en la figura 5-34 se puede determinar que:

5 6
5 6 6 2
101
) ( 100
B B
B B B
I I
I I I I
+ =
+ + =
(4.2.1-18)

Seguidamente, realizando un malla en los emisores, se determina:


101

5 6
5 6
16 8
68 101 68 101
B B
B B
R R
I I
I I
V V
=
=
=
(4.2.1-19)
Sustituyendo la ecuacin (4.2.1-18) en la ecuacin (4.2.1-19):
5 2
102
B
I I =
(4.2.1-20)

Por lo que se puede concluir:

5 2
100
102
100
B
I I =
(4.2.1-21)

Y finalmente realizando un anlisis de nodos, para la corriente
1
I
:
2 1
5 1
5 1
102
100
100
100
I I I
I I I
I I I
x
b x
b x
=
=
+ =
(4.2.1-22)
Recordando que la corriente
x
I
es la que entra a la siguiente etapa.

Si se expresa la corriente
x
I
en trminos de sus componentes de modo comn y
diferencial, quedara de la siguiente manera:
( ) ( )
2123538 14076
101
276 638 . 41 51
50
276 638 . 41
2 2 1 1
A D
D A D A
A A x
V V
V
k
V V
k
V
I I I I I
D D
+ =

+ =
+ + =
(4.2.1-23)


102


4.2.2 Etapa de amplificacin de tensin:
Prosiguiendo se realiza un anlisis de pequea seal del VAS, primero se calcula los
ie
H
de los transistores TR10 y TR11; el TR11 no es del mismo tipo que todos los dems
transistores, este es el BD139 y posee un
170 =
:
=

= =
=

= =
75 . 404
92 . 10
26 170
12 . 12
5 . 214
26 100
11
11
10
10
mA
mV
I
V
H
k
A
mV
I
V
H
TR
TR
TR
TR
C
T
ie
C
T
ie

(4.2.2-1)

Y seguidamente se presenta el circuito en pequea seal:


Figura 5-35: Pequea seal del VAS.




103

En la figura 5-35 se incluye la impedancia de la fuente de corriente, obtenida en pasadas
secciones. Los capacitores slo ayudan a la estabilidad del circuito, aadiendo un polo de
compensacin, esto se puede apreciar en secciones anteriores de manera ms detallada; por
ende no se toman en cuenta para el anlisis de pequea seal.

Realizando un anlisis de nodos en la figura 5-35:
21 8 7
101
R B B
I I I + =
(4.2.2-2)

Seguidamente se aplica un divisor de corriente para determinar la relacin entre las
Corrientes
7 B
I y
8 B
I :
7 8
7 8
3 . 85
752 . 404 2 . 2
2 . 2
101
B B
B B
I I
k
k
I I
=
+
=
(4.2.2-3)

Utilizando la ecuacin (4.2.2-3) para determinar la corriente
11 TR
C
I
:


7
8
501 . 14
170
11
11
B C
B C
kI I
I I
TR
TR
=
=
(4.2.2-4)

Y conociendo el valor de
7 B
I de la ecuacin (4.2.1-23) se sustituye en la (4.2.2-4):
A D
x C
x B
V V
I I
I I
TR
124914
853
104
54 . 8530
11
7
+ =
=
=
(4.2.2-5)





104

Y por ltimo obtengo el potencial en el colector:
A D C
C C
V kV V
V k I
TR
TR TR
32 501
818 . 4
11
11 11
+ =
=
(4.2.2-6)


Recordando la funcin de la etapa de salida, la cual es amplificar corriente dependiendo
del potencial de entrada; pero la tensin es la misma de la entrada. Por esto se puede
concluir que el potencial de salida del amplificador es:

A D o
V kV V 32 501 + =
(4.2.2-7)
Si se compara la ecuacin anterior con la ecuacin caracterstica de un amplificador,
presentada a continuacin:
A A D D o
V A V A V + =
(4.2.2-8)
Se puede obtener el rechaza de modo comn, siendo este expresado de la siguiente manera:
dB
k
A
A
CMRR
A
D
84
32
501
log 20
log 20
=

=
(4.2.2-9)










105

4.3 Etapa de salida:
Como se mencion anteriormente en la etapa de salida solo se le realiza un anlisis de
potencia, ya que su funcionamiento no se podra describir usando el modelo de pequea
seal, debido a el tamao de las seales que maneja. Seguidamente se presenta la etapa de
salida:

Figura 5-36: Etapa de salida


En la figura 5-36 se puede observar que la etapa de salida en estudio es de tipo emisor
seguidor, usando los transistores de salida en paralelo. La etapa en estudio puede ser
reducirse a una etapa AB estndar, mostrada en la figura 5-37, para el clculo de la potencia
en cada transistor


106


Figura 5-37: Etapa de salida simplificada

Las siguientes expresiones son las ecuaciones estndar de la clase B, para mayor detalle
refirase al punto 7 de la bibliografa.
2

2

2

, ,
,
`
2
,

`
2
,
Max L Max CC
Max T
L
CC
Max L
L
CC
Max CC
P P
P
R
V
P
R
V
P

=
=
=

(4.3-1)



107

Si
Max CC
P
,
es la potencia mxima que puede entregar la fuente,
Max L
P
,
potencia mxima en
la carga y
Max T
P
,
es la potencia mxima en cada uno de los transistores. Todas estas
expresiones son ideales ya que para su obtencin no se tomaron en cuenta la cada de
voltaje en las resistencias. Se obtendr los valores tericos suponiendo una
= 6
`
L R
.

W P
W P
P
Max T
Max L
Max CC
5 . 34
252
21W 3
,
,
,
=
=
=
(4.3-2)

La potencia en cada transistor ser de menor valor; ya que en la etapa de salida original los
transistores estn en paralelo, logrando que la corriente se divida de manera equitativa; por
lo que la potencia deber reducirse a la mitad.

W P
Max T
25 . 17
,
= (4.3-3)


Con respecto al valor de la corriente de salida se puede usar el anlisis realizado en el
apndice III, el cual tiene la siguiente forma:


L
i
L
o
o
R
E
R
V
I = =
(4.3-3)







108

Si se conoce que la amplificacin de tensin no es no mayor a las tensiones de
alimentacin del circuito y adems suponiendo un = 6
L
R se puede encontrar un tope
mximo terico de la corriente de salida:

A
V
R
E
I
L
i
o
1667 . 9
6
55
=

= =


4.4 Diseo de la fuente de alimentacin
A continuacin se presenta en la figura 5-38 el esquemtico propuesto para la fuente de
alimentacin:
V1
FREQ = 60
VAMPL = 170
VOFF = 0
R1
1m
0
V-
V+
V-
V+
V
C1
4.7u
D9
D2SB60/SDG
TX1
C2
4.7u
0 0
C3
4.7u
C4
4.7u
C5
4.7u
C6
4.7u

Figura 5-38: Topologa a usar para el diseo de la fuente de alimentacin.

La fuente de alimentacin es no regulada, se conforma de un puente de diodos y solo
capacitores en paralelo; esto para cuando el amplificador solicite mayor energa la fuente
este en la capacidad de brindarla. Los valores de capacitores se escogen un poco altos para
que se minimice los cambios de la tensin.

Se diseo para obtener una tensin de +55V y -55V aproximadamente, se presenta a
continuacin la simulacin del circuito.








109






Figura 5-39: Salida del circuito
En la figura 5-39 se observa la salida del circuito, que da un potencial Dc muy cercano al
diseado.