Dopagem eletrnica

Dopagem eletrnica consiste num procedimento de adio de impurezas qumicas a um

elemento semicondutor para transform-lo num elemento mais condutor, porm, de forma
controlada.
O conceito de semicondutor intrnseco est relacionado ao cristal que, no-intencionalmente,
possui no mais de um tomo de elemento qumico estranho para cada um bilho de tomos do
material escolhido. O teor de impureza, neste caso, chamado 1 ppb, ou uma parte por bilho. A
interferncia da impureza no suficiente par interferir na estabilidade do material, sendo o
cristal, portanto, estvel.
Por outro lado, o semicondutor dopado possui, intencionalmente, cerca de um tomo de elemento
qumico desejado (ao contrrio do estranho) para cada um milho de tomos do material
escolhido. O teor da impureza , no semicondutor dopado, 1 ppm, ou uma parte por milho.
Os semicondutores dopados possuem, aproximadamente, mil vezes mais impurezas do que os
semicondutores intrnsecos.
Trs elementos comuns na dopagem eletrnica so o carbono, o silcio e o germnio. Todos
possuem quatro eltrons nacamada de valncia, o que possibilita que formem cristais j que
compartilham seus eltrons com os tomos vizinhos, formando estruturas reticuladas
ou cristalinas.
Existem dois tipos de impurezas usadas:
N: ocorre com a adio de fsforo ou arsnico ao silcio. Tanto o arsnico quanto o fsforo
possuem cinco eltrons na camada de valncia. Ocorrem ligaes covalentes entre quatro eltrons
e um deles fica livre, ou seja, o chamado eltron livre, que ganha movimento e gera corrente
eltrica. O nome N provm da negatividade gerada da carga negativa existente.
P: nesta dopagem, h adio de boro ou glio ao silcio. Ambos possuem trs eltrons na camada
de valncia. Quando so adicionados ao silcio criam lacunas, que conduzem corrente e a ausncia
de um eltron cria uma carga positiva (por isso o nome P).

O nome semicondutor se justifica, uma vez que uma pequena quantidade de dopagem N ou P
conduzem de forma razovel, mas no excelente.
O diodo o semicondutor mais simples e possibilita que uma corrente flua apenas em uma
direo.
A juno PN a estrutura fundamental de semicondutores, especialmente diodos e transistores,
geralmente formada com Silcio e Germnio e so utilizadas na dopagem eletrnica
de metais puros.
A polarizao direta PN do Diodo dever ser realizada com a conexo do plo positivo da bateria
ao anodo (P) do diodo e o plo negativo ao catodo (N).
Na polarizao direta, eltrons livres so cedidos zona N e eltrons da camada de valncia da
zona P so atrados. O diodo polarizado conduz eletricidade.
A polarizao inversa PN ocorre se polo negativo da bateria for conectado P e o plo positivo
N.
Embora na polarizao inversa no devesse haver conduo de corrente pelo diodo, a temperatura
produzida pela lacuna gera a corrente inversa de saturao. Alm dessa, h uma corrente
presente na superfcie do diodo. gerada, portanto, a corrente necessria.
O transistor formado com trs camadas (o diodo, como o prprio nome diz, formado por duas
camadas) usando combinaes PNP e NPN.