INPE-11528-NTC/36897

FONTE DC PARA PRODUO DE PLASMA

APLICADO EM TRATAMENTO







a
















INPE
So Jos dos Campos
2004

AGRADECIMENTOS


Agradeo a todas pessoas que me ajudaram a vencer mais esta etapa da vida.


Ao Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - INPE, pelo auxilio financeiro de nove meses
de bolsa auxlio de estgio e pela oportunidade de estudos e utilizao de suas instalaes.


Ao Laboratrio Associado de Plasma pela oportunidade de estudos e utilizao de suas
instalaes.


Aos tcnicos e pesquisadores do INPE pelo conhecimento compartilhado.


Ao orientador Prof. Dr. Mrio Ueda pelo conhecimento passado, e pela orientao e apoio
na realizao deste trabalho.


A meus pais por sempre acreditarem na importncia do estudo.










2
RESUMO

Neste trabalho, descrevemos o projeto e a construo de uma fonte de 1,4 kV e 2,5 A. Esta
fonte DC alimentada pela rede CA 220V, 60Hz sendo a tenso de sada, e depois esta
filtrada por um banco de capacitores. A fonte de corrente contnua (CC) servir para
formao de plasma por descarga glow , que ser aplicado em tratamentos de materiais
usando a tcnica de implantao inica tridimensional ou implantao inica por imerso em
plasma (IIIP). Aplicando-se uma diferena de potencial de cerca de 400 a 900V entre o
eletrodo e a parede da cmara, forma-se uma descarga glow de alta intensidade. Para
auxiliar o incio do plasma, um filamento aquecido produz a ionizao inicial do gs. Os
eltrons colidem com as molculas neutras do gs e assim forma-se o plasma. O plasma
conhecido como o quarto estado da matria. Ele criado quando um gs superaquecido e
os eltrons causam a ionizao dos tomos, deixando partculas eletricamente carregadas.
Uma condio essencial para o plasma que ele seja quase completamente neutro. Uma das
caractersticas a interao muito forte de suas cargas positivas e negativas o que resulta em
uma variedade de propriedades coletivas como ondas eletromagnticas, ele pode surgir a
temperaturas relativamente baixas de acordo com a composio do gs. A chama de uma
vela e a luminescncia de uma lmpada fluorescente so alguns exemplos. O plasma aparece
naturalmente no espao interestelar e em atmosferas do sol e das outras estrelas. Porm, ele
tambm pode ser criado em laboratrio. Para ser realizada uma experincia de implantao
inica tridimensional ou IIIP, temos disponvel no laboratrio do INPE: um sistema de
vcuo que consiste de uma bomba mecnica e uma difusora; uma cmara de ao inox
aterrada que possui vrias janelas para diversas sadas como um eletrodo metlico onde
aplicada a tenso da fonte que forma o plasma; as entradas para injeo dos gases (que sero
utilizados na produo do plasma), as dos pulsos de alta tenso, do filamento (emissor de
eltrons) e do sistema de vcuo. A conjuno de todos estes sistemas independentes
funcionando adequadamente, incluindo a fonte CC aqui descrita, que possibilita a
realizao plena de tratamentos superficiais em materiais diversos.











3
SUMRIO



1 INTRODUO.................................................................................................................7
2 PLASMA............................................................................................................................8
2.1 Noes sobre a Fsica do Plasma.....................................................................................8
2.1.1 Histrico da Pesquisa em Plasma................................................................................10
2.2 Caractersticas da Descarga Glow..................................................................................11
2.3 Caractersticas da Descarga em Arco.............................................................................12
2.4 Caractersticas da Implantao de ons por Imerso em Plasma....................................12
3 SISTEMA DE VCUO...................................................................................................15
3.1 Especificaes do Sistema de Vcuo..............................................................................15
4 PROJETO DA FONTE DE ALIMENTAO.............................................................17
4.1 Principio de funcionamento da fonte..............................................................................17
4.2 Descrio do Sistema de Alta Tenso............................................................................19
4.3 Clculos do Sistema de Alta Tenso..............................................................................21
4.4 Funcionamento do Sistema de Proteo........................................................................23
4.5 Descrio do Sistema de Proteo.................................................................................23
4.6 Clculos do Sistema de Proteo...................................................................................24
5 RESULTADOS OBTIDOS............................................................................................27
6 - CONCLUSES E CONSIDERAES........................................................................34
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS................................................................................35
APNDICE 1 LISTA DE COMPONENTES..................................................................36









LISTA DE FIGURAS
LISTA DE SMBOLOS

4

LISTA DE FIGURAS

Figura 2.1 Ionosfera Terrestre
Figura 2.2 Lmpadas Fluorescentes
Figura 2.3 Descargas eltricas
Figura 2.4 A curva de corrente e voltagem DC em tubo de descarga
eltrica, com plasma de baixa energia em tratamentos de difuso
trmica esta indicada na regio de glow anormal entre os pontos
G e H.
Figura 2.5 Esquema do funcionamento do processo de implantao inica
Figura 3.1 Esquema da cmara de vcuo
Figura 3.2 Cmara e bomba de vcuo do experimento IIIP do LAP/INPE
Figura 4.1 Onda senoidal e sada retificada de onda completa
Figura 4.2 Filtragem de onda completa
Figura 4.3 Diagrama de Blocos da Fonte de Alimentao
Figura 4.4 Esquema da fonte de alimentao
Figura 4.5 Parte traseira da fonte
Figura 4.6 Banco de capacitores e transformador
Figura 4.7 Imagem lateral direita da fonte e suas respectivas ligaes
Figura 4.8 Ponte de diodos
Figura 4.9 Placa de circuito impresso do sistema de proteo e calibrao
dos medidores
Figura 4.10 Circuito para a leitura de tenso
FIGURA 4.11 Circuito para a leitura de corrente
FIGURA 5.1 Circuito do teste feito em vazio com a leitura de tenso feita
pelo voltmetro
FIGURA 5.2 Circuito feito para a medio do ripple da fonte
FIGURA 5.3 Sinal do ripple medido em torno da tenso mdia de 1,4kV
FIGURA 5.4 Sinal do ripple em torno de 1,4kV

FIGURA 5.5 Descarga do capacitor

5

FIGURA 5.6 Resoluo da curva de descarga do capacitor

Figura 5.7 Circuito feito para a calibrao do ampermetro
Figura 5.8 Circuito de medio de corrente
Figura 5.9 Plasma glow DC produzido com a fonte construda neste
trabalho
Figura 5.10 Fonte de tenso DC


























6

LISTA DE SMBOLOS



1.1.1.1.1 - SMBOLOS 1.1.1.1.2 - SMBOLO DE
GRANDEZA
1.1.1.1.3 - GRANDEZA
W Watt Potncia
V Volts Tenso eltrica
A Ampres Intensidade de corrente
Ohms Resistncia eltrica
F Faraday Capacitncia
V
p
Tenso de pico Tenso eltrica
I
r
Corrente do rel Corrente
I
c
Corrente do coletor Corrente
I
mx
Corrente mxima Corrente
V
ripple
Tenso de ripple Tenso eltrica
r Especificao do ripple Tenso eltrica
K/W Resistncia Resistncia trmica
tau Tempo
T
e
Temperatura do eltron Temperatura
T
g
Temperatura do gs Temperatura


















7
1 INTRODUO

Este trabalho de engenharia eltrica tem por objetivo descrever as fases de projeto e
construo de uma fonte de alimentao varivel de alta tenso, de 0 a 1,4 kV e corrente
mxima de 2,5 A, para aplicao em processos de gerao de plasma por descarga tipo glow
em regime contnuo no tratamento de superfcies de materiais diversos por implantao
inica tridimensional.
O projeto e a construo da fonte de alimentao foram desenvolvidos a partir do
modelo de uma fonte previamente existente no Laboratrio Associado de Plasma (LAP) do
INPE. Em linhas gerais esta fonte deve, inicialmente, amplificar a tenso de entrada por
meio de um transformador, em seguida retificar o sinal de onda convertendo do modo
alternado para contnuo e finalmente filtrar o sinal. Um sistema de proteo de sobrecorrente
foi tambm projetado de modo a evitar que excessiva corrente passe atravs da fonte, o que
poderia danific-la.
O tratamento da superfcie de materiais por implantao inica desenvolvido no
Laboratrio Associado de Plasma (LAP) do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais feito
pulsando-se tenso numa amostra imersa num plasma de nitrognio, com uma certa taxa de
repetio. A tcnica conhecida como IIIP permite a implantao de uma pea inteira
independentemente de forma e tamanho. No dispositivo IIIP, o plasma gerado por uma
descarga glow DC onde pulsos negativos de alta tenso so aplicados repetidamente numa
amostra que permitem a formao de uma bainha de plasma em torno da mesma, produzindo
a extrao e acelerao simultnea dos ons provenientes do plasma e a consequente
implantao tridimensional das peas.
Quanto ao sistema de vcuo, o mesmo constitudo por uma bomba mecnica, uma
bomba difusora e uma cmara cilndrica de ao inox aterrada com vrias janelas de acesso
para os sistemas eltricos, de vcuo, de alimentao do gs e de coleta de dados.







8
2 PLASMA


2.1 Noes sobre a Fsica do Plasma

A palavra plasma de origem grega, que significa um material moldvel. Atravs dos
tempos, a palavra era usada desta maneira, para designar materiais moldveis ou que fluem,
como um exemplo: o plasma sanguneo. Atualmente o plasma na fsica conhecido como o
quarto estado da matria, isto : um gs ionizado contendo eltrons, ons e tomos neutros,
mantendo-se macroscopicamente neutro [2]. A maior parte da matria do universo est no
estado de plasma. As estrelas so um exemplo, sendo o seu interior e superfcie constituda
de matrias completamente ionizadas, por causa de suas altas temperaturas. Tambm temos
como exemplo como mostra as figuras 2.1 e 2.2:
- a Ionosfera Terrestre que possibilita as comunicaes por rdio


FIGURA 2.1- Ionosfera Terrestre.







9


- as Lmpadas fluorescentes (plasmas gerados em laboratrios)


FIGURA 2.2 - Lmpadas Fluorescentes.

Alguns dos parmetros dos quais o plasma depende so: presso, densidade,
temperatura, presena de campos magntico e eltrico. Como exemplo podemos citar a
ionizao de um gs, resultante da aplicao de um campo eltrico, que provoca o
surgimento de uma descarga eltrica, conhecida como descarga contnua tipo glow
1
.
Podemos definir o plasma genericamente como sendo um sistema composto por
partculas neutras e eletricamente carregadas, mas macroscopicamente neutro. Isto significa
que no plasma a densidade dos ons praticamente igual densidade dos eltrons. Outra
caracterstica do plasma o comportamento coletivo, ou seja, o movimento das partculas do
plasma por foras de longo alcance, a fora que as partculas carregadas de um plasma
exercem sobre uma dada carga, diminui com a distncia do ponto onde foi medido o
potencial at a carga [2].
O plasma pode ser produzido em temperaturas de milhes de graus centgrados e tem
aplicaes de grande importncia em pesquisa de produo de energia termonuclear, ou seja,
a fuso termonuclear controlada por confinamento magntico, como em dispositivos
tokamak
2
em que reaes nucleares podem vir a contribuir, para o fornecimento futuro de
energia eltrica.
A forma mais simples de se obter um plasma atravs de uma descarga eltrica, ou
seja, aplicando uma diferena de potencial eltrico entre dois eletrodos.


1
Glow:, brilhos, luminescncia
2
Tokamak: Uma cmara toroidal usada em pesquisa de fuso nuclear, na qual um plasma aquecido e
confinado atravs de campos magnticos

10
2.1.1 Histrico da Pesquisa em Plasma

M. Faraday (1830) realizou estudos sobre descargas eltricas na atmosfera para
estudo de reaes qumicas induzidas por correntes eltricas. Observou estruturas gasosas
luminosas que indicavam um novo estado da matria;

FIGURA 2.3 - Descargas eltricas.

J.J.Thonson (1895) descobriu o eltron. Em 1900 o aperfeioamento das tcnicas de
vcuo, permitindo estudos de descargas eltricas em ambiente controlado; I. Langmuir e
Crookes (1903) estudaram tubos de descarga com gases sob baixa presso (retomada do
antigo trabalho de Faraday). Tambm nesse perodo, surgiram os primeiros modelos tericos
para ionizao, recombinao, difuso, colises de eltron-on, formao de ons negativos;
P. Jawsend e J.J.Thonson (1920) investigam ionizaes a partir de colises mltiplas; I.
Langmuir e H. Mott-Smith (1926) utilizam pela primeira vez o termo plasma para designar
gases ionizados; Em 1929 I. Langmuir e L. Janks utilizam pela primeira vez sondas
eletrostticas para diagnosticar plasmas em descargas sob baixa presso. Tais experimentos
foram precursores dos tubos de descarga com mercrio para iluminao. Tambm neste
perodo, ocorreram duas importantes descobertas: as oscilaes naturais do plasma (f
p
) e a
blindagem de cargas (
d
) no plasma;
Os cientistas H. Alfven, E. Appleton, S. Chandrasekhar, S. Chapman, T. Cawling,
M.Saha e L. Spitzer; (1930 a 1950) fundamentaram teorias da fsica de plasma, atravs do
estudo de plasmas astrofsicos.

Em 1958 Van Allen descobre os cintures de radiao no plasma confinado na
magnetosfera terrestre; Em 1961 o surgimento do primeiro conceito bem sucedido de
confinamento magntico de plasmas: o TOKAMAK;



11
Os primeiros resultados tecnolgicos oriundos da pesquisa em plasma surgiram em
1970 com as lmpadas especiais; o arco de plasma para solda e corte; as chaves de alta
tenso; a implantao de ons; a propulso espacial; o laser a Plasma e reaes qumicas com
plasma reativo.
Na atualidade lmpadas a base de hidrognio por RF, so comercializadas; terminais
de vdeo plano a plasma desenvolvido em Osaka no Japo; a utilizao de filtros a plasma,
que elimina 90% de gases poluentes de veculos automotores; a utilizao bem sucedida de
propulsores inicos para propulso primria com Xennio na aeronave Deep Space 1[2].


2.2 Caractersticas da Descarga Glow

A descarga tipo glow se desenvolve em um gs com presses menores de
810
-4
mbar conforme mostra a figura 2.4 na faixa de corrente entre 10
-6
e 1A, produzida
entre dois eletrodos, o catodo (-) e o anodo (+). Os eltrons so liberados atravs da
ionizao do gs ou dos eletrodos, pela coliso dos ons. Isto requer uma quantidade definida
de energia, o valor de energia necessria para ionizar um tomo ou molcula chamado de
energia de ionizao [1]e[3].



FIGURA 2.4 A curva de corrente e voltagem DC em tubo de descarga eltrica,com plasma
de baixa energia em tratamentos de difuso trmica esta indicada na regio de
glow anormal entre os pontos G e H.[2]

12
2.3 Caracterstica da Descarga em Arco

Petroff (1800) foi quem descobriu uma descarga em arco que persiste quando a
presso do ar reduzida num tubo de descarga. Em uma descarga em arco no existe
diferena entre as temperaturas do gs de trabalho e do eltron so de ~ 5000K 25000K.
A descarga de arco acontece na atmosfera assim como em baixas ou altas presses,
tanto em gases quanto em vapores. a regio de descarga que tem a corrente mais alta.

2.4 Caracterstica da Implantao de ons por Imerso em Plasma

Implantao de ons em superfcie de materiais uma tcnica que tem mostrado um
grande potencial para melhorar o desempenho de componentes de uso industrial e ptico tais
como: resistncia corroso, dureza e tempo de fadiga. Neste processo os ons so
acelerados com uma alta energia e introduzidos dentro da superfcie do material a ser
tratado. tomos penetram no substrato a uma profundidade de 0,01m 10m, dependendo
do nmero atmico e da energia dos ons, o que resulta numa fina camada modificada ligada
superfcie do substrato.
Quando um tomo ou molcula absorve energia de um eltron, um ou mais eltrons
so perdidos e partculas de carga positiva so formadas, e este processo chamado de
ionizao. O processo de ionizao mais importante o obtido por colises de eltrons com
tomos neutros. O plasma contendo os ons assim formados se torna fonte de ctions para
a implantao.
No processo IIIP (Implantao de ons por Imerso em Plasma) as amostras ou peas
com acabamento a serem tratadas so completamente imersas em plasma e submetidas a
pulsos negativos de alta voltagem (10-100s, 10-100kV) os quais so aplicados
repetitivamente (10-1000Hz) bainha de plasma que se forma em torno do alvo, permitindo
assim a extrao e acelerao simultnea dos ons provenientes do plasma e a conseqente
implantao tridimensional das peas-alvo.
Na fig.2.5, um sistema IIIP tpico mostrado, onde apresentamos um alvo de
geometria extremamente complexa que submetido a uma implantao tridimensional de
ons. A maior parcela de alta tenso aplicada aparece na bainha de plasma que se expande
rapidamente enquanto a implantao inica prossegue at o fim do pulso de tenso. A
distribuio de potencial resultante conforme e conseqentemente a implantao
tridimensional obtida. Com a devida montagem dos alvos, o processamento IIIP pode ser

13
aplicado em um grande nmero de peas simultaneamente, ou em peas de grande porte ou
peas de pesos excessivos dependendo da cmara de tratamento disponvel. Estas
caractersticas importantes do IIIP so extremamente favorveis industrializao em larga
escala de produtos com propriedades superficiais de alto desempenho obtidas por
implantao inica.
O processamento de superfcie pelo mtodo IIIP considerado como tecnologia
emergente com grandes aplicaes em engenharia de superfcie de materiais englobando
metais, dieltricos e semicondutores.

Os principais objetivos da aplicao de implantao inica por IIIP
em metais so:
- o aumento de resistncia ao desgaste;
- aumento da dureza;
- resistncia corroso e ferrugem;

em dieltricos e semicondutores so :
- resistncia a arranhes;
- conduo eltrica;
- filtros pticos.

As desvantagens principais do processamento IIIP so:
- camada superficial modificada muito fina;
- inexistncia de separao de elementos de massas diferentes;
- ons com distribuies de energias variando de zero ao valor mximo
do pulso;
- presena de eltrons secundrios que limitam a eficincia do processo
e que vem acarretar na produo de raio-x . [1]e[2]


14

FIGURA 2.5 Esquema do Funcionamento do Processo de Implantao Inica (IIIP).
FONTE: [1] .

15
3 SISTEMA DE VCUO

3.1 Especificaes do Sistema de Vcuo

O principal fator que implica na dificuldade de se obter plasma na superfcie
terrestre presso atmosfrica. Para produzir plasma precisamos de baixa
presso, visto que a diferena de potencial necessria para produzir a descarga
eltrica que d incio ao plasma proporcional presso, sendo que, na presso
atmosfrica, esta descarga extremamente difcil de se obter. [7]
Um segundo ponto vem da recombinao das partculas (troca de cargas). Num meio
muito denso (alta presso) os ons facilmente seriam neutralizados no havendo assim tempo
suficiente para existir o plasma.
Logo, o plasma somente ocorre naturalmente no espao (no vcuo), ou na alta
atmosfera ( exceo das chamas e dos raios). No laboratrio o mesmo obtido sempre em
cmaras nas quais feito vcuo atravs de bombas de vcuo.
Para se alcanar estas presses, so necessrios diversos tipos de bomba de vcuo
trabalhando em conjunto. A escolha e feita de acordo com o intervalo de presses em que
cada uma delas funcionam, e as principais bombas utilizadas em laboratrio so as bombas
mecnicas, difusoras e as turbomoleculares.
O sistema de Implantao Inica por Imerso em Plasma, (IIIP), do LAP/INPE,
consiste numa cmara de vcuo como mostra a figura 3.1 e 3.2, em ao inoxidvel, de 38cm
de comprimento e 28cm de dimetro interno. Uma bomba mecnica rotativa utilizada para
diminuir a presso da cmara at cerca de 10
-2
mbar, quando tambm ligada a bomba
difusora, com a qual a presso na cmara reduzida at cerca de
110
-6
mbar. A presso do gs de trabalho, durante a implantao inica da ordem de 8
10
-4
mbar.[7]








16



FIGURA 3.1 Esquema do sistema IIIP do LAP/INPE.




FIGURA 3.2 Cmara e Bomba de Vcuo do Laboratrio do LAP/INPE.

17
4 PROJETO DA FONTE DE ALIMENTAO
4.1 Princpio do Funcionamento do Sistema de Alta Tenso

O presente trabalho teve por objetivo o projeto e construo de uma fonte de
alimentao varivel de alta tenso, de 0 a 1,4 kV e corrente de at 2,5 A. Os componentes
foram dimensionados para que futuramente a fonte possa fornecer uma corrente at 10A.
Para isto basta a substituio do variac por um de maior potncia.
A operao da fonte de alimentao varivel de alta tenso consiste primeiramente
de uma amplificao da tenso da rede. Para tal utilizado um transformador com um
variac
3
em sua entrada para regulagem da tenso de entrada. Em seguida a tenso senoidal
retificada atravs de uma ponte de diodo obtendo-se assim uma tenso retificada de onda
completa, como mostra a figura 4.1. [5]


FIGURA 4.1 - Onda senoidal e sada retificada de onda completa
FONTE: [5].

Depois de retificada a tenso filtrada pelo banco de capacitores que apresentar uma
ondulao numa freqncia de ondulao de 120 Hz. Neste caso o capacitor carregado
com uma frequncia duas vezes maior que a da rede e com isso tem somente a metade do
tempo na descarga, obtendo-se assim a vantagem da capacitncia necessria para filtrar ser a

3
Variac: Variador de tenso

18
metade em comparao ao um retificador de meia onda. A tenso filtrada apresenta-se com o
perfil da linha contnua, mostrada na figura 4.2.


FIGURA 4.2 - Filtragem de onda completa.
FONTE: [5].

Esta onda tem um ripple
4
que calculado pela expresso abaixo:

V
r
= r.V
p
onde:
V
r
= tenso de ripple
V
p
= tenso de pico
r = especificao do ripple relativo (ex.: com 10% de o ripple ser 0,10)

Escolhida a porcentagem da tenso de ripple podemos calcular o valor da
capacitncia pela expresso abaixo

C f
I
V
r

=

V
r =
tenso de ripple
I = corrente nominal
f = frequncia
C = capacitor




4
Ripple: Ondulao

19
4.2 Descrio do Circuito de Alta Tenso

A retificao do sinal foi feita por uma ponte de diodos (1,2kV, 16A) em srie para
suportar a tenso reversa que vai ser aplicada sobre eles. Estes diodos foram montados sobre
uma base isolante de fenolite, e esta base montada em um suporte de celeron, que isola os
diodos do gabinete, como mostra a figura 4.5 e 4.7 com suas respectivas ligaes.
A filtragem da onda completa feita por um banco de capacitor composto por oito
capacitores de 40F/2,5kV ligados em paralelo totalizando uma capacitncia de 320F. Essa
capacitncia foi determinada para garantir um ripple mximo de 20% quando futuramente a
corrente de sada atingir 10

A. O banco de capacitores foi isolado do gabinete por uma base
de PVC e milar, vide a figura 4.6. Foi includa uma resistncia de 60k em paralelo com
estes capacitores, para a descarga destes quando o circuito for desligado, garantindo assim a
total descarga do banco aps alguns minutos.
Uma resistncia, composta por dois resistores em paralelo de 3,3, 200W, foi
colocada para limitar a corrente de sada da fonte em torno de 800A caso a mesma seja
acidentalmente curto-circuitada, como por exemplo no caso da formao de um arco entre os
eletrodos de descarga. A resistncia foi instalada no gabinete utilizando um suporte de
fenolite.
Como mostrado nas figuras 4.3 e 4.4 temos o diagrama de blocos do circuito que foi
utilizado no projeto e o esquema eltrico.












FIGURA 4.3 Diagrama de Blocos do Circuito da Fonte DC.


Contator
Transformador Retificador Filtro
Cmara
(Eletrodo)
Sistema de
Proteo
Rede
220/60Hz
Variac

20
FONTE 5V PARA
ALIMENTAO DO RELE
C7
C6
C5
C4
D4
CHgeral
D3
C2
C3
IN
COM
OUT
U2
IN
COM
OUT
U3
+
V
6V
+
V
-6V
T2
+
V
220V
K2
+
V
-220V
S11
K4
K3
S21 +
V
6V
+
V
-6V
A1
S1
D2
Q1
R4
R2
R1
DC A
NO DATA
DC V
NO DATA
C1
D1 T1
B2
Variac
K1
B1
F1
R10
R8
R6
R7
R5
R3
R9

FIGURA 4.4 Esquema da Fonte de Alimentao.








FIGURA 4.5 Parte traseira da fonte composta pela ponte de diodos.


21

FIGURA 4.6 Banco de Capacitores e transformador.


FIGURA 4.7 Imagem da lateral direita da fonte e suas respectivas ligaes.


4.3 Clculos para o Sistema de Alta Tenso

Para saber os valores foram feitos os seguintes clculos:

- Tenso de pico:

p
V =
707 , 0
rms
V
= kV
KV
4 , 1
707 , 0
1
=

- Tenso de ripple:

V V V
p ripple
280 1400 % 20 % 20 = = =

- Capacitncia:


22
300
280 120
10
=

= =
ripple
fV
I
C F

- do resistor de descarga do capacitor o tempo foi submetido 18 segundos, tendo
uma resistncia de:

60
10 300
18
6
=

= =

C
R

k

- a potncia do resistor de:

W
K R
V
P 33
60
1400
2 2
=

= =


Sendo I
arco
= 1kA, o clculo do resistor limitador e sua potncia so:

= = = 4 , 1
1000
1400
I
V
R

W I R P 150 10 4 , 1
2
= = =

(Foi calculada com a corrente de 10 A, porque este ser o mximo de corrente
especificado para o sistema).

Os clculos dos dissipadores dos diodos foram feitos atravs das caractersticas do
componente. Os dissipadores foram construdos na oficina mecnica do LAP/INPE.
A J
T R R R P T
DA CD JC
+ + + = ) (


175 = 6 (0,5 + 1,6 +
DA
R

) + 40
DA
R

= W K / 20 1 , 2
6
135
=

23



FIGURA 4.8 Ponte de diodos.

4.4 Funcionamento do Sistema de Proteo

O circuito de proteo baseia-se em um amplificador operacional que no caso
trabalha como um comparador de tenso. So comparadas duas tenses, uma proveniente do
resistor shunt que reflete a corrente que est sendo drenada da fonte e a outra determinada
pelo trimpot R4, que estabelece qual corrente o circuito vai atuar. portanto aplicada uma
tenso na entrada no-inversora do operacional atravs do trimpot R4, de modo a fazer o
circuito atuar quando a corrente de sada for ligeiramente superior a corrente nominal da
fonte. A tenso do resistor shunt aplicada na entrada inversora. Em condies normais de
uso da fonte, isto , quando a corrente de sada for inferior a corrente nominal a entrada
inversora submetida a tenses mais positivas em relao no-inversora, assim a sada do
operacional permanece em aproximadamente V
cc
, fazendo com que Q1, fique cortado e em
conseqncia disso o rel desoperado. Quando ocorre uma sobrecorrente na sada da fonte a
entrada inversora passa a ter com um potencial mais negativo do que na entrada no-
inversora, fazendo com que a sada do operacional assuma um potencial prximo a +V
cc.

Com isso o transistor polarizado diretamente via R6 e passa para o estado de saturao,
acionando o rel RL1 que atravs de seu contato normalmente fechado, corte a alimentao
da bobina do contator principal K1, desligando assim todo o circuito de potncia.


4.5 Descrio do Circuito de Proteo

Primeiramente foram feitas as montagens do sistema de proteo no protoboard e
depois montagem na placa final.

24
Para testar o sistema de proteo o circuito foi ajustado para desarmar com uma
corrente de 1A. Essa corrente foi obtida aplicando-se uma tenso de 100mV no resistor tipo
shunt
5
de 0.1. Na montagem foi utilizado um suporte de PVC para fixao da placa do
sistema de proteo no gabinete.
A figura 4.9 mostra uma placa que contm o sistema de proteo e a calibrao dos
medidores de tenso e de corrente.

FIGURA 4.9 Placa de circuito impresso do sistema de proteo e calibrao dos
medidores.


4.6 - Clculos para a Construo do Sistema de Proteo

As caractersticas dos componentes para os medidores foram calculadas com suas
correntes mximas sendo de 100 A e outra de 50 A. Suas potncia ento so:

nW R I P 1 1 , 0 ) 10 100 (
2 6 2
= = =



W n R I P 25 , 0 1 , 0 ) 10 50 (
2 6 2
= = =



Utilizamos dois trimpots com ajuste nos valores de 10k e 500, devido existncia
de uma resistncia interna nos ampermetros no caso de R
int (100A)
= 1,6 k e R
int (50 A)
= 3,9
k.
Este circuito mostrado na figura 4.10 formado por um trimpot R2 de ajuste no valor
de 500, uma resistncia R7 no valor total de 4M e um voltmetro composto por uma

5
Shunt: Uma conexo de baixa-resistncia entre dois pontos em um circuito eltrico que forma um caminho
alternativo para uma poro da corrente

25
resistncia interna no valor de 3,9k. Os clculos foram feitos para que a corrente de fundo
de escala do instrumento 50 A seja atingida quando a tenso da fonte for de 2k.
+
V1
R7
DC V
NO DATA
R2

FIGURA 4.10 Circuito para leitura de tenso.

Para medio de corrente utiliza-se uma amostra da tenso do resistor R4, tipo shunt
convenientemente condicionada por este circuito mostrado na figura 4.11 para que o
medidor atinja um deflexo mxima com a corrente nominal da fonte. Os valores dos
componentes so: R5 = 0,1, R1=10k

R5
DC A
NO DATA
R1

FIGURA 4.11 Circuito para leitura de corrente.

Sabendo a tenso do rel de 6V e sua resistncia de 52 , temos o valor da corrente
do rel e do coletor do transistor que so:
mA I
r
115
52
6
= = I
r
= I
c
= 115 mA
Devido a esse valor esperado de corrente, foi utilizado o transistor BC337 que
suportaria a mesma.


26
Os clculos a seguir so para a fonte de 6V, utilizada na alimentao do sistema de
sobrecorrente. O valor do capacitor utilizado de:
mF
V f
I
C
ripple
35 , 7
85 , 0 120
75 , 0
=

=
Foi utilizado o capacitor de 4700 F , dos mais comuns no mercado.
- Foi calculado com 10% de tenso do ripple que ser :
V V
ripple
85 , 0 5 , 8 % 10 = =
- O tempo foi submetido em 60s
= = k
mF
s
R 2 , 8
35 , 7
60

mW
k
P 8 , 8
2 , 8
5 , 8
2
=

=


















27
5 Resultados Obtidos

Foram feitos os testes com o sistema em vazio chegando ao mximo de tenso do
voltmetro, no caso 1kV, e utilizando um osciloscpio, chegando tenso mxima de 1,4kV.
Tambm foi feita a calibrao do voltmetro da fonte como mostra figura 5.1.
+
-
+
1000V

FIGURA 5.1 Circuito do teste feito em vazio com a leitura de tenso feita pelo voltmetro.
Medimos tambm o ripple da fonte aplicando a tenso mxima da fonte e um
conjunto de trs resistores em srie de 600 e 500W cada, totalizando 1,8k. A corrente
mxima nos resistores foi de:

A
R
V
I
mx
8 , 0
1800
1400
. = = ,

assim, a potncia dissipada em cada resistor foi de:

W I R P 384 8 , 0 600
2 2
= = = ,

ou seja, menor que a potncia nominal de cada resistor. A figura 5.2 mostra o esquema
utilizado para a medio de ripple da fonte.


28
osciloscpio
600
600
600
DC V
NO DATA
+
1400V

FIGURA 5.2 Circuito feito para medio do ripple da fonte.


O sinal do ripple obtido no osciloscpio em nvel DC, apresentou-se como mostrado na
figura 5.3.
0,00 0,01 0,02 0,03 0,04
0
200
400
600
800
1000
1200
1400

T
e
n
s

o

(
V
)
Tempo (s)
V
r
=15,4 V

FIGURA 5.3 Sinal do ripple medido em torno da tenso mdia de 1,4kV.



29
Em nvel AC no osciloscpio tem-se um ripple como a figura 5.4.
0,005 0,010 0,015 0,020
-10
-5
0
5
10


T
e
n
s

o

(
V
)
Tempo (s)
V
r
=14,8V

FIGURA 5.4 Sinal do ripple em torno de 1,4kV
Curva de descarga do capacitor
0 30 60 90 120
0
200
400
600
800
1000


V
d


(
V
)
Tempo (s)
Curva de descarga do capacitor

FIGURA 5.5 Descarga do capacitor

30
Equao da Curva da Descarga do Capacitor
RC
t
i
e V t V

= ) (
RC
t
V e V e V V
i
RC
t
i
RC
t
i
= + = =

ln ln ln ) ln( ) ln(
y = ax+b, ento b = ln (V
i
) e a =
RC
1

Os valores experimentais calculados a partir dos dados medidos de queda de tenso
em funo do tempo so:
s RC
RC a
a
b
05 , 19
0525 , 0
1
1
10 3 0525 , 0
02 , 0 90 , 6
4
=

=
=
=
=

O valor terico : s 20 , 19 10 19200 10 60 . 10 320
3 3 6
= = =


A figura 5.6 mostra a resoluo da curva de descarga do capacitor.
0 20 40 60 80 100 120
0
1
2
3
4
5
6
7

l
n
(
V
d
)
Tempo (s)

FIGURA 5.6 Resoluo da curva de descarga do capacitor

31
Este circuito da figura 5.7 foi utilizado para fazer a calibragem do ampermetro.

ampermetro
126.5
+
253V
DC V
NO DATA

FIGURA 5.7 Circuito feito para calibrao do ampermetro.

A corrente da fonte medida atravs da queda de tenso em um resistor shunt de
0,1. Para uma corrente mxima de 2,5

A no fundo de escala do ampermetro, a queda de
tenso no resistor shunt ser de:

V x I R V
mx shunt
25 , 0 5 , 2 1 , 0 = = = .

Como o fundo de escala do outro ampermetro de 100A, ento a resistncia em
srie com o ampermetro deve ser de:

= = =

k
I
V
R 5 , 2
10
25 , 0
4

R = resistncia
I
mx
= corrente mxima
I = corrente do fundo de escala do ampermetro
V = tenso

A resistncia interna do microampermetro de 1,6k, e desta forma foi colocado
um trimpot multivoltas para ajustar a resistncia como mostrado na figura 5.8.





FIGURA 5.8 - Circuito de medio de corrente.
R = 5k (resistncia de ajuste da corrente de fundo de escala)

32
O teste final com a fonte foi o de produzir o plasma atravs da descarga glow DC. O
plasma foi criado na cmara descrita no captulo 3, utilizando o gs nitrognio, a uma
presso de 810
-4
mbar. Com a ajuda do filamento emissor de eltrons, o plasma acendeu
com uma tenso de ~ 100V e uma corrente de 0,5A, como mostra a figura 5.9.
Foi testado o sistema de proteo de corrente, variando a tenso aplicada no eletrodo
da descarga, onde verificamos que este funcionou de acordo com o esperado.A fonte foi
ligada junto com o pulsador de alta tenso e foi verificado que no houve interferncia na
fonte de rudos gerados pelo pulsador.



FIGURA 5.9 Plasma glow DC produzido com a fonte construda neste trabalho












33
A figura 5.10 mostra a fonte de tenso DC construda neste trabalho de graduao.





FIGURA 5.10 Fonte de tenso DC.




34
6 Concluses e consideraes


O trabalho realizado concluiu-se com a construo de uma fonte de alimentao de
regime contnuo. Esta fonte de alimentao foi construda para produo de plasma por
descarga glow, com a finalidade de utiliz-lo em tratamentos de superfcie de materiais pelo
processo de Implantao Inica por Imerso de Plasma (IIIP).
Foi desenvolvido um sistema de proteo da fonte que atua caso a corrente ultrapasse
o limite pr-ajustado. De acordo com os resultados obtidos nos testes dos circuitos de
sobrecorrente e alta tenso, podemos considerar que o projeto alcanou o objetivo
estabelecido neste trabalho de graduao.
Devido complexidade do trabalho foi feito um estudo especfico na rea de fsica de
plasma.

35
Referncias Bibliografia


[1] Anders, A. Handbook of plasma immersion ion implantation and deposition.
Lawrence Berkeley National Laboratory

[2] Boening, H. V. Plasma science and technology. Cornell University Press.

[3] Gomes, Geraldo Francisco. Construo e diagnsticos bsicos de um Z-
Pinch.Guaratinguet-SP , 1994.

[4] Mello, Luiz Fernando P. Projeto fonte chaveada. rica, 1987.

[5] Malvino, Albert Paul. Eletrnica. So Paulo: Ed. McGraw-Hill, v. 1 e 2
1987.

[6] Rashid, M. H. Spice for power electronics and electric power. Englewood
Cliffs, N.J: Prentice Hall, 1993.

[7] Ueda, M. ; Gomes, G. F. ; Castro, R.M.; Berni, L.A.; Oliveira, R. Q.
Desenvolvimento e otimizao de uma fonte de descarga glow DC par a atravs
Implantao Inica por Imerso em Plasma(IIIP) e caracterizao do plasma
obtido de sonda de Langmuir com aquisio digitalizada de dados . So Jos dos
Campos: INPE, 1/2002










36
Apndice 1

Lista de Componentes


PARA O CIRCUITO DE ALTA TENSO

Quantidade Referncia Componentes Caractersticas
8 C1 Capacitor Bosh MP, 40F/2.5kV
8 D1 Diodo 16FR120, I
surto
=310A,
I
DC
=16A, I
mdia
=5A,
T
mx(J)
=175, 1200V,
juno de
encapsulamento: 1,6K/W,
0,5K/W
2 R3 Resistor 3,3/200W
4 R7 Resistor 1M/0,25W
6 R9 Resistor 10k/10W
1 T1 Transformador RM552003, srie:
281002, 220/1000V, 10
A

1 Variac Mod.:2415/-, 220/240V,
15A, 3,6kW



Para o circuito de Sistema de Proteo
Quantidade Referncia Componentes Caractersticas
1 A1 Amplificador
Operacional
HA17741 V
cc
=18V
2 C2, C3 Capacitor Eletroltico 4.7kV/16V
4 C4, C5, C6,
C7
Capacitor 100nF/16V
1 K1 Contator Siemens- Contator Bipolar,
2NA+2NF, 63A/690V
3TF47,
22-0AN1
5 D3, D4 Diodo 1N4007 V
rms
=1kV, I=1A
1 R5 Resistor 0,1/2,5W
1 R8 Resistor 3k/1W
1 R6 Resistor 1k/1W
1 S1 Rel 52/6V,
1 U2 Regulador
Tenso
7806
1 U3 Regulador
Tenso
7906
1 R1 Trimpot
Multivoltas
10k

37
1 R2 Trimpot
Multivoltas
500
1 R4 Trimpot
Multivoltas
1k
1 T2 Transformador Com Center-Tape ,220V de
entrada, 6VCT6V, 750mA