1

1. Estructuras Schottky :

Caracteristicas I-V
Comparacion con uniones p-n
Estructuras genericas Comerciales ( Schottky de potencia)

2. Contactos Ohmicos :

Resistencia especifica de contacto.
Estructuras verticales. Estructuras Planares.
Modelos de resistencia de contacto.


Revisin clase anterior
2
Revision. Dispositivos con semiconductores
- Cuatro Bloques bsicos de construccin:

Unin pn
Interfase metal semiconductor
Estructura Metal-Aislante-Semiconductor
Heterouniones
Transistores BJTs
Transistores MESFETs
Transistores MOSFETS
LEDs
LASERs
Celdas Solares fotovoltaicas
3
Estado estacionario
t
s
= Tiempo de almacenamiento
t
r
= Tiempo de recuperacin
t
rr
t
s
t
rr
t
r
t
s
I
F
-0.1 I
R
i(t)
Caracterizacin del transitorio corriente vs tiempo
I
R Estado estacionario
t
s
= Tiempo de almacenamiento
t
r
= Tiempo de recuperacin
t
rr
t
s
t
rr
t
r
t
s
I
F
-0.1 I
R
i(t)
Caracterizacin del transitorio corriente vs tiempo
Estado estacionario
t
s
= Tiempo de almacenamiento
t
r
= Tiempo de recuperacin
t
rr
t
s
t
rr
t
r
t
s
I
F
-0.1 I
R
i(t)
Caracterizacin del transitorio corriente vs tiempo
t
rr
t
s
t
rr
t
r
t
s
I
F
-0.1 I
R
i(t)
Caracterizacin del transitorio corriente vs tiempo
I
R
t
t
s
V
ON
v
A
(t)
Transitorio del voltaje
t
t
s
V
ON
v
A
(t)
t
t
s
V
ON
v
A
(t)
Transitorio del voltaje
t = 0
V
F V
R
R
R
R
F
i(t)
v
A
(t)
+
-
Circuito de conmutacin idealizado
t = 0
V
F V
R
R
R
R
F
i(t)
v
A
(t)
+
-
Circuito de conmutacin idealizado
Revision. Dispositivos Bipolares
Almacenamiento de carga durante transitorios
Trabajan en base al transporte de carga con portadores minoritarios
El problema
4
Revision. Dispositivos unipolares
DIODO SCHOTTKY
JFET
MESFET
MOSFET
Trabajan en base al transporte de carga de portadores mayoritarios
5
Revision. Diodos Schottky
Diagrama de Bandas de energa
de un metal aislado adyacente a un
semiconductor aislado
q|
s
q_
q|
m
q(|
m
- _)
Nivel de vaco
E
c
E
F
E
v
E
Fm
E
Diagrama de Bandas de energa
de un metal aislado adyacente a un
semiconductor aislado
q|
s
q_
q|
m
q(|
m
- _)
Nivel de vaco
E
c
E
F
E
v
E
Fm
E
q|
s
q_
q|
m
q(|
m
- _)
Nivel de vaco
E
c
E
F
E
v
E
Fm
E
qV
bi
qV
bi
Diagrama de Bandas de energa de un
contacto metal -semiconductor
en condiciones de equilibrio trmico
q|
m
q|
Bn
= q(|
m
- _)
Nivel de vaco
q|
s
q_
E
c
E
F
E
v
E
F
qVbi = q(|
m
-|
s
)
c
Diagrama de Bandas de energa de un
contacto metal -semiconductor
en condiciones de equilibrio trmico
q|
m
q|
Bn
= q(|
m
- _)
Nivel de vaco
q|
s
q_
E
c
E
F
E
v
E
F
qVbi = q(|
m
-|
s
)
c
q|
m
q|
Bn
= q(|
m
- _)
Nivel de vaco
q|
s
q_
E
c
E
F
E
v
E
F
qVbi = q(|
m
-|
s
)
c
qVbi
q|
Bn
E
c
E
F
E
v
qVbi
q|
Bn
E
c
E
F
E
v
Efecto de los estados interfaciales
BN bi n
q qV qV u = +
6
Revisin. Mtodos experimentales para la
determinacin de Vbi y u
BN
Basado en las propiedades electrostticas de la interfase metal-semiconductor
2 s s D
bi
q N
C = = [fd / cm ]
W 2(V - V)
bi
2
s D
bi s D
s D
D s
bi s D
(Ec Ef )/kT (qVn/kT)
D c c
BN
2(V V) 1
A mV
q N C
A 2V / q N
m 2 / q N
N 2 / mq
V (A q N ) / 2
N N e N e
Vbi Vn

= = +
c
= c
= c
= c
= c
= =
u = +
1/C
2
vs Voltaje inverso para diodos metal semiconductor
de W-Si y W-GaAs. C.R. Crowell & al "Tungsten-
semiconductor Schottkty barrier diodes" Trans. Met. Soc.
AIME, 233, 478 (1965)
0
2
4
6
8
10
12
14
-1 0 1 2 3 4
VR (Volts)
1
/
C
2

(
c
m
2
/
F
d
)
2
*
1
E
1
5
W-Si
W-GaAs

7
Estructuras Schottky
Caractersticas I-V
8
E
c
E
F
E
v
E
c
E
v
E
c
E
v
Equilibrio trmico
Polarizacin directa
Polarizacin inversa
J
ms
J
sm
J
ms
J
sm
J
ms
J
sm
Caractersticas Corriente voltaje
Las corrientes J
ms

y J
sm
son idnticas.
Las corrientes sern
proporcionales a la
densidad de portadores
n
s
en la interfase.
El trasporte de corriente se debe
nicamente a portadores mayo-
ritarios. El mecanismo dominante
es la emisin termoinica de
portadores de carga desde el semi-
conductor sobre la barrera y dentro
del metal
Vbi
Vbi - Va Vbi + Va
q|
Bn
Jsm<Jms
9
Caractersticas Corriente voltaje
En la interfase
Bajo condiciones de polarizacin u
Bn
no cambia
Las corrientes sern proporcionales a n
s
C1 es una constante de proporcionalidad
n
s
cambia de acuerdo con el
voltaje aplicado
Densidad de corriente resultante
Equilibrio Termico
Bn
q / kT (Ec EF) / kT
c c
n( ) N e N e
|
= = 0
qV
bi
q|
Bn
E
c
E
F
E
v
V
n
( )
Bn bi n
q q V V | = +
10
Caractersticas Corriente voltaje
A* Semiconductor Tipo
110 Silicio N
32 Silicio P
8 GaAs N
74 GaAs P
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
0 0.1 0.2 0.3
VF (Volts)
J
f

(
A
/
c
m
2
)
W-Si
W-GaAs
Densidad de corriente vs Voltaje directo para diodos de
W-Si y W-GaAs. C.R. Crowell & al "Tungsten-semiconductor
Schottkty barrier diodes" Trans. Met. Soc. AIME, 233, 478 (1965)

La extrapolacin de las
caractersticas Log ( I
F
) a
V = 0 permite encontrar J
s
y
de ah u
Bn

Corriente de huecos
inyectados desde el
metal
J
p
<< J
En condiciones de
operacin normales
11

Para un diodo Schottky de Tungsteno-silicio con N
D
= 10
16
cm-
3
, encontrar la altura de la barrera y
el ancho de la region de empobrecimiento a partir de datos de la figura anterior. Comparar los
resultados de la corriente de saturacion Js con Jpo considerando que el tiempo de vida de los
portadores minoritarios e 10
-6
sec.
EJERCICIO 2.
N
c
= 2.5x10
19
; D
p
= 36 cm2/s.

Solucin
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
0 0.1 0.2 0.3
VF (Volts)
J
f

(
A
/
c
m
2
)
W-Si
W-GaAs
Densidad de corriente vs Voltaje directo para diodos de
W-Si y W-GaAs. C.R. Crowell & al "Tungsten-semiconductor
Schottkty barrier diodes" Trans. Met. Soc. AIME, 233, 478 (1965)

A*=110
De la Figura se tiene J=6.5x10-5 A/cm2. La altura de la barrera se obtiene de la Ec(18)
67 . 0
10 5 . 6
) 300 ( 110
0259 . 0
5
2 2 *
= = =

x
x
Ln
J
T A
Ln
q
kT
s
Bn
| Volts
El potencial interconstruido Vbi = |
Bn
- Vn, donde
17 . 0 = =
D
C
n
N
N
Ln
q
kT
V Volts
El ancho de la region de empobrecimiento se obtiene de la Ec (5) con V=0


5
10 6 . 2
2

= = x
qN
KeoVbi
W
D
cm

Para calcular Jpo se necesita conocer los valores de D
p
y L
p


Dp = 36 cm
2
/ seg y
3
10 6

= = x t D L
p p p
cm luego


11
16 3
2 10 19
2
10 2
10 ) 10 6 (
) 10 45 . 1 ( 36 10 6 . 1

= = = x
x
x x x x
N L
ni qD
J
D p
p
po
A / cm
2

asi


6
11
5
10 2 . 3
10 2
10 6
x
x
x
J
J
po
s
= =

n Bn bi
V V = |
...(18)
s bi
D
2 q V
W
N
( / ) c
=
qV
bi
q|
Bn
E
c
E
F
E
v
V
n
12
De la Figura se tiene Js=6.5x10
-5


La altura de la barrera se obtiene de la Ec(18)
67 . 0
10 5 . 6
) 300 ( 110
0259 . 0
5
2 2 *
= = =

x
x
Ln
J
T A
Ln
q
kT
s
Bn
| Volts






El ancho de la region de empobrecimiento se obtiene de la Ec
5
10 6 . 2
2

= =
x
qN
KeoVbi
W
D
cm

p Para calcular Jpo se necesita conocer los valores de D y L p

D
p
= 36 cm
2
/s
3
10 6

= =
x t D L
p p p
cm luego



11
16 3
2 10 19
2
10 2
10 ) 10 6 (
) 10 45 . 1 ( 36 10 6 . 1



= = =
x
x
x x x x
N L
ni qD
J
D p
p
po
A / cm
2




as
6
11
5
10 2 . 3
10 2
10 6
x
x
x
J
J
po
s
= =



1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
0 0.1 0.2 0.3
VF (Volts)
J
f

(
A
/
c
m
2
)
W-Si
W-GaAs
Densidad de corriente vs Voltaje directo para diodos de
W-Si y W-GaAs. C.R. Crowell & al "Tungsten-semiconductor
Schottkty barrier diodes" Trans. Met. Soc. AIME, 233, 478 (1965)

El potencial nter construido
17 . 0
= =
D
C
n
N
N
Ln
q
kT
V
n Bn bi
V V = |
V
bi
= 0.500
13
Estructuras de Diodos Schottky
la curvatura de la capa de empobre-
cimiento en la superficie, en la estruc-
tura mas simple, reduce drsticamente
el voltaje de ruptura debido a mayores
campos elctricos en los extremos
Soluciones para la reduccin
de la curvatura.
Field Plate
Epi
layer
Problemas con el voltaje de Ruptura
14
Estructura genrica de un diodo comercial
Campo Elctrico en la Interfase
Schottky/Oxido
BVR=80 V
Campo Elctrico en la terminacin
del electrodo de campo
BVR=250 V
Oxido
Contacto Schottky
Capa Epi N- Anillo de guarda p+
Substrato N+
Electrodo
de campo
ANODO
CATODO
Metal
De contacto
Oxido
Contacto Schottky
Capa Epi N- Anillo de guarda p+
Substrato N+
Electrodo
de campo
ANODO
CATODO
Metal
De contacto
Terminador
BV
pp
=315 V
Campo Elctrico en la curvatura
de los anillos de guarda
BVR=150 V
Anillo de guarda p+
15
Comparacin de diodos Schottky
con diodos de unin p
+
-n
Comparados con los diodos de unin p-n, los diodos Schottky tienen

1. Un menor voltaje de codo en polarizacin directa.

2. Mayor corriente inversa.

3. Mayor velocidad de conmutacin debido a que no hay carga alma-
cenada de portadores minoritarios.

4. Son mas sensibles a la preparacin de la superficie.

5. Tienen un menor voltaje inverso de ruptura.
16
Transistor clamped con Schottky
Cuando el transistor NPN se satura, la unin C-B esta en
polarizacin directa. Esto resulta en una inyeccin incrementada
de portadores minoritarios y el correspondiente incremento de
la carga almacenada, causando baja velocidad de conmutacin.
Ya que los diodos Schottky tiene una cada menor de voltaje
en polarizacin directa que los diodos de unin p-n, si se coloca
uno en paralelo con la unin C-B, el diodo Schottky tomara la
mayora de la corriente bajo polarizacin directa, previniendo
la inyeccin dentro de la base. El transistor conmutara mas
rpido.
_
_
17
Pausa
Al regresar: Contactos Ohmicos
18
Un contacto Ohmico se define como un contacto
metal-semiconductor que tiene una resistencia de
contacto despreciable con relacin la resistencia
serie del dispositivo. Debe ser lineal y dejar pasar
la corriente requerida con una cada de voltaje que
es pequea comparada con las cadas a travs de
la regin activa del dispositivo.
Contactos Ohmicos
Otras caractersticas:
Debe ser suficientemente adherente
Debe ser compatible con el mtodo de ensamblado
La velocidad de recombinacin-generacin trmica
es infinita. En el contacto Ap = An =0
19
Contactos Ohmicos
Las estructuras metal-semiconductor muestran caractersticas I-V
no lineales dependiendo del dopado del semiconductor.
Es usual dopar fuertemente las regiones de silicio N+ o P+
en la interfase de tal manera que se asegure un contacto ohmico
20
Supongan que N
d
o N
a
son muy grandes
Cuando , los electrones pueden
tunelear a travs de la barrera. Este proceso ocurre
en ambas direcciones M S y S M de tal manera
que el contacto muestra muy poca resistencia y se
vuelve ohmico, lineal.
para X
d
= 25 A
o
Luego resulta muy pequeo
Para calcular un valor aproximado para el dopado
requerido,
21
Resistencia de contacto
La resistencia especifica de contacto es un
factor de merito para un contacto ohmico
Rango de
Tuneleo
Dominio de
emisin
termoinica
Corriente de Tuneleo
Resistencia Especifica de Contacto
V
J
dJ
0
22
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
0 5 10 30
10
20
10
19
10
17
10
18
|
Bm
= 0.84V
PtSi-Si
0.72 V
Al-Si
Teoria
Experimento
0.40 V
0.20 V
1/(N
D
)
1/2
10
10
cm
3/2

c
(
o
h
m
-
c
m
2
)
E
F
q|
Bn
Proceso de Tuneleo
N
D
(cm-
3
)
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
1.E-07
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
0 5 10 30
10
20
10
19
10
17
10
18
|
Bm
= 0.84V
PtSi-Si
0.72 V
Al-Si
Teoria
Experimento
0.40 V
0.20 V
1/(N
D
)
1/2
10
10
cm
3/2

c
(
o
h
m
-
c
m
2
)
E
F
q|
Bn
E
F
q|
Bn
Proceso de Tuneleo
N
D
(cm-
3
)
Valores calculados y medidos de la
Resistencia Especifica de contacto
23
Contribuciones a la resistencia de
los contactos Ohmicos
R
c
=
c
/ A

R
c
=
c
/ L
2

c
= 5 Ohm-m
2
24
Medicin y efectos de la resistencia de contacto
Estructuras verticales

Estructuras planares
25
c
c
R
A

=
cm
c
R
R
W
=
Rcm 0,1 ohm-mm a 5 ohm-mm
26
Lneas de flujo
de la corriente
W
27
Medicin de la Resistencia de Contacto en dispositivos planares
28
29
Tarea.
El diagrama de la figura anterior corresponde a un patrn con el ancho
del contacto W=50 um. El espesor de la pelcula es t=0.2 um. A partir
de los datos mostrados en la figura, determinen la resistencia de
contacto, la resistencia por cuadro de la pelcula semiconductora,
La conductividad de la capa semiconductora y la concentracin de
portadores a la temperatura ambiente (consideren una capa tipo n
de silicio).

30
31
La resistencia de contacto es un problema difcil de corregir. Conforme
las dimensiones de los dispositivos continan decreciendo la resistencia
de contacto resurge con efectos parsitos apreciables que degradan el
comportamiento de los dispositivos.
Resistencia de contacto