Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre

otras, las siguientes limitaciones:

Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin.
El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar
una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar
una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas, tal y como se muestra en su
curva caracterstica.


donde:
V : tensin de codo
VBD : tensin de ruptura
A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos
agrupar de la siguiente forma:




Caractersticas estticas:
Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
Parmetros en conduccin.
Modelo esttico.
Caractersticas dinmicas:
Parmetros de encendido.
Parmetros de apagado
Influencia del trr en la conmutacin.
CARACTERSTICAS DEL DIODO DE POTENCIA
CARACTERSTICAS ESTTICAS
Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de trabajo (VRWM): Mxima tensin inversa que puede soportar de forma
continuada sin peligro de avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): Mxima tensin inversa que puede soportar por tiempo
indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su frecuencia de repeticin inferior a 100 Hz.
Tensin inversa de pico nico (VRSM): Mxima tensin inversa que puede soportar por una sola
vez cada 10 ms minutos si la duracin del pico es inferior a 10 ms.
Tensin de ruptura (VBD): Valor de la tensin capaz de provocar la avalancha aunque solo se
aplique una vez por un tiempo superior a 10 ms
Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (IFW(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
sinusoidales que el diodo puede soportar en forma continuada .
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una
duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez
cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Modelos estticos del diodo
Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la siguiente
figura. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado
segn el nivel de precisin que necesitemos.

Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para
programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e
incluso pueden venir ya en las libreras del programa.
CARACTERSTICAS DINMICAS
Estas caractersticas estn referidas al proceso de conmutacin del diodo, tanto en el proceso de
encendido como de apagado





Parmetros de encendido
Tensin directa, VON. Cada de tensin del diodo en rgimen permanente para la corriente nominal
Tensin de recuperacin directa, VF. Tensin mxima durante el encendido.
Tiempo de recuperacin directa, tON. Tiempo para alcanzar el 110% de VON.
Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su valor directo nominal. Suele
estar controlado por el circuito externo
Este ltimo tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa (que se estudiar a continuacin) y
no suele producir prdidas despreciables.
Parmetros de apagado
El paso del estado de conduccin al de bloqueo (y viceversa) en el diodo no se efecta instantneamente.
Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de
portadores mayoritarios con una mayor densidad de stos, cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin
de una tensin inversa VR forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad diD/dt, resultar que
despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de
movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante.
La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de
almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga
espacial.
La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo
(Irr) a un valor despreciable mientras va desapareciendo el exceso de portadores.

Teniendo estas caractersticas en cuenta se definen los siguientes parmetros:
ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta
llegar al pico negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se
anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele
medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 25 % de ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.
t rr = t a + tb
Por lo tanto, trr representa el tiempo que durante el apagado del diodo, tarda la intensidad en alcanzar su
valor mximo (negativo) y retornar hasta un 25 % de dicho valor (Tpicamente 10 seg para los diodos
normales y 1 seg para los diodos de recuperacin rpida)
Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de
recuperacin inversa del diodo.
Irr: es el pico negativo de la intensidad y tambin se puede encontrar representado como Irrm
La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".
Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo:
DE DONDE

Para el clculo de los parmetros Irr y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos:






TIPOS DE DIODO DE POTENCIA
Diodo rectificador normal
Presenta altos tiempos de recuperacin inversos y es normalmente utilizado en aplicaciones de baja
frecuencia

DIODOS SCHOTTKY
Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin directa muy pequea (0.3 V tpicos) para circuitos con
tensiones de salida pequeas. Tienen limitada su capacidad de bloquear tensin a 50 - 100 V.

DIODOS DE RECUPERACIN RPIDA
Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinacin de conmutadores controlables, donde
se necesitan tiempos de recuperacin pequeos. Para unos niveles de potencia de varios cientos de
voltios y varios cientos de amperios, estos diodos poseen un trr de pocos microsegundos.
Un diodo con esta variacin de corriente tan rpida necesitar circuitos de proteccin, sobre todo cuando
en el circuito exterior encontramos elementos inductivos.