Semiconductor Group 1 1997-11-01

GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
G GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
G Hohe Zuverlssigkeit
G Hohe Impulsbelastbarkeit
G Lange Anschlsse
G Gruppiert lieferbar
G Gehusegleich mit SFH 300, SFH 203
Anwendungen
G IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern
G Gertefernsteuerungen
G Lichtschranken fr Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
G GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
G High reliability
G High pulse handling capability
G long leads
G Available in groups
G Same package as SFH 300, SFH 203
Applications
G IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
G Remote control of various equipment
G Photointerrupters
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
e
x
0
6
6
2
8
7.8
7.5
9.0
8.2
29
27
1.8
1.2
4.8
4.2

5
.
1

4
.
8
0
.
8
0
.
4
0
.
6
0
.
4
2
.
5
4
m
m
s
p
a
c
i
n
g
5.9
5.5
0.6
0.4
Area not flat
Chip position
Cathode
Approx. weight 0.2 g
GEO06645
5.9
5.5
0.6
0.4

5
.
1

4
.
8
2
.
5
4

m
m
s
p
a
c
i
n
g
7.8
7.5
9.0
8.2
4.8
4.2
11.4
11.0
14.0
13.0
1.8
1.2
1
.
3
1
.
0
Area not flat
0.6
0.4
Cathode Chip position
GEX06239
Approx. weight 0.5 g
1
.
0
0
.
7
Semiconductor Group 2 1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
LD 271 Q62703-Q148 5-mm-LED-Gehuse (T 1
3
/
4
), graugetntes Epoxy-
Gieharz, Ltspiee im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
)
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
)
LD 271 L Q62703-Q833
LD271 H Q62703-Q256
LD271 HL Q62703-Q838
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
55 ... + 100 C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100 C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5 V
Durchlastrom
Forward current
I
F
130 mA
Stostrom, t
p
= 10 s, D = 0
Surge current
I
FSM
3.5 A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
220 mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
330 K/W
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Semiconductor Group 3 1997-11-01
Kennwerte (T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms

peak
950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von I
max
Spectral bandwidth at 50 % of I
max
I
F
= 100 mA
55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
25 Grad
deg.
Aktive Chipflche
Active chip area
A 0.25 mm
2
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimensions of the active chip area
L B
L W
0.5 0.5 mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
H 4.0 ... 4.6 mm
Schaltzeiten, I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei I
F
= 100 mA, R
L
= 50
Switching times, I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, I
F
= 100 mA, R
L
= 50
t
r
, t
f
1 s
Kapazitt, V
R
= 0 V, f = 1 MHz
Capacitance
C
o
40 pF
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A, t
p
= 100 s
V
F
V
F
1.30 ( 1.5)
1.90 ( 2.5)
V
V
Sperrstrom, V
R
= 5 V
Reverse current
I
R
0.01 ( 1) A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms

e
18 mW
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of V
F
, I
F
= 100 mA
TC
V
1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von , I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of , I
F
= 100 mA
TC

0.3 nm/K
Semiconductor Group 4 1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Gruppierung der Strahlstrke I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity I
e
in axial direction
at a solid angle of = 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
LD 271
LD 271 L
LD 271 H
LD 271 HL
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A, t
p
= 100 s
I
e
I
e typ.
15 ( 10)
120
> 16 mW/sr
mW/sr
Relative spectral emission
I
rel
= f ()
OHRD1938

rel

0
880 920 960 1000 nm 1060
20
40
60
80
%
100
Radiant intensity
Single pulse, t
p
= 20 s
I
e
I
e
100 mA
= f (I
F
)

OHR01038
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2 -1
10
0
10 A 10
1

e
(100 mA)
Max. permissible forward current
I
F
= f (T
A
)
T
OHO00364
A
0
F

0 20 40 60 80 100 C
mA
20
40
60
80
100
120
140
160
200
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Semiconductor Group 5 1997-11-01
Forward current
I
F
= f (V
F
), single pulse, t
p
= 20 s
V
OHR01041
F
F

1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5
max. typ.
Permissible pulse handling capability
I
F
= f (), T
C
= 25 C,
duty cycle D = parameter
t
OHR00257
P
10
-5
s
T
t
p
D =
t
p
T

F
10
4

F
DC
0.5
0.2
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
mA
10
3
10
2
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
2
10
= D
5
5
Radiation characteristics I
rel
= f ()
OHR01879




0 20 40 60 80 100 120 0.4 0.6 0.8 1.0
100
90
80
70
60
50
0 10 20 30 40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0