Metales. Todos los metales son materiales cristalinos, es decir, sus tomos estn ordenados siguiendo un patrn definido.
Esquema de la estructura de un metal
Poseen enlace metlico. En este enlace, los electrones de valencia de los tomos se separan del ncleo, teniendo la facultad para moverse libremente en todo el material razn por la cual se le llaman electrones libres. Los electrones libres se comportan como si fueran una nube que mantiene unidos a los iones positivos que quedan cuando los tomos pierden sus electrones de valencia. La mejor analoga consiste en imaginarse que los electrones son una masa de plastilina y los iones positivos son chibolas. La masa de plastilina al mezclarse con las chibolas evita que stas se separen, dando cohesin al material.
El enlace metlico es no-direccional. Esto hace que las dislocaciones se puedan desplazar en los metales con facilidad. Por esa razn, los metales son materiales dctiles. Adems, la no-direccionalidad de los enlaces tambin facilita la difusin de los tomos en la estructura cristalina. Por esa razn, los metales pueden cambiar sus propiedades por medio de tratamientos trmicos. Un tratamiento trmico no es ms que un proceso de calentamiento y enfriamiento controlado de modo que se modifique la microestructura del metal.
Para aplicaciones de ingeniera, los metales normalmente se utilizan aleados. Debido a esto, poseen varias fases en su estructura microscpica.
Cermicas. La gran mayora de materiales cermicos son cristalinos. La estructura cristalina de las cermicas suele ser bastante compleja.
Las cermicas poseen enlace inico. Este enlace consiste en que uno de los tomos pierde uno o varios electrones cedindolo a otro tomo diferente. El tomo que pierde 60 el electrn queda con carga positiva mientras que el tomo que lo gana adquiere carga negativa. La cohesin del material resulta de la atraccin electrosttica que ejercen las cargas elctricas de signo contrario. Los iones deben estar colocados de manera ordenada en los puntos de red del material de modo que ste sea elctricamente neutro.
Esquema de la estructura de una cermica
En los materiales cermicos, el deslizamiento de las dislocaciones es muy difcil debido a que debe mantenerse la neutralidad elctrica del material. Esto hace que los materiales cermicos no posean ductilidad. Adems, la difusin tambin es muy difcil por la misma razn, no teniendo ningn sentido tratarlos trmicamente para cambiar su microestructura.
Polmeros. Los polmeros son materiales formados por molculas muy largas.
Esquema de una molcula de polietileno
Los tomos que forman la molcula estn unidos entre s por enlaces covalentes. Estos enlaces son direccionales lo que hace que la mayora de molculas tiendan a ser rizadas.
Los enlaces direccionales hacen que la molcula no sea recta, sino que tienda a rizarse
61 El material polmero est formado por una gran cantidad de molculas de longitud diferente enredadas entre s.
Las molculas se enredan dndole cohesin al material
La cohesin y resistencia del material dependen de que tan enredadas estn sus molculas. Generalmente entre ms largas son las molculas, mejor se enredan y el material posee mayor resistencia. Si las molculas son cortas, no pueden enredarse bien y el material se deforma con facilidad.
Debido a que las molculas normalmente estn enredadas, es muy difcil que los materiales polmeros formen estructuras cristalinas. La mayora de polmeros son amorfos o a lo sumo semicristalinos.
Materiales compuestos. Estos materiales poseen mltiples fases. Sus propiedades dependen proporcionalmente de las propiedades y la cantidad de las fases que lo forman. Por esa razn, las fases se combinan en la cantidad adecuada para obtener las propiedades que se deseen.
Un ejemplo de un material compuesto sera mezclar hilos metlicos con un material polmero. Los hilos le proporcionan resistencia al material, mientras que el polmero le proporciona un peso bajo. Combinando la cantidad correcta de hilos y polmero, se puede obtener un material de buena resistencia y bajo peso.
La mayora de materiales compuestos est formado por dos fases. Una de ellas se llama la matriz. La matriz es la fase contnua y generalmente se encuentra en mayor cantidad en el material. La otra fase se llama fase dispersa, y es rodeada por la matriz.
Las propiedades fsicas del material dependen de las propiedades de cada fase, su cantidad relativa en el material y la geometra de la fase dispersa.
Los materiales compuestos pueden clasificarse de la siguiente manera: Reforzados con partculas Reforzados con fibras Estructurales
Semiconductores. Son materiales cuya conductividad elctrica es menor que la de los metales, pero que sin embargo poseen caractersticas elctricas muy particulares que los hacen muy tiles en aplicaciones electrnicas.
62 Las propiedades elctricas de los semiconductores dependen significativamente de la presencia de pequeas cantidades de impurezas. Controlando la cantidad y el tipo de impurezas, se pueden controlar las propiedades elctricas.
El fenmeno de semiconductividad consiste en que el material puede comportarse como conductor elctrico o como aislante dependiendo de los estmulos externos que reciba. La semiconductividad puede ser de dos tipos: Intrnseca: cuando el comportamiento elctrico se basa en la estructura electrnica propia del metal puro. Extrnseca: cuando las propiedades elctricas estn definidas por la presencia de impurezas.
En todos los materiales conductores, semiconductores y en muchos materiales aislantes, la conduccin elctrica es causada por el flujo de electrones que se da en el material cuando se aplica un campo elctrico. La magnitud de la conductividad elctrica del material depende significativamente del nmero de electrones disponibles para participar en el proceso de conduccin. No todos los electrones que posee un tomo son capaces de ser acelerados por la presencia de un campo elctrico. El nmero de electrones disponible para la conduccin elctrica en un material en particular se relaciona con el arreglo de los electrones en estados o niveles de energa y con la manera como dichos estados son ocupados por los electrones. Una explicacin detallada de estos temas es complicada y requiere de principios de mecnica cuntica los cuales estn ms all de los objetivos de este curso. A continuacin se describe un modelo que omite muchos conceptos de mecnica cuntica y simplifica otros.
Los electrones de un tomo ocupan niveles de energa por todos ya conocidos. Estos niveles son vlidos cuando el tomo se encuentra aislado. Para cada tomo aislado existen niveles y subniveles de energa discretos, los cuales pueden estar ocupados por electrones. Los niveles se designan por nmeros enteros (1, 2, 3, etc) y los subniveles por letras (s, p, d y f). Para cada uno de los subniveles s, p, d y f existen respectivamente uno, tres, cinco y siete estados de energa. Los electrones en la mayora de tomos llenan los estados comenzando por aquellos que poseen menor energa. Cada estado es ocupado por dos electrones con spin opuesto, de acuerdo al principio de exclusin de Pauli.
Un material slido est compuesto por un gran nmero de tomos. Digamos por ejemplo que un material est compuesto por N tomos los cuales se encuentran inicialmente separados unos de otros. Los N tomos se acercan y se juntan para formar la estructura cristalina del material. Cuando la distancia de separacin es relativamente grande entre los tomos, cada tomo es independiente de los otros y tendr los niveles de energa y la configuracin de los electrones de un tomo aislado. Sin embargo, a medida los tomos se acercan, sus electrones son perturbados por los electrones y ncleos de los tomos adyacentes. La perturbacin es tan significativa que cada estado de energa de los electrones se divide en una serie de estados muy cercanos unos de otros, formando lo que llamamos la banda de energa de los electrones. La magnitud en que se dividen los estados de energa depende de la separacin entre los tomos y comienza con los niveles de energa ms externos, ya 63 que stos son los primeros en ser perturbados por los tomos adyacentes. Dentro de cada banda, los estados de energa son discretos, sin embargo la diferencia entre estados adyacentes es muy pequea. Cuando los tomos se encuentran a su distancia de equilibrio, la formacin de bandas para los niveles cercanos al ncleo puede no darse, formndose espacios vacos o gaps entre bandas adyacentes. Normalmente las energas que se encuentran dentro de estos espacios vacos no estn disponibles para que las ocupe un electrn. La figura a continuacin muestra la forma convencional de representar las bandas de energa para un material slido.
Las propiedades elctricas de un material slido son consecuencia de la estructura de bandas que forman sus electrones, es decir, de la forma como quedan arregladas las bandas exteriores y de la manera como stas son ocupadas por los electrones. La banda que contiene los electrones con la mayor energa o electrones de valencia se llama banda de valencia. La banda de conduccin es la banda que le sigue y que corresponde a niveles de energa mayores. En la mayora de casos, la banda de conduccin se encuentra vaca.
La estructura de las bandas de energa depende de la temperatura. A cero grados Kelvin pueden existir cuatro configuraciones diferentes de estos niveles de energa.
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a) Estructura caracterstica de los metales como el cobre. Existen estados de energa disponibles por encima y adyacentes a los estados llenos en la misma banda (banda de valencia). b) Estructura caracterstica de metales como el magnesio. La banda de valencia se traslapa con la banda de conduccin, la cual se encuentra vaca. c) Estructura caracterstica de los aislantes elctricos. La banda de valencia est llena, pero est separada de la banda de conduccin vaca por un gap relativamente grande (> 2eV). d) Estructura caracterstica de los semiconductores. Es la misma estructura de los aislantes con la diferencia que el gap es menor (< 2eV).
En este esquema, la energa que corresponde al nivel ms alto que esta lleno con electrones se llama la Energa Fermi, y se representa por Ef. Solamente aquellos electrones que posean energa mayor que la Energa Fermi pueden ser acelerados por un campo elctrico. Estos son los electrones que participan en el proceso de conduccin y se llaman electrones libres.
En los metales, para que un electrn se convierta en un electrn libre, debe recibir energa para trasladarse a uno de los estados disponibles por encima de la Energa Fermi (Ef). Debido a que en los metales existen bandas disponibles adyacentes al ltimo nivel lleno, se necesita muy poca energa para enviar al electrn a la banda de conduccin. Por lo general, la energa suministrada por el campo elctrico aplicado es suficiente para enviar a grandes cantidades de electrones a la banda de conduccin.
Para el caso de los aislantes y semiconductores, no hay disponibles estados vacos adyacentes a la banda de valencia llena. Para que un electrn se vuelva libre, debe saltar el gap para llegar a los estados vacos. Esto solamente es posible dndole al electrn una cantidad de energa igual a la diferencia de energas entre los dos estados. Como se puede ver de los esquemas, los semiconductores requieren recibir menos energa que los aislantes. Esta energa de excitacin puede ser suministrada por una fuente no elctrica como el calor o la luz.
El nmero de electrones que pueden ser enviados a la banda de conduccin por medio de energa trmica (calor) depende de la energa del gap as como tambin de la temperatura. A cierta temperatura, entre mayor es el gap menor es la probabilidad de que un electrn de valencia pueda ser enviado a un estado de energa dentro de la 65 banda de conduccin, resultando esto en menos electrones para la conduccin. En otras palabras, entre mayor es el gap, menor es la conductividad elctrica a una temperatura especfica. La diferencia entonces entre semiconductores y aislantes reside en el tamao del gap. Para los semiconductores el espacio vaco entre las bandas es pequeo, mientras que para los materiales aislantes es muy grande.
Cuando se incrementa la temperatura de un semiconductor o un aislante, la energa trmica disponible para excitar a los electrones tambin se incrementa. Un nmero mayor de electrones es enviado a la banda de conduccin, lo cual produce un aumento en la conductividad elctrica del material. 66