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PROYECTO DE INVESTIGACION:
Desarrollo de micro-generadores de potencia basados en cosechadores
de energa MEMS y materiales piezoelctricos: una fuente de energa
alternativa para dispositivos porttiles
Universidad Autnoma de Ciudad Jurez
Instituto de Ingeniera y Tecnologa
Centro de Investigacin en Ciencia y Tecnologa Aplicada (CICTA)
Responsable: Dr. Roberto Carlos Ambrosio Lzaro
Modalidad: Joven investigador (J2)
a) Consideraciones sobre la originalidad de la propuesta
La forma en que obtenemos la energa que actualmente utilizamos cada vez es ms
costosa, econmicamente y ambientalmente. Se sabe que la reserva de los combustibles
fsiles como el carbn, gas natural y petrleo, es finita y no renovable. De acuerdo a las
predicciones, en los prximos 10-20 aos, comenzar el decline en la produccin de petrleo
[1,2]. Tambin de suma importancia es el cuidado del medio ambiente y principalmente el
uso de combustibles fsiles, que ha tenido efectos nocivos en el balance natural del planeta.
Actualmente se producen alrededor de 20x10
12
kg de dixido de carbono que son emitidos
directamente a la atmsfera cada ao resultando en un incremento en la concentracin de
CO
2
en la atmsfera.
Sin embargo la sociedad de consumo actual, demanda energa diaria para sus
actividades. Una parte importante de estas se centra en el uso de las tecnologas de
informacin y las actividades que exigimos de los dispositivos electrnicos, como su
duracin, no se requiere perder tiempo al estar esperando recargar un equipo electrnico,
tampoco estar reemplazando bateras primarias que afecten la economa de los usuarios y
que contaminen. Por otro lado la tendencia es hacer a los equipos electrnicos porttiles
ms pequeos, que ocupen menos espacio, que sean ligeros y que tengan un tiempo de uso
prolongado. Hoy en da existen dispositivos comercialmente pequeos, multifuncionales y
muy poderosos tales como computadoras porttiles, reproductores de msica, telfonos
celulares, etc. Su funcionalidad se ha extendido y el tamao ha llegado a ser tan pequeo
que algunos se encuentran en la fase de ser integrados en objetos tales como lentes, relojes,
y ropa [3,4]. Estas unidades estn basadas en la tecnologa microelectrnica y
necesariamente requieren de una fuente externa de poder, la cual tradicionalmente es una
batera recargable.
Las bateras son una fuente significante del tamao, peso y tienen la inconveniencia
para la portabilidad y manejo, tiempo de vida, costo y contaminacin. Por ejemplo, en el caso
del desarrollo en las computadoras porttiles (tecnologa mvil madura), su rea en las
fuentes de poder ha mostrado la tendencia mas baja de desarrollo [5]. Aunque nuevos
materiales estn revolucionando el campo de las bateras basados en pelculas delgadas de
iones de litio o polmeros de litio, el factor de densidad de energa no ha aumentado. De ah
que se esta requiriendo investigar hacia otras fuentes de energa las cuales han resultado en
micro-celdas de combustible y generadores de potencia que usan combustibles qumicos
(hidrogeno o metanol). La energa especfica para una celda de combustible se ha reportado
de 3 a 5 veces mejor que bateras de NiCd o NiMH, mientras que la densidad de energa es
de seis a siete veces ms grandes que las de Li-ion [6]. Pero estas celdas necesitan ser
2
rellenadas o tienen que ser manufacturadas para llevar el suficiente combustible y mantener
la operacin de la batera durante todo su tiempo de vida. Una de las opciones para recargar
las bateras secundarias de los sistemas es usar el cosechamiento de potencia del cuerpo
humano [7,8].
El proceso de adquisicin de energa del medio ambiente que envuelve a un sistema y
que la convierte en energa elctrica usable es llamado cosechamiento de energa. En los
ltimos aos ha surgido un gran inters en la bsqueda de energa. Este aumento de
investigaciones ha sido atrado para los avances ms modernos tanto en tecnologa
inalmbrica, electrnica de baja potencia, ingeniera de materiales como en el rea de los
sistemas micro-electro-mecnicos (MEMS).
Los investigadores e industriales estn considerando el cosechamiento de energa
como una forma de contribuir al dficit de energa. Ya que aun con los diseos eficientes de
potencia, los largos ciclos de operacin, arquitectura inteligentes, y bateras con una mejora
en la densidad de potencia, la energa almacenada simplemente no es suficiente para
sostener largos tiempos de vida. Otro hecho es que para los dispositivos electrnicos
porttiles, reemplazar las bateras es problemtico debido a la vigencia que tiene la
electrnica en los modelos de los equipos.
Cosechar la energa del medioambiente es actualmente investigada usando diversos
mtodos tales como: la utilizacin de la potencia solar, los campos electromagnticos, los
gradientes trmicos y la energa producida por el cuerpo humano o por los movimientos de
los seres vivos. En este ltimo punto es donde se enfoca este proyecto de investigacin, ya
que la mayora de todas las vibraciones mecnicas es una potencial fuente de energa, la
cual puede ser accesible a travs de la tecnologa de los microsistemas (MEMS)
desarrollando dispositivos para su conversin de energa mecnica a energa elctrica.
Los materiales piezoelctricos son utilizados para obtener energa utilizando las
vibraciones del medio ambiente o del objeto en estudio, debido a que pueden convertir
eficientemente la tensin mecnica a una carga elctrica sin adicin de alguna fuente de
poder [5-6]. Varios generadores piezoelctricos de gran tamao (en el orden de los
centmetros) han sido desarrollados usando el modo piezoelctrico d
31
[5,7,8]. Pero existen
muy pocos trabajos sobre generadores piezoelctricos de pelcula delgada en la escala de
los MEMS.
El proyect esta enfocado en el desarrollo sistemas micro-electromecnicos (MEMS)
para la generacin de potencia; mediante el concepto de convertir lo que se percibe como
energa vibracional del medio ambiente en una forma valiosa y eficiente de energa elctrica.
Materiales piezoelctricos de pelcula delgada actuaran como elementos transductores.
Tcnicas de micro-maquinado en substratos de silicio sern llevadas a cabo para la
obtencin del generador y se desarrollaran procesos avanzados de micro y nano-fabricacin,
que sin duda permitirn realizar trabajos de investigacin de calidad, que puedan impactar en
la formacin de recursos humanos altamente capacitados y especializados que empujen el
desarrollo de la industria micro y nano-electrnica y que contribuyan en la solucin de los
problemas nacionales.
Con este proyecto tambin se demostrara la factibilidad de integrar materiales
piezoelctricos con la tecnologa estndar de silicio para la fabricacin de microsistemas
capaces de cosechar la energa mecnica del medio que los rodea y entregarla en potencia
elctrica, se propone el uso de dos materiales: el Titanato de Bismuto (Bi
4
Ti
3
O
12
) que ya ha
sido obtenido por el grupo de materiales de la UACJ y el titanato Zirconato de Plomo (PZT)
3
que es el que usan los pocos trabajos reportados; puesto que a la fecha no existen estudios
de sensores realizados con el material mencionado primeramente, aunado que el material
PZT necesita de plomo extra para compensar la volatilidad del plomo y del oxido de plomo en
las pelculas durante su proceso de obtencin, por lo que tambin se pretende realizar un
anlisis comparativo y determinar la mejor eficiencia de conversin de energa usando
ambos tipos de materiales piezoelctricos en los microgeneradores.
Se consideraran las formas de controlar la energa cosechada por el microgenerador
para almacenarla y despus entregarla a los dispositivos electrnicos con la mayor eficiencia
posible, ya que un componente crtico son los circuitos de acondicionamiento de la seal.
Finalmente se hace nfasis que cuando las fuentes de energa basadas en petrleo
empiecen a agotarse, las diferentes formas del cosechamiento de energa se incrementaran
y la propuesta hecha en este proyecto no solo esta direccionada al campo de la tecnologa
MEMS y de materiales si no que tambin esta dirigida hacia el problema de proporcionar
potencia a los dispositivos para los cuales las bateras no son una opcin deseable.
Contribuyendo a la emergencia de fuentes de potencia sustentables localmente en
dispositivos electrnicos, y extendiendo la funcionalidad de los dispositivos MEMS, con lo
que se agregara un valor inestimable a esta tecnologa. Aunado a que no solo se abre la
posibilidad de continuar investigando en el rea de punta de hoy en da que es la nano-
tecnologa, si no que tambin se estar generando conocimiento, desarrollando tecnologa e
impactando de una forma indirecta en la conservacin del medio ambiente.
b) Antecedentes
1. Consideraciones sobre los materiales piezoelctricos
Aplicando una tensin mecnica a un material piezoelctrico se crea un momentneo
reagrupamiento en sus iones, apareciendo de este modo dipolos y por lo tanto cargas de
signo opuesto en las superficies enfrentadas, lo que resulta en la generacin de un campo
elctrico. Para que los materiales presenten esta propiedad no deben tener centro de
simetra. Si se ejerce una presin en los extremos del eje polar, se produce polarizacin: los
electrones se liberan de su orbital energtico y van hacia un extremo del material
produciendo en l una carga negativa, mientras que en el extremo opuesto se induce una
carga positiva, como se muestra en la figura 1.
. Cuando la fuerza es removida, el material se descomprime e inmediatamente causa
una fuerza elctrica en la direccin contraria. La capacidad de potencia de estos materiales
es pequea, sin embargo estn siendo muy usados por su extrema sensibilidad a los
cambios de una fuerza mecnica.
E dT D
T
+ =
a D tambin se le conoce como el desplazamiento elctrico y es la permitividad. La
constante piezoelctrica del material es d y se describe en los siguientes prrafos, y el
superndice E indica que la magnitud est medida bajo campo elctrico constante o cero, y el
superndice t seala que se trata de una forma transpuesta de matriz [4].
} ]{ [ } ]{ [ } { E d T s S
t E
+ =
(1.1a)
(1.1b)
(a)(b)
Fig. 3. Modos de operacin para generadores piezoelctricos: a) Generador de compresin paralelo-
modo 33; b) Generador de tensin transversal modo 31
6
Las unidades para el coeficiente g
ij
son comnmente expresadas como:
g
ij
= Volts metro/Newton o g
ij
= metro
2
/ Coulomb.
el voltaje de salida a circuito abierto es calculado por medio de multiplicar el campo elctrico
por el espesor del material entre los electrodos. El primer subndice indica la direccin del
voltaje generado y el segundo indica la direccin de la fuerza. El subndice 33 significa que
el campo elctrico generado y la tensin mecnica estn ambos a lo largo de la polarizacin,
figura 3a. El subndice 31 significa que la presin esta aplicada a la derecha del eje de
polarizacin pero el voltaje aparece en los mismos electrodos que en el caso 33, figura 3b.
1.4 Constante de acoplamiento electromecnica (K)
Un tercer parmetro importante es la constante de acoplamiento electromecnica (k
ij
),
y es la habilidad del material para convertir energa mecnica en elctrica o viceversa,
puede estar dada como porcentaje, donde k
ij
es igual a la raz cuadrada de la energa
elctrica (We) dividido por la energa mecnica (Wm).
% 100 = =
Wm
We
k
ij
(1.4)
Finalmente se tiene otro parmetro que es la Constante dielctrica relativa K
T
3
, y
expresa la constante dielctrica relativa del material en la direccin 3. Multiplicando esta por
la constante dielctrica del espacio libre
Campo elctrico generado a circuito abierto:
W
g
t
F
t
V
31 1 3
= (1.5b)
Donde:
Q = Carga en la superficie del piezo generador. L = Largo sobre el eje 1.
W = Ancho sobre el eje 2. F = Fuerza aplicada en la superficie.
V = Voltaje a circuito abierto a travs del eje 3. t = espesor del material.
En la expresin 1.5 los coeficientes piezoelctricos indican que la fuerza mecnica se aplica
a travs del eje 1 y de las magnitudes obtenidas a travs del eje 3. De la ecuacin 1.5
tambin se puede obtener una expresin para la obtencin de energa elctrica considerando
el generador como un capacitor
7
(1.6)
t
WL
C
T
0 31
3
=
2
1 31 31
2
3 3 3
2
1
2
1
F
Wt
L
d g V C W
e
= = (1.7)
Extendiendo el largo del generador se maximiza la energa elctrica. Esto nos lleva a que la
figura del generador tenga una pelcula ms delgada, con una superficie ms larga para
colectar suficiente carga, sin embargo la eficiencia mecnica a elctrica del modo
transversal, expresada a travs del coeficiente de acoplamiento K
31,
es dos veces mas
pequea que la eficiencia del modo paralelo. A pesar de estas limitaciones los generadores
de pelcula delgada que operan en modo transversal son ms usados en estos trabajos por
que acoplan la energa mecnica de movimientos humanos en ellos.
2. Materiales piezoelctricos
Los materiales piezoelctricos se han utilizado ampliamente para la recoleccin de
energa, basndose esencialmente en las vibraciones mecnicas de las estructuras a las que
se adjuntan [9].
Existen dos tipos comunes de materiales empleados como generadores, y son los
piezo-cermicos tales como titanato circonato de plomo (PZT) o Titanato de Bario (BaTiO
3
) y
piezo-polmeros tales como Fluoruro de Polivinilideno (PVDF). La tabla 1 compara las
ventajas y desventajas de estos materiales.
Tabla 1. Comparacin de las propiedades de materiales piezoelctricos [7]
Propiedad Unidades pelcula
PVDF
PZT BaTiO
3
Densidad 10 kg/m
3
1.78 7.5 5.7
Permitividad relativa /
0
12 1200 1700
Constante d
31
(10
-12
)C/N 23 -171 78
Constanteg
31
(10
-3
)Vm/N 216 -11.4 5
Constantek
31
10
-2
12 34.4 21
Constante d
33
(10
-12
)C/N -33 374 149
Constanteg
33
(10
-3
)Vm/N -330 24.8 14.1
Constantek
33
10
-2
15 70.5 48
En la tabla 1, se comparan los materiales de acuerdo al factor de acoplamiento
electromecnico (k
31
). El PZT puede convertir aproximadamente 2.5 veces mas energa
mecnica a energa elctrica que las pelculas de PVDF. PZT tambin puede convertir
alrededor de 5 veces mas fuerza para cargar que PVDF. PVDF sin embargo es 21 veces
ms susceptible a responder al voltaje generado por una fuerza aplicada.
De acuerdo a su coeficiente de acoplamiento electromecnico PZT es mejor material. La
mxima eficiencia electromecnica disponible en un generador piezoelctrico es
aproximadamente el 50% y que corresponde al modo paralelo y al material PZT. Sin
embargo, el material ms flexible PVDF es ms usable en los generadores fijos, en objetos
de hoy en da, pero su eficiencia electromecnica es de un orden de magnitud ms pequea.
En la mayora de los desarrollos experimentales de aplicaciones de cosechamiento a travs
de zapatos se usa el generador transversal (modo 3-1) teniendo una eficiencia del 11.2%.
8
2.1 Mtodos de obtencin
Existen diversas posibilidades de usos de los materiales piezoelctricos en la
microelectrnica de hoy en da, que es causada por la estabilidad de los parmetros en estos
materiales. La optimizacin podra hacerse de muchas maneras, por ejemplo la eleccin de
una composicin qumica apropiada o por el cambio de mtodo de obtencin.
Los mtodos de obtencin del PZT del tipo cermico se basa en la modificacin de las
propiedades bsicas de las cermicas; dos mtodos son principalmente utilizados: el de
cermica convencional y el de presin caliente [10]. Tambin existen otros mtodos como: el
de sol-gel y el depsito por magnetron sputtering. El material que se obtiene con el mtodo
de cermica convencional, produce cermicas de grano grande y gran porosidad. El segundo
mtodo genera granos pequeos con poca porosidad y alta densidad.
Para dispositivos MEMS como microespejos y microvigas, se necesita una alta calidad de
las pelculas de PZT y espesores de alrededor de 3um para obtener grandes
desplazamientos. Algunas de las tcnicas son: el mtodo de sol-gel, deposicin por lser
pulsado (PLD) y deposicin por chorro de impresin para fabricar pelculas de PZT para
microactuadores. Sin embargo, no ha sido fcil obtener espesores gruesos con buenas
propiedades elctricas debido a la formacin de fracturas y la volatilidad del plomo y del
oxido de plomo en las pelculas.
Herdier et al [11] ha reportado el deposito de pelculas delgadas piezoelectricas por medio
de la tcnica de magnetron sputtering por r.f en substratos de silicio. En este trabajo las
propiedades piezoelctricas de los pelculas delgadas comprenden las familias de los
materiales (1-x) PMNxPT (titanato oxido de plomo) los cuales son investigados para dos
valores diferentes de composicin x, x = 0.3 (0.7PMN0.3PT) y x = 0.1 (0.9PMN0.1PT), que
fueron crecidos sobre un sustrato de Silicio. De acuerdo a las propiedades del substrato del
material, las pelculas delgadas con x=0.3 exhibieron el comportamiento piezoelctrico, y
para x=0.1 las pelculas delgadas resultaron electroestticas. As mismo el autor comparo el
comportamiento de las pelculas delgadas con respecto al PZT tambin crecidas en Silicio.
Las propiedades piezoelctricas fueron medidas y la mxima respuesta para el d
33
fue
encontrada para el PZT. Los resultados muestran que los materiales 0.7PMN0.3PT y PZT
son los mejores candidatos para actuadores MEMS, pero el PZT es superior y una ventaja
importante es que es ms simple el crecimiento comparado con el de PMNPT. Otra ventaja
para el material de PZT es la posibilidad de introducir dopantes, que pueden agregarse para
mejorar las propiedades piezoelctricas del PZT.
En otro mtodo, Sibei Xiong et al [12] ha usado pelculas de PZT preparadas mediante
sol-gel (deposito de solucin qumica) para actuadores MEMS. En la solucin precursora fue
adicionado un 15% de exceso de plomo para balancear la perdida de plomo durante el
tratamiento trmico rpido (RTA). Las pelculas de PZT fueron recubiertas con contactos de
Pt/Ti y una estructura de oxido de silicio (SiO
2
) en obleas de silicio; por medio de mltiples
depsitos (spin-coating) y tratamientos trmicos, la solucin fue tratada a 350C y despus
recalentada trmicamente a 650C. Se obtuvieron espesores de pelculas en el rango de 0.7
- 2.2um. Los resultados de la caracterizacin como el coeficiente transversal efectivo
piezoelctrico e
31
de las pelculas delgadas fue de 12.50.3 C/m
2
. As estas pelculas de PZT
preparadas por sol-gel demostraron excelentes propiedades piezoelctricas y han sido
aplicadas en sensores ultrasnicos del tipo MEMS. En la tabla 2, se resumen algunos
trabajos para materiales piezoelctricos que estn desarrollndose para el rea de los MEMS.
9
Tabla 2. Mtodos de obtencin y aplicacin de los materiales piezoelctricos
Material Mtodo de obtencin
Temperatura
Sinterizacin
Aplicacin Referencia
PbTiO3
EL mtodo de cermica
convencional y el mtodo de
presin caliente
1149C
Actuadores y
piezomotores
[10]
0.96Pb (ZrxTi(1-x))O3
0.04Pb(Sb1/2Nb1/2)O3
PZT-PSN
Metodo de Resonancia 1100 C
Sensores y
actuadores, micro-
transformadores, y
MEMS
[13]
0.7PMNPT
Crecimiento por magnetron
sputtering
700 C Actuadores [11]
PZT Metodo Sol-Gel 650 C
Sensores
Ultrasnicos
[12]
[11]
PZT
Crecimiento por magnetron
sputtering
700 C Actuadores [11]
0.9PMN0.1PT
Crecimiento por magnetron
sputtering
700 C Transductores
3. Aplicaciones: Generadores piezoelctricos
La actividad humada puede ir desde el descanso a un rpido caminar o correr, en estas
acciones el cuerpo humano puede gastar aproximadamente 0.1-1.5kW [7]. Sin embargo los
dispositivos generadores cosechan menos que un mili-Watt de la actividad humana. Una de
los caminos ms prometedores de extraer ms energa de las personas ha sido mediante el
caminar. Los seres humanos suelen ejercer hasta 130 por ciento de su peso a travs de sus
zapatos. Para una persona de 77 kilos esto indica que alrededor de 7W de potencia podran
estar disponibles por el pie en un 1-Hz de paso[8]. En el Instituto Tecnolgico de
Massachussets (MIT) se han desarrollado transductores en forma de placas delgadas
incorporadas en la suela de un zapato, en su primer prototipo el dispositivo fue sujetado con
una correa, y se obtuvo un promedio de 250 mW durante una caminata. Sin embargo
resultaron complicados cuando se montan en la suela, pesados y voluminosos como se
muestra en la figura 4. Paradiso et al [5,8] construyo el zapato en 1998 y fue mejorado en
1999. Una parte de la estructura fue colocada en el rea cercana a los dedos del pie, y se
realizo con dos placas de material conectadas espalda con espalda: PZT/resorte-acero, esta
estructura es llamada unimorph porque consiste de una capa activa y otra inactiva, en el
caso de la capa activa es un material piezoelctrico, adems uso una estructura adicional de
dos capas activas (bimorph) de material PVDF colocada en el rea del taln. Debido a la
limitada eficiencia de conversin electromecnica, el promedio de potencia cosechada fue
pequeo (8.3mW en el taln y 1.3mW en los dedos del pie durante una caminata normal). El
prototipo no fue estorboso mientras se caminaba, y los elementos piezoelctricos fueron
efectivamente escondidos en el zapato, se produjo suficiente energa para transmitir un
cdigo de 12 bits de identificacin la figura 5 muestra una integracin simple de elementos
piezoelctricos en un zapato.
Fig. 4. Generador piezoelctrico
localizado en un zapato [5].
Metal
10
El anlisis de la literatura sobre generadores montados en zapatos y su potencia
obtenida se muestra en la tabla 3. Se puede observar que los rangos de potencia varan
desde pocos miliwats hasta 1W. Es importante enfatizar que debido al diseo del generador,
la potencia elctrica de conversin ha tenido un incremento significante desde los trabajos
reportados en [5,8] para el mismo tipo de generador. Esto muestra que aun existe una
apertura para mejoras en la eficiencia de este tipo de convertidores.
Tabla 3. Potencia elctrica de salida para generadores
montados en un zapato
Otro estudio que se ha desarrollado para cosechamiento de energa en cuestin de
vestimenta es la generacin de energa a travs de una mochila. En este diseo la mochila
puede generar energa elctrica de las diferentes fuerzas que existen entre la persona y la
mochila misma. En esta aplicacin se diseo un sostenedor lineal y se le agrego una
preparacin en forma de un cuadro que fuera hasta los arneses de los hombros, de esta
manera el cuadro permitir que la carga se mueva verticalmente, ver figura 6. Este sistema
demostr una generacin de potencia de aproximadamente 7.37 W [14]. El trabajo de este
sistema demuestra que puede ser usado para dispositivos de bajo voltaje.
3.1 Generadores de energa MEMS
En la actualidad, se han diseado y fabricado algunas fuentes de energa que
permiten lograr sistemas pequeos en su totalidad. Se trata en su mayora de elementos o
convertidores piezoelctricos fabricados por tecnologas de micromaquinado que permiten
aprovechar la energa que antes era desperdiciada, pero a la fecha no existe un diseo
ptimo, y se contina investigando y desarrollando nuevos prototipos, en esta seccin se
presenta y se describen las principales caractersticas, procesos de recoleccin y
transduccin de energa de las fuentes diseadas y fabricadas del estado del arte
Transductores MEMS piezoelctricos de vibraciones.-consisten en convertidores
piezoelctricos diseados para transformar la energa generada por vibraciones mecnicas
en energa elctrica til. En el campo de la transduccin de energa mecnica, existen tres
modelos 1) Electrosttico, 2) Electromagntico, 3) Piezoelctrico.
La transduccin electrosttica y electromagntica requiere de un diseo de dos partes
considerando las dos placas del capacitor variable en la configuracin electrosttica y la
bobina aunada con imn para el caso electromagntico, lo cual requiere un diseo mas
complejo que la transduccin piezoelctrica.
Fig. 6. Esquema de la mochila que cosecha
energa desarrollada por [14]
Tipo de generador Potencia mecnica Potencia elctrica Referencia
de entrada de salida
Generador de rotacin 500mW 250mW [5]
piezoelctrico PZT
unimorph (modo 3-1)
120mW 1.8mW [8]
Piezoelctrico PVDF
(modo 3-1)
220mW 1.1mW [8]
Piezoelctrico PZT
bimporph (modo 3-1)
71.8mW 8.4mW [5]
Piezoelctrico PZT
manejado por un martillo
micro-hidrulico
(no disponible) 1W [15]
Electro-imn deformado
(strictor) de bajo del taln
(no disponible) 1W [15]
11
Estructuras piezoelctricas. M. Renaud et al [16] desarrollo en IMEC (Interuniversity
Microelectronics Center de Belgica) MEMS generadores basados en estructuras
piezoelctricas que consisten en un cantiliver elstico que soporta una o varias capas
piezoelctricas insertadas entre electrodos metlicos que actan como capacitores. Los
materiales piezoelctricos usados fueron: Titanato Circonato de Plomo PZT y nitruro de
aluminio AlN. Para el dispositivo de PZT, se ha obtenido una potencia de salida mxima de
40W con una vibracin de entrada con frecuencia de 1.8 kHz y una amplitud de 180nm.
Para el material de AIN, se ha logrado una potencia mxima de 50nW con una entrada de
320kHz y amplitud de 45nm, la estructura final es mostrada en las figuras 7 y 8
La estructura mostrada en la figura 8, esta fabricada en una oblea de silicio que contiene los
siguientes materiales apilados, Si/Pt/PZT/Pt. Un capacitor piezoelctrico formado por una
capa piezoelctrica que esta entre dos electrodos metlicos y soporta una masa adjunta a su
punta
Generadores termoelctricos (TEGs). Estos dispositivos trabajan a partir de la absorcin
del calor de la piel. Leonov et al [17] han propuesto el diseo un TEG con tecnologa MEMS
que consiste en tres capas apiladas de termopilas de BiTe junto con un radiador.
Aproximadamente el 80 por ciento de la energa liberada por el cuerpo es desperdiciada pero
aprovechada por el TEG, el cual esta formado por poly-SiGe que soporta los termopares e
Indio que se encuentra en la placa superior. Clculos muestran que a 22C, el BiTe puede
ofrecer mas de 30W por centmetro cuadrado de piel.
La figura 8 muestra el diseo, con las bolas de indio formadas en la parte de arriba de
la placa fra del circuito. Dos circuitos forman una estructura de emparedado con una
termopila entre estas. Hasta su reporte el dispositivo esta siendo optimizado debido a la
necesidad de reducir el intercambio de calor parsito entre las placas fra y caliente.
Fig. 7. Esquemtico de un MEMS piezoelctrico
unimorph [16].
Fig. 8. Esquemtico del dispositivo fabricado.