MICROELECTRNICA INFORME PREVIO N 1 DISEO DE UN INVERSOR CMOS ESTATICO Y OTROS CIRCUITOS CON LOGICA DINAMICA
PROFESOR: ING. ALARCON ESTUDIANTE: FLORES ALBINO, CARLOS E CODIGO: 19930074J FECHA DE ENVO: 20-SET-20114
2014-2
INFORME DE LABORATORIO N1 DISEO DE UN INVERSOR USANDO LOGICA ESTTICA Y DE UN CIRCUITO USANDO LOGICA DINAMICA
Fundamento terico.-
Lgica CMOS esttica Se entiende por lgica esttica aquella en la que cualquier informacin lgica se representa en un nodo circuito mediante una conexin de baja impedancia de dicho nodo a la alimentacin (1 lgico) o a GND (0 lgico). En las lgicas dinmicas no es as, pudiendo ser representado un valor lgico mediante la tensin asociada a la carga almacenada en un nodo que se encuentre en situacin de alta impedancia.
Lgica CMOS esttica convencional No es objetivo de este apartado realizar una presentacin en profundidad de la lgica CMOS convencional, de la cual se suponen conocidas sus bases. Nos limitaremos por tanto a realizar un breve recordatorio sobre dicha lgica, haciendo nfasis en sus prestaciones, ventajas e inconvenientes. Un anlisis detallado puede obtenerse de [3]. Se entiende por lgica CMOS esttica convencional aquella en la que los valores lgicos altos se realizan mediante la conexin del nodo a travs de una red (denominada de pull-up) de transistores PMOS, y los valores lgicos bajos mediante la conexin a GND a travs de una red (denominada de pull-down) de transistores NMOS. En la siguiente figura se presenta la estructura genrica de una puerta lgica CMOS convencional, as como la realizacin de valores lgicos altos y bajos.
a) Estructura genrica de una puerta lgica CMOS. b) Realizacin de niveles lgicos altos y bajos
Lgica dinmica 5.4.1 Bases de la lgica dinmica Se entiende por dinmica toda lgica en la que se pueda representar un valor lgico, no mediante una conexin de baja impedancia a una de las alimentaciones, sino mediante la tensin asociada a la carga almacenada en un nodo, el cual se encuentra en situacin de alta impedancia. Para ello se utiliza la propiedad del MOS de que la impedancia de entrada del terminal de puerta es fundamentalmente capacitiva, y es en esta capacidad donde se Almacena la carga que representa el valor lgico. En figura siguiente se muestra un ejemplo de circuito lgico dinmico: un transistor de paso NMOS que controla un inversor. La capacidad asociada al nodo de interconexin entre ambos elementos (CM) es donde se almacena la carga en cuestin (capacidad que corresponde a la suma de las capacidades de puerta de los transistores N y PMOS del inversor, juntamente con la capacidad de conexionado y la de la difusin n+ del drenador/surtidor del NMOS de paso). Cuando el transistor de paso esta activo (=1), dicho nodo se carga a 0 V si la entrada es un 0, y a VDD-Vt si es un 1. Cuando el transistor pasa a corte (=0), la carga que se encuentra almacenada en el nodo queda aislada de las alimentaciones, memorizando el valor lgico que se ley de la entrada. Idealmente, la carga almacenada en el nodo permanece en el de forma indefinida, ya que no hay un camino conductivo por el que se pueda modificar su valor. En realidad esto no es as: considerndolas perdidas que ocurren en el transistor de paso, la carga almacenada va variando a lo largo del tiempo, por lo que el valor lgico que representa tiene validez durante un tiempo fi nito. Las prdidas de dicha capacidad son debidas a la corriente subumbral del transistor de paso y a la corriente inversa de saturacin a travs de la unin pn que forman el drenador/surtidor de dicho transistor (n+) con el substrato (p). Estos dos efectos limitan el tiempo mximo que un valor lgico puede estar almacenado en un nodo dinmico.
Estructura de una puerta dinmica bsica
Imgenes de un P-MOS (puerta de paso)
Vdrain
Vgate
Circuito Layout
Simulacin del layout
Se observa que no genera bien el cero pero si el uno. Tambin se observa retardos que se van sumando
Circuito de un inversor usando la lgica esttica usando los rboles N-MOS y P-MOS:
Diseo de un inversor
Mscara del inversor
Layout:
Simulacin de las seales se observa un error de 33ps