Semiconductores y aplicaciones

A. Guerrero Llorente
8 de mayo de 2014
1. Introducci on
Dentro del enorme rango de ordenes de magnitud que abarca la conductividad electrica,
desde los 10
7
Sm
1
de la plata hasta los 10
17
Sm
1
del cuarzo fundido, los semiconductores
se encuentran en mitad de la escala. No tienen una conductividad tan alta como los
materiales conductores, ni tan baja como los aislantes, su conductividad vara de 10
5
a
10
4
Sm
1
dependiendo del material.
Los materiales semiconductores son muy interesantes por sus porpiedades electricas,
las cuales hacen que los semiconductores sean indispensables para la produccion de dis-
positivos electronicos. Entre los mas usados se encuentran el silicio o el germanio, aunque
tambien se usan otros como el arseniuro de galio o el nitruro de galio.
2. Descripcion y caracterizaci on
Uno de los aspectos mas importantes a tener en cuenta en un semiconductor es el
band gap o banda prohibida. Se trata del hueco de energas existente entre la banda de
conducci on y la de valencia. Los electrones pueden pasar de una a otra banda si son
excitados con un cambio de temperatura, lo que hace que vare la conductividad de nuestro
material. Al saltar el electr on de la capa de valencia a la de conduccion, o a la inversa,
dejar a un hueco. Dicho hueco tendra la misma masa efectiva que el elect on y su carga
ser a igual en valor absoluto, pero de signo positivo.
Cuando nos encontremos a 0K la banda de valencia estara llena y la de conduccion
vaca. Conforme la temperatura vaya ascenciendo empezar an a saltar electrones de la capa
de valencia a la capa de conduccion, dejando su correspondiente hueco. Por esta raz on
tendremos que la conductividad asciende conforme lo hace la temperatura.
La conductividad de un semiconductor tendra por tanto una contribuci on de los elec-
trones y otra de los huecos:
= ne
e
+pe
h
(1)
donde n y p son el n umero de electrones y huecos respectivamente, y es la movilidad.
Usando la estadstica de Fermi-Dirac podemos obtener el n umero de electros excitados
de la banda de conducci on y de esta forma tener una aproximacion de la densidad de
electrones y huecos del material:
1
n
i
= exp(
E
g
2k
b
T
)
p
i
= exp(
E
g
2k
b
T
) (2)
donde es la densidad de estados en las bandas de conduccion y valencia, k
b
la
constante de Boltzmann y E
g
la anchura de la banda prohibida.
Si sustituimos la densidad de electrones y huecos en la ecuaci on (1) tenemos una
ecuaci on de la forma:
=
0
exp(
E
g
2k
b
T
) (3)
De esta forma podemos obtener la anchura de la banda prohibida haciendo mediciones
de la conductividad electrica del semiconductor. Puesto que la resistividad es la inversa
de la conductividad podemos escribir la ecuaci on anterior en funci on de la resistencia,
pues la relaci on entre resistencia y resistividad solo depende de factores geometricos.
La resistencia del material sera: R(T) = R

exp(
Eg
2k
b
T
), donde R

lo podemos obtener
experimentalmente.
Figura 1: Variaci on de la resistencia con la temperatura en un semiconductor con una
medida experimental de E
g
= (0,738 0,005)eV
2
3. Tipos
Los semiconductores se clasican en dos categoras: intrnsecos y extrnsecos.
Intrnsecos son aquellos cuyas propiedades son las del propio elemento semiconductor.
Por ejemplo, el silicio o el germanio. Por el contrario, en los extrnsecos, al semiconductor
se le a naden impurezas o dopancias para as determinar el n umero y tipo de portadores
de carga que queremos.
Dentro de los semiconductores extrnsecos hay otras dos categoras, los tipo n y p.
3.1. Semiconductor tipo n. Impurezas donadoras
Si al silicio (valencia 4) le agregamos antimonio (valencia 5) quedara un electr on suelto
que se sit ua justo por debajo de la banda de conduccion. Dado que el electr on adicional
no est a unido a ning un atomo, pues no forma enlace, solo requerira un peque no aporte de
energa para alcanzar la banda de conduccion. Cuando uno de estos electrones pasa a la
banda de conducci on no deja hueco alguno en la banda de valencia, pues no se encontraba
en ella.
3.2. Semiconductor tipo p. Impurezas aceptoras
Si tomamos silicio y galio (valencia 3) en este caso tendremos que no tenemos su-
cientes electrones para completar todos los enlaces. Un atomo de esta impureza genera
un nivel de energa situado justo por encima del nivel de valencia. Estos niveles aceptores
se forman con los electrones de la banda de valencia, al aumentar la temperatura los
niveles aceptores son ocupados por los e

de valencia y dejan huecos en dicha banda. El

transporte de carga en estos semiconductores se debe al movimiento de los huecos en la
banda de valencia.
4. Uni on pn
A priori un semiconductor tipo p o n no tiene m as utilidad que su variaci on de la
conductividad con la temperatura. Sin embargo, al juntar conseguimos unas propiedades
fsicas que nos han proporcionado dispositivos como el diodo o el transistor.
Si juntamos un semiconductor tipo p y uno tipo n y les aplicamos una diferencia de
potencial de forma, con el electrodo positivo en el tipo p y negativo en el n, tendremos
lo que se llama una polarizacion directa. En un circuito de este tipo tanto los electrones
como los huecos circulan hacia la frontera; en el tipo p van llegando los huecos y del tipo
n llegan los electrones. Al llegar a la uni on los electrones desaparecen al recombinarse con
los huecos. Por tanto, observamos que hay un ujo continuo de electrones desde el punto
de potencial negativo hacia la union.
Si le damos la vuelta a la fuente de potencial, de forma que pasamos a tener el tipo
n conectado al terminal positivo, tenemos la polarizacion inversa. El terminal negativo
atraer a a los huecos mientras que el positivo har a lo mismo con los electrones. Como
resultado se crear a una diferencia de potencial entre los dos materiales, la zona en la que
3
se produce este potencial se conoce como zona de deplexion y deja de aumentar cuando
su diferencia de potencial es igual que la tensi on exterior que aplicamos, en ese momento
electrones y huecos dejan de alejarse de la union.
Cuando tenemos una union pn polarizada en inversa tambien hay una corriente a
traves de la uni on. Esta es debida a que la energa termica crea continuamente pares de
electrones libres y huecos de los cuales algunos se encuentran en la zona de deplexion y
dan lugar a una peque na corriente.
5. Diodo
El objetivo del diodo es que conseguir en un circuito la corriente circule solamente en
el sentido que nosotros deseamos, es decir, buscamos un dispositivo que solo deje pasar
la corriente en una direccion. Este efecto lo conseguimos con la union pn. La union pn
polarizada en directa permitir a el paso de corriente mientras que en inversa la corriente
que pasa es mucho menor.
Para conocer la relaci on entre voltaje e intensidad en un diodo tenemos la ecuaci on
de Shockeley:
I = I
0
(e
qV
k
B
T
1) (4)
donde q es la carga del electr on, V el voltaje aplicado, k
B
la constante de Boltzmann,
T la temperatura y un factor que vara entre 1 y 2 y dependiendo del semiconductor.
Figura 2: Simulacion de la relaci on intensidad-voltaje para un diodo 1N4002, realizada en
PSPICE.
Esta ecuacion describe el comportamiento del diodo, fabricado con una uni on pn,
tanto en polarizaci on directa como en inversa. En polarizaci on directa tendremos que
para voltajes mayores a 0,1V , y temperatura ambiente, la exponencial ser a mucho mayor
que 1 y nos quedara: I I
0
e
qV
kT
. Por otro lado, en inversa, nos quedara una corriente I
0
que es muy peque na comparada con la corriente I que teniamos en polarizaci on directa.
4
5.1. Ruptura y efecto avalancha. Diodo Zener
Un diodo polarizado en inversa tiene una tensi on m axima a partir de la cual su com-
portamiento cambia, tensi on de ruptura. Esta tensi on, en un diodo normal, es mayor a
50V . Cuando nos acercamos a dicha tensi on aparecen una gran cantidad de portadores
en la zona de deplexion y el diodo conduce descontroladamente. Estos portadores vienen
del efecto avalancha que aparece a tensiones inversas elevadas. Este efecto es debido a que
con el aumento de la tensi on los portadores de la corriente inversa se mueven mas r apido
y chocan con suciente fuerza contra los atomos como para liberar electrones de valencia,
se producen electrones libres.
Cuando los semiconductores que forman el diodo est an muy dopados la zona de de-
plexi on se estrecha, por lo que aumenta el campo en la zona. En este caso es el propio
campo electrico quien consigue extraer los electrones de las orbitas de valencia. En estos
semiconductores, al estar m as dopados, la ruptura es de unos 4V . Este efecto se conoce
como efecto Zener.
El diodo Zener es aquel que, por el dopado que tiene, posee un potencial de ruptura
bajo. El hecho de que el potencial de ruptura sea mucho menor que el de un diodo
convencional nos permite trabajar en la zona de ruptura, en la cual un gran aumento
en la corriente apenas producir a una variacion de la tensi on. Este diodo se utiliza como
regulador de tension, pues mantiene sus terminales a potencial constante incluso cuando
la corriente sufre cambios.
5.2. Diodo Led
Cuando tenemos una union pn polarizada en directa tenemos la mencionada recom-
binaci on entre electrones y huecos. Esta recombinacion tiene como efecto la emisi on de
fotones con una energa aproximadamente igual a la del band gap. Para que el diodo emita
luz la anchura del band gap debe ser la adecuada para que corresponda a una longitud
de onda del visible (ej: un LED de GaAs emitira en el infrarojo).
Para que un LED nos sea util este debe proporcionar una luminusidad adecuada
utilizando un voltaje reducido. Para que esto se cumpla debemos tener que el proceso
de excitacion de un electron desde la banda de valencia a la de conduccion, tambien al
contrario, sea eciente.
Una de las posibilidades para que el diodo emita luz es que el punto m as bajo de la
banda de valencia se corresponda con el mas alto de la banda de conducci on, en este caso
la energa del foton ser a:
h = E
g
(5)
Otra posibilidad es que dichos puntos no coincidan y por tanto debera existir una
interacci on entre el electron y la red para que esta le proporcione suciente momento como
para realizar la transici on. Para completar el proceso el fot on tambien debera interactuar
con los fonones de energa h
p
:
h = E
g
h
p
(6)
5
5.3. Aplicaciones
Uno de los usos m as extendidos del diodo es la transformacion de corriente alterna
a corriente continua. Estos transformadores son indispensables para cargar, o hacer
funcionar, la gran mayora de los aparatos electronicos; esto es debido a que los aparatos
funcionan con corriente continua mientras que la que nos llega a nuestra casa es alterna.
De una forma muy sencilla podemos conseguir tener una corriente que se asemeje
bastante a un nivel continuo, con muy poca amplitud de oscilaci on, para ello solamente
necesitamos una se nal sinusoidal en un circuito que tenga un diodo y una resistencia
en serie, y en paralelo con la resistencia pondremos un condensador. Ademas conforme
aumentemos la capacidad del condensador mas tardara este en cargarse y por tanto el
decaimiento que vemos en la gura 4 ser a menor y tendremos una se nal m as continua.
Figura 3: Simulacion de un transformador de corriente alterna en continua.
Tambien podemos usar los diodos como term ometros. Como podemos ver la corrien-
te que pasa a traves de un diodo (ecuaci on de Shockeley) depende de la temperatura lo
cual hara variar la corriente en el diodo. Si tenemos dos diodos a los que llega una se nal
electrica con las mismas caractersticas, producida por la misma fuente, y uno de ellos lo
tenemos en una c apsula de material aislante de forma que siempre este, aproximadamente,
a la misma temperatura podemos obtener la temperatura del segundo diodo midiendo la
corriente que lo atraviesa y comparando con el primero.
Bibliografa
A. P. Malvino, Principios de Electronica (McGraw-Hill, Quinta Edici on)
Richard Tilley, Understanding Solids. The Science of Materials (Wiley, Second Edi-
tion)
Neil Storey, Electronics. A systems approach (Pearson 2009)
S anchez del Ro. Fsica Cuantica (Pir amida 1997)
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