PRACTICA N 4

RELACIN VCE-iC EN EL TRANSISTOR

1.- CONOCIMIENTO TERICO REQUERIDO.
El alumno debe conocer la teora de funcionamiento del transistor BJT, las
diferentes configuraciones bsicas de polarizacin.
2.- MARCO TEORICO
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a
que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas
aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor
del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su
funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa,
mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por
el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin
de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.
Podemos tener una zona de material tipo n en medio de dos zonas de material
tipo p, en este caso se denomina transistor pnp, o bien tener una zona tipo p
con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaramos hablando de un
transistor npn.


Para el analisis del circuito con transitores se puede usar los siguientes
parametros:














si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor est
trabajando en la zona de saturacin. En el caso de que la unin de emisor
la polaricemos en directa y la unin de colector en inversa, estaremos en la
zona activa.
Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor est
en la zona de corte. Por ltimo, si la unin de emisor se polariza en inversa y la
unin de colector en directa, el transistor se encuentra en activa inversa. De las
cuatro zonas, las 3 mencionadas en primer lugar son las ms interesantes
desde el punto de vista del funcionamiento del transistor, siendo la zona activa
inversa una zona puramente terica y sin inters prctico.


.


3.- OBJETIVO
El estudiante:

Estudiar el funcionamiento de un transistor mediante la
construccin de una familia de curvas en la salida para valores
especficos en la corriente de entrada.

4.- MATERIALES Y EQUIPOS
1 Fuente de alimentacin DC doble
1 Multmetro
1 Breadboard
1 Transistor 2N3643
Resistencias de diseo
Resistencia de 150k y 430
5.- PROCEDIMIENTO
Parte 4.1
En el circuito de la Fig. 1 calcular el valor de RB que permita obtener una
corriente de base de : iB = 10 A

NOTA: El valor comercial mas prximo para RB puede producir un valor
distinto de IB, de ser este el caso, emplear este valor comercial e indicar el
valor de IB que se obtendr.

Desarrollo
Manteniendo el voltaje de base fijo y con la resistencia RB calculada en el
prrafo anterior se obtiene el valor de IB deseado, variar el voltaje de la fuente
Vcc y medir el voltaje entre el colector y el emisor, al igual que la corriente de
colector con el objeto de trazar la curva VCEiC. Empleando los valores de Vcc
que varan desde 0.2V hasta 15V y con intervalos de 0.2V para realizar la
siguiente tabla.
Parte 4.2
Realizar la 1ra parte para una corriente de base: iB = 30 A.
fig.1 Diagrama Esquematico del circuitoVccCBE+-5V2N3643NPNRc1kRB
Parte 4.3
Trazar la grfica (en papel milimetrado) de la familia de curvas de iC en funcin
de VCE para los distintos valores de iB empleados en las anteriores partes de
esta Prctica de laboratorio.




6.- DATOS
EXPERICENCIA 1:
Vcc Ic Vce
0.0 [v] 0 [mA] 0.024 [v]
0.2 [v] 0 [mA] 0.038 [v]
0.4 [v] 0.2 [mA] 0.061 [v]
0.6 [v] 0.4 [mA] 0.082 [v]
0.8 [v] 0.5 [mA] 0.094 [v]
1.0 [v] 0.7 [mA] 0.113 [v]
1.2 [v] 0.9 [mA] 0.148 [v]
1.4 [v] 1.0 [mA] 0.225 [v]
1.6 [v] 1.0 [mA] 0.392 [v]
1.8 [v] 1.0 [mA] 0.564 [v]
2.0 [v] 1.0 [mA] 0.818 [v]
2.2 [v] 1.1 [mA] 1.011 [v]
2.4 [v] 1.1 [mA] 1.165 [v]
2.6 [v] 1.1 [mA] 1.407 [v]
2.8 [v] 1.1 [mA] 1.610 [v]
3.0 [v] 1.1 [mA] 1.793 [v]
3.2 [v] 1.1 [mA] 1.949 [v]
3.4 [v] 1.1 [mA] 2.19 [v]
3.6 [v] 1.1 [mA] 2.36 [v]
3.8 [v] 1.1 [mA] 2.59 [v]
4.0 [v] 1.1 [mA] 2.72 [v]
4.2 [v] 1.1 [mA] 2.93 [v]
4.4 [v] 1.1 [mA] 3.13 [v]
4.6 [v] 1.1 [mA] 3.31 [v]
4.8 [v] 1.1 [mA] 3.57 [v]
5.0 [v] 1.1 [mA] 3.75 [v]
5.2 [v] 1.1 [mA] 3.97 [v]
5.4 [v] 1.1 [mA] 4.19 [v]
5.6 [v] 1.2 [mA] 4.29 [v]
5.8 [v] 1.2 [mA] 4.51 [v]
6.0 [v] 1.2 [mA] 4.77 [v]
6.2 [v] 1.2 [mA] 4.80 [v]
6.4 [v] 1.2 [mA] 4.97 [v]
6.6 [v] 1.2 [mA] 5.22 [v]
6.8 [v] 1.2 [mA] 5.39 [v]
7.0 [v] 1.2 [mA] 5.55 [v]
7.2 [v] 1.2 [mA] 5.80 [v]
7.4 [v] 1.2 [mA] 5.96 [v]
7.6 [v] 1.3 [mA] 6.22 [v]
7.8 [v] 1.3 [mA] 6.38 [v]
8.0 [v] 1.3 [mA] 6.56 [v]
8.2 [v] 1.3 [mA] 6.75 [v]
8.4 [v] 1.3 [mA] 6.94 [v]
8.6 [v] 1.3 [mA] 7.19 [v]
8.8 [v] 1.3 [mA] 7.36 [v]
9.0 [v] 1.31 [mA] 7.58 [v]
9.2 [v] 1.31 [mA] 7.75 [v]
9.4 [v] 1.31 [mA] 8.02 [v]
9.6 [v] 1.31 [mA] 8.22 [v]
9.8 [v] 1.31 [mA] 8.38 [v]
10.0 [v] 1.32 [mA] 8.61 [v]
10.2 [v] 1.32 [mA] 8.79 [v]
10.4 [v] 1.32 [mA] 8.98 [v]
10.6 [v] 1.32 [mA] 9.17 [v]
10.8 [v] 1.32 [mA] 9.38 [v]
11.0 [v] 1.32 [mA] 9.56 [v]
11.2 [v] 1.32 [mA] 9.70 [v]
11.4 [v] 1.33 [mA] 9.97 [v]
11.6 [v] 1.33 [mA] 10.10 [v]
11.8 [v] 1.33 [mA] 10.38 [v]
12.0 [v] 1.33 [mA] 10.53 [v]
12.2 [v] 1.33 [mA] 10.73 [v]
12.4 [v] 1.33 [mA] 10.94 [v]
12.6 [v] 1.33 [mA] 11.19 [v]
12.8 [v] 1.34 [mA] 11.31 [v]
13.0 [v] 1.34 [mA] 11.56 [v]
13.2 [v] 1.34 [mA] 11.71 [v]
13.4 [v] 1.34 [mA] 11.92 [v]
13.6 [v] 1.34 [mA] 12.15 [v]
13.8 [v] 1.34 [mA] 12.31 [v]
14.0 [v] 1.34 [mA] 12.51 [v]
14.2 [v] 1.35 [mA] 12.70 [v]
14.4 [v] 1.35 [mA] 12.88 [v]
14.6 [v] 1.35 [mA] 13.09 [v]
14.8 [v] 1.35 [mA] 13.27 [v]
15.0 [v] 1.35 [mA] 13.48 [v]

EXPERICENCIA 2:
Vcc Ic Vce
0.0 [v] 0 [mA] 0.003 [v]
0.2 [v] 0.18 [mA] 0.012 [v]
0.4 [v] 0.36 [mA] 0.022 [v]
0.6 [v] 0.54 [mA] 0.003 [v]
0.8 [v] 0.72 [mA] 0.040 [v]
1.0 [v] 0.93 [mA] 0.051 [v]
1.2 [v] 1.12 [mA] 0.056 [v]
1.4 [v] 1.31 [mA] 0.061 [v]
1.6 [v] 1.50 [mA] 0.066 [v]
1.8 [v] 1.69 [mA] 0.071 [v]
2.0 [v] 1.92 [mA] 0.077 [v]
2.2 [v] 2.12 [mA] 0.081 [v]
2.4 [v] 2.32 [mA] 0.085 [v]
2.6 [v] 2.52 [mA] 0.090 [v]
2.8 [v] 2.72 [mA] 0.094 [v]
3.0 [v] 2.96 [mA] 0.099 [v]
3.2 [v] 3.16 [mA] 0.103 [v]
3.4 [v] 3.36 [mA] 0.107 [v]
3.6 [v] 3.56 [mA] 0.111 [v]
3.8 [v] 3.76 [mA] 0.115 [v]
4.0 [v] 3.96 [mA] 0.12 [v]
4.2 [v] 4.13 [mA] 0.13 [v]
4.4 [v] 4.30 [mA] 0.15 [v]
4.6 [v] 4.47 [mA] 0.17 [v]
4.8 [v] 4.64 [mA] 0.19 [v]
5.0 [v] 4.83 [mA] 0.21 [v]
5.2 [v] 4.85 [mA] 0.39 [v]
5.4 [v] 4.87 [mA] 0.57 [v]
5.6 [v] 4.89 [mA] 0.75 [v]
5.8 [v] 4.91 [mA] 0.93 [v]
6.0 [v] 4.96 [mA] 1.14 [v]
6.2 [v] 4.97 [mA] 1.31 [v]
6.4 [v] 4.98 [mA] 1.48 [v]
6.6 [v] 4.99 [mA] 1.65 [v]
6.8 [v] 5.01 [mA] 1.82 [v]
7.0 [v] 5.02 [mA] 2.03 [v]
7.2 [v] 5.03 [mA] 2.22 [v]
7.4 [v] 5.04 [mA] 2.41 [v]
7.6 [v] 5.06 [mA] 2.60 [v]
7.8 [v] 5.07 [mA] 2.79 [v]
8.0 [v] 5.09 [mA] 3.00 [v]
8.2 [v] 5.10 [mA] 3.18 [v]
8.4 [v] 5.11 [mA] 3.36 [v]
8.6 [v] 5.12 [mA] 3.54 [v]
8.8 [v] 5.13 [mA] 3.72 [v]
9.0 [v] 5.14 [mA] 3.93 [v]
9.2 [v] 5.15 [mA] 4.11 [v]
9.4 [v] 5.16 [mA] 4.29 [v]
9.6 [v] 5.17 [mA] 4.47 [v]
9.8 [v] 5.18 [mA] 4.65 [v]
10.0 [v] 5.19 [mA] 4.84 [v]
10.2 [v] 5.20 [mA] 5.01 [v]
10.4 [v] 5.21 [mA] 5.18 [v]
10.6 [v] 5.22 [mA] 5.35 [v]
10.8 [v] 5.22 [mA] 5.52 [v]
11.0 [v] 5.23 [mA] 5.72 [v]
11.2 [v] 5.24 [mA] 5.91 [v]
11.4 [v] 5.25 [mA] 6.10 [v]
11.6 [v] 5.26 [mA] 6.29 [v]
11.8 [v] 5.27 [mA] 6.48 [v]
12.0 [v] 5.29 [mA] 6.70 [v]
12.2 [v] 5.30 [mA] 6.90 [v]
12.4 [v] 5.31 [mA] 7.10 [v]
12.6 [v] 5.32 [mA] 7.30 [v]
12.8 [v] 5.33 [mA] 7.51 [v]
13.0 [v] 5.34 [mA] 7.72 [v]
13.2 [v] 5.35 [mA] 7.90 [v]
13.4 [v] 5.35 [mA] 8.08 [v]
13.6 [v] 5.36 [mA] 8.26 [v]
13.8 [v] 5.36 [mA] 8.44 [v]
14.0 [v] 5.38 [mA] 8.62 [v]
14.2 [v] 5.39 [mA] 8.81 [v]
14.4 [v] 5.39 [mA] 9.00 [v]
14.6 [v] 5.40 [mA] 9.19 [v]
14.8 [v] 5.40 [mA] 9.38 [v]
15.0 [v] 5.41 [mA] 9.58 [v]

7.- CLCULOS Y GRFICOS
Experiencia 1:


y = 0.9526x - 0.9375
R = 0.9977
-2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Vce
Vce
Linear (Vce)


Experiencia 2:



0
0.0002
0.0004
0.0006
0.0008
0.001
0.0012
0.0014
0.0016
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Ic
0
2
4
6
8
10
12
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Vce


8.- CUESTIONARIO
Qu tipo de polarizacin se utiliza en esta prctica?
En el siguiente laboratorio se utiliz un transistor con polarizacin emisor
comn donde la seal se aplica la base del transistor y se extrae por el
colector, el emisor se conecta en la seal de entrada y en la seal de
salida donde en esta configuracin se tiene ganancia tanto de tensin
como de corriente y alta impedancia de entrada.
El punto de operacin del transistor en esta configuracin varia poco,
mucho o nada con el cambio de beta?
Cuando se hace el cambio de beta en el punto de operacin del
transistor existe una variacin pequea por consecuencia del cambio de
beta.

9.- CONCLUSIONES
En la prctica realizada se pudo comprobar que la ganancia del circuito
seguidor de voltaje es aproximadamente a la unidad, con la seal de entrada y
la de salida en fase.
10.- RECOMENDACIONES
Es recomendable revisar el optimo funcionamiento de todo el material que
usaremos para este laboratorio, pues podra tener fallas algn instrumento y no
lograramos los resultados esperados, tambin es muy importante tener el
0
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Ic
conocimiento teorico requerido para este laboratorio para saber el manejo
correcto de los transistores y la polarizacin de los mismos tanto como sus
caractersticas.

11.- BIBLIOGRAFA

Teora de circuitos y dispositivos electrnicos Robert Boylestad 10ed
http://laimbio08.escet.urjc.es/assets/files/docencia/ECA/Tema%204%20
BJT_07_08.pdf
http://www.elprisma.com/apuntes/apuntes.asp?page=2&categoria=603
http://libros-en-pdf.com/libros/seguidor-de-voltaje.html
http://www.foroselectronica.es/f105/transistor-bipolar-bjt-1400.html