ndice

1. Introduo ................................................................................................................................ 2

2. Objectivo ................................................................................................................................. 2

3. Generalidade ............................................................................................................................ 2

4. Projecto do amplificador ......................................................................................................... 5

4.1. Especificaes do projecto: .............................................................................................. 5

4.2. Determinao dos parmetros do amplificador................................................................ 5

4.3. Circuito de ressonncia na entrada ................................................................................... 6

4.4. Circuito de ressonncia na sada. ..................................................................................... 8

4.5. Determinao dos parmetros de polarizao .................................................................. 9

5. Esquema do circuito final ...................................................................................................... 11

6. Concluso .............................................................................................................................. 11

7. Referncias bibliogrficas ..................................................................................................... 12

8. Anexos ................................................................................................................................... 13
Projecto de um amplificador de sinal fraco para microondas
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1. Introduo
Circuitos amplificadores so circuitos que produzem a partir de um sinal de entrada, um sinal de
sada com maior amplitude. Existem diferentes tipos de amplificadores que produzem diferentes
tipos de ganho, dentre os quais o ganho de tenso, ganho de corrente ou ganho de potncia. Os
amplificadores tem diversas aplicacoes, em telecomunicacoes por exemplo, estes so usados para
amplificar o sinal proveniente do tansmissor (em caso de um transmissor) ou de uma antena (em
caso de um receptor).

No presente trabalho, esta apresentado o projecto de um amplificador de sinal fraco na
frequencia de 800MHz.


2. Objectivo
Projectar um amplificador de sinal fraco na frequncia de 800 MHz, os respectivos
circuitos ressonantes e de polarizao.






3. Generalidade
Para projectar um amplificador passa-se pelas fases de escolha do transistor a usar, projectar os
circuitos ressonantes de entrada e sada, e a determinao das condies de polarizao do
transistor. Passamos agora a descrever o principio de projeco dos circuitos ressonantes.

Circuitos de ressonncia


Perto da ressonncia, um circuito ressonante pode usualmente ser modelado por circuitos
equivalentes de elementos concentrados RLC.

Circuito de ressonncia serie


Um circuito ressonante srie de elementos concentrados RLC srie est mostrado na figura 1
abaixo.
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Figure 1: Circuito RLC srie










A impedncia de entrada pode ser dada da seguinte forma:
( )

( )

uma vez sabido que .



Assim:





Ciruito ressonante paralelo


Um circuito ressonante paralelo est mostrado na figura 4 abaixo.
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Figure 1: Circuito RLC paralelo



( )

Se e for pequeno:
( )
( )

( )

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4. Projecto do amplificador



4.1. Especificaes do projecto:
Pretende-se projetar um amplificador de sinais fracos com as seguintes especificaes:

Frequncia de operao (f
0
) 800 MHz
Largura de banda (B) 6 kHz
Ganho de tenso (G
V
) 5 dB


Escolha do amplificador

O primeiro passo a se dar, no projecto de um amplificador e a escolha do transistor que melhor
responde as especificaes procuradas. Cada transistor tem suas caractersticas de operao
como: faixa de frequncias a que este pode operar o maior ganho que pode ser obtido com o uso
deste e outras especificaes.

Tendo em conta estas especificaes, escolhe-se o transistor bipolar BFR90. Os transistores
bipolares so geralmente preferidos em vez dos transistores de efeito de campo excepto para
amplificadores de muito baixo rudo. O ganho obtido por estes e maior do que os de efeito de
campo. O transistor acima escolhido funciona a frequncias que vo desde 100 a 2000 MHz.

Os parmetros deste transistor so:

S
11
=

; S
12
= ;

S
21
= ; S
22
= ;

Este amplificador pode ser usado em telecomunicaes, por exemplo, nos telefones celulares.


4.2. Determinao dos parmetros do amplificador
| | | | | |
|


|












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| | | | | |

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| | | | | |

Verificamos que o quadrpolo activo incodicionalmente estvel, pois: .
Desta forma garantimos que | | , | | e que o quadrpolo instvel independentemente

das impedncias apresentadas.


O coeficiente de reflexo na carga pode ser determinado, a partir do ganho de tenso segundo a
expresso:


( )

( )


O ganho de tenso do amplificador de 5 dB. Na equao acima, isolando o coeficiente de

reflexo obtemos,






;

[ ]






A partir do coeficiente de reflexo na carga, obtemos o coeficiente de reflexo na entrada.









4.3. Circuito de ressonncia na entrada
Para a determinao do circuito ressonante na entrada, comecemos por determinar a impedncia

de entrada Zs.






A parte imaginaria da impedncia positiva, isto nos remete ao uso do circuito serie.
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Fazendo uma comparao com a equao (4), temos:













Usando a equao 2, isolando C podemos calcular a capacitncia do capacitor no circuito.



( )


Os valores obtidos acima no so valores comerciais. Fazendo uma aproximao para os valores
comerciais, temos:



O indutor por apresentar facilidade na sua construo, ser calculado em funo da capacitncia,
para garantir que este opere na frequncia desejada.



( )


Deste modo, e necessrio construir um indutor com a indutncia .


Com estes valores voltamos a calcular Im (Zs) mantendo constante a largura de banda:









O novo valor do coeficiente de reflexo dado por:






Deste modo, chegamos ao circuito ressonante que se segue:
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Figura 3: Circuito de ressonncia na entrada.


4.4. Circuito de ressonncia na sada.
De igual modo, passamos primeiro por calcular a impedncia na sada.






Fazendo uma comparao com a equao (7), temos:











Das duas equaes acima, obtemos:






Resolvendo as equaes e (9), temos:





Isolando L na equao (2) obtemos a expresso que nos permite calcular o valor da indutncia.



( )


Adoptando os valores comerciais, temos: . O valor do indutor :
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( )


O valor da indutncia no comercial, mas sendo este um elemento fcil de se construir, deve

ser construdo um indutor que com a indutncia apresenta.










Com esta relao o ganho e alterado e fica:









| |

O circuito de ressonncia de sada mostrado a seguir.




Figura 4: Circuito de ressonncia na sada


4.5. Determinao dos parmetros de polarizao
O transistor ser usado na polarizao universal. Os dados dos parmetros SS, so relativos as
seguintes caractersticas de polarizao:

Usando as caractersticas de polarizao fornecidas, passamos a calcular os parmetros da
polarizao:
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; Como , ento obtemos:










Considerando uma tenso , os valores de R
5
e R
6
.






;
















Resolvendo as equaes acima, obtemos ..
Adotando valores padronizados para as resistncias, temos:






Assim sendo, mantem se a mesma tenso de polarizao Vcc.
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Figura 5: Circuito de polarizao.



5. Esquema do circuito final


Figura 6: Esquema do circuito final



6. Concluso
O trabalho apresentado, tinha com objectivo projectar um amplificador de sinal fraco que opera
na frequncia de 800 MHz, numa largura de banda de 6 kHz e um ganho de 5 dB. O objectivo
do trabalho foi alcanado com xito, para tal se torna necessrio ter que usar indutores de fabrico
prprio, pois os que existem no mercado no apresentam valores na faixa dos que so
necessrios para a construo do amplificador. Os restantes componentes como resistores,
capacitores e transistores so fceis de encontrar no mercado.
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7. Referncias bibliogrficas
TAVARES, B., GONALVEZ, R., PROJECTO DE UM AMPLIFICADOR DE BAIXO
RUIDO, Universidade de Braslia, 2006.pdf.
CASAAS, Csar, PROJECTO DE AMPLIFICADOR DE BAIXO RUIDO,
Universidade de So Paulo, 2013.pdf
Material da aula de Electrnica Analgica, Universidade EDUARDO Mondlane, 2011.
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1.0 1.1 1.2 1.3
1.5 1.6 1.8 2.0
2.2 2.4 2.7 3.0
3.3 3.6 3.9 4.3
4.7 5.1 5.6 6.3
6.8 7.5 8.2 9.1




8. Anexos





Resistores comerciais









Os restantes valores so obtidos atravs de este, em mltiplos de 10, 10
2
, 10
3
, etc.

Capacitores comerciais

1.0 F 1.1 F 1.2 F 1.3 F
1.5 F 1.6 F 1.8 F 2.0 F
2.2 F 2.4 F 2.7 F 3.0 F
3.3 F 3.6 F 3.9 F 4.3 F
4.7 F 5.1 F 5.6 F 6.3 F
6.8 F 7.5 F 8.2 F 9.1 F
Os restantes valores sao obtidos a partir destes, em multiplos de mili, micro, nano e pico.

Indutores comerciais

1.0 H 1.1 H 1.2 H 1.3 H
1.5 H 1.6 H 1.8 H 2.0 H
2.2 H 2.4 H 2.7 H 3.0 H
3.3 H 3.6 H 3.9 H 4.3 H
4.7 H 5.1 H 5.6 H 6.3 H
6.8 H 7.5 H 8.2 H 9.1 H
Os restantes valores sao obtidos a partir destes em multiplos de mili e micro.