UNIVERSIDAD TECNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS ELECTRONICA E

INDUSTRIAL
ELECTRNICA DE POTENCIA
NOMBRE: JIMMY SANGOLQUIZA

CONSULTA N =

FECHA: 30-10-2014
SEMESTRE: QUINTO A
DESARROLLO:
TRANSISTOR BJT
(Bipolar Junction Transistor)
Es un dispositivo de tres terminales,
equivalente a dos diodos PN unidos en
sentido opuesto.(Emisor, Base y
Colector)
En funcin de la situacin de las
uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.
La unin correspondiente a la BaseEmisor, se polariza en directa; y la
Base-Colector en inversa. As, por
unin Base-Colector circula una
corriente inversa
En npn, la regin de emisor tiene mayor
dopaje que la base. Al polarizar la unin
Base-Emisor en directa, y la BaseColector en
inversa, los electrones
libres que proceden del emisor llegan a
la base, con mucho menor nmero de
huecos, por lo que son atrados por el
colector (con alta concentracin de
impurezas).

TRANSISTOR BIPOLAR NPN

Est formado
por una capa
fina tipo p entre
dos capas n,
contenidas en
un
mismo
cristal
semiconductor
de germanio o
silicio, presentando las tres zonas
mencionadas (E, B, C).
El emisor emite portadores de carga
hacia el interior de la base.
En la base
portadores.

se

gobiernan

dichos

En el colector se recogen los portadores

que no puede acaparar la base.
En el colector se recogen los portadores
que no puede acaparar la base.
Unin emisor: es la unin pn entre la
base y el emisor.
Unin colector: es la unin pn entre la
base y colector.

Cada una de las zonas est impurificada

en mayor o menor grado. La base 100
veces menos que el colector o emisor.
La base tiene menor tamao, despus el
emisor y a 2 veces de espesor el
colector.
TRANSISTOR BIPOLAR PNP
El BJT pnp
est formado
tambin por
un
cristal
semiconductor
con
tres
regiones definidas por el tipo de
impurezas.

Emisor comn (EC): Aicc elevada; Re

pequea; Rs grande.
El montaje EC se aproxima ms al
amplificador de corriente ideal.
El montaje BC permite adaptar una
fuente de baja resistencia que ataca a
una carga de alta resistencia.
El montaje CC adapta una fuente de alta
resistencia de salida a una carga de bajo
valor.

Las tensiones de continua aplicadas son

opuestas a las del npn.
Las corrientes fluyen
contrario al del npn.

en

sentido

Por lo dems, este dispositivo es similar

al npn.
El BJT pnp desde el emisor emite
huecos, controlada por la base. El
exceso de huecos que no pueden
recombinarse en la base van a parar al
colector.
CONFIGURACIONES BJT
Aunque el transistor posea nicamente
tres terminales, se puede realizar su
estudio como un cuadripolo (dos
terminales de entrada y dos de salida) si
uno de sus terminales es comn a la
entrada y salida:
Base Comn.
Emisor Comn.
Colector Comn
Base comn (BC): Aicc=1; Re pequea;
Rs muy grande.
Colector comn (CC): Aicc elevada; Re
muy grande; Rs muy pequea.

FUNCIONAMIENTO BASICO NPN

En el montaje EC de la figura, se
polariza directamente la unin BaseEmisor; e inversamente la unin BaseColector
Se polariza el BJT si Vbe aprox. 0,6
voltios (polarizacin directa), y
Vce>Vbe (unin base-colector en
inversa).
La corriente de emisor es aquella que
pasa por la unin base-emisor
polarizada en directa y depende de Vbe
al igual que en un diodo pn.

CONFIGURACION DEL BJT EN

EMISOR COMUN CURVAS
CARACTERISTICAS BASICAS

Activo inverso, no tiene utilidad en

amplificacin.

El presente circuito permite obtener las

curvas de entrada (Vbe vs. Ib) y de
salidad (Ic vs. Vce) del BJT en EC.
Se observa que la caracterstica de
entrada, es similar a la del diodo.
As, tambin disminuir Vbe con la
temperatura a razn de 2mV/K.
Las curvas caractersticas de salida
muestran la corriente de colector
independiente de la Vce, si es mayor de
0,2 v.

TRANSISOTRES MOSFET
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
La corriente que fluye por el transistor
ingresa por el surtidor (fuente), este la
conduce por un sustrato (regin tipo p)
que es un canal angosto hasta llegar al
drenador (tipo n).
A la izquierda, hay una compuerta
metlica llamada graduador (aislante).
Por ser aislante, la corriente en el
graduador es despreciable.

DEFINICION DE LOS MODOS DE

TRABAJO DEL BJT
Segn la polarizacin de cada unin, se
obtendr un modo de trabajo diferente,
segn la tabla.

MODO DE EMPOBRECIMIENTO

En la regin Activa - directa, el BJT se

comporta como una fuente controlada.
(Amplificacin)

El transistor MOSFET efecta el

proceso anterior; VDD conduce los
electrones del surtidor al drenador a la
izquierda del sustrato tipo P.

En el modo Corte nicamente circulan

las corrientes inversas de saturacin de
las uniones. Es casi un interruptor
abierto.

La tensin del graduador puede regular

la corriente que pasa por el canal.

En Saturacin, la tensin a travs de la

unin de colector es pequea, y se
puede asemejar a un interruptor cerrado.

CURVAS DE DRENADOR:
Las curvas de la parte superior son de
voltaje VGS positivo mientras que las
inferiores son de voltaje VGS negativo.
La ltima curva es la de VGS (apag);
esta indica que la corriente de drenador
es aproximadamente cero.
Cuando est el voltaje entre VGS (apag)
y cero esta en modo de operacin de
empobrecimiento.

CUATRO VENTAJAS Y
APLICACIONES
1) Amplificar seales pequeas casi
igual como los transistores JFET.
2) Si la impedancia de entrada de un
JFET no es suficientemente alta se
puede utilizar un MOSFET.
3) Un transistor MOSFET es un
amplificador separador casi ideal
porque el graduador aislado significa
que la resistencia de entrada se
aproxima a infinito.
4) Excelentes propiedades de bajo
ruido.
MOSFET DE ENREQUESIMIENTO

POLARIZACION DE MOSFET DEL

TIPO DE EMPOBRECIMIENTO
Se establece un punto Q en Vgs=0, por
lo tanto, una seal de CA que entra por
el graduador produce variaciones arriba
y abajo del punto Q. Es una ventaja
cuando Vgs=0 porque as se puede
polarizar y se puede utilizar este circuito
en donde el graduador y el surtidor no
necesitan voltaje.

Este tipo de MOSFET se usa en

microprocesadores y memorias de
computadores
(funciona
como
interruptor).
Para obtener corriente de drenador, se
tiene que aplicar un voltaje positivo en
el graduador compuerta.

FORMACION DE LA CAPA DE
INVERSION
El sustrato se extiende hasta el oxido de
silicio. Ya no hay un canal tipo N entre
el
surtidor
y
drenador;
por
consecuencia, entre los dos terminales
no habr flujo de corriente hasta llegar a
un voltaje determinado.
Un voltaje positivo en el graduador
atrae electrones libres dentro del

sustrato tipo P. Estos se unen con

algunos huecos adyacentes al oxido de
silicio. Cuando el voltaje en el
graduador es lo suficientemente
positivo, todos los huecos cercanos al
oxido de silicio se llenan por lo que
ahora pueden fluir los electrones del
surtidor al drenador.

- Polarizacin por divisor de voltaje

(tensin).
- Retroalimentacin de drenador:
compensa cambios en las caractersticas
de los FET.
Si ID(enc) trata de incrementarse por
alguna razn, VD (enc) decrece.

CURVAS DE DRENADOR:

EN RESUMEN:
La curva mas baja es la curva de VGS
(th). Cuando VGS es menor que VGS
(th) , la corriente de drenador es
extremadamente
pequea. Cuando
VGS es mayor que VGS (th), fluye una
corriente considerable, cuyo valor
depende de VGS.

La polarizacin cero trabaja solo con los

MOSFET de tipo de empobrecimiento.
La polarizacin por retroalimentacin
de drenador trabajan con MOSFET del
tipo de enriquecimiento.

POLARIZACION DE MOSFET DEL

TIPO DE ENRIQUECIMIENTO

PREGUNTAS
Con un MOSFET del tipo de
enriquecimiento, VGS tiene que ser
mayor que VGS (th) para obtener
corriente.
Esto
elimina
la
autopolarizacion, la polarizacion por
corriente de surtidor y, la polarizacion
cero, ya que todas ellas operan en el
modo de empobrecimiento.

Cuntos tipos de BJT existen?

LOS
MOSFET
ENREQUSIMIENTO
CON
LAS
POLARIZACIONES

Dos Enriquecimiento y
Empobrecimiento

DE
TIPO
TRABAJAN
SIGUIENTES

- Polarizacin con graduador.

Uno, Dos, Tres o Cuatro

Dos NPN y PNP
Cuntos tipos de MOSFET existen?
Uno, Dos, Tres o Cuatros