Os semicondutores so materiais com condutividade eltrica intermediria entre um bom
condutor e um bom isolante e, por esse motivo, so muito importantes na eletrnica moderna. Em temperaturas muito baixas, os semicondutores se tornam isolantes, pois, nestes casos, os eltrons no conseguem saltar da banda de valncia para a banda de conduo. Comparados aos isolantes, eles possuem uma largura da banda proibida (Eg) muito pequena. Assim, a energia necessria para que um eltron pule da banda de valncia para a banda de conduo muito pequena. Numa ligao covalente, ao ser removido, um eltron deixa uma lacuna, que preenchida por um tomo vizinho, fazendo com que a lacuna (ou buraco) se desloque pelo cristal, comportando-se como outro portador de carga adicional da corrente eltrica. Quando no h eltrons livres suficientes para se realizar certas aplicaes, faz-se a dopagem, que consiste na introduo de tomos de impurezas, para aumentar a quantidade de eltrons livres e tambm a quantidade de buracos. Aps o processo de dopagem, o cristal passa a ser chamado de semicondutor extrnseco. No caso do semicondutor puro, utilizamos o nome semicondutor intrnseco. Ao se misturar elementos pentavalentes ao cristal, os quatros eltrons do semicondutor realizam ligaes covalentes com os tomos do elemento pentavalente, e assim, um eltron sobra. Neste caso, tem-se um semicondutor do tipo-n (n de negativo, pois a condutividade quase inteiramente produzida pelo movimento de cargas negativas). Os tomos pentavalentes so denominados doadores, pois fornecem eltrons da banda de conduo. Ao utilizarmos tomos trivalentes, temos o semicondutor do tipo-p. Neste caso, como o tomo da impureza possui apenas trs eltrons na banda de valncia, ele empresta um do semicondutor, deixando um buraco. Esse buraco funciona como uma carga positiva, que pode se mover atravs do cristal. Esses tomos trivalentes so tambm conhecidos como aceitadores, pois cada buraco fornecido aceita um eltron.
Um dos princpios bsicos dos dispositivos semicondutores o fato de que a condutividade do
material controlada pela concentrao de impurezas, que pode variar em um grande intervalo de uma regio do dispositivo para outra. Como exemplo, temos: a fotoclula, detectores de partculas carregadas, detectores de estado slido, diodos emissores de luz (LED), transistores, chips com circuito integrados, etc. A juno p-n (amplamente utilizada em dispositivos semicondutores) se forma na fronteira entre um semicondutor do tipo-n e um semicondutor do tipo-p. Uma das maneiras de se fabricar uma juno p-n depositar um material do tipo-p sobre a superfcie extremamente polida de um semicondutor do tipo-n. Podemos conectar uma juno p-n a um diodo, criando assim um diodo retificador. Ao conectarmos o terminal p da juno ao polo positivo da bateria e o terminal n da juno ao polo negativo, o potencial da regio p ser maior que o da regio n e o campo eltrico apontar de p para n. Esse sentido chamado de sentido direto e esse conexo chamada de polarizao direta. Os buracos, em grande quantidade na regio p, podem fluir facilmente para a regio n, e os eltrons livres, em grande quantidade na regio n, podem passar facilmente para a regio p; esse movimento constitui a corrente direta. Se voc conectar a bateria com uma polaridade oposta precedente, ocorrer a polarizao inversa, e o campo tender a empurrar eltrons livres da regio p para a regio n e buracos da regio n para a regio p. Porm, existem pouqussimos eltrons livres na regio p e pouqussimos buracos na regio n, ou seja, a corrente no sentido inverso vai ser muito menor do que aquela obtida quando a diferena de potencial aplicada no sentido direto.