Fsica Electrnica

Unin PN

1. TEORA DE LA UNIN PN
En un semiconductor existe una unin PN cuando existe una regin denominada unin
metalrgica que separa una regin de semiconductor extrnseca de tipo P de una de tipo
N.

Al extremo P, se le denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona

N, se le denomina ctodo, se representa por la letra K.
Cuando no existe ninguna causa externa actuando sobre el diodo, se dice que el diodo
est en equilibrio. Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice
que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

1.1

UNIN PN EN EQUILIBRIO TERMODINMICO

En equilibrio termodinmico no existe ninguna causa externa actuando sobre el material,

se crean pares e--h+ debido a la rotura de enlaces covalentes (generacin intrnseca) y
todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados (generacin extrnseca).

En esta situacin, se manifiesta una difusin de portadores de zonas ms pobladas a

zonas menos pobladas: los huecos de la zona P pasan a la zona N y los electrones hacen
lo propio de la zona N a la zona P. Estos flujos por difusin pretenden anular el gradiente
de concentracin de portadores que hay alrededor de la unin metalrgica.
1

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Cuando los portadores abandonan su regin correspondiente, dejan tras de s impurezas

donadoras/aceptadoras ionizadas no compensadas: los iones negativos (NA-) de la zona P
prximos a la unin, al ser desprovistos de los huecos que compensaban sus cargas,
producen en esta regin un carga electrosttica negativa; a su vez, los iones positivos
(ND+) de la zona N prximos a la unin, al ser desprovistos de los electrones que
compensaban sus cargas, producen en esta regin una carga electrosttica positiva. La
zona en la que se localizan estas impurezas ionizadas no compensadas recibe diferentes
denominaciones como zona de carga espacial, de deplexin, de vaciamiento o de
transicin, y en ella prcticamente no hay cargas mviles.

A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura, profundizando en los semiconductores a ambos lados de la
unin. Sin embargo, la acumulacin de carga electrosttica
r alrededor de la unin
metalrgica crea un dipolo causante de un campo elctrico E que se opone a los flujos
por difusin y termina detenindolos. Solamente los portadores mayoritarios (huecos de
la zona P y los electrones de la zona N) que poseen la energa cintica suficiente pueden
atravesar por difusin la barrera de potencial existente en la zona de deplexin.

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El campo elctrico descrito provoca el paso de los portadores minoritarios (electrones en

la zona P y huecos en la zona N) a travs de la zona de deplexin, lo que da lugar a
sendos flujos de arrastre.

En estas condiciones, las corrientes que se establecen a travs de la unin son:

Idp huecos de la zona P con energa cintica suficiente para atravesar la unin.
Idn electrones de la zona N con energa cintica suficiente para atravesar la unin.
Iap huecos generados por la rotura de enlaces covalentes en la zona N.
Ian electrones generados por la rotura de enlaces covalentes en la zona P.

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Los flujos de arrastre se oponen a los flujos por difusin, de manera que la corriente total
es nula (existen corrientes, pero se compensan).
Ir = IF = Id = Idn + Idp
Is = IR = Ia = Ian + Iap
Ir + I s = 0 Ir = - I s

2 UNIN PN EN POLARIZACIN DIRECTA

El campo elctrico aplicado ED es de sentido contrario al originado internamente (E P),
siendo la nueva barrera de potencial VB=VD-VP. La disminucin de la barrera de potencial
hace que la zona de deplexin se haga ms estrecha, ofreciendo menor resistencia al paso
de corriente elctrica. Esto origina que un gran nmero de huecos penetren en la regin N
y que un gran nmero de electrones penetren en la regin P a travs del mecanismo de
difusin Inyeccin de portadores mayoritarios.

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La inyeccin de portadores mayoritarios (Ir) hace que la componente de corriente debida

a los portadores minoritarios (Is) sea despreciable. De este modo, aparece a travs del
diodo una corriente elctrica constante, dependiente de la tensin aplicada.

3. UNIN PN EN POLARIZACIN INVERSA

El campo elctrico aplicado ED tiene el mismo sentido que el originado internamente
(EP), siendo la nueva barrera de potencial VB=VD+VP. Por lo tanto, en las proximidades
de la zona de deplexin existen cada vez menos electrones y huecos que puedan actuar
como portadores de carga elctrica: la zona de deplexin se hace ms ancha, ofreciendo
mayor resistencia al paso de corriente elctrica.

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Corriente inversa de saturacin (Is)

Los portadores minoritarios ven favorecido su arrastre a travs de la zona de deplexin
gracias al efecto del campo elctrico aplicado. Dado que la concentracin de portadores
minoritarios (generacin intrnseca) es constante para una temperatura dada, al aumentar
la tensin aplicada, aumenta tambin la corriente de arrastre, pero solamente hasta que
todos los portadores minoritarios participen en la conduccin. En ese momento, la
corriente de arrastre ya no crecer ms y permanecer constante. A dicha corriente se la
denomina corriente inversa de saturacin, y se caracteriza por ser una corriente muy
pequea (del orden de los A). Dado que la corriente inversa de saturacin depende de la
generacin intrnseca, y sta a su vez depende de la temperatura, se deduce que al
aumentar la temperatura tambin lo har la corriente.
En este caso, la componente de corriente debida a los portadores mayoritarios (I r) es
prcticamente despreciable, ya que al aumentar la barrera de potencial, ser menor el
nmero de portadores mayoritarios que tengan la energa cintica suficiente para
atravesarla por difusin.

Si la tensin inversa aplicada crece excesivamente, aumentar tambin el campo elctrico

aplicado, lo que puede hacer que los portadores minoritarios se aceleren excesivamente,
chocando y arrancando nuevos portadores de la estructura cristalina. Este fenmeno se
denomina ruptura por avalancha y puede producir la destruccin de la unin PN.

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a. CARACTERSTICA TENSIN-CORRIENTE DEL

DIODO
Analizando las componentes de corriente de una unin PN, se llega a la siguiente relacin
entre corriente y tensin:
I I s (e

V tensin de nodo a ctodo

I corriente de nodo a catodo
Is corriente inversa de saturacin

qV
K T

1)

q carga de un portador
K cte de Boltzmann
T temperatura

Si el diodo se encuentra directamente polarizado: V > 0 I > 0 la corriente circula de

nodo a ctodo. Por debajo de la tensin umbral (V) la corriente es muy pequea,
prcticamente despreciable. Para valores superiores a V, la corriente comienza a crecer
qV

de manera exponencial: I I (e K T 1) . No obstante, para valores muy grandes de V

s
llega un momento en que la barrera de potencial en la unin es casi nula, por lo que la
caracterstica es prcticamente una lnea recta. A partir de dicho momento, la ecuacin
deja de ser vlida y la corriente vendr determinada por la ley de Ohm (I = V / R D), donde
la resistencia
ser la debida al material y los contactos hmicos.
Si el diodo se encuentra inversamente polarizado: V < 0 I < 0 la corriente circula de
qV

ctodo a nodo. Dado que la tensin V es negativa, el valor de la exponencial e K T tiende

a cero, por lo tanto: I Is . Si se alcanza un cierto valor de tensin inversa aplicada
denominado tensin de ruptura (VBR), la ecuacin deja de tener validez, de forma que la
corriente inversa aumenta, producindose la ruptura de la unin.

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De este anlisis se concluye que, cuando el diodo est directamente polarizado, circula
por l una corriente elctrica constante dependiente de la tensin aplicada, mientras que
cuando el diodo est inversamente polarizado, circula por l la corriente inversa de
saturacin prcticamente despreciable e independiente de la tensin aplicada.

b. RESISTENCIA DE UN DIODO
Resistencia esttica (R)
La resistencia esttica R es la relacin V/I para cualquier punto de trabajo del diodo. Se
define como la inversa de la pendiente que une el origen de coordenadas con el punto de
trabajo (punto Q).

VQ
IQ

cot

Polarizacin Directa R = RF V = 0.7v , I = 10mA RF = 80 R pequea

Polarizacin Inversa R = RR V = -50v , I = -0.1mA RR = 500M R grande
Resistencia dinmica (rd)
La resistencia dinmica rd es un parmetro muy importante cuando se trabaja en pequea
seal (seales alternas de baja frecuencia). Se define como la inversa de la pendiente de
la caracterstica del diodo en el punto de trabajo Q.

rd

V
I

lim
Q

I 0

V
dV

I
dI

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I Is (e

qV
K T

Unin PN

qV

dV

KT

KT 1

dI
q

K T
qV
1) dV K T Is e dI
q
q
I
Is e K T

DIODO
c. CAPACIDAD DE UN
La unin PN se comporta como un condensador cuya capacidad es funcin de la tensin
aplicada y en el que el dielctrico es la zona de deplexin, cuyo espesor es variable.
Polarizacin directa: capacidad de difusin (CD)
Esta capacidad es la responsable de la limitacin de la velocidad de conmutacin del
diodo y es debida al mecanismo de difusin de cargas a travs de la unin.
La expresin para calcular CD es: CD

q I
KT

tiempo promedio que tarda un electrn en moverse entre dos huecos

Como se observa, CD es directamente proporcional a la corriente, por lo que aumenta

muy rpidamente con tensiones positivas.

Polarizacin inversa: capacidad de transicin (CT)

Esta es la capacidad a tener en cuenta cuando el diodo trabaja con seales alternas de alta
frecuencia. La capacidad CT vara en funcin de la anchura de la zona de deplexin, la
cual se modula a su vez en funcin de la tensin inversa aplicada. Los fabricantes
proporcionan el valor de CT mediante curvas dependientes de la tensin inversa aplicada
(VR)
La expresin que relaciona CT con VR es: CT CC
CC capacidad de la cpsula
CO capacidad del diodo con VR = 0
n = 1/2 1/3, dependiendo del tipo de unin
En resumen:

Co
1 2 VR n

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Polarizacin directa CD >> CT

Polarizacin inversa CT >> CD

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d. CIRCUITOS EQUIVALENTES DE UN DIODO

Diodo ideal

1 aproximacin

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2 aproximacin

3 aproximacin

4 aproximacin (diodo ideal)

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