RESEE 2009/2010

Anlise de Curto-Circuitos Simtricos

Carlos Moreira

Curto-Circuitos
Conceitos gerais

Um Curto-Circuito (CC) corresponde a uma alterao estrutural abrupta num Sistema

Elctrico de Energia (SEE), caracterizada pelo estabelecimento de um contacto elctrico
fortuito atravs de um circuito de baixa impedncia entre dois pontos a potenciais
diferentes.

Ocorrem em:

Barramentos das Subestaes, PT, quadros elctricos, geralmente devido aco de

elementos externos;

Linhas areas, devido a sobre-tenses de descargas atmosfricas ou aco de

elementos externos (aves, ramos de rvores, etc.), ruptura de condutores,

isoladores e apoios;

Cabos subterrneos, transformadores e mquinas rotativas e aparelhagem de corte,

devidos a falhas de isolamento (aquecimento, efeitos mecnicos, envelhecimento,
campos elctricos elevados).

Tem como consequncias:

Correntes elevadas (substancialmente superiores s correntes de carga verificadas

em condies normais), que se durarem demasiado tempo provocam o
aquecimento dos condutores e a deteriorao irreversvel do equipamento;

Correntes elevadas, que provocam esforos electrodinmicos entre fases dos

elementos condutores dos equipamentos (barramentos, enrolamentos, etc.);

Variaes de tenso, com quedas de tenso muito elevadas em algumas fases e

por vezes com elevaes de tenso em outras.

Curto-Circuitos
Conceitos gerais

O clculo de CC necessrio para efeitos de dimensionamento dos

equipamentos da rede:

Os condutores, isoladores e cabos, devem suportar o aquecimento causado

pela corrente mxima do CC, durante o tempo de actuao das proteces.

Os suportes, barramentos e enrolamentos, devem suportar os esforos

electrodinmicos para a corrente mxima do CC.

Os disjuntores, devem ter poder de corte para a corrente mxima do CC.

Os rels, so ajustados para correntes de CC calculadas em diversos

pontos da rede e para diversos tipos de CC.

Existem vrios tipos de CC:

CC simtricos, envolvendo as trs fases com uma impedncia de defeito igual

em todas as fases. Se a impedncia for nula designa-se um CC franco.

CC assimtricos, so os CC que envolvem apenas uma fase (fase-terra) ou duas

fases (fase-fase e fase-fase-terra).

Curto-Circuitos
Correntes de Curto-circuito: Definies e Caractersticas

Define-se Corrente de Curto-Circuito como a corrente que flui atravs do

defeito enquanto este persiste.

Os SEE so projectados de forma a ser possvel a limitao dos CC rea

mais restrita possvel, mediante a utilizao de equipamento apropriado que
pode ser operado em condies de CC sem sofrer degradao das suas
condies fsicas.

A forma de onda da corrente de CC depende do valor da onda de tenso no

instante em que ocorre o defeito ilustrao

Curto-Circuitos
Correntes de Curto-circuito: Definies e Caractersticas

Z Z '' arg( ) R'' j L''

''

Corrente de CC inicial simtrica

I
''
k

Carga

Z c Rc j Lc

i(t ) i 0 2 I sen( ) e
i(0) Pode desprezar-se
Corrente inicial muito
pequena, por ser Z << Zc
iDC componente contnua da
corrente de CC, tende para
zero ao fim de t=5L/R (s)

R L
''

''

L'' X ''
tg ''
R
R

Esfasamento da tenso
relativamente ao instante do CC

''
k

R
L

2 I k'' sen(t )

componente estacionria da
corrente de CC, uma componente
peridica simtrica

Existe um instante mais desfavorvel para

ocorrer o CC, em que a corrente i(t) mxima

Curto-Circuitos
Correntes de Curto-circuito: Definies e Caractersticas
i(t)
Situao mais desfavorvel:
onda de tenso passa por zero no
momento de ocorrncia do cc
(valor mximo da componente
contnua) possvel duplicao
da corrente de pico em relao
corrente de CC inicial simtrica

u(t)

i(t)
Situao mais favorvel:
onda de tenso passa pelo valor de pico
(max. ou min.) no momento de ocorrncia
do cc (componente contnua nula).
A corrente de CC no apresenta
componente contnua.

u(t)

Curto-Circuitos
Correntes de Curto-circuito: Definies e Caractersticas

A presena de uma componente DC na corrente de curto-circuito faz com

que esta apresente caractersticas de assimetria nos instantes que se
seguem ao aparecimento do CC.

No exemplo anterior, a impedncia foi considerada como invariante no

tempo. No entanto, as mquinas sincronas e cargas do tipo motor (sincrono
ou assncrono), sendo as principais fontes das correntes de CC,
apresentam um comportamento diferenciado no que respeita sua
indutncia interna em diferentes momentos do tempo

No se pode assumir uma impedncia constante na anlise de CC

Definem-se ento trs perodos relativos variao no tempo da

componente fundamental da corrente de curto-circuito:

Perodo sub-transitrio: perodo inicial durante o qual a corrente de cc diminui rapidamente de valor;

Perodo transitrio: perodo seguinte, correspondendo a uma diminuio mais lenta da corrente de cc,
at ser atingido o valor permanente desta corrente;

Perodo permanente: perodo em que a corrente de curto-circuito apresenta o seu valor estacionrio.
Obviamente, este perodo no ser atingido, dado que o tempo total de isolamento do defeito muito
inferior.

Curto-Circuitos
Correntes de Curto-circuito: Definies e Caractersticas

Para cada um dos trs perodos identificados, decisiva a

contribuio dos alternadores (geradores sncronos) e motores,
em resultado das variaes das respectivas reactncias:

Perodo sub-transitrio: reactncia sub-transitria Xk para Ik

Perodo transitrio: reactncia transitria
Xk
Perodo permanente: reactncia sncrona
Xsk

Sub-transitrio
(0,02s a 0,05s)

Transitrio
(0,05s a 3s)

Permanente

Curto-Circuitos
Correntes de Curto-circuito: Definies e Caractersticas
Ik Corrente de CC inicial simtrica: valor eficaz da corrente de curto-circuito simtrica
no instante em que ocorre o curto-circuito. parte dos restantes compontes da rede, o seu valor
determinado tendo em considerao as reactncias sub-trnsitrias das mquinas presentes no sistema.

Sk Potncia de CC inicial simtrica Sk

3 U n I k''

(S.I.)

ip Valor de pico da corrente de CC: valor mximo

2 2 I k''

instantneo da corrente de cc (depende do instante do ciclo da onda

de tenso em que ocorre o cc)

idc Componente contnua da corrente de CC

2 2 Ik

Ik Corrente de CC permanente
Valor eficaz da corrente de cc simtrica que permanece aps
o desaparecimento da fase trnsitria do fenmeno

Curto-Circuitos
Correntes de Curto-circuito: Definies e Caractersticas
CC prximo do alternador
A componente alternada simtrica da corrente de CC vai diminuindo desde a corrente
inicial simtrica de cc at corrente de cc permanente. Este decrescimento deve-se
variao no tempo da reactncia das mquinas sncronas e sua influncia na
variao da impedncia vista do local de defeito.

CC afastado do alternador
A corrente de CC inicial simtrica Ik praticamente constante durante o cc. Tal
deve-se ao pequeno peso relativo que as mquinas sncronas tm no valor da
impedncia equivalente.

Curto-Circuitos
Variao no tempo da Corrente de CC

Para determinar o valor de pico da corrente de cc ip, multiplica-se o valor mximo da

corrente da corrente de cc inicial simtrica por um factor emprico associado
mxima percentagem de componente contnua previsvel:

i p 2 I k''

Este factor traduz a maior ou menor rapidez de decaimento da componente

contnua e funo da razo R/X vista do local de defeito:

1, 02 0,98 e

R''
X ''

Curto-Circuitos Simtricos
Modelo dos componentes do sistema

Componentes que alimentam o CC:

Componentes que limitam os valores das correntes

de CC:

Mquinas sncronas
Mquinas assncronas

Transformadores
Linhas e cabos

Os modelos de transformadores, linhas, cabos e

cargas so semelhantes aos utilizados nos trnsitos
de potncia.

Curto-Circuitos Simtricos
Modelo dos componentes do sistema

Modelos de cargas

V
S V I VY *V * V 2 Y Y
*

S P jQ

1
Y

P jQ
V2

As cargas, se passivas, podem ser representadas por impedncias constantes

As impedncias das cargas so muito elevadas em comparao com as

impedncias dos restantes componentes, em alguns modelos de CC
desprezam-se assumindo erros da ordem de 5% (-5% que o valor com carga).
Se desprezar apenas a parte activa das cargas os erros sero inferiores a (-1%)

As cargas reactivas, no passivas (motores de induo), podem contribuir para

alimentar o CC no perodo sub-transitrio

Curto-Circuitos Simtricos
Modelo dos componentes do sistema

Z jX '' ou jX ' ou jX s

Modelos de mquina sncrona

X''
X'
Xs

p.u.
0,1 - 0,2
0,2 - 0,4
1,0 - 1,3

E i =V i Z I
''

''

E i =V i Z I
'

'

E i =V i Z I
0

Despreza-se a resistncia dos enrolamentos (se no for conhecida)

Considera-se apenas a frequncia fundamental , desprezando-se a freq. dupla
Usa-se um factor emprico para ter em conta a componente contnua
Considera-se um regime quase estacionrio (admite-se que a corrente simtrica no

decresce em amplitude) em cada perodo (sub-transitrio, transitrio e simtrico)

Para disjuntores rpidos (RNT: 1,5 a 2 ciclos) usa-se a reactncia sub-transitria
Para disjuntores lentos (Distribuio: 4 a 5 ciclos) usa-se a reactncia transitria
Para clculo de esforos electrodinmicos usa-se a reactncia sub-transitria

Curto-Circuitos Simtricos
Modelo dos componentes do sistema

Equivalentes de rede
Ik

Sk'' I k'' (pu)

c Vnk
(SI)
''
3 Zk
c
I k'' '' (pu)
Zk
c
Z k'' '' (pu)
Sk

I k''

''
k

Alguns comentrios:

S k'' 3 Vnk I k''

Bases :
Sb , Vb Vnk

Dividindo
por Sb

Dividindo
por Ib

Ib

Sb
3 Vnk

Valores iniciais da tenso

a considerar (parmetro c)

BT (<1 kV)
MT (< 35 kV)
AT e MAT

Icc_max
1,0
1,1
1,1

Icc_min
0,95
1,0
1,0

Consiste no equivalente de Thvenin que representa a rede para montante

Caracterizado por uma potncia de curto circuito Scc ou corrente de cc Icc
Scc mximo da rede quando: as cargas so mximas (pontas; Zcarga mnimo), as contribuies de
produo so mximas, tenses iniciais mais elevadas, configuraes de rede mais emalhadas
Scc mnima da rede quando : as cargas so mnimas (vazio; Zcarga mximo), o nmero de grupos
ligados menor, tenses iniciais mais baixas, configuraes de rede pouco emalhadas

Curto-Circuitos Simtricos
Modelo dos componentes do sistema
1

Y 12

1
R12 jX 12

Linhas, Cabos e transformadores

Y sh _12

Y sh _12

jC12
2

Usa-se o modelo em PI, tal como nos estudos de trnsitos de potncia

Nas linhas areas de MT AT e MAT pode desprezar-se R e Ysh, com erros inferiores a 1%
(obtm-se +1% que com os modelos completos). Em BT ou em redes com cabos j tem
importncia (fundamental se R>>X, que o caso da BT).

Usualmente os cabos limitam menos as CC que as linhas, por terem reactncia X mais baixa
(mas depende do tipo de montagem dos cabos)
Nos transformadores existem componentes longitudinais que so uma componente de
reactncia de fugas Xf e uma resistncia pequena que pode ser desprezada. As componentes
transversais so a resistncias de perdas no ferro (desprezvel) e reactncia de magnetizao
que na maior parte dos transformadores muito elevada.
Para CC assimtricos necessrio ter em conta a configurao de enrolamentos do
transformador, como veremos mais tarde.

Curto-Circuitos Simtricos
Modelo dos componentes do sistema

jX ''
Modelo de mquina assncrona

E i =V i Z I
''

''

Funciona geralmente como motor, mas nos instantes iniciais do CC passa a

funcionar como gerador.
Durante o CC deixa de receber a energia reactiva da rede, que necessita para a
excitao, diminuindo rapidamente o fluxo magntico, contribuindo para o CC
apenas durante o perodo sub-transitrio (2 a 4 ciclos).
A contribuio de corrente para o CC praticamente igual corrente de
arranque como motor

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia de geral de clculo

Objectivo:
Clculo da corrente de CC inicial simtrica no n de defeito

Clculo das tenses ps defeito em todos os ns

Clculo das correntes ps-defeito em todos os ramos

Pressupostos:
A rede equilibrada e simtrica, antes e aps o defeito, as fontes
geram sistemas trifsicos equilibrados de f.e.m., e os defeito
tambm simtrico, pelo que se pode fazer uma anlise por fase

Os parmetros dos componentes so constantes, correspondendo ao

perodo sub-transitrio

A simulao de defeito consiste na introduo de uma impedncia de

defeito Zd entre o n de CC e a referncia do circuito

Assim, a anlise de CC resume-se ao estudo em regime permanente

e simtrico de circuitos lineares.

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia geral clculo
V2 150 kV

Sb 50 MVA

VbG 10 kV

Exemplo ilustrativo

Vb Re de 150 kV

50 MVA
10 kV

X '' 20%
CC trifsico simtrico
franco no barramento 2

x f 10%
1

j 45

V 2 1 p.u.

30 MVA
cos 0,8 ind

10 MVA
cos 0,8 ind

Converter para sistema pu

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia geral clculo

Passo 1 Clculo dos valores pr-defeito de tenses e correntes

usando um trnsito de potncias

~
I G 0,79/ 36.2
0

V 1 1,037/ 2,7
0

V 2 1,000/ 0
0

I C1 0,19/ 34.2

j 0,1

I C 2 0,60/ 36.9
0

I 12 0,60/ 36.9
0

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia geral clculo

Passo 2 Construo do diagrama unifilar da rede

EG

~
jX '' j 0, 2
jX f j 0,1

Z C1 4,32 j3, 24

Z C1

j 0,1

0 2
1

PC1 jQC1

Z C 2 1,34 j1,00

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia geral clculo

Passo 3 Aplicar o teorema de Thvenin no n de defeito, para

simular a introduo de um novo ramo no circuito (o ramo do CC)
3

jX '' j 0, 2
Z C2

Z C1

jX f j 0,1
1

j 0,1

1. Aplicar uma f.e.m. de Thvenin ET no n de CC,

correspondente ao valor pr-defeito da tenso nesse ponto
2. Colocar em srie com a f.e.m. a impedncia de defeito Zd
3. As restantes fontes de tenso so curto-circuitadas, sendo
substitudas pela respectiva impedncia interna

1
2

ET V 2 1,000/ 0
0

Zd 0

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia geral clculo

Passo 4 Com base no teorema de Thvenin, resolver o circuito

calculando as variaes de tenso e variaes de corrente devidas
introduo do ramo de CC.

V 2 Z eq I 2
T

''

jX ''
I

T
C1

0,14/142.4

Z C1

I 2, 48/ 269.3

I C 2 0,60/143,1
T

ZC 2

T
G

jX f
V 2 ET Z d I 2
T

j 0,1

V 1 0,743/179,3

''

I 12 2,56/ 88,7
T

A corrente de CC inicial simtrica fica

calculada neste passo, porque a variao
igual ao valor final (no existia corrente
inicial por no existir o ramo de CC).

0
2

V
I
Z eq Z d
''
2

Zd

ET V 2 1,000/ 0
0

I 2 2,97/ 79,6
''

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia geral clculo

Passo 5 Segundo o teorema da sobreposio, o valor das correntes e

tenses finais pode ser obtida pela soma algbrica dos valores pr-defeito
com os valores de variao causada pela f.e.m. ET do ramo do CC.

I I I
f

V V V
f

I 3,01/ 78,3
f
G

V 2 0,000/ 0
f

j 0,1

V 1 0, 298/11
f

I 2 2,97/ 79,6
''

I 12 2,97/ 79,6
f

I C1 0,06/ 25,6
f

Z C1

I C 2 0,0/ 0,0
f

Z C2
Zd

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia geral clculo

Anlise de resultados do exemplo radial

As tenses ps-defeito so muito baixas no ponto de CC,

aumentando para ns prximos dos geradores

As correntes ps-defeito so predominantemente indutivas, em

atraso cerca de 90 relativamente s tenses (trnsitos de reactiva
dos geradores para o defeito)

A corrente das cargas ps-defeito diminui muito, especialmente

junto do ponto de CC, pelo que aceitvel desprezar as cargas j
que estas pouco significam no clculo do equivalente te Thvenin.

A corrente nos ramos aumenta muito relativamente ao valor inicial,

pelo que aceitvel considerar o sistema inicial em vazio, evitando
o clculo do trnsito de potncias inicial.

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

SEE genrico com n ns, sendo k o n onde se pretende simular a

ocorrncia de um cc trifsico simtrico

k: n de defeito

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Vectores (dimenso: n) referentes aos valores das tenses nodais:

Vector das tenses nodais pr-defeito: obtido mediante a resoluo de um problema

de trnsito de potncias para as condies de explorao do sistema antes da
ocorrncia do defeito
0
V
1

0 0
V V k


V 0
n

Vector das variaes das tenses nodais (tenses de Thvenin): calculado por
aplicao do Teorema de Thvenin. Para tal considera-se o esquema unifilar da
rede, utilizando os modelos dos diversos componentes referentes aos estudos de
cc, com todas as fontes de tenso curto-circuitadas e substituidas pelas respectivas
impedncias internas.
Em srie com a impedncia de defeito Zd ligada entre o n k e o n de referncia,
considera-se uma fonte de tenso com f.e.m ET=V k0
V T
1


T
V V Tk


V T
n

k
~
Zd

ET=V k0

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Vectores (dimenso: n) referentes aos valores das tenses nodais:

Vector das tenses nodais ps-defeito: por aplicao do teorema da sobreposio,

pode calcular-se o vector das tenses nodais ps-defeito
V f
1

V f V kf

V f
n

V V
0

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Formulao matricial usando a matriz das impedncias do diagrama

unifilar da rede de Thvenin: clculo das tenses de Thvenin (variao
da tenso nos ns)

V T Z
1 1k

T
V k Z k1


V T Z n1
n

Z 1k
Z kk
Z nk

Z 1n 0

Z kn I ''
k

Z nn 0

Na diagonal i:
Impedncia equivalente Zeq a montante do n i
V Tk Z kk I ''k Z kk

I ''k
Zd

Z kk

V Tk Z kk I ''k
~

V Tk
I ''k

Fora da diagonal ik:

Impedncia que relaciona o efeito da corrente
injectada no n k com a variao da tenso no n i
V Ti Z ik I ''k Z ik

V Ti
I ''k

I ''k

Zd

ET=V k0

I ''k

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Clculo das tenses ps-defeito

V f
1

f
V k

V f
n

V 0 V T V 0
1 1 1

0 T 0
V k V k V k


V 0 V T V 0
n n n

Z 1k
Z kk
Z nk

0
''
0 V 1 Z 1k I k

I '' V 0 Z I ''
kk k
k k

0 0
''

V n Z nk I k

S a coluna do
n de defeito
Tenses
ps-defeito

Tenses
pr-defeito

Tenses de Thvenin
(variaes das tenses nodais)

Corrente de CC
Inicial simtrica

I ''k

V 0k
Z kk Z d

V kf Z d I ''k

I ''k
Zd

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional
Etapa 1: Condies de operao pr-defeito (p.u.)

V i0

1) Resoluo do trnsito de potncias:

Etapa 2: Variaes provocadas pelo defeito (p.u.)

2.1) Construo do esquema unifilar do equivalente de Thvenin (em p.u.)

Y Z

2.2) Construo da matriz das impedncias nodais:

2.3) Clculo da corrente de defeito:

I ''k V 0k

Z kk Zd

Etapa 3: Condies de operao ps-defeito (p.u.)

3.1) Clculo da tenso nos ns:

3.2) Clculo da corrente nos ramos:

3.3) Clculo das contribuies de

geradores e equivalentes de rede:

no barramento k

Restantes barramentos i

V kf Z d .I ''k

V if V i0 V Ti V i0 Z ik .I ''k

I ijf V if V

f
j

I gf I 0g I Tg I 0g

z ij V if Ysh _ ij / 2
V Ti
jx''g

I 0g

0
i

V if
jx''g

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Exemplo

X g ''

Scc
CC trifsico simtrico
franco no barramento 2

x fT
1
P2 jQ2

z12 r12 jx12

y sh _12

Converter para sistema pu

2
P2 jQ2

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Passo 1 Clculo dos valores pr-defeito de tenses e correntes

usando um trnsito de potncias

~
0

Ig

IR
0

0
1

V2
0
C1

0
12

0
21

I C2

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Construo do diagrama unifilar da rede

EG

~
jX g''

jX R'' j

jX fT

y12

1
Y C1

PC1 jQC1
0 2
1

1,1 (p.u.)

y sh _12

jC12
2

1
r12 jx12

y sh _12

1,1
1,1
j
SCC
QCC

2
jC12
2

Este no o diagrama equivalente de Thvenin !

Y C2

PC 2 jQC 2
V20

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Y G j B

Diagrama unifilar equivalente de Thvenin

Construo da matriz [Y] equivalente de Thvenin

X
j B j

''
g

Q
1
x
C12 ysh _12 2
X fT V 0
r12 x122
1

y12

jX g''
Y C1

jX fT

PC1 jQC1
V10

x
r122 x122

y sh _12

x
r122 x122

QC 2
1
x

sh _12
X R'' V 0 2
r122 x122
2

r
x

j
r12 2 x12 2
r12 2 jx12 2

jC12
2

y sh _12

jC12
2

Y C2

PC 2 jQC 2
V20

jX R''

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Y G j B

Diagrama unifilar equivalente de Thvenin

P r
V r x
G r

r x

C1
0 2

12

12

12

12

12

PC 2
V10

y12

jX g''
Y C1

jX fT

PC1 jQC1
V10

y sh _12

r
r122 x122

r
r122 x122

Geralmente possvel
desprezar [G]
(erros inferiores a 1%)

r
x

j
r12 2 x12 2
r12 2 jx12 2

jC12

y sh _12

jC12

Y C2

PC 2 jQC 2
V20

jX R''

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Inverso da matriz [Y] para obter a matriz [Z]

Pode ser obtida por inverso de [Y], trabalhando com complexos.

Ou mais fcil: invertendo matrizes reais:

Y G j B

B
G

Re Z Im Z

Im
Z
Re
Z

Pode ser obtida por construo directa adicionando sistematicamente os ns e

ramos da rede

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Tenses ps-defeito

Corrente de CC
I ''k

V f
1

f
V k

V f
n

V 0k
Z kk Z d

V 0
1

0
V k


V 0
n

Z 1k
Z kk
Z nk

0
''
0 V 1 Z 1k I k

I '' V 0 Z I ''
kk k
k k

0 0
''

V n Z nk I k
f

V2

V1

I 2''
Z C1

Z C2

Zd

Curto-Circuitos Simtricos
Metodologia sistemtica para clculo computacional

Correntes
Ps-defeito

Clculo da
corrente
nos ramos:

~
I

f
I 12

f
1

V 2f
z12

f ysh _ 12
1
2

Clculo das contribuies do

gerador e rede ( necessrio usar
valores iniciais de corrente)

I gf

f
G

f
I 21

I 0g

I Cf 1

Clculo das correntes

nas cargas

f
2

V 1f
z12

V 10 V 1f
jX ''g

I Rf

jX fT

V 1f
0
I C1

V 10

Z C1

I 0R

0
IC
1

f
2

ysh _ 12

2

V 02 V 2f
jX ''R

V 1T
Z C1
f

z12 r12 jx12

V1

I
f

I C1

Z C1

V2

f
12

''

I2

f
12

f
C2

Z C2

Zd

IR

Curto-Circuitos Simtricos
Construo da matriz das impedncias

Construo da matriz das impedncias a partir da matriz de admitncias

Y 11

Y k1

Y
n1

Y 1k
Y kk
Y nk

Y 1n

Y kn

Y nn

Z 11

Z k1

Z
n1

Z 1k
Z kk
Z nk

Z 1n

Z kn

Z nn

Invertendo complexas com matrizes reais:

Fora da diagonal (linhas e transformadores):

Y ik y ik (i k )

Y G j B
Re Z Im Z G

Im Z Re Z B

B
G

Na diagonal principal:
y sh _ linha _ ik Pc arg a _ i jQc arg a _ i
1
1
Y ii y linha _ ik

''
0 2
2
jX
Z eq _ rede _ i
k
k
eq _ gerador _ i jX f _ transformador _ i
V
i

Linhas e transformadores
ligadas ao n

Cargas

Grupos geradores

Equivalentes
de rede

Curto-Circuitos Simtricos
Construo da matriz das impedncias

Construo directa da matriz das impedncias

Em sistemas de grandes dimenses (milhares de ns), o processo de
inverso de uma matriz numericamente ineficiente
Por cada alterao topolgica no sistema, necessrio repetir o
processo de inverso da matriz de admitncias
V1

1
I1

Z1

V2

I2

Z3

Z4
Z2

V3

I3

Z5

Curto-Circuitos Simtricos
Construo da matriz das impedncias

Algoritmo de construo directa da matriz Z

Passo 1: considerar apenas os ramos da rede estabelecidos entre

qualquer um dos seus ns e o n de referncia (terra)
No exemplo apresentado, tm-se os ramos com Z4 e Z5
V1

I1

Z1

V2

I2

Z3

Z5

V 1 Z 5 I 1
V 1 Z 5

Z
I
4 2
V 2 0
2

Z4

I3

0 I1
Z 4 I 2
Z

Z2

V3

Para os ramos identificados, podem-se

escrever as seguintes equaes:

Regra: identificados os k ramos do

sistema estabelecidos entre qualquer um
dos seus ns e o n de referncia,
construir matriz diagonal de dimenso
(kxk), tendo em cada posio da
respectiva diagonal principal a
impedncia de cada um dos ramos

Curto-Circuitos Simtricos
Construo da matriz das impedncias

V1

Passo 2: identificar o ramo da rede que se estabelece entre um dos

ns presentes na equao matricial do Passo 1 e outro n ainda no
considerado
A impedncia Z2 liga o n 2 a um novo n (n 3)
1

I1

V 3 V 2 Z 2 I 3

V 2 Z 4 I 2 I 3
V Z I
5 1
1

Z1

V2

I2

Z3

Para esta situao, podem-se escrever

as seguintes equaes:

Z5

Z4
Z2

V3

I3

O conjunto de equaes do Passo 1

completa-se da seguinte forma

V 1 Z 5 I 1
V 1 Z 5

V 2 Z 4 I 2 I 3 V 2 0
V V Z I
V 3 0
2 3
2
3

0
Z4
Z4

I1
Z 4 I 2
Z 2 Z 4 I 3
0

Curto-Circuitos Simtricos
Construo da matriz das impedncias

De uma forma geral, a ligao de um ramo de impedncia Zr entre o

n k+1 (n novo)e o n j (j existente) conduz seguinte equao:
V k 1 V j Z r Z jj I k 1

Zr
SEE

k+1

I k 1

Genericamente
V j Z j1 I 1 ... Z jj I j ... Z jk I k

Substituindo na equao anterior:

Z jj
V

Zr

I k 1

Equivalente de Thvenin no n j

V k 1 Z j1 I 1 ... Z jj I j ... Z jk I k Z r Z jj I k 1

V k 1

Curto-Circuitos Simtricos
Construo da matriz das impedncias

Actualizao do valor da tenso no n i pertencente ao grupo de ns

1k j existentes
Zr
SEE
i

k+1

I k 1

Equivalente
de Norton
SEE
i

O SEE fica ento reduzido ao

sistema j existente, onde
aparece uma nova injeco de
corrente no n k: I k 1

I k 1

V 1 Z 11


V i Z i1


V j Z j1


V Z k 1
k

Z 1i

Z1j

Z ii

Z ij

Z ji

Z jj

Z ki

Z kj

Z 1k I 1

Z ik I i

Z jk I j I k 1

Z kk I k

Curto-Circuitos Simtricos
Construo da matriz das impedncias

Actualizao da matriz de impedncias para incluir o n k+1

Zr

SEE

V1

Vk

V
k 1 Z j1

k+1

I k 1

I1

Z kj I k

Z r Z jj I k 1
Z1j

Z old
Z jk

Curto-Circuitos Simtricos
Construo da matriz das impedncias

Passo 3: identificar o ramo da rede que se estabelece entre dois ns

j includos na estrutura topolgica da rede (ou seja, j includos na
matriz de impedncias)
A impedncia Z3 liga o n 1 ao n 3: criao de uma malha com
corrente de circulao IL
V1

1
I1

IL
Z1

V2

I2

Z3

Z4
Z2

V3

I3

Z5

Curto-Circuitos Simtricos
Construo da matriz das impedncias

SEE

IL

Zr

V i V j Z r I L 0

V 1


V i

V j


V k

Z old

V Z old I A I L

V
I

1
1

V
I

i
L
i
I I V
L
j
j

V k
k

Z old

I 1 Z 1i Z 1 j

Z ii Z ij
Ii
I Z Z I L
jj
j ji

Z Z
kj

I k ki

Curto-Circuitos Simtricos
Construo da matriz das impedncias

Da equao matricial podem ser derivados os valores da tensesV e V

i

V i Z i1
V j Z j1

Z ik I Z ii Z ij I L
Z jk I Z ji Z jj I L

A equao da malha definida pela introduo do novo ramo de

impedncia Zr pode ser reescrita, de forma a poder calcular a
corrente de circulao nessa mesma malha:
V i V j Z r I L 0
Z ik I Z ii Z ij I L Z j1

Z i1
Z i1 Z j1
IL

Z jk I Z ji Z jj I L Z r I L 0

Z ik Z jk I 2Z ij Z ii Z jj Z r I L 0

1
Z i1 Z j1
2Z ij Z ii Z jj Z r

Z ik Z jk I
B

Curto-Circuitos Simtricos
Construo da matriz das impedncias

Modificaes sobre a matriz de impedncias

V Z old I A I L
V Z old I A B I

1
2Z ij Z ii Z jj Z r

1
V

A
B
old
2Z ij Z ii Z jj Z r

A k 1
B 1 k
A B k k

Z 1i Z 1 j

Z ii Z ij
A

Z Z
jj
ji

Z
ki
kj

B Z i1 Z j1

Z ik Z jk