INSTITUTO TECNOLGICO

LEN

DE

Ingeniera en Electrnica

Diodos y Transistores.

Practica 4: Transistor BJT

Elabora:
Nicole Sols Gonzlez
Osvaldo Snchez Muoz

Asesoro:
ING. Miguel ngel Vzquez Olgun

Len Gto. A 29 de Septiembre del 2014

Practica No. 4
Ttulo: Transistor BJT. Polarizacin de Base

Fecha: 15 de Octubre del 2013

INTRODUCCION:
Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de tres terminales, ncleo de
circuitos de conmutacin y procesado de seal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en electrnica, a la vez que se han ido
incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No
existe desgaste por partes mviles).
Por ello es importante conocer su comportamiento ante diferentes seales as como saber cmo probar
que estn en buen estado.
MARCO TERICO

Transistor. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer y resistor

(Resistencia de transferencia). Consiste en un dispositivo electrnico semiconductor que
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Por lo regular
consta de dos funciones:

Dejar pasar o cortar seales elctricas a partir de una pequea seal de mando,
esto es el comportamiento de un switch.
Funciona como un elemento amplificador de seales.

Existen dos tipos de transistores: el transistor Bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)
y el transistor unipolar o de efecto de campo FET (Field Effect Transistor). sta prctica
utiliza el transistor BJT

Transistor Bipolar de Juntura (BJT). Consta de tres cristales semiconductores

(usualmente de silicio) unidos entre s. Segn como se coloquen los cristales hay dos tipos
bsicos de transistor bipolar: El transistor NPN es el caso de un bloque P situado entre dos
bloques N. Es el ms comn. El transistor PNP es lo contrario, cuando un bloque N est
situado entre dos bloques P (Figura 1). Visto de otra forma, el transistor puede tomarse
como la unin de dos diodos (Figura 2)

Figura 1. Simbologa de transistores

NPN y PNP

Figura 2. Un transistor es la unin de

dos diodos
2

En la figura 1 se puede apreciar cada una de los bloques en los que se realiza un
contacto metlico y que da origen a 3 terminales: Base (B) que es quien controla el
paso de corriente a travs del transistor, ste es el bloque de en medio; el Colector
(C) que se encarga de recoger los portadores de carga; y el Emisor (E) que se
encarga de proporcionar los portadores de carga.

Polarizacin de Base. La polarizacin de la base es la configuracin que se hace

con el transistor BJT para que ste opere como un amplificador. Para ello, las dos
uniones pn deben estar correctamente polarizadas con voltajes de CD externos,
como lo ilustra la figura 3, las uniones base-emisor y base-colector se polarizan en
directa, y la corriente que fluye por el colector IC estar en funcin de la corriente
que pase por la base IB esto a causa de un concepto por analizar: la Beta del
transistor. Para objetos de sta prctica se analiza con transistor npn pero cuando la
operacin se realiza con transistores pnp las polaridades del voltaje de polarizacin
(voltajes de las fuentes) y las direcciones de corriente se invierten como lo muestra
la figura 3.

Figura 3. Corrientes en un circuito con polarizacin de base de un transistor npn

Figura 4. Polarizacin de base de un transistor npn (a) y pnp (b).

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Ttulo: TRANSISTOR BJT

Fecha: 29/SEPTIEBRE/2014

Beta () de un transistor. La ganancia de corriente de cd de un transistor es el

cociente de la corriente de CD del colector (IC) entre la corriente de CD de la base
(IB) y se expresa como beta de CD (CD).

La CD no se trata de una constante, es un valor que viene especificado en las hojas

de datos de cada transistor, que puede ir desde 20 hasta 200 o ms, pero que sin
embargo puede variar tanto con la corriente de colector como con la temperatura. Si
se mantiene constante la temperatura de la unin y se incremente IC, CD se
incrementa a un mximo. Si IC se mantiene constante y la temperatura vara, CD
cambia directamente con la temperatura.

OBJETIVOS:
*Probar apropiadamente un transistor npn o pnp con un hmetro
*Verificar las tensiones y corrientes en un circuito de base-sesgado, as como construir su lnea de
carga de CC.

ANALISIS TEORICO:

MATERIAL Y EQUIPO:
-2 transistores 2N3904
-1 transistor 2N3906
-Potencimetro de 1M ohm
-Resistencias de 1k ohm y 520k ohm
-Multmetro
-Fuente de voltaje
-Secador de cabello

DESARROLLO:
Para la primera parte se utilizaron el diodo 1N4148, el multmetro y los transistores 2N3904 (npn)
y 2N3906 (pnp).
En esta parte se aplic el proceso para comprobar el buen funcionamiento de un transistor usando
el ohmmetro del multmetro digital de la siguiente manera:

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1.- Comprobacin de la polaridad de las terminales del multmetro con el diodo 1N4148.

2.- Medir el valor de resistencia entre las terminales base-emisor del transistor 2n3904. Primero se
puso la terminal negativa del multmetro en el emisor y la positiva en la base, se registr en la
tabla si el valor obtenido era alto o bajo y luego se invirti esta configuracin.
3.- De la misma manera se midi la resistencia entre las terminales base-colector y colector-emisor
y se registr los valores obtenidos como alto o bajo (+/-).

4.- Se aplic exactamente el mismo procedimiento para el transistor 2n3906.

5.- Se comprob que las tablas de ambos transistores, al ser uno pnp y el otro npn, contenan
resultados opuestos.

Para la segunda parte de la prctica se utiliz el potencimetro de 1M ohm, una resistencia de 1K

ohm y una de 520K, los 2 transistores 2n3904, el multmetro, un secador de cabello y una fuente
de voltaje de CD que nos proporcionara 15v.
1.- Primero se arm el siguiente circuito:

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2.- Formulas proporcionadas:

3.- Medimos el voltaje en las resistencias de 1K y 560K y con la ley de Kirchhoff calculamos las
corrientes en la base y el colector:
Voltaje medido en 520K: 14.48V
Voltaje medido en 1K: 6.56V
IB = (14.48)/(520k)= 0.0278mA
IC= (5.56)/(1K)= 5.56mA

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4.- Con las 2 corrientes obtenidas calculamos la Beta:

B= (IC)/(IB) = 200

5.- Se midieron los valores de los voltajes VB Y VCE y comparndolos con los calculados con las
formulas propuestas (para VCE).

6.- Con la secadora de cabello le aplicamos aire caliente al transistor y comprobamos que la
corriente del colector aumentaba.
7.- Usando las ecuaciones 5 y 6 calculamos los puntos de saturacin y corte de la lnea de carga.
8.- Se repiti el proceso de los pasos 2 a 5 (de la prctica otorgada por el profesor) y se registraron
todos los datos obtenidos.
9.-Se sustituy la resistencia de 520K por el potencimetro de 1M para variar hasta los mximos y
mnimos valores de las corrientes de saturacin y voltajes de corte previamente calculados.

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10.- Conociendo estos valores mximos y mnimos variamos la resistencia para obtener diferentes
parmetros en la zona activa del transistor y registrarlos en las tablas.

RESULTADOS PRACTICOS Y COMPARACION TEORICO-PRACTICA:

Primera parte:
2N3904 (NPN)
PASO
2
3
4
5
7
7

TERMINALES
+
BASE
EMISOR
BASE
COLECTOR
COLECTOR
EMISOR

DEL

TERMINALES
+
BASE
EMISOR
BASE
COLECTOR
COLECTOR
EMISOR

DEL

MULTIMETRO
EMISOR
BASE
COLECTOR
BASE
EMISOR
COLECTOR

RESULTADO

MULTIMETRO
EMISOR
BASE
COLECTOR
BASE
EMISOR
COLECTOR

RESULTADO

+
+

2N3906 (PNP)
PASO
2
3
4
5
7
7

Segunda parte:

PARAMETRO

IB
IC
Bdc
VB
VCE

TRANSISTOR 1
Valor
Valor
medido
calculado
0.028mA 0.0278mA
5.6mA
5.56mA
200
X
0.7v
0.7v
9.24v
9.44v

TRANSISTOR 2
Valor
Valor
medido
calculado
0.0281mA 0.0273mA
5.69mA
5.64mA
206.59
X
0.6v
0.7v
9.5v
9.36v

+
+
-

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CONDICION

VALORES CALCULADOS
IC
VCE
15mA
0
0
15.00V
0.0015mA
03.11V
0.00210mA
08.61V
0.00170mA
10.39V
0.00140mA
11.40V
0.00121mA
12.01V

SATURACION
CORTE
REGION ACTIVA

VALORES MEDIDOS
IC
14.6mA
2.8mA
0.0150mA
0.0215mA
0.0173mA
0.0143mA
0.0120mA

VCE
0.2v
12.07v
03.10V
08.62V
10.40V
11.46V
12.00V

Quiescent Point
0.025

7.1, 0.0215
8.62, 0.0173
10.4, 0.015
11.46, 0.0143
12, 0.012

Ic (mA)

0.02
0.015
0.01

recta de carga
Linear (recta de carga)

0.005
0
0

10

12

14

Vce (V)

Grafica 1. Grafico donde se muestra el quiescent point del transistor 2N3904.

CONCLUSIONES:
Conclusin de Osvaldo:
La prueba del transistor se puede hacer usando el multmetro en forma de medicin de
resistencia. Los pasos son los mismos que con la prueba de diodos de propsito general y los datos
obtenidos seran alta resistencia cuando es polarizacin en directa y una resistencia fuera de rango
cuando est en inversa.

En una de las sesiones hechas en la prctica, se aument el voltaje que alimentaba el colector,
mientras se meda el voltaje de la resistencia de la base en lugar del voltaje del colector. Al hacerlo
el voltaje permaneci inalterable de la resistencia, y con ello la corriente de la base, puesto que

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voltaje y valor de la resistencia permanecieron inmutables. Con ello se pudo deducir que la
polarizacin de la base permite tener una corriente segura en nuestra base sin riesgo de que lo
que est conectado a ella sufra alguna alteracin de corriente que pudiera provenir precisamente
del colector.
Conclusin de Nicolasa:

BIBLIOGRAFIA:
FLOYD, Thomas L; Dispositivos Electrnicos; 8 Edicin; Ed. Prentice Hall; Mxico 2008

BOYLESTAD, Robert & Nashelsky, Louis; Electronic Devices and Circuit Theory; 7 Edition, Ed.
Prentice Hall; USA 1998

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