2011

UNIVERSIDAD
TECNICA DE AMBATO
MATERIA: ELECTONICOS II
MATERIA: ELECTONICOS II
TEMA:

CIRCUITO
DE
POLARIZACIN
FIJA
Y
AUTOPOLARIZACIN
PARA
ANALIZAR
EL
COMPORTAMIENTO DE LOS TRANSISTORES EFECTO
DE CAMPO EN SUS TRES ZONAS DE OPERACIN.

19/10/2011

1.-TEMA:
Circuito de polarizacin fija y autopolarizacin para analizar el comportamiento de los
Transistores Efecto de campo en sus tres zonas de operacin.
2.-RESUMEN
Se va a armar un circuito de polarizacin fija y autopolarizacin con la finalidad de
observar el comportamiento de los transistores FET y MOSFET en sus tres zonas de
trabajo.
3.-ABSTRACT
It's going to build a fixed-bias circuit and self-bias in order to observe the behavior
of the FET and MOSFET in three areas of work
4.-OBJETIVOS
Objetivo General
Implementar un circuito de polarizacin fija y autopolarizacin para analizar el
comportamiento del transistor FET y MOSFET en sus tres zonas de operacin.
Objetivos Especficos

Armar los circuitos de polarizacin fija y autopolarizacin que permitirn

observar cual es la finalidad del transistor FET y MOSFET trabajando en sus
tres zonas de operacin.
Analizar tericamente y de forma experimental circuitos de polarizacin con
transistores de efecto de campo e identificar la zona de operacin en cada caso
Determinar la curva de corriente de drenaje en la grafica ID Vs VDS

5.-MARCO TERICO
El transistor de Efecto de Campo
Con los transistores bipolares observbamos como una pequea corriente en la base de
los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de
Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensin. Cuando
funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a
la tensin aplicada a la entrada. Caractersticas generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente.

Una seal muy dbil puede controlar el componente
La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico

Se empezaron a construir en la dcada de los 60. Existen dos tipos de transistores de

efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unin) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su
aplicacin ms frecuente la encontramos en los circuitos integrados.

Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S,
Source), y Drenaje (D, Drain). Segn su construccin pueden ser de canal P o de canal
N. A continuacin podemos observar sus smbolos: [1]

Grafico#1: Smbolos de los canales de un FET

CURVA CARACTERSTICA
Los parmetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente
figura: [2]

Grafico#2: Parmetros de los canales de un FET

La curva caracterstica del FET define con precisin como funciona este dispositivo. En
ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la
tensin VGS.
Zona de saturacin.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el
FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensin que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , VGS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones tpicas: Surtidor comn
(SC), Drenador comn (DC) y Puerta comn (PC). La ms utilizada es la de surtidor
comn que es la equivalente a la de emisor comn en los transistores bipolares.
Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificacin
de seales dbiles.

CARACTERSTICAS DE SALIDA

Grafico#3: Parmetros de los canales de un FET

Al variar la tensin entre drenador y surtidor vara la intensidad de drenador

permaneciendo constante la tensin entre puerta y surtidor.
En la zona hmica o lineal se observa como al aumentar la tensin drenador surtidor
aumenta la intensidad de drenador.
En la zona de saturacin el aumento de la tensin entre drenador y surtidor produce una
saturacin de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este
transistor trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.
La zona de ruptura indica la mxima tensin que soportar el transistor entre drenador y
surtidor.
Es de destacar que cuando la tensin entre puerta y surtidor es cero la intensidad de
drenador es mxima. [3]
CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA
Indican la variacin entre la intensidad de drenador en funcin de la tensin de puerta.
[4]

Grafico#4: Variacin entre la intensidad en funcin de la tensin de puerta

MOSFET
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor (Field Effect Transistor).
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el
transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de
los procesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET. [5]

Grafico#5: Smbolo de los MOSFET canal N y canal P

Funcionamiento
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el
que, mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto
separadas por un rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por
una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales
dependiendo de cmo se haya realizado el dopaje:

Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.

Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.

Las reas de difusin se denominan fuente (source) y drenador (drain), y el conductor

entre ellos es la puerta (gate).
El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento: [6]

Grafico#6: Curva caracterstica de salida de un MOSFET de acumulacin canal N

Grafico#6.1: Curva caracterstica de salida de un MOSFET de acumulacin canal P

Estado de corte
Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en estado
de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. Tambin se llama
mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.
Conduccin lineal
Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (nMOS) o positiva (pMOS), se crea
una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin
crece lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en
nMOS) en la regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin. El
transistor pasa entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de
potencial entre fuente y drenador dar lugar a una corriente. El transistor se comporta
como una resistencia controlada por la tensin de puerta.
Saturacin
Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin
bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La
corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo elctrico

entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos

terminales.
6.-MATERIALES
1 potencimetro de 500k
1 potencimetro de 1M
1 led
1 transistor JFET canal P
1 transistor MOSFET
1 resistencia de 6,8k
1 protoboard
1 batera
1 fuente regulable
1 resistencia de 1M
7.-PROCEDIMIENTO O DESARROLLO
Armar el circuito de la figura # 7.
Tomar los voltajes y las corrientes en el drenaje (D) y la fuente(S).
VD

RD = 2.2K

1M
6[V]

Fig. # 7: Circuito a ensamblar

En la figura #8 se muestra en ensamble real de los circuitos.

Fig # 8: Ensamble del circuito

8.-ANLISIS DE RESULTADOS
Se ha logrado analizar de manera eficaz el comportamiento del MOSFET
obteniendo la curva de la corriente IDS al variar VDS, vase figura # 9.

GRAFICA ID Vs VDS
20
15
10

GRAFICA ID Vs VDS

5
0
0

10

20

30

40

50

Figura #9: Grafica de ID Vs VDS

Diferencias
entre
intervalos
2,7
2,64
2,8
2,57
1,88
1,25
0,5
0

ID [mA]

VDS [V]

1,66
4,36
7
9,8
12,37
14,25
15,5
16
16

5
10
15
20
25
30
35
40
45

Al tomar las medidas podemos darnos cuenta que al aumentar el voltaje VDS los
intervalos entre los valores medidos cada vez van siendo mas y mas pequeos hasta
llegar un valor en el que la corriente es mxima y no puede aumentar ms.
9.-CONCLUSIONES

Este tipo de transistores funcionan con voltaje en la gate y no corriente como en

los BJT
Podemos concluir tambin que mientras variamos VDS la corriente ID cada vez
crece menos que la anterior hasta llegar a la mxima corriente.

10.-RECOMENDACIONES

Es recomendable tener conocimiento sobre la prctica para no tener ninguna

dificultad en laboratorio.
Tener mucho cuidado al utilizar los transistores de efecto de campo porque son
muy sensibles al calor esttico.
Conocer la distribucin de los pines.
Tener cuidado al medir corriente y voltaje ya que podemos causar daos en el
multimetro
Verificar las fuentes de alimentacin este desconectadas antes de realizar algn
cambio en el circuito.

11.-BIBLIOGRAFA
ELECTRNICA TEORA DE CIRCUITOS Boylestad Robert, sexta edicin,
Traductor: Juan Puron mier y Tern, Editorial Prentice
TRANSISTOR BJT Y POLARIZACIN, Autor: Jhom
slideshare.net/Jhomgomez/transistor-bjt-y-polarizacion/download

Gmez,

LINK:

12.-REFERENCIAS
[1], [2], [3], [4], [5] y [6]: TRANSISTORES EFECTO DE CAMPO, TEORA Y
PRCTICA, Autor: Julio Delgado, LINK: juliodelgado.galeon.com/