INTRODUCCIN.

MATERIALES CONDUCTORES
Todos los cuerpos o elementos qumicos existentes en la naturaleza poseen caractersticas diferentes,
agrupadas todas en la denominada Tabla de Elementos Qumicos. Desde el punto de vista elctrico,
todos los cuerpos simples o compuestos formados por esos elementos se pueden dividir en tres
amplias categoras:

Conductores
Aislantes
Semiconductores

Los materiales conductores ofrecen una baja resistencia al paso de la corriente elctrica.
Los semiconductores se encuentran a medio camino entre los conductores y los aislantes,
pues en unos casos permiten la circulacin de la corriente elctrica y en otros no.
Finalmente los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente
elctrica. En la foto superior se muestran algunos de esos materiales: A) Conductor de
alambre de cobre. B) Diodos y C) transistor (dispositivos semiconductores en ambos
casos). D) Aislantes de porcelana instalados en un transformador distribuidor de energa
elctrica de bajo voltaje y E) Aislantes de vidrio soportando cables a la intemperie
montados en un poste para distribucin de energa elctrica de media tensin. Los
aislantes, al contrario de los conductores, constituyen materiales o cuerpos que ofrecen
una alta resistencia al paso de la corriente elctrica.

MATERIALES

CONDUCTORES

En la categora conductores se encuentran agrupados todos los metales que en mayor o menor
medida conducen o permiten el paso de la corriente elctrica por sus cuerpos. Entre los mejores
conductores por orden de importancia para uso en la distribucin de la energa elctrica de alta, media
y baja tensin, as como para la fabricacin de componentes de todo tipo como dispositivos y equipos
elctricos y electrnicos, se encuentran el cobre (Cu), aluminio (Al), plata (Ag), mercurio (Hg) y oro
(Au).

Los conductores de cobre son los materiales ms utilizados en los

circuitos elctricos por la baja resistencia que presentan al paso de
la corriente.

En general el ncleo de los tomos de cualquier elemento que forman todos los cuerpos slidos,
lquidos y gaseosos que conocemos se encuentran rodeados por una nube de electrones que giran su
alrededor, distribuidos en una o en varias rbitas, capas o niveles de energa. Al tomo de cada
elemento contemplado en la Tabla de Elementos Qumicos le corresponde un nmero atmico que
sirve para diferenciar las propiedades de cada uno de ellos. Ese nmero coincide tambin con la
cantidad total de electrones que giran alrededor del ncleo de cada tomo en particular. No obstante,
independientemente de la cantidad total de electrones que le corresponda a cada elemento, en la
ltima capa u rbita slo pueden girar de uno a ocho electrones como mximo.
Diferentes formas de representar de forma grfica
un.mismo.tomo, en este caso de cobre (Cu): A) Normal,
en.la que. aparecen todos los electrones girando alrededor
del
ncleo de ese elemento en sus respectivas rbitas.
B) Representacin plana en la que se pueden observar,
de.forma
parcial,
las
cuatro
rbitas
o
niveles
de
energa
que
le corresponden a ese tomo con la distribucin numrica
de todos los electrones que posee en cada una de ellas.
( 29 en total ). C) La misma representacin plana,
pero.
ms simplificada, en la que se muestra solamente la ltima rbita o banda de valencia,
identificada con.el nmero 1, o sea, el nico electrn que posee en esa posicin. D) El mismo
tomo mostrado ahora.en representacin plana, con la ltima rbita y el nico electrn que gira en la
misma.
Banda

de

valencia

Como ya conocemos, todos tomos que integran cualquier cuerpo material poseen rbitas o capas,
denominadas tambin niveles de energa, donde giran electrones alrededor de sus ncleos. La ltima
de esas capas se denomina banda de valencia y es donde giran los electrones que en unos casos el
tomo puede ser ceder, como ocurre con los metales y en otros casos puede atraer o captar de la
banda de valencia de otros tomos cercanos. La banda de valencia es el nivel de energa que
determina que un cuerpo se comporte como conductor, aislante o semiconductor.
En el caso de los metales en la ltima rbita o banda de valencia de sus tomos slo giran entre uno
y tres electrones como mximo, por lo que su tendencia es cederlos cuando los excitamos empleando
mtodos fsicos o qumicos. Las respectivas valencias de trabajo (o nmeros de valencia) de los
metales
son
las
siguientes:
+1,
+2
y
+3.
Esos nmeros con signo positivo (+) delante, corresponden a la cantidad de electrones que pueden
ceder los tomos de los metales, de acuerdo con la cantidad que contiene cada uno en la ltima rbita.
En general la mayora de los elementos metlicos poseen conductividad elctrica, es decir, se
comportan como conductores de la electricidad en mayor o menor medida. Los que poseen un solo
electrn (a los que les corresponde el nmero de valencia +1, como el cobre), son los que conducen la
corriente elctrica con mayor facilidad.
En los conductores elctricos las bandas de energa,
formadas por la banda de conduccin y la banda de
valencia del elemento metlico, se superponen facilitando
que los electrones puedan saltar desde la ltima rbita de
un tomo a la de otro de los que integran tambin las
molculas del propio metal. Es por eso que cuando se
aplica corriente elctrica a un circuito formado por
conductores de cobre, por ejemplo, los electrones fluyen
con facilidad por todo el cuerpo metlico del alambre que
integra el cable.

Normalmente las bandas de energas se componen de: 1) una banda de valencia. 2) una banda de
conduccin y, 3) otra banda interpuesta entre las dos anteriores denominada banda prohibida. La
funcin de esta ltima es impedir o dificultar que los electrones salten desde la banda de valencia
hasta la banda de conduccin. En el caso de los metales la banda prohbida no existe, por lo que los
electrones en ese caso necesitan poca energa para saltar de una banda a la otra.
Debido a que en los metales conductores de corriente elctrica la banda de valencia o ltima rbita del
tomo pose entre uno y tres electrones solamente (de acuerdo con el tipo de metal de que se trate),
existe una gran cantidad de estados energticos vacos que permiten excitar los electrones, bien sea
por medio de una reaccin qumica, o una reaccin fsica como la aplicacin de calor o la aplicacin de
una diferencia de potencial (corriente elctrica) que ponga en movimiento el flujo electrnico.
En general los metales mejores conductores de electricidad como el cobre, la plata y el oro poseen una
alta densidad de electrones portadores de carga en la banda de valencia, as como una alta ocupacin
de niveles de energa en la banda de conduccin. Hay que destacar que aunque la plata y el oro son
mucho mejores conductores de la corriente elctrica que el cobre, la mayora de los cables se fabrican
con este ltimo metal o con aluminio en menor proporcin, por ser ambos metales buenos conductores
de la corriente elctrica, pero mucho ms baratos de producir y comercializar que la plata y el oro.
MATERIALES AISLANTES O DIELCTRICOS
A diferencia de los cuerpos metlicos buenos conductores de la corriente elctrica, existen otros como
el aire, la porcelana, el cristal, la mica, la ebonita, las resinas sintticas, los plsticos, etc., que ofrecen
una alta resistencia a su paso. Esos materiales se conocen como aislantes o dielctricos.

Los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente elctrica. En la foto
izquierda.se pueden observar diferentes materiales aislantes de plstico utilizados comnmente en las
cajas de.conexin y en otros elementos propios de las instalaciones elctricas domsticas de baja
tensin, as.como el PVC (PolyVinyl Chloride Policloruro de Vinilo) empleado como revestimiento en
los cables.conductores. En la foto de la derecha aparece, sealado con una flecha roja, un aislante de
vidrio.utilizado en las torres externas de distribucin elctrica de alta tensin.

Al contrario de lo que ocurre con los tomos de los metales, que ceden sus electrones con facilidad y
conducen bien la corriente elctrica, los de los elementos aislantes poseen entre cinco y siete
electrones fuertemente ligados a su ltima rbita, lo que les impide cederlos. Esa caracterstica los
convierte en malos conductores de la electricidad, o no la conducen en absoluto.

En los materiales aislantes, la banda de

conduccin se encuentra prcticamente vaca de
portadores de cargas elctricas o electrones,
mientras que la banda de valencia est
completamente
llena
de
estos.

Como ya conocemos, en medio de esas dos

bandas se encuentra la banda prohibida, cuya
misin es impedir que los electrones de valencia,
situados en la ltima rbita del tomo, se exciten y
salten a la banda de conduccin.

La energa propia de los electrones de valencia equivale a unos 0,03 eV (electronvolt)

aproximadamente, cifra muy por debajo de los 6 a 10 eV de energa de salto de banda (Eg) que
requeriran poseer los electrones para atravesar el ancho de la banda prohibida en los materiales
aislantes.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos
empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de
galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo
(PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La
sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra.
Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad
auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales se le
aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el material se
expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o
solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell,
Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al
que denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen
elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo
que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos
mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido
contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar
seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica
digital,
etc.

Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos

con.caractersticas
de
semiconductores,
identificados
con
su
correspondiente.nmero atmico y grupo al que
pertenecen.
Los
que
aparecen
con
fondo.
gris corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides y los
de.fondo azul a no metales.
Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Peridica constituyen la

materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y rectificadores de
corriente,
transistores,
circuitos
integrados
y
microprocesadores.
Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en
su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos
ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente
cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura
molecular cristalina caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar
electrones. Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces
covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica
una diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad
elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES

Nmero
Atmico
48

Nombre del
Elemento
Cd (Cadmio)

B (Boro)

13

Al (Aluminio)

31

Ga (Galio)

49

In (Indio)

14

Si (Silicio)

Electrones en la
ltima rbita

IIa

Metal

2e

IIIa

15

P (Fsforo)

33

As (Arsnico)

51

Sb (Antimonio)

16

S (Azufre)

34

Se (Selenio)

52

Te (Telurio)

IVa

+2

+3

+4

+3, -3, +5

6e

+2, -2 +4, +6

elemento

semiconductor

3e

Metal

Metaloide
No metal

la

Va

VIa

Nmeros de
valencia

4e

Ge (Germanio)

de

Categora

Metaloide

32

Incremento

Grupo en la
Tabla Peridica

5e

Metaloide

No metal
Metaloide

conductividad

en

un

La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales semiconductores
depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la
temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la
conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su
temperatura
aumenta,
la
conductividad
tambin
aumenta.
En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los
siguientes mtodos:

Elevacin de su temperatura
Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
Incrementando la iluminacin.

Con relacin a este ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias dependientes de la luz
(LDR Light-dependant resistors), varan su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que reciben.

Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida tambin como fotorresistor o

clula fotoelctrica. Posee la caracterstica de disminuir el valor de su resistencia
interna cuando la intensidad de luz que incide sobre la superficie de la celda
aumenta. Como material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de cadmio
(CdS) y su principal aplicacin es en el encendido y apagado automtico del
alumbrado pblico en las calles de las ciudades, cuando disminuye la luz solar.

En dependencia de cmo varen los factores de los puntos ms arriba expuestos, los materiales semiconductores se
comportarn
como
conductores
o
como
aislantes.

La conductividad elctrica de los cuerpos materiales ( ) constituye la capacidad

que.tienen de conducir la corriente elctrica. La frmula matemtica para hallar
la.conductividad es la siguiente:

Como se puede apreciar en esta frmula, la conductividad ( ) se obtiene hallando

primeramente el resultado de la recproca de la resistencia (o sea, 1/R)
multiplicndolo a continuacin por el resultado que se obtiene de dividir la longitud
del material (L) entre su rea (A). En esa frmula se puede observar tambin que la
resistencia (R) es inversamente proporcional a ( ), por lo que, a menor resistencia
en ohm de un cuerpo, la conductividad resultante ser mayor.

SEMICONDUCTORES "INTRNSECOS"
Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

1. Intrnsecos
2. Extrnsecos
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la
cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco, algunos
de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se
liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a
la banda de conduccin y all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar
libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.

Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de

los semiconductores el espacio correspondiente a la
banda prohibida es mucho ms estrecho en comparacin
con los materiales aislantes. La energa de salto de banda
(Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda
de valencia a la de conduccin es de 1 eV
aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si),
la energa de salto de banda requerida por los electrones
es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es
de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta

solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como
se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo
poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia),
se unen formando enlaces covalente para completar ocho
electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas
condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un
cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS"

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin,
esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola
direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los
tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o
"impurezas".
Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores
que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o
que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)].
Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern
capaces
de
conducir
la
corriente
elctrica.
En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria
electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La
materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los
materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la
forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un
espejo.

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal semiconductor

de.silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricacin de transistores y
circuitos.integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo
cientos de.minsculos dados o chips, que se pueden obtener de cada una. Esos
chips son los.que despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se
convertirn en.transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han
convertido en.transistores o circuitos integrados sern desprendidos de la oblea y
colocados dentro.de una cpsula protectora con sus correspondientes conectores
externos.

El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin que el silicio,
es el cristal de germanio (Ge).
Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para fabricar
diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que
combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para
rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en da, adems
del silicio y el germanio, se emplean tambin combinaciones de otros
elementos semiconductores presentes en la Tabla Peridica.
Placa individual de 2 x 2 cm de rea,
correspondiente a un antiguo diodo de selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As) utilizada para
obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como
dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se encuentra instalado un

diodo lser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto,
presentaciones multimedia o msica grabada en un CD. En esta ilustracin
el. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plstico comn.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como
elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse formando "enlaces
covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de cualquier elemento,
independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su ltima rbita, tratan siempre de
completarla con un mximo de ocho, ya sea donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia
que
le
corresponda
a
cada
tomo
en
especfico.
Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en su ltima rbita,
sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre s los cuatro
electrones que cada uno posee, segn la tendencia de completar ocho en su rbita externa. Al
agruparse de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del elemento semiconductor
adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosa. En su estado puro, como ya se mencion
anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se
comportan como aislantes.

CONVERSIN DEL SILICIO EN SEMICONDUCTOR "TIPO-N" O EN "TIPO-P"

Tanto los cristales de silicio (Si) como los de germanio (Ge) en estado puro se pueden convertir en
dispositivos semiconductores, capaces de conducir la corriente elctrica si para ello alteramos su
estructura
molecular
cristalina
introduciendo
ciertas
cantidades
de
"impurezas".
Para realizar ese cambio ser necesario introducir tomos de otros elementos semiconductores
apropiados que posean tres electrones en su banda de valencia o ltima rbita (tomos trivalentes) o
tambin cinco electrones en esa propia rbita (tomos pentavalentes). A tales efectos se consideran
impurezas los siguientes elementos con tomos trivalentes: aluminio (Al), galio (Ga) e indio (In).
Tambin se consideran impurezas los tomos pentavalentes de arsnico (As), fsforo (P) o de
antimonio
(Sb).
Cuando aadimos a la estructura cristalina del silicio o del germanio una pequea cantidad de tomos
de un elemento pentavalente en funcin de impurezas, estos tomos adicionales reciben el nombre de
"donantes", porque cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la estructura cristalina del
semiconductor. Si, por el contrario, los tomos que se aaden como impurezas son trivalentes, se
denominan entonces "aceptantes, porque cada uno tendr que captar o aceptar un electrn
procedente
de
la
propia
estructura
cristalina
del
silicio
o
del
germanio.
La conductividad que presente finalmente un semiconductor dopado depender de la cantidad de
impurezas que contenga en su estructura cristalina. Generalmente para una proporcin de un tomo de
impureza que se aade por cada 100 millones de tomos del elemento semiconductor, la conductividad
aumenta en 16 veces.
SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"
Como ya conocemos, ni los tomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni
aceptan electrones en su ltima rbita; por tanto, no permiten la circulacin de la corriente elctrica,
por
tanto,
se
comportan
como
materiales
aislantes.
Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos aadindole
una pequea cantidad de impurezas provenientes de tomos de un metaloide como, por ejemplo,
antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla
Peridica, con cinco electrones en su ltima rbita o banda de valencia), estos tomos se integrarn a
la estructura del silicio y compartirn cuatro de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a
los tomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrn restante del antimonio, al quedar
liberado, se podr mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un
semiconductor extrnseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro de
la estructura cristalina del material semiconductor.

Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si)

formando una celosa. Como se puede observar, esta
estructura se ha dopado aadiendo tomos de antimonio
(Sb) para crear un material semiconductor extrnseco.
Los tomos de silicio (con cuatro electrones en la ltima
rbita o banda de valencia) se unen formando enlaces
covalentes con los tomos de antimonio (con cinco en su
ltima rbita banda de valencia). En esa unin quedar un
electrn libre dentro de la estructura cristalina del silicio
por cada tomo de antimonio que se haya aadido. De esa
forma el cristal.de silicio se convierte en material
semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso
electrones libres con cargas negativas presentes en esa
estructura.

Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica en sus

extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en la sustancia impura
aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de corriente electrnica a travs de la
estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia o corriente elctrica.
No obstante, la posibilidad de que al aplicrseles una corriente elctrica los electrones se puedan
mover libremente a travs de la estructura atmica de un elemento semiconductor es mucho ms
limitada que cuando la corriente fluye por un cuerpo metlico buen conductor.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P"

Si en lugar de introducir tomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos
aadindoles tomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento perteneciente al Grupo IIIa
de la Tabla Peridica con tres electrones en su ltima rbita o banda de valencia), al unirse esa
impureza en enlace covalente con los tomos de silicio quedar un hueco o agujero, debido a que
faltar un electrn en cada uno de sus tomos para completar los ocho en su ltima rbita. En este
caso, el tomo de galio tendr que captar los electrones faltantes, que normalmente los aportarn los
tomos de silicio, como una forma de compensar las cargas elctricas. De esa forma el material
adquiere propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrnseco dopado tipo-P
(positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los
huecos o agujeros que quedan en su estructura cristalina.

Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio

(Si).que forman, como en el caso anterior, una celosa,
dopada.ahora con tomos de galio (Ga) para formar
un.semiconductor extrnseco. Como se puede observar
en. la.ilustracin, los tomos de silicio (con cuatro
electrones en.la. ltima rbita o banda de valencia) se
unen formando.enlaces covalente con los tomos de galio
(con tres.electrones en su banda de valencia). En esas
condiciones.quedar un hueco con defecto de electrones
en la.estructura. cristalina de silicio, convirtindolo en
un.semiconductor tipo-P (positivo) provocado por el
defecto de.electrones en la estructura.

MECANISMO DE CONDUCCIN DE UN SEMICONDUCTOR

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica, se
producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que saltan a
la banda de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la banda de valencia
cuando
los
electrones
saltan
a
la
banda
de
conduccin.

Cuando aplicamos una diferencia de potencial a

un.elemento
semiconductor,
se
establece
una.corriente de electrones en un sentido y
otra.corriente de huecos en sentido opuesto.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento

semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los huecos o
agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de un elemento
semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas
(huecos
o
agujeros)
en
sentido
opuesto.
Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para las
cargas negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las cargas positivas (de
huecos o agujeros), ser "conduccin P".