LECCIN 12

FOTODETECTORES
1.-INTRODUCCIN
Se llama fotodetector a cualquier dispositivo que responde con una seal elctrica
frente al estmulo de una seal luminosa. Los fotodetectores se clasifican en dos grandes
grupos:
-Fotodetectores trmicos: la absorcin de luz origina un aumento de temperatura
que, a su vez, da lugar a la variacin de algn otro parmetro que origina la seal elctrica.
Dichos detectores responden a la cantidad total de energa luminosa que incide por unidad de
tiempo (siempre que el material absorba todas las radiaciones con igual eficacia).
- Fotodetectores fotnicos: la absorcin de cada fotn da lugar a algn tipo de suceso
cuntico que origina una seal elctrica proporcional al nmero de fotones incidentes por
unidad de tiempo, independientemente de su energa. Dado que la mayor parte de estos
sucesos cunticos tienen un umbral de energa E0, este tipo de detectores no responden para
longitudes de onda mayores que 0=h/E0. La expresin prctica sera:
0(m)=1.2398/E0(eV).
2.- FOTODETECTORES TRMICOS
La figura muestra el esquema de un
detector trmico. Consta de un elemento sensible
S con capacidad trmica H, en contacto (a travs
de un enlace trmico de conductancia trmica G)
con una masa trmica M que se mantiene a una
temperatura constante. Si el elemento sensible
recibe un flujo energtico W, la energa
absorbida en un intervalo de tiempo dt ser Wdt
lo que dar lugar a un incremeto de temperatura
T. El calor transmitido a la masa trmica ser
GTdt. La variacin de temperatura T vendr
dada por la ecuacin:

G
H
M

Hd( T) = Wdt - GTdt

d( T)
H
+ GT = W
dt

Si suponemos una excitacin luminosa con variacin armnica W=W 0eit, y buscamos
soluciones del mismo tipo T= T0eit:
Hi T 0 + GT0 = W 0
T0 =

W0
W0
=
iH + G G(1 + i )

donde =H/G es el tiempo de respuesta del detector. La sensibilidad del detector ser mayor

cuanto menor sea la conductancia del enlace trmico, pero ello conduce a tiempos de
respuesta muy largos. Por otra parte, es fcil ver que si se excita con una seal cuadrada de
amplitud W0, el transitorio de subida viene dado por

W
T(t) = 0 1 e
G

y el de bajada:
t

W
T(t) = 0 e
G

El lmite de sensibilidad de estos detectores viene dado por las fluctuaciones de temperatura,
determinadas por las fluctuaciones de flujo a travs del enlace trmico.
Segn el parmetro fsico que vara como consecuencia del calentamiento del
elemento sensible, existen varios tipos de detectores trmicos:
- Termopar: el elemento sensible est en contacto con el extremo caliente de un
termopar.
- Bolmetro: el elemento sensible es una capa conductora cuya resistencia vara con
la temperatura.
- Golay o detector neumtico: el elemento sensible calienta un gas en un recinto y las
variaciones de presin del gas originan el desplazamiento de una membrana. Dicho
desplazamiento ser proporcional al flujo luminoso.
- Piroelctricos: el elemento sensible es un cristal ferroelctrico cuyo calentamiento
hace variar su polarizacin espontnea provocando una pequea corriente a travs de una
resistencia.
3.- FOTOCONDUCTORES
3.1.- FOTOCONDUCTIVIDAD
Se llama efecto de conductividad el cambio de conductividad que se produce en un
semiconductor como consecuencia de la presencia de portadores fuera de equilibrio, excitados
por la absorcin de luz por parte del semiconductor. Nos referiremos aqu nicamente a la
fotoconductividad debida a la absorcin intrnseca de luz. Supongamos que se trata de un
semiconductor de tipo n. La conductividad en presencia de una excitacin luminosa que da
lugar a concentraciones de electrones y huecos fuera de equilibrio n y p ser:
e e (n0 n) e e p 0
e e n e e p e( e e e )n
donde hamos supuesto n = p. Si suponemos que la iluminacin es uniforme (coeficiente
de absorcin muy bajo) y que el nivel de excitacin no es muy alta, de manera que la
recombinacin de portadores se mantiene en el rgimen lineal, la ecuacin de continuidad
permite calcular la concentracin de equilibrio en funcin de la tasa de generacin G y el
tiempo de vida de los portadores fotoexcitados . Si llamamos 0 al flujo luminoso en el
semiconductor (en fotones por unidad de tiempo y unidad de superficie) y al coeficiente de
absorcin, la tasa de generacin ser G=0, por lo que podemos escribir la ecuacin de

continuidad como:

n
n
= 0
t

cuya solucin, suponiendo que el flujo luminoso empieza en el instante t=0 es

n(t ) = 0 (1 e

En el rgimen estacionario, n = 0 , por lo que podemos expresar la fotoconductividad

como:
e( e e e )n e( e e e )G e( e e e ) 0

lo que indica que la fotoconductividad para coeficientes de absorcin bajos es proporcional

al coeficiente de absorcin y al flujo luminoso incidente.
3.2.- FOTOCORRIENTE Y GANANCIA DE UN FOTOCONDUCTOR

L
I F V V

Supongamos que la muestra tiene

las dimensiones indicadas en la figura
y est sometida a una diferencia de
potencial V, que fluye en la direccin
de la dimensin L. El flujo luminoso
incide en la direccin de la dimensin
d.
Llamamos
fotocorriente
al
cambio (incremento) de la corriente
debido a la fotoconductividad. Si
llamamos al incremento de
conductancia de la muestra, la
fotocorriente ser:

dW
dW
V
e( e e ) 0
L
L

Definimos la corriente primeria IP como la corriente generada por un flujo de electrones igual
al flujo de fotones absorbido por la muestra, I P e 0dWL . Teniendo en cuenta que el
campo elctrico es E=V/L, obtenemos
IF IP

E ( e e )
IP
L

IP
L
t
E( e e )

donde t es el tiempo de trnsito (tiempo que tardan los portadores en recorrer la distancia L).
A la relacin entre el tiempo de vida medio y el tiempo de trnsito (/t) se le llama ganancia
del fotoconductor.

3.3.- RESPUESTA TEMPORAL DE FOTOCONDUCTIVIDAD

Si suponemos una excitacin luminosa con variacin armnica (t)=0+1eit, y
buscamos soluciones del mismo tipo n= n0+n1eit:
n0 n1e it
= 0 1 e it

1
n0 = 0
n1 =
i + 1

Din1

La respuesta de fotoconductividad ser

it

e( e e e ) 0 1
e
i + 1

La fotocorriente solo reproducir fielmente la seal de excitacin para frecuencias ms

pequeas que la inversa del tiempo de vida.
3.4.- RESPUESTA ESPECTRAL DE UN FOTOCONDUCTOR
Si la muestra es gruesa, el coeficiente de absorcin grande o, siendo la absorcin baja,
existe una fuerte recombinacin superficial, el cambio de conductancia de la muestra debe
obtenerse a partir de la ecuacin de difusin. Consideremos una muestra con la geometra de
la figura 1. Si llamamos R a la reflectividad de la muestra, el flujo luminoso a una
profundidad x vendr dado por:
( x) 0 (1 R ) e x

Dado que la concentracin de portadores no ser

constante, para calcular el cambio de
conductancia de la muestra, debemos calcular el
cambio de conductancia del elemento de grosor
dx, e integrar para todo el grosor de la muestra:

e( e e e )
0

a
n( x)dx
l

donde l es la longitud de la muestra y a su

anchura. Para calcular n resolveremos la
ecuacin de difusin, suponiendo que en las
superficies de la muestra la velocidad de
d
recombinacin superficial es nula (lo que fija las
condiciones de contorno para la ecuacin de difusin). La ecuacin de difusin unipolar ser:
d 2 n n
D

0 (1 R ) e x
2

dx
La solucin general de dicha ecuacin ser la suma de la solucin general de la ecuacin
homognea mas una solucin particular:
x
L

n Ae Be

x
L

C 0 e x

el coeficiente C0 se calcula fcilmente sustituyendo la solucin particular en la ecuacin de

difusin:

C 0 e x
(1 R)
D C 0 e
0 (1 R) e x
C0 0 2 2

L 1
la solucin general para n y su derivada respecto a x quedan:
2

x
x
0 (1 R) x
dn A L B L 0 2 (1 R ) x
n Ae Be
e
e e
e
dx
L
L
2 L2 1
2 L2 1
si la velocidad de recombinacin superficial es nula en ambas superficies, las condiciones se
reducen a anular la derivada para x=0 y x=d.
x
L

x
L

0 2 (1 R)
A B

L L
2 L2 1

d
d
2 (1 R) d
A L B L
e e 0 2 2
e
L
L
L 1

Se trata de un sistema lineal en A y B, cuya solucin es:

d

0 (1 R ) 2 L e L e d
0 (1 R ) 2 L

A
B

2 L2 1
2 L2 1
2Sh d

e L e d

2Sh d

Una vez conocidos los coeficientes A y B, se sustituye la expresin de n(x) en la solucin y

se integra:
x
x
d

(1 R) x
a
e( e e ) Ae L Be L 0 2 2
e dx
l 0
L 1

dL

dL
(1 R) d
a

e( e e ) AL e 1 BL e 1 0 2 2
e 1
l
L 1

d
d

d
d

d
d
L
L

a 0 (1 R ) e e
e e
2 2
2 2
d
L
L

e( e e )

L
e

L
e

d
d
l 2 L2 1

2 Sh
2Sh

L
L

Con diferentes condiciones de contorno (en particular, con velocidad de recombinacin

superficial no nula) se obtienen expresiones ms complejas. Si se cumple la condicin
L<<1, es decir, si la longitud de difusin es mucho menor que la longitud de penetracin, se
obtiene:
e( e e )

a
0 (1 R ) (1 e d )
l

Es decir, el espectro de fotoconductividad es proporcional al nmero de fotones absorbido por

la muestra para cada longitud de onda (es decir, para el valor del coeficiente de absorcin
correspondiente a esa longitud de onda).

4.- FOTODIODOS
4.1.- EFECTO FOTOVOLTAICO
No existe ninguna diferencia esencial entre la estructura bsica de una clula solar y la
de un fotodiodo. Desde el punto de vista de la aplicacin, la nica diferencia est en que en el
fotodiodo se busca el mximo de linealidad y el mnimo tiempo de respuesta y ruido mientras
que en la clula solar se busca obtener el mximo de energa y rendimiento.
El efecto fotovoltaico se produce en
ambos casos al iluminar la barrera de
potencial existente entre las zonas p y n. La
figura
muestra el esquema de banda de una unin
p-n
bajo iluminacin. En ausencia de
iluminacin, el equilibrio trmico se alcanza
mediante intercambio de portadores
mayoritarios, lo que conlleva la aparicin
de
una zona de carga de espacio y de un campo
elctrico interno que se opone al
movimiento de los portadores mayoritarios.
El
I
L
equilibrio trmico se alcanza cuando la
corriente de arrastre originada por el campo
de la
unin compensa la corriente de difusin.
Cuando se ilumina una unin p-n con una
radiacin de energa superior a la banda
prohibida del semiconductor, se rompe el
equilibrio trmico. La existencia de una
barrera que favorece el movimiento de los
portadores minoritarios hace que aquellos portadores minoritarios que lleguen a la barrera
sean arrastrados por el campo y generen una corriente I Len el circuito exterior (o una d.d.p. si
el dispositivo est en circuito abierto).
El diodo bajo iluminacin ser pues equivalente a un diodo en paralelo con una fuente
de corriente de valor IL (que depender del flujo luminoso incidente y de los parmetros del
dispositivo). Si en la oscuridad la caracterstica I(V) del diodo es:
eV

I(V) = I s ( e kT 1)
bajo la iluminacin ser

I(V) = I s (e

eV
kT

1) I L

Definimos la intensidad de cortocircuito como

I CC I (0) I L
y la tensin de circuito abierto como

V CA = V(I = 0) =

kT
ln( I L + 1)
e
Is

La intensidad Icc ser en general

proporcional al flujo luminoso y depender de la
superficie del diodo y de su respuesta espectral.
Se suelen fabricar dispositivos con una zona n
muy delgada (y muy dopada) que apenas
contribuye a la fotocorriente. Habr pues dos
contribuciones, la de la zona de agotamiento, de
RL
0
anchura W, y la de la zona P.
Si en el fotodiodo buscamos una
respuesta lineal, deberemos trabajar en
condiciones de polarizacin inversa, tal como se muestra en la figura. En esas condiciones la
corriente inversa generada por la tensin de polarizacin sera -IS y seria despreciable frente a
la fotocorriente y, por tanto, la tensin en la resistencia ser proporcional a IL. El diodo se
mantendr en polarizacin negativa mientras la ddp en la resistencia (I L RL) sea inferior a la
fuerza electromotriz de la pila 0 ).
4.2- RESPUESTA ESPECTRAL DE UN FOTODIODO
Como hemos sealado, la fotocorriente en un fotodiodo tiene dos contribuciones, la de
la zona de agotamiento, de anchura W, y la de la zona P (puede despreciarse la contribucin
de la zona n por ser esta muy delgada)
En la zona de agotamiento, todos los portadores son generados en la zona del campo y
todos contribuyen a la corriente. Si o es el flujo incidente, el flujo de portadores excitados
ser igual al flujo de fotones absorbido por la zona de grosor W, y la densidad de corriente
asociada ser
J W = e 0 (1 - R)(1 - e

-W

Donde R es la reflectividad del material. Para la zona P, planteando la ecuacin de difusin y

suponiendo que el grosor del diodo es mucho ms grande que la longitud de difusin de los
portadores minoritarios Ln (electrones) se obtiene:

J P = e 0 (1 - R)

Ln -W
e
Ln + 1

4.3. RESPUESTA TEMPORAL EN UN FOTODIODO

En la respuesta temporal del fotodiodo, hay que considerar, en primer lugar, la
respuesta intrnseca, que tiene que ver con los parmetros del material y del dispositivo, y
corresponde al tiempo que tarda la fotocorriente en establecerse al iluminar instantneamente
el diodo. Por otra parte, hay que considerar la respuesta de circuito, ligada al hecho de que el
diodo tiene cierta capacidad y est en un circuito elctrico que incluye una resistencia de
carga.
En la respuesta intrnseca, a su vez, hay que tener en cuenta dos tiempos:
a) Tiempo de vida medio de los portadores minoritarios, que determina el establecimiento y
desaparicin de la concentracin de portadores minoritarios en la zona P.
b) Tiempo de trnsito, que es el tiempo que tardan los portadores en atravesar la zona de
carga de espacio. En una aproximacin lineal, y con el diodo en condiciones de polarizacin

inversa, podemos obtener un valor aproximado del campo medio dividiendo la tensin
aplicada por la anchura de la zona de agotamiento E=V/W. La velocidad de los portadores
ser: v =E, y, por tanto, el tiempo de trnsito ser:
t

W
W
W2

v
E V

En cuanto al tiempo de circuito, C , dado que el diodo tiene cierta capacidad, que viene dada
por:
e Nr
CD = A
2 ( V b + V)
(donde A es el rea del diodo), su tiempo de carga y descarga ser idntico a la de un
condensador en serie con la resistencia RL a la que se conecta el diodo:

e Nr
2 ( V b + V)
(Hay que sealar que tanto el tiempo de trnsito como el de circuito disminuyen al aumentar
la tensin de polarizacin inversa)

C R L C D = RL A

4.4.- FOTODIODOS P-I-N

Cuando se busca una respuesta rpida, la solucin
ms conveniente consiste en eliminar la zona neutra, lo que
se consigue mediante una estructura p-i-n, en la que, entre
dos zonas p y n muy delgadas, se sita una zona de
semiconductor intrnseco mucho ms gruesa. En dicha zona
intrnseca habr un campo uniforme, por no existir carga de
espacio. Si el grosor de la zona intrnseca es d, en equilibrio
trmico, el campo ser, aproximadamente E=Eg/ed. En
polarizacin inversa, el campo ser E=V/d.
En una estructura p-i-n en polarizacin inversa todo
par electrn hueco generado es arrastrado por el campo y
participa en la fotocorriente, de manera que esta viene dada
por:
J W = e 0 (1 - R)(1 - e

-d

EC

EF

Por otra parte, la respuesta temporal vendr determinada

solo por los tiempos de trnsito y de circuito.
El tiempo de trnsito ser t

EV

d
d
d2

, mientras que el tiempo de circuito estar

v E V

determinado por la capacidad dielctrica del semiconductor C

C CR L

A
RL
d

A
, de manera que:
d