UNIVERSIDAD DE LOS ANDES ELECTRNICA ANLOGA.

Prctica 1: Amplificador BJT

(Febrero, 2014)
Camilo Andrs Crdenas 201112971, Juan Pablo Gmez 201217969

Resumen El presente documento se enfoca en la

presentacin del desarrollo de la primera prctica de laboratorio
asociada al curso de Electrnica Anloga. Particularmente se
enfocara en el comportamiento de una etapa de amplificacin en
configuracin de emisor comn como respuesta a variaciones de
frecuencia en seal de entrada y a temperatura a la que es
sometido.
Palabras Clave: Amplificador BJT, Anlisis DC, Emisor Comn,
Frecuencia, Ganancia, Modelo PI, Temperatura
I.

INTRODUCCIN

transistor es un dispositivo electrnico semiconductor

utilizado para producir una seal de salida en respuesta a
una seal de entrada, est compuesto por tres cargas de
semiconductor, las cuales estn con exceso de cargas
negativas o con exceso de cargas positivas, es decir ha sido
dopado, dando origen as a la juntura pnp o npn conocida
como transistor BJT..
N

Figura.1 [Estructura transistor NPN (BJT)]

Dado que la practica est enfocada en la configuracin Emisor

Comn, se har nfasis en esta. La seal se aplica a la base del
transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de
corriente [2].
III. PROCEDIMIENTO
Siguiendo las especificaciones de la gua se procedi a realizar
el diseo e implementacin de un amplificador de etapa
emisor comn, el cual se puede apreciar en la Figura.2.

II. MARCO TERICO

El Transistor BJT es construido con la unin de dos capas
tipo "p" y una "n" en medio o dos capas tipo "n" y en medio
una "p". Este dispositivo tiene tres terminales:
[3]

Figura.2 [Emisor Comn de una sola etapa] .

Emisor: Capa grande y altamente impurificada.

Base: Capa delgada y pobremente impurificada.
Colector:
Capa
mediana
y
medianamente
impurificada.

Su funcionamiento se basa en polarizar adecuadamente las tres

terminales, base, colector y emisor. Al polarizar la unin base
- emisor directamente (respetando p ->positivo, n -> negativo),
habr un flujo de cargas desde el emisor a la base, con una
variacin pequea de voltaje (> 0,6 V), si polarizamos en
inversa (n ->positivo, p -> negativo), la unin base - colector,
habr un flujo de cargas muy grande desde el emisor al
colector, funcionando el transistor como amplificador [1].

Para poder obtener los valores nominales de los componentes

del amplificador se tuvieron en cuenta las condiciones bajo
las cuales se garantiza el correcto funcionamiento de nuestro
amplificador las cuales se nombran a continuacin:
Se tendr un voltaje de polarizacin de 10v.
La resistencia de carga que se conectara ser 10K.
Se fijara
con el mismo valor de
para garantizar
el principio de mxima transferencia de potencia.
Para garantizar que nuestro transistor opere dentro de
la regin activa directa tendremos como
consideracin la corriente de base muy pequea.
Para que el transistor no se salga de su rango de
operacin el voltaje colector emisor debe ser 5V.
Anlisis en DC: En este anlisis se pone en corto las fuentes
AC y en circuito abierto las capacitancias externas, al realizar
esto obtenemos el circuito mostrado en la Figura.3. Ahora
dejando el voltaje colector emisor en 5V, se puede obtener la
ecuacin con la que podemos encontrar el valor de la corriente
que pasa por el colector.

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2
| |

||

Ya conociendo el valor de la Resistencia del emisor y

conociendo el valor de
del datasheet del
transistor 2N2222A podemos calcular la corriente del
colector reemplazando en la ecuacin 3.

[3]

Figura.3 [Anlisis DC del amplificador] .

De donde
son el voltaje de Thevenin y la
resistencia de Thevenin respectivamente y su valor depende de
las resistencias
como se puede observar en las
Ecuaciones 1 y 2.
(
)
(

Al analizar la malla exterior obtenemos la Ecuacin 3 de la

cual obtenemos una relacin para obtener el valor de la
corriente del colector.
(

)(

Ahora se puede calcular el voltaje del emisor

multiplicando la corriente que va por el emisor con la
resistencia del emisor, por su parte el voltaje del
colector se puede calcular con la Ecuacin 6
(

)(

De las relaciones de corriente entre la corriente del emisor y la

corriente del colector obtenemos y conociendo que
obtenemos:
(

Con la corriente de colector calculada, es factible

despejar la corriente de emisor de la siguiente
relacin:

Para poder calcular el valor de

se debe analizar la etapa de
amplificacin en el modelo PI, para la frecuencia en particular
se tendra el siguiente circuito equivalente:

(
(

Figura.4 [Modelo PI anlisis en pequea seal] .

Despus de simplificar teniendo en cuenta varias

consideraciones sobre el circuito, tales como valores de
demasiado pequeos como para ser significativos en el
comportamiento del circuito. Podemos llegar a la expresin
que describe la ganancia de nuestro amplificador, si y solo si
se garanticen las condiciones expuestas anteriormente.

Con el fin de conocer el valor del voltaje de base, nos

remitimos a la siguiente relacin, validad si y solo si
nuestro transistor est en la regin de operacin
activa directa, lo cual hemos venido garantizando
mediante las consideraciones que se han hecho.
(

Se proceder a calcular la corriente de base, para

comprobar nuestra hiptesis sobre el funcionamiento
del transistor en regin activa directa.
(

[4]

Para el clculo de R1 y R2 miramos el circuito

equivalente de Thevenin que se muestra en la
Figura.3 del anlisis DC. De este circuito equivalente
se puede llegar a la siguiente expresin:
(

)
||

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Para el despeje de los valores de las resistencias
y
se reemplaza
en la ecuacin de Ib. As
mismo fijamos un valor arbitrario comercial para
para nuestro caso 10k y procedemos a despejar de
la ecuacin el valor de :
(

3
Figura.6 [simulacin ganancia de un solo periodo]

En la simulacin se puede ver claramente que la ganancia es

de -3, puesto que la magnitud de la amplitud pasa de 500mV a
1,5 V y adems se invierte la seal esto debido a que el voltaje
de salida es
.
El circuito que fue simulado puede ser apreciado en la
Figura.8.

Ahora, para el clculo de las capacitancias de acople,

se debe fijar la frecuencia operativa en la que
queremos que funcione nuestra etapa de
amplificacin, en este caso es 950 Hz y usamos la
siguiente relacin:
(

Figura.8 [voltajes y corrientes circuito simulado]

Donde Rs1 corresponde a la resistencia vista por el

capacitor1. Anlogamente se realiza el mismo
procedimiento para el valor del capacitor 2.
(

||

)||(

(
(

)) (

)
)

De las simulaciones podemos ver que las corrientes y voltajes

nos dan del orden de los calculados tericamente con lo cual
podemos validar el diseo realizado del amplificador.

IV. RESULTADOS Y ANLISIS DE RESULTADOS

En la Figura.9 se puede observar el montaje realizado en
protoboard para la prctica y con el cual se desarroll los
siguientes puntos especificados en la gua

Calculando el valor de C1 y C2

Para comprobar que la parte terica es correcta fue necesario

realizar simulaciones, para esto utilizamos el programa Orcad
Capture con el cual obtuvimos los resultados mostrados en la
Figura.6.

Figura.9 [Montaje Amplificador Emisor Comn]

Como inicio de la prctica se verific que le montaje

correspondiese al planeado en el esquemtico y en el diseo
planteado. En la primera instancia de acercamiento con el
funcionamiento del circuito, se encontr que el circuito
implementado no cumpla la funcin deseada de amplificar, a
lo que hubo la necesidad de devolverse a la mesa de diseo a
revisar los parmetros de diseo y contrastar contra la
simulacin obtenida.
Despus de verificar que los valores calculados para los
componentes resistivos eran los adecuados y de haber
indagado un poco ms sobre la capacitancias de acople, se
opt por cambiar las capacitancias de acople de forma

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experimental por unas con un valor mucho mayor al terico.
Como se escogi para trabajar a una nica frecuencia, 1kHz,
ambas capacitancias fueron calculadas a partir de esta directriz
de trabajo. Tericamente se tenan capacitancias de acople
por valores de 10nF y 0.2nF lo cual eran demasiado pequeas.
Al ser cambiadas de forma experimental se logr una etapa de
amplificacin operativa con capacitancias de valor 10uF y
0.1uF. A continuacin se pueden observar los resultados
obtenidos para tanto la frecuencia de 1kHz como de 100kHz y
1MHz.

2.

ic [mA]

0,43

0,541

0,47

ib [mA]

0,00573

0,00258

0,004

ie [mA]

0,436

0,544

0,473

vb [V]

1,397

1,427

1,4

ve [V]

0,697

0,816

0,71

vc [V]

5,7 V

4,585

4,6

Potencia disipada: Para calcular la potencia disipada

debemos multiplicar el voltaje de la fuente
polarizacin por la corriente que estrega haca
:

La ganancia experimental del circuito es: 3,24 para sacarlo

podemos ver en la Figura.10 Vpp salida/Vpp entrada

3.

La ganancia a una entrada de 0,8 Vpp es:

Figura.10 [Seal de entrada + Seal de Salida Frecuencia 1kHz]

Los datos de Voltaje de saturacin, de corte y la ganancia de

corriente para una entrada de 0,8 Vpp se encuentran en la
Tabla.2
Tabla.2 [datos obtenidos entrada de 150 mV pico]

Figura 11. [Seal de Entrada + Seal de Salida, Frecuencia 100kHz]

1K

Vout

Vin

Ganancia

1.02

1,02

0.3

Hfe

178

Voltaje Sat

1,94

Voltaje Corte

1,56

De estos resultados se puede afirmar que el transistor est

funcionando correctamente puesto que la ganancia de
corriente est en el rango que indica el datasheet 100-300 y la
ganan es de aproximadamente 3.
4.

En la Tabla.3 se encuentran los datos obtenidos al

verificar el comportamiento del transistor a diferentes
frecuencias
Tabla.3 [datos obtenidos a diferentes frecuencias]

CARACTERSTICAS

1 kHz
3,24

100 kHz
3

1 MHz
0,86

Ganancia de corriente (hfe)

178

178

178

Voltajes de Saturacin

1,94

1,98

NA

Ganancia
Figura 12. [Seal de Entrada + Seal de Salida, Frecuencia 1MHz]

1.

Una vez realizado lo anterior se calcularon las

corrientes experimentalmente los resultados se
pueden apreciar en la Tabla.1
Tabla.1 [datos obtenidos]
Terico
simulados

Rango de voltajes ente

1,55
1,69
NA
corte y saturacin
5. En la Tabla.4 se encuentran los datos al cambiar la
temperatura.
Tabla.4 [Datos al calentar el transistor]

Reales

CARACTERSTICAS

25C

150 C

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Ganancia

3,24

3,26

Ganancia de corriente (hfe)

178

290

Voltajes de Saturacin

1,95

1,99

Corrientes de corte (Seal de

entrada 400mV a 1kHz)

1,54

1,32

Se puede observar que al aumentar la temperatura aumenta la

ganancia de corriente, se puede observar que el voltaje de
corte disminuye mientras que el de saturacin aumenta.
6.

Curvas caractersticas del transistor.

Una curva caracterstica se refiere a expresar la relacin entre

las variables de los 3 terminales del transistor. La relacin de
los terminales de un transistor NPN se caracteriza por la
corriente y el voltaje entre estos.
El voltaje base emisor disminuye 2mV por cada grado
centgrado de temperatura siempre que la unin opere a
corriente constante.

Figura.13 [Regiones de Operacin]

VI.

Figura.11 [Efecto de la temperatura en la curva ic Vbe a una

corriente de emisor constante]

Figura.12 [corriente de base vs voltaje base emisor]

En la Figura.12 se puede observar que cuando se

inyecta un voltaje de base-emisor suficiente para
empezar la difusin de electrones del material N al P
empieza haber flujo de corriente en la base.

CONCLUSIONES

Al no considerar que para un correcto funcionamiento

del amplificador la resistencia de Thevenin debe ser
mayor que
no se logr obtener los resultados
esperados, aunque una vez corregido este error los
resultados fueron satisfactorios.
La potencia que puede disipar el transistor viene dada
por la corriente del colector multiplicada por la tensin
entre colector Emisor.
Cuando la seal de salida se recorta en la parte superior
el transistor lleg a la regin de saturacin, mientras
que si se recorta en la parte inferior el transistor llego a
la regin de corte.
Al aumentar la ganancia de corriente implica un
aumento en el voltaje colector-emisor lo que puede
traducirse en una disminucin en el voltaje de corte y
que aumente el voltaje de saturacin.
Idealmente las capacitancias de acople deberan tener
un valor infinito en Faradios, con el fin de que nunca
lleguen a un ciclo completo de carga y de esta manera
afecten el funcionamiento del transistor. Dado que
prcticamente no se tiene este caso, usualmente se opta
por usar de mayor valor a las calculadas tericamente.
A pesar de ser una herramienta til, los software de
simulacin, los resultados obtenidos en estas
simulaciones no implica que nuestro circuito se vaya a
comportar 100% de igual manera a como fue simulado,
esto debido a que hay demasiados factores que influyen
en la afectacin del comportamiento, particularmente
en la respuesta en frecuencia del circuito.
VII.

REFERENCIAS

[1] Sedra A., Smith K. Microelectronic Circuitos. Oxford

University Press. Fifth Edition. 2004.
[2] Malvino A. Principios de Electrnica. Mc.Graw-Hill.
Sexta Edicin. 2000.
[3] Imagen tomada de:
http://iniciativapopular.udg.mx/muralmta/mrojas/c
ursos/elect/apuntesdefinitivos/UNIDAD1/1.2.2.pdf.
[4] Imagen tomada de:
http://www.iuma.ulpgc.es/~toni/Docencia/TyCEyF/

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PDF/Laboratorio/Practica_6.pdf. Primer
cuatrimestre del ao 2000.