Informe N 03 Tema: Transistor BJT. Integrantes: Hinostroza Matos, Julio Huamn Porras, Kimberly Prez Valencia, Cinthya Quiroz Z. , Frank
2014
Curso: Circuitos Elctricos y Electrnicos
Transistores Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales ms frecuentemente utilizados para la fabricacin de los elementos semiconductores Elementos de un transistor o transistores: El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p.
EMISOR, que emite los portadores de corriente,
(huecos o electrones).
BASE, que controla el flujo de los portadores de
corriente.
COLECTOR, que capta los portadores de corriente
emitidos por el emisor.
Tipos de Transistores
Transistores Bipolares de unin, BJT. ( PNP o NPN )
-
BJT, transistor bipolar de unin.
El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.
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Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )
-
JFET, llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de efecto de
campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica.
MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.
MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido
semiconductor. En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.
Transistores HBT y HEMT.
Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereo estructura) y Hight Electrn Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinacin de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.
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TRANSISTOR BJT Es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede
ser
de
germanio
silicio.
En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son:
el emisor, la base y el colector.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP
El transistor bipolar (BJT) es un amplificador de corriente, esto quiere decir
que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.
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CURVAS Estos dispositivos presentan curvas parame trizadas, debido al nmero de corrientes y tensiones presentes. Existe una zona llamada de saturacin, una de corte y una activa. Un transistor: Est en corte si la juntura BE no est polarizada. Est en saturacin si la juntura CB queda polarizada en directa. Caso contrario se encuentra trabajando Caso contrario se encuentra trabajando en la zona activa. BE est en directa y CB en inversa.
ZONAS DE TRABAJO Si bien el transistor BJT pareciera ser Si bien el transistor BJT pareciera ser un dispositivo simtrico (Colector Emisor), constructivamente el colector tiene una superficie mucho mayor que el Emisor. Por este motivo, si bien es posible el funcionamiento en inversa, las caractersticas son totalmente diferentes y la performance en amplificacin. ELECTROSTATICA En condiciones de equilibrio, sin potenciales elctricos externos, se lo puede ver simplemente como la unin de dos diodos. Los anchos de las zonas de vaciamiento son diferentes debido a las diferencias de los dopajes en cada sector Recordar que a mayor dopajes en cada sector. Recordar que a mayor dopaje, menor es el ancho. BJT PNP, si polarizamos la juntura BE en directa y la CB en inversa (modo de trabajo en zona activa), los niveles de energa en el transistor sern
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La barrera de potencial de la juntura BE disminuye a causa de la
polarizacin directa, mientras que la de la juntura CB aumenta por la polarizacin inversa. Estructura fsica El
transistor
bipolar
es
un
dispositivo
formado
por
tres
regiones
semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones (uniones PN).
Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P, entonces la base ser tipo N y el colector tipo P. Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base ser P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible controlar un gran potencia a partir de una pequea. En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B) se aplica la seal de control gracias a la que controlamos la potencia. Con pequeas variaciones de corriente a travs del terminal de base, se consiguen grandes variaciones a travs de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variacin de corriente en variaciones de tensin segn sea necesario.
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Parte experimental A. Equipos y materiales .
Protoboard
BJT
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Resistencias
Osciloscopio
Generador de funciones
Condensador
B. Procedimiento: Los pasos efectuados son: 1. Armar el circuito en el protoboard, como se ve en la siguiente imagen:
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2. Retirando los condensadores, realizamos las mediciones de cada resistencia,
y adems del VBE, VCE e IC. Anotamos los resultados.
3. Por ltimo se procede a colocar los condensadores y usando el generador
de funciones hallamos Vi,, para luego ver en el osciloscopio la seal amplificada V0.
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C. Toma de datos Mediante Experiencia en el Laboratorio:
Componente
Resultado
Resistencia 1K
4.36 V
Resistencia 22K
10.46 V
Resistencia 3.3
1.08 V
Resistencia 100K
0.433 V
VBE
0.643 mV
VCE
6.84 V
IC Entonces:
0.72 mA
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D. Circuito Armado
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E. Datos Hallados Tericamente (Simulador):
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OBSERVACIONES: Para que exista el efecto de amplificado, entonces si su punto de trabajo se ubica cerca del centro de la recta de carga de la zona activa de rendimiento.
CONCLUSIONES: El amplificador BJT posee un buen rendimiento tanto en bajas frecuencias como en altas frecuencias. Amplificador diseado posee una impedancia de salida muy alta con corriente de base pequea, lo que hace que las ganancias de voltaje que se pueden obtener con el amplificador (Sin que se sature el transistor) son muy altas.
