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5 Optische Empfnger

5.1 Einleitung
In diesem Kapitel wird das Grundprinzip der optischen Empfnger erlutert. Es werden die geeigneten Materialien sowie die Basistypen von optischen Detektoren, deren
Grundfunktionen und die wichtigsten Eigenschaften und das Verhalten im optischen
bertragungssystem beschrieben.
Nach Bearbeitung dieses Kapitels kennen Sie das Grundprinzip von Photodioden.
Die wichtigsten Kenngren sind Ihnen vertraut, anhand des I-U-Kennlinienfeldes
knnen Sie die Funktion einer Photodiode erlutern. Die Eigenschaften und Einsatzfelder der beiden Diodentypen PIN und APD sind Ihnen bekannt.
Die Aufgabe von optischen Detektoren ist es, das bertragene optische Signal in ein
elektrisches umzuwandeln (optoelektronischer Wandler). Die nachgeschaltete Elektronik hat die Aufgabe, das Signal zu verstrken und zu demodulieren. Das Modul,
das aus Detektor und aus nachgeschalteter Elektronik besteht, bildet den Empfnger
(Receiver).

5.2 Grundprinzip optischer Empfnger


Das Grundprinzip von Fotodetektoren ist die Erzeugung eines elektrischen Stromes
durch Absorption von Photonen. Fotoelektrische Detektoren knnen mit dem ueren
oder inneren Photoeekt arbeiten. Beim ueren Photoeekt werden durch Photonen
mit gengender Energie Elektronen aus der Oberche von Metallen oder Halbleitern
herausgelst; die Photonen mssen mindestens die Energie besitzen, die der materialspezischen Austrittsarbeit WA entspricht (Abb. 5.1). Die Energiebilanz ist
Wphoton = h f = WA + Wkin .

(5.1)

Ist die Energie der einfallenden Photonen grer als die Austrittsarbeit, erhlt das Elektron zustzlich noch kinetische Energie Wkin (5.1).
Die Elektronen iegen zu einer Anode, wo der Photostrom gemessen werden kann.
Dieses Prinzip wird beim Sekundrelektronenvervielfacher (Photomultiplier) angewandt; dabei werden die Photoelektronen in einem hohen elektrischen Feld beschleunigt, so dass sie ihrerseits wiederum Sekundrelektronen herausschlagen knnen. Dieser Vorgang wird mehrfach wiederholt, so dass am Ende ein sehr viel grerer Strom
als der ursprngliche Photostrom entstanden ist. Dieser Lawineneekt wird auch bei
der spter noch betrachteten Lawinenfotodiode verwendet. Zum Betrieb eines Photomultipliers sind hohe Spannungen (1000 V und mehr) erforderlich.
Im Halbleiter werden durch Photonenabsorption Elektronen aus dem Valenzband auf
den Vakuumlevel oder hher gehoben, wenn die Photonenenergie gleich oder grer

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Vakuumlevel
WVakuum

W=WA=Austrittsarbeit

WL

Leitungsband

Ort r

Abbildung 5.1: uerer Fotoeekt im Metall.

Energie W
Wkin=Wphoton-(Wgap+W)
WVakuum

Vakuumlevel
W

Leitungsband
WL
Wphoton=hf

WGap

WV

Valenzband

Abbildung 5.2: uerer Fotoeekt im Halbleiter.

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ist als die Bandlckenenergie Wg plus der Energiedierenz zwischen Vakuumlevel und
unterer Leitungsbandkante W x :
Wphoton Wg + W x + Wkin

(5.2)

In der Optischen Nachrichtentechnik setzt man Photodioden ein, die mit dem inneren
Photoeekt arbeiten (Abb. 5.3). Beim inneren Photoeekt wird das Photon absorbiert
und ein Elektron-Loch-Paar generiert. Damit stehen im Leitungsband Elektronen und
im Valenzband Lcher zum Stromtransport zur Verfgung. Hierbei muss die Photonenenergie gleich oder grer als die Bandlckenenergie sein:
Wphoton = h f Wg

(5.3)

Energie W

WL
W=hfWL-WV=WGap
WV

Ort r

Abbildung 5.3: Energieschema des inneren Fotoeekts.

5.3 Fotodiode
Fotodioden bestehen im einfachsten Fall aus einem pn-bergang, der in Sperrrichtung
gepolt ist. Das Detektormaterial muss die zu detektierenden Photonen absorbieren knnen. Somit knnte auch eine LED oder eine Laserdiode als Detektor arbeiten. In einem emittierenden pn-bergang wird die Energiedierenz zwischen p- und n-Gebiet
durch die angelegte Spannung erniedrigt, so dass die Elektronen und Lcher in den
pn-bergang ieen und rekombinieren knnen und dabei Licht aussenden. Im pnbergang, der in Sperrrichtung gepolt ist (Abb. 5.4), erhht sich die Energiebarriere
um den Betrag der angelegten Spannung U, ohne Beleuchtung kann kein Ladungstrger ber den pn-bergang ieen.
Fllt ein Photon passender Energie auf den pn-bergang, wird ein Elektron ins Leitungsband gehoben, im Valenzband verbleibt ein Loch. Ist der Stromkreis geschlossen,
iet das Elektron im Leitungsband zum positiven Pol, das Loch im Valenzband zum
negativen Pol, es entsteht ein Photostrom I ph . Dieser ist der Anzahl der einfallenden
Photonen n ph und damit auch der optischen Leistung proportional. Die Leistung P ist
gleich der Photonenenergie multipliziert mit der Anzahl der Photonen pro Zeit N ph :
n ph
N ph =
(5.4)
T

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60
und die Leistung ist
hf
,
T

(5.5)

I ph = R() P

(5.6)

P = n ph
so dass sich als Fotostrom ergibt:

Die Proportionalittskonstante ist die Empndlichkeit oder Responsivitt R() und


wird aus dem Verhltnis I ph /P ermittelt und hat die Einheit A/W.
R() =

I ph
e
ne e/T
ne e
=
=
=
P
n ph h f /T
n ph hc0
hc0

(5.7)

mit ne Anzahl der ber den pn-bergang ieenden Elektronen und n ph Anzahl
der auf den pn-bergang auftreenden Photonen.
Z. B. bedeutet R=0,5, dass ein Strom von 0,5 mA erzeugt wird, wenn eine optische
Leistung von 1 mW auf den Detektor fllt.
Damit lsst sich der Quantenwirkungsgrad angeben:
=

ne
,
n ph

(5.8)

womit isch dann fr die Reponsivitt ergibt:


R() =

.
1, 24 m

(5.9)

Der Quantenwirkungsgrad ist proportional der Empndlichkeit und umgekehrt proportional der zu detektierenden Wellenlnge. Im Idealfall erzeugt jedes Photon ein
Elektron-Loch-Paar, das wrde einen Quantenwirkungsgrad = 100%bedeuten.

Abbildung 5.4: Der pn-bergang als optischer Detektor.

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Abb. 5.4 zeigt den Aufbau und die Wikrungsweise eines pn-bergangs als Fotodiode. Werden die Photonen in der Driftzone absorbiert und dort die Elektron-LochPaare erzeugt, erfahren die Ladungstrger durch das elektrische Feld eine Beschleunigung. Die Geschwindigkeit ist relativ gro. Das ist der gewnschte Fall. Werden die
Elektron-Loch-Paare auerhalb der Driftzone in der Diusionszone generiert, diundieren die Elektronen im p-Gebiet ebenso wie die Lcher im n-Gebiet mit relativ
kleiner Geschwindigkeit zur Driftzone, um schlielich zum ueren Kontakt zu gelangen. Sie treen etwas spter ein als die in der Driftzone erzeugten Ladungstrger und
bewirken eine Impulsverlngerung (Diusionsschwanz).

5.4 Absorption, Eindringtiefe und Responsivitt


ausgewhlter Materialien
Als Detektormaterialien mssen solche eingesetzt werden, deren Bandlckenenergie
kleiner ist als die zu detektierende Photonenenergie. Geeignete Halbleitermaterialien
sind hnlich wie bei den optischen Sendern z. B. Si (300 nm-1100 nm), Ge (500 nm1800 nm) oder InGaAs (1000 nm-1700 nm).

Abbildung 5.5: Absorptionsspektren verschiedener Materialien. Die oberen Zahlen


geben die optischen Fenster an. Auf der rechten Ordinate ist die Eindringtiefe dargestellt.
Fr Detektoren knnen auch Materialien mit indirekter Bandstruktur, wie Si und Ge,
verwendet werden. Abb. 5.5 zeigt die Absorptionsspektren verschiedener elementarer
und binrer Halbleiter, die als Detektormaterial geeignet sind. Mit dem quaternren
Material InGaAsP kann die optimale Zusammensetzung fr die jeweils zu detektierende Wellenlnge gewhlt werden. Die einfallende optische Leistung Pein wird entlang
der Strecke z absorbiert,  ist der Absorptionsbelag, also Dmpfung pro Lngeneinheit. Es gilt:


P(z) = P0 e z

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(5.10)

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Die Eindringtiefe l ist die Lnge, nach der die einfallende Leistung P0 auf den 1/e-ten
Teil abgesunken ist:
1
(5.11)
l= 

Bei kurzen Wellenlngen ist die Eindringtiefe sehr gering, wird aber mit zunehmender
Wellenlnge grer und wird bei berschreiten der Absorptionskante so gro, dass
das Licht den Detektor ungehindert durchquert. Es existiert also eine Grenzwellenlnge, jenseits derer keine Absorption und damit keine Detektion mglich ist, weil die
Photonenenergien nicht mehr ausreichen, Elektronen ber die Bdandlcke zu heben.
Es muss ein anderes Detektormaterial gewhlt werden.

Abbildung 5.6: Spektrale Empndlichkeit (Responsivitt) idealer (gestrichelte Linie)


und realer Photodioden.
In Abb. 5.6 ist die spektrale Empndlichkeit dargestellt. Die gestrichelte Linie gibt
die Responsivitt fr den Quantenwirkungsgrad = 100% an (idealer Detektor). Je
nach Material wrde bei der Grenzwellenlnge (Absorptionskante) die Empndlichkeit auf Null springen. Beim realen Detektor ist der Quantenwirkungsgrad kleiner als
100% und von der Photodiodenstruktur abhngig. Fr den kurzwelligen Bereich werden Si-Photodioden, bei 1300 nm oder 1500 nm Ge- und InGaAs-Photodioden eingesetzt.

5.5 Kenngren optoelektrischer Wandler


In Abb. 5.7 sind die Strom-Spannungskennlinien einer Photodiode mit und ohne Beleuchtung dargestellt. Ohne Beleuchtung (P = 0) iet ein kleiner Strom, die Kennlinie hat einen normalen Verlauf einer Diodenkennlinie. Der Dunkelstrom legt die
untere Grenze fr die zu detektierende optische Leistung fest. Wird die einfallende
optische Leistung in gleichen Intervallen erhht, steigt der Photostrom in gleichem
Mae, die Kennlinien verschieben sich fast parallel zu greren negativen Strmen
(3. Quadrant, Fotodiodenbetrieb), wie es in Gleichung (5.6) beschrieben wird. Diese Proportionalitt umfasst bis zu 8 Dekaden. Wird keine uere Spannung angelegt,
arbeitet die Diode als Fotoelement (4. Quadrant). Im Kurzschlussbetrieb misst man
einen ber viele Dekaden linearen Photostrom. Diese Betriebsart wird fr Messzwecke
eingesetzt. Fr die optische bertragung ist dieser Betrieb nicht geeignet, da die maximale Bandbreite des Photoelementes einige MHz betrgt. Die Leerlaufspannung (RL

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Lastwiderstand sehr gro) ndert sich logarithmisch mit der optischen Leistung.
Der Durchlassbereich (1. Quadrant) ist fr die Detektion ungeeignet, da der Photostrom gegenber dem Injektionsstrom sehr klein ist, und nderungen aufgrund von
einfallenden Photonen nicht gemessen werden knnen.
6

Strom I
Dunkelstrom

Sperrspannung

-20

P=0

-15

P1
P2
P3
Belastungskurve mit
Vorspannung und
kleinem
Lastwiderstand
(RL->0)

-10

-5

RL1

RL2

RL1> RL2

Spannung U

RL->

-2

Belastungskurve
ohne Vorspannung
mit groem
Lastwiderstand

-4

-6

Belastungskurve
ohne Vorspannung
mit kleinem
Lastwiderstand

-8

Belastungskurve mit
Vorspannung und
-10
groem
Lastwiderstand
Fotodiodenbetrieb

RL->0

Fotoelementbetrieb

Abbildung 5.7: Strom-Spannungs-Kennlinien einer Fotodiode mit und ohne


Beleuchtung.

5.6 Detektortypen
In der optischen Nachrichtentechnik werden Photodioden mit hoher Demodulationsbandbreite, guter Linearitt und hohem externen Wirkungsgrad bentigt. Da bei der
einfachen pn-Diode die Driftzone sehr klein ist (einige m), die Absorption zum Teil
auerhalb der Driftzone erfolgt, haben pn-Photodioden geringe Bandbreiten. Eine Verbesserung wird durch die pin-Diode erreicht, die eine intrinsische (undotierte) Zone im
Driftgebiet aufweist und es somit ein lngeres Gebiet mit hoher elektrischer Feldstrke
gibt. Dort kann zum Einen mehr Absorption erfolgen, zum Anderen ist die Kapazitt
der Fotodiode durch den greren Abstand der beiden geladenen Zonen kleiner. Ein
anderer Typ ist Avalanche-Photo-Diode (APD), die mit einem internen Verstrkungsmechanismus arbeitet hnlich wie der Fotomultiplier.

5.6.1 pin-Fotodiode
Zwischen einer hochdotierten p- und n-Schicht liegt eine intrinsisch leitende Schicht
(i-Schicht), eine pin-Schichtenfolge (siehe Abb. 5.8). Die elektrische Feldstrke ist fast
ausschlielich in der i-Zone vorhanden. Ist die Eindringtiefe so bemessen, dass die
Absorption des Lichtes in der i-Zone erfolgt, ergeben sich hauptschlich Driftanteile,
die Diusionsbeitrge sind sehr gering.
Die i-Schicht sollte einerseits so dick sein, dass ein hoher Quantenwirkungsgrad
erreicht werden kann, andererseits wird durch eine groe Schichtdicke die Laufzeit

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dE
n(z)
dz
Abbildung 5.8: Prinzip der pin-Fotodiode.
Parameter
Wellenlnge
Fotoempndlichkeit
bei
Quantenwirkungsgrad
Vorspannung
Dunkelstrom
Kapazitt
Bandbreite

Einheit
m
A/W
m
%
V
nA
pF
GHz

Si
0,5 - 1,1
0,4-1,1
0,9
65 - 90
50 - 100
1 -10
1,2 - 3
0,3 - 1

Ge
0,8 - 1,8
0,5 - 0,7
1,55
50 - 55
6 - 10
50 - 500
2 -5
0,5 - 3

InGaAs
1,0 - 1,7
0,6 - 0,9
1,3 und 1,55
60 -70
5 -6
1 - 20
0,5 - 2
1 - 10

Tabelle 5.1: Wichtige Parameter typischer pin-Fotodioden.


grer und damit die Bandbreite kleiner. Es muss ein Kompromiss gefunden werden
zwischen Geschwindigkeit und Empndlichkeit. Fr Materialien mit indirekter Bandstruktur, wie z. B. Si und Ge, muss die Breite der i-Zone zwischen 20 m und 50 m
betragen, um einen gengend hohen Quantenwirkungsgrad zu erhalten; die Bandbreite solcher Dioden ist durch die relativ lange Laufzeit (t 200 ps) der Ladungstrger
begrenzt. Im Gegensatz dazu ist die Breite der i-Zone von Dioden aus Materialien mit
indirekter Bandstruktur wie z. B. InGaAs und GaAs, zwischen 3 m und 5 m gro
(t 10 ps). Damit werden Bandbreiten von 10 GHz erreicht.
In Tabelle 5.6.1 sind die wichtigsten Parameter von typischen Si-, Ge- und InGaAspin-Dioden zusammengestellt.

5.6.2 Lawinenfotodiode (APD)


Abb. 5.9 zeigt das Prinzip einer Lawinen- oder Avalanche-Photodiode (APD). Diese
haben eine interne Verstrkung durch Ladungstrgermultiplikation. Durch eine hohe
elektrische Feldstrke erhalten die in der i-Zone erzeugten Elektron-Loch-Paare stark

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Parameter
Wellenlnge
Fotoempndlichkeit
bei
Multiplikationsfaktor M
Vorspannung
Dunkelstrom
Anstiegszeit
Bandbreite

Einheit
m
A/W
m
V
nA
ns
GHz

Si
0,4 - 1,1
77 - 130
0,83
100 - 500
200 - 250
0,1 - 1
0,1 - 2
0,2 - 1

Ge
0,8 - 1,8
3 - 30
1,3
50 - 200
20 - 40
50 - 500
0,5 - 0,8
0,4 - 0,7

InGaAs
1,0 - 1,7
5 - 20
1,3
10 - 40
20 - 30
1-5
0,1 - 0,5
1 - 10

Tabelle 5.2: Wichtige Parameter typischer APDs.

beschleunigt, so dass sie gengend Energie haben, um weitere Ladungstrger durch


Stoionisation zu erreichen. Diese zustzlich erzeugten Ladungstrger knnen ihrerseits wiederum Ladungstrgerpaare generieren, so dass ein Lawineneekt entsteht.

Antireflexschicht
Metallring

n+
p

p+
Metallkontakt

E-Feld
[V/cm]

Abbildung 5.9: Prinzip der Lawinenfotodiode.


Der Aufbau einer APD ist hnlich dem der pin-Diode, wobei aber zwischen der
intrinsischen (-Schicht, bedeutet geringe p-Dotierung) und der n+ -Schicht eine pSchicht eingefgt wird. In diesem Bereich liegt die Verstrkungs- und Beschleunigungszone. Die Empndlichkeit RAPD () einer APD ist um den Multiplikationsfaktor
M erhht:
e
RAPD () = M R() = M
(5.12)
hf
Je grer der Multiplikationsfaktor M, desto kleiner die Bandbreite. Das Produkt aus
Multiplikationsfaktor und Bandbreite ist konstant: M B = const.
In Tabelle 5.6.2 sind wichtige Parameter von APD dargestellt. Vergleicht man pinDioden und APD bei der Detektion von Bitraten im Gbit/s-Bereich, so ist die Empndlichkeit der APD um ca. 10 dB grer als bei der pin-Diode. Nachteilig bei der
APD sind die relativ hohe Spannung, insbesondere von Si-APD, die Temperaturabhngigkeit des Multiplikationsfaktors und damit der Empndlichkeit. Der Aufbau der
APD Schaltung ist aufwndiger und verursacht hhere Kosten. Fr Systeme mit hohen
Bitraten und greren Entfernungen ist der Einsatz von APD notwendig.

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Das haben Sie gelernt


1. Fotodioden bestehen aus einem pn-bergang, der in Sperrrichtung gepolt wird.
2. Photodioden arbeiten mit dem inneren Photoeekt.
3. Die Energie des zu detektierenden Lichtes muss grer als die Bandlckenenergie des Detektormaterials sein.
4. Zur Detektion von Wellenlngen bis 1100 nm wird Si als Detektormaterial eingesetzt, fr das zweite und dritte optische Fenster Ge und InGaAs.
5. Der Photostrom ist der einfallenden optischen Leistung proportional.
6. Man unterscheidet Dioden mit einfacher pn-Struktur, mit pin-Struktur und APDStruktur.
7. pn-Dioden sind einfach aufgebaut, arbeiten aber nur bei niedrigen Frequenzen.
8. pin-Dioden haben Bandbreiten bis in den GHz-Bereich.
9. APD haben eine interne Verstrkung durch Ladungstrgermultiplikation. Ihre
Empndlichkeit ist um ca. 10 dB grer als die von pin-Dioden.

bungsaufgaben
1. Welche Anforderungen werden an optische Empfnger gestellt?
2. Welche Materialien sind fr optische Detektoren geeignet?
3. Geben Sie das Funktionsprinzip einer Halbleiter-Fotodiode an!
4. Erlutern Sie den Aufbau und die Funktion einer pin-Fotodiode und einer
APD!
5. Zeichnen Sie die Verteilung des elektrischen Feldes einer pin-Fotodiode und
einer APD!
6. Was versteht man unter der Fotoempndlichkeit eines Detektors?
7. Wie wird die Fotoempndlichkeit angegeben?
8. Wie ist der Wirkungsgrad einer Fotodiode deniert?
9. Geben Sie den Fotostrom an, der von einer pin-Fotodiode und einer APD erzeugt
wird!
10. Nennen Sie Vor- und Nachteile von pin-Fotodioden und APD!
11. Berechnen Sie den Anteil der in eine InP-Photodiode eintretende optische Leistung (nInP = 3, 5)!
12. Wie viele Photonen pro bit entsprechen 1 mW bei 100 Mbit/s?

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13. Eine InGaAs-PIN-Photodiode erzeugt einen Photostrom von 1 nA, die Wellenlnge des einfallenden Lichtes ist 1550 nm, die Fotoempndlichkeit betrgt 0,8 A/W.
Wie gro ist die auftreende Lichtleistung?
14. Erlutern Sie anhand des I/U-Kennlinienfeldes die verschiedenen Betriebsarten
einer Fotodiode!

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