TRANSISTORES DE EFECTO DE C AMPO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

1.- ESTRUCTURA FSICA
En este captulo vamos a abordar el estudio de un dispositivo de tres terminales
cuyo rango de aplicabilidad coincide en muchos casos, con el del transistor BJT visto
con anterioridad.
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET
(Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:
Transistor de Efecto de Campo de Unin:
JFET (Junction Field Effect Transistor)
Transistor de Efecto de Campo Metal - xido - Semiconductor:
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Vamos a comenzar el estudio de este tipo de transistores viendo algunas de las
principales analogas y diferencias existentes entre los transistores FET y los BJT.
En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el
transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los
transistores FET son dispositivos controlados por tensin. En ambos casos, la
corriente del circuito de salida es controlada por un parmetro del circuito de
entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensin aplicada.
En los transistores FET se crea un campo elctrico que controla la anchura del
camino de conduccin del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la
magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensin).
De forma anloga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp,
en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y
de canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que
mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen
los dos tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores FET son
unipolares, en los que el nivel de conduccin depender nicamente de un nico tipo
de portadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p.
Una de las caractersticas ms importantes de los FETs es su alta impedancia de
entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de
megahmios, muy superiores a la que presentan los transistores bipolares que
presentan impedancias de entrada del orden de unos pocos kilohmios. Esto
proporciona a los FET una posicin de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos
amplificadores.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la
seal aplicada, es decir, la variacin de la corriente de salida es mayor en los BJT
que en los FET para la misma variacin de la tensin aplicada. Por ello, tpicamente,
las ganancias de tensin en alterna que presentan los amplificadores con BJT son
mucho mayores que las correspondientes a los FET.
En general los FET son ms estables con la temperatura y, normalmente, ms
pequeos en construccin que los BJT, lo que les hace particularmente tiles en
circuitos integrados (sobre todo los MOSFET).
Una caracterstica importante de los FET es que se pueden comportar como si se
tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realizacin de circuitos
utilizando nica y exclusivamente transistores FET.

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ESTRUCTURA FISICA TRANSISTORES DE UNIN DE EFECTO DE CAMPO.

(JFET)
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
JFET de canal n
JFET de canal p
En la Figura 7.1. se ha representado la construccin bsica de un JEFT de canal n.
Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n
ligeramente dopado formando un canal con contactos hmicos en ambos extremos
(terminales de Drenador y Fuente). Este canal se encuentra inserto entre dos
regiones de compuerta tipo p+ (material tipo p fuertemente dopado) con sendos
contactos hmicos que constituyen los terminales de puerta. En algunos casos los
dos terminales de puerta estn accesibles (JFET de doble puerta) aunque lo ms
habitual es que ambos terminales estn cortocircuitados teniendo un nico terminal
de puerta (dispositivo de tres terminales).
En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen estn sin
polarizar. El resultado es una regin de vaciamiento o zona de deplexin (regin
carente de portadores libres) de forma similar a la que se vio en su da al analizar en
el diodo la unin p-n en ausencia de polarizacin.

Figura 7.1.-

Estructura bsica del JFET de canal n.

D = Drenador: (Del ingls Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del
dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p)
S = Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal por el que entran los portadores.
G = Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente de
portadores a travs del canal.

Smbolos.
Como ya se ha comentado con anterioridad se trata, en cualquier caso, de
dispositivos con tres terminales cuyos smbolos aparecen representados en la Figura
7.2.

Figura 7.2.-

Smbolos del JFET

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Como podemos observar, la diferencia en el smbolo entre ambos tipos reside en el

sentido de la flecha del terminal de puerta (G). En el JFET de canal n el terminal de
puerta se representa con una flecha entrante al dispositivo, mientras que en el de
canal p es saliente. Recordar que el sentido de la flecha indica el sentido de
circulacin de la corriente si la unin pn correspondiente estuviera polarizada en
directa.
Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal n se polarizan
aplicando una tensin positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensin negativa
entre puerta y fuente (VGS). De esta forma, la corriente circular en el sentido de
drenador a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensin VDS a aplicar debe ser
negativa y la tensin VGS positiva, de esta forma la corriente fluir en el sentido de
la fuente hacia el drenador.

VDS positiva
VGS negativa
ID
positiva (entrante)

VDS negativa
VGS positiva
ID
negativa (saliente)

Figura 7.3.- Polarizacin del JFET.

A partir de ahora, y al hablar del JFET, vamos a centrarnos en el estudio del JFET
de canal n, para el caso del JFET de canal p el estudio sera completamente
anlogo sin ms que hacer los cambios que aparecen representados en la Figura
7.3.
Para explicar el funcionamiento, de forma cualitativa, del transistor JFET vamos a
aplicarle las tensiones VGS y VDS tal y como se han indicado anteriormente (Figura
7.2.) y recordando que nos estamos centrando en los JFET de canal n.
ESTRUCTURA FISICA TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO METAL XIDO
SEMICONDUCTOR. (MOSFET)
Como podemos ver en la Figura 7.13. en la que aparece representada la estructura
bsica para un MOSFET de canal n, partimos de una zona de material
semiconductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n+ con contactos metlicos
a los terminales de drenador y fuente. La zona roja representada corresponde a una
capa de material aislante, en este caso xido de silicio. Por tanto, si nos fijamos en
el terminal de puerta, vemos como tenemos una zona metlica (correspondiente al
contacto hmico) una zona de xido y una zona de semiconductor. Es precisamente
debido a esta estructura de donde le viene el nombre al dispositivo de Metal xido
Semiconductor (MOS). Adems, este dispositivo tendra un cuarto terminal, el
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terminal del Sustrato (SS), aunque habitualmente ste se encuentra conectado a la

fuente.
Es preciso que notemos una caracterstica fundamental de este dispositivo y es que
la puerta est aislada elctricamente del dispositivo, es decir, no hay conexin
elctrica entre la puerta y el sustrato.
Por otra parte, indicar que en este caso y en las sucesivas representaciones de los
transistores MOSFET a lo largo de este captulo no se han representado las zonas
de carga de espacio que evidentemente aparecern en las uniones pn por simplificar
los dibujos, ya que en este caso, y a diferencia del JFET, las zonas de carga de
espacio no juegan un papel primordial en el funcionamiento del dispositivo.

Figura 7.13.-Estructura bsica del MOSFET de acumulacin canal n.

Smbolos.
Los smbolos ms habituales utilizados para la representacin en circuitos de los
MOSFET de acumulacin son los que aparecen representados a continuacin

2.- TECNOLOGAS DE SU PROCESO DE FABRICACIN

MOSFET de acumulacin canal p

Figura 7.14.-Smbolos del MOSFET de acumulacin
Notar dos aspectos significativos del smbolo, en primer lugar que el terminal de
puerta no tiene conexin con el resto de terminales, ya que tal y como hemos visto
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anteriormente, est aislado elctricamente del resto del dispositivo. En segundo

lugar que los terminales de drenador y fuente estn unidos a travs de una lnea
discontinua, esta lnea hace referencia al canal que se va a formar y que veremos
ms adelante. De nuevo, la flecha indica el sentido en que circulara la corriente en
el caso de que la unin pn estuviera polarizada en directa.
Para el funcionamiento ms habitual, los transistores MOSFET de acumulacin se
polarizan tal y como aparece en la Figura 7.15.

Canal n

Canal p

VDS positiva
VGS positiva
ID
positiva (entrante)

VDS negativa
VGS positiva
ID
negativa (saliente)

Figura 7.15.- Polarizacin del MOSFET de acumulacin.

Los transistores MOSFET de acumulacin de canal n se polarizan aplicando una
tensin positiva entre drenador y fuente (VDS) y una tensin positiva entre puerta y
fuente (VGS). De esta forma, la corriente circular en el sentido de drenador a
fuente. En el caso del MOSFET de acumulacin de canal p la tensin VDS a aplicar
debe ser negativa y la tensin VGS negativa, de esta forma la corriente fluir en el
sentido de la fuente hacia el drenador.
A partir de ahora vamos a centrarnos en el estudio del MOSFET de acumulacin de
canal n, para el de canal p todos los razonamientos seran anlogos sin ms que
tener en cuenta los sentidos de las tensiones y las corrientes que aparecen en la
Figura 7.15.
2.- TECNOLOGIA DE SU PROCESO DE FABRICACIN
El principio bsico de operacin de este tipo de transistor fue patentado por primera
vez por el austrohngaro Julius Edgar Lilienfeld en 1925. Debido a los
requerimientos de carcter tecnolgico para la fabricacin de la intercara lisa y libre
de defectos entre el sustrato dopado y aislante, este tipo de dispositivos no se logr
fabricar hasta dcadas ms tarde, pero los fundamentos tericos estaban contenidos
en la patente original. Veinticinco aos despus, cuando laBell Telephone
Company intent patentar el transistor de unin, encontraron que Lilienfeld tena
registrada a su nombre una patente que estaba escrita de una forma que inclua
todos los tipos de transistores posibles. Los Laboratorios Bell lograron llegar a un
acuerdo con Lilienfeld, quien todava viva en esa poca (no se sabe si le pagaron
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por los derechos de la patente o no).Plantilla:Fecha=Marzo 2012 Fue en ese

momento cuando los Laboratorios Bell crearon el transistor de unin bipolar, o
simplemente transistor de unin, y el diseo de Lilienfeld's fue conservado con el
nombre de transistor de efecto de campo.
En 1959, Dawon Kahng y Martin M. (John) Atalla en los Laboratorios Bell inventaron
el transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) como un
avance y mejora sobre el diseo del transistor FET patentado. 1 Con una operacin y
estructura completamente distintas al transistor bipolar de unin,2 el transistor
MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un
semiconductor y luego colocando un electrodo metlico de compuerta sobre el
aislante. Se utiliza silicio cristalino para el semiconductor base, y una capa
de dixido de silicio creada a travs de oxidacin trmica, que se utiliza como
aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas de electrones localizados entre
la interfaz, entre el silicio y la capa de xido nativo, y por este motivo se vea libre de
la dispersin y el bloqueo de portadores que limitaba el desempeo de los
transistores de efecto de campo anteriores. Despus del desarrollo de cuartos
limpios para reducir los niveles de contaminacin, y del desarrollo de
la fotolitografa3 as como del proceso planar que permite construir circuitos en muy
pocos pasos, el sistema Si-SiO2 obtuvo gran importancia debido a su bajo costo de
produccin por cada circuito, y la facilidad de integracin. Adicionalmente, el mtodo
de acoplar dos MOSFET complementarios (de canal N y canal P) en un interruptor
de estado alto/bajo, conocido como CMOS, implic que los circuitos digitales
disiparan una cantidad muy baja de potencia, excepto cuando son conmutados. Por
estos tres factores, los transistores MOSFET se han convertido en el dispositivo
utilizado ms ampliamente en la construccin de circuitos integrados.
3.- FILOSOFIA DE FUNCIONAMIENTO
-Principio de Funcionamiento de Transistores de unin de efecto de campo (JFET)

Influencia de VDS.
En primer lugar vamos a estudiar el efecto que sobre el dispositivo tiene la
variacin de la tensin VDS aplicada entre los extremos del canal. Para ello vamos a
suponer que inicialmente la tensin VGS = 0 y vamos a ir aumentando el valor de
VDS desde 0.

Figura 7.4.- Efecto de la tensin VDS. El canal se estrecha de la zona del drenador.
Al establecer una tensin VGS = 0 los terminales de fuente y puerta estn al mismo
potencial, por tanto la zona de deplexin del lado de la fuente ser semejante a la
que tenamos en condiciones de no polarizacin. En el instante en que apliquemos
una tensin VDS, los electrones se vern atrados hacia el lado del drenador,
establecindose una corriente ID en el sentido mostrado en la Figura 7.4. Bajo estas
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condiciones las corrientes ID e IS sern iguales y se vern nicamente limitadas por

la resistencia elctrica que presenta el canal entre el drenador y la fuente. Es
importante notar que ambas uniones p-n se encuentran polarizadas en inversa, con
lo cual la corriente a su travs ser prcticamente nula.
Cuando aplicamos una tensin VDS (por ejemplo 2 V en la Figura 7.4.) esta se
distribuir a lo largo del canal, distribucin, que en un principio y para tensiones
pequeas, podemos suponer uniforme. De esta forma, si nos fijamos en la
polarizacin inversa de las uniones p-n, podemos observar como stas estn ms
inversamente polarizadas de la zona del drenador que de la zona de la fuente. Si
recordamos que la anchura de la zona de carga de espacio en una unin p-n
polarizada en inversa es tanto mayor cuanto mayor sea dicha polarizacin inversa,
tendremos que la anchura de estas zonas deplexin son tanto mayores cuanto ms
cerca del drenador nos encontremos, o lo que es lo mismo, la anchura efectiva del
canal ser menor en la parte del drenador que en la parte de la fuente.
Para valores pequeos de la tensin VDS aplicada, el estrechamiento del canal no
ser importante, por lo que el dispositivo se comporta, en esencia, como una
resistencia de forma que la relacin entre la tensin aplicada y la corriente que
circula por el dispositivo ser lineal tal y como establece la Ley de Ohm. Sin
embargo, a medida que aumentamos la tensin aplicada, el estrechamiento del
canal se va haciendo ms importante, lo que lleva consigo un aumento de la
resistencia y por tanto un menor incremento en la corriente ante un mismo
incremento de la tensin aplicada.

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Figura 7.5.- Caracterstica ID - VDS con VGS = 0.

Si continuamos aumentando la tensin VDS, el canal se estrecha cada vez ms,
especialmente cerca de la zona del drenador, hasta que ambas zonas de deplexin
de tocan. La tensin VDS para la cual se produce el estrangulamiento del canal se
denomina VDSsat . Para tensiones VDS aplicadas superiores a este valor, la
pendiente de la curva (ID - VDS) se satura, hacindose aproximadamente cero,
mantenindose la corriente ID prcticamente constante a un valor denominado IDSS
(Corriente drenador - fuente de saturacin) que es la mxima corriente que podemos
tener para un determinado JFET (caracterstico para cada JFET).
En un principio, podramos pensar que si el canal se cierra por completo la corriente
que circula por el mismo debera ser nula. Si ID fuera nula, no habra corriente en el
canal en ningn punto, y el potencial a lo largo de ste sera el mismo que con VDS
= 0, es decir, cero en todo lugar. Si en el canal el potencial es cero en todos sus
puntos, las uniones p-n estaran con polarizacin nula, y a su vez el canal tendra
que estar abierto por completo desde la fuente hasta el drenador, con lo que se
contradice de forma clara la suposicin inicial de un canal cerrado. En otras
palabras, debe fluir una corriente en el JFET para inducir y mantener la condicin de
estrangulamiento.
Quizs la dificultad conceptual se encuentra a menudo con respecto a que la
condicin de estrangulamiento proviene de la necesidad de que fluya una corriente
elevada por una zona de vaciamiento. Sin embargo, en los dispositivos de estado
slido no son inusuales los flujos de corriente elevados por zonas de vaciamiento
(recordar un transistor BJT donde la unin de colector, en la zona activa, est
polarizada en inversa y sin embargo a su travs circulan corrientes elevadas).
Otra cuestin que precisa una explicacin es la saturacin de la corriente de
drenador para tensiones de drenador superiores a VDSsat. Una vez alcanzado el
punto de estrangulamiento, si se incrementa la tensin por encima de VDSsat , la
porcin de estrangulamiento se ensancha una extensin L desde un punto dentro
de la zona de canal vaco (Figura 6.6.). En la seccin L la tensin del lado por el
drenador es VDS, mientras que por el lado de la fuente es VDSsat. Es decir, la
tensin aplicada por encima de VDSsat , que vale VDS - VDSsat , cae a lo largo de
la seccin vaca del canal. Si ahora suponemos que
-L << L (suposicin denominada hiptesis de canal largo), que suele ser el caso ms
habitual, la regin que va de la fuente al estrangulamiento en el dispositivo resulta
prcticamente idntica en forma y con los mismos potenciales en los extremos (cero
y VDSsat) que los que tena al principio de la saturacin. Si a lo largo de una seccin
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conductora, no vara ni su forma ni la tensin aplicada, la corriente que la atraviesa

tambin debe permanecer invariante. Esto explica la relativa constancia de la
corriente ID para tensiones superiores a la de estrangulamiento o de saturacin.
Evidentemente, si delta L es comparable a L (hiptesis de canal corto), la misma
cada de tensin VDSsat aparecer sobre una seccin de canal menor (L delta L),
con lo que la corriente ID aumentar de forma perceptible al aumentar la tensin
VDS por encima de VDSsat.

Figura 7.6.- JFET de canal largo. Para tensiones superiores a VDSsat el exceso de
tensin cae en la zona de canal vaciado delta L.
Influencia de VGS.
Una vez establecida la variacin de la corriente ID por el dispositivo en funcin de la
tensin VDS cuando VGS = 0, para completar el anlisis, tenemos que estudiar el
comportamiento del JFET para tensiones VGS aplicadas menores que cero (por ser
JFET de canal n). El funcionamiento del JFET para valores de VGS < 0 es muy
similar al que tiene con VGS = 0, con alguna pequea modificacin.

Figura 7.7.- La tensin VGS modula la anchura del canal.

Cuando VGS = VGSoff el canal se cierra por completo
Si suponemos, en primer lugar VDS = 0, para valores de VGS < 0, las uniones p-n
estn polarizadas inversamente. Una polarizacin inversa de dichas uniones
incrementa el ancho de la zona de deplexin disminuyendo la anchura efectiva del
canal n. Por tanto la resistencia del canal aumenta, de manera que en la zona de
comportamiento hmico, es decir, para valores pequeos de la tensin VDS
aplicada donde la relacin ID - VDS es lineal, la pendiente ser tanto menor cuanto
mas negativa sea VGS .

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Figura 7.8.- La tensin VGS modula la anchura del canal. El dispositivo se

comporta como una resistencia controlada por VGS.
Por ltimo, para tensiones VGS suficientemente negativas, podra llegar a cerrarse
por completo el canal, aun cuando VDS = 0. Esto sucede cuando la tensin VGS
alcanza o disminuye por debajo del valor VGSoff. Hecho este por el cual el
fabricante suele denotar este parmetro como VGSoff, (este es un valor de tensin
caracterstico de cada JFET) ya que indica el valor de tensin por debajo del cual
(recordar que estamos hablando de valores negativos de tensin) el canal est
completamente vaciado no habiendo posibilidad de circulacin de corriente por
mucho que se aumente la corriente VDS (Salvo que dicha tensin sea lo
suficientemente elevada para perforar las uniones p-n polarizadas en inversa. Este
hecho se analizar ms adelante al analizar la zona de ruptura de la curva
caracterstica del JFET).
Principio de Funcionamiento Transistores de efecto de campo metal-xidosemiconductor (MOSFET).
Influencia de VGS.
A diferencia de lo hecho con el JFET, vamos a comenzar en este caso con el
efectode la influencia de la tensin VGS . Para ello vamos a suponer en un principio
VDS = 0
En primer lugar, si aplicamos una tensin VGS =0, (Figura 7.16 a) aunque
apliquemos una tensin VDS no circular corriente alguna por el dispositivo, ya que
la unin de drenador est polarizada en inversa.

Figura 7.16.- Efecto de VGS ; a) VGS = 0 b) VGS > 0.

Sin embargo, cuando VGS >0 aparece un campo elctrico que lleva a los electrones
hacia la zona de la puerta y aleja de dicha zona a los huecos, no pudindose
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establecer una corriente por estar la puerta aislada. Para valores pequeos de esta
tensin VGS aplicada se crear una zona de carga de espacio (sin portadores), sin
embargo, si seguimos aumentando el valor de esta tensin, la acumulacin de
electrones se har lo suficientemente importante como para decir que tenemos una
zona n, es decir, se formar un canal de tipo n que unir los terminales de drenador
y fuente (Figura 7.17.).
De esta forma, cuanto mayor sea la tensin VGS aplicada mayor ser la anchura del
canal formado, es decir, de nuevo tenemos un efecto de modulacin de anchura del
canal con la tensin VGS.
Por otra parte, vemos que en este dispositivo se produce un efecto de variacin de
una carga almacenada con una tensin aplicada. Este es precisamente el efecto que
se produce en un condensador. De esta forma, estamos viendo que, de alguna
manera, este dispositivo puede comportarse como un condensador como habamos
adelantado en la introduccin del captulo.
Si ahora nos fijamos en la Figura 7.17 b al estar los terminales de fuente, sustrato y
drenador a la misma tensin (por ser VDS = 0) las tensiones VGS y VGD sern
iguales, y por lo tanto el canal simtrico respecto de la puerta.

Figura 7.17.-Efecto de VGS .

Por tanto, vemos que con la tensin VGS podemos modular la anchura del canal,
pero no basta con que esta tensin sea positiva, sino que deber superar un de
terminado nivel de tensin. A esta tensin umbral a partir de la cual hay canal
formado que permite la circulacin de corriente entre el drenador y la fuente en
algunos libros se le suele llamar VT (tensin de threshold). Aunque en realidad tiene
el mismo significado que la tensin VGSoff vista para el transistor JFET, ya que en
ambos caso se trata del valor mnimo de tensin para el que existe canal que
permite la circulacin de corriente.
Al igual que en el caso del JFET, si ahora aplicamos valores de tensin VDS
pequeos, la relacin entre la corriente ID y la tensin VDS aplicada ser lineal, es
decir, de nuevo el dispositivo se comporta como una resistencia cuyo valor
depender de la anchura del canal y por lo tanto de la tensin VGS .

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Figura 7.18.-La tensin VGS modula la anchura del canal. El dispositivo se

comporta como una resistencia controlada por VGS .
Influencia de VDS.
Si una vez que se ha formado el canal aplicamos una tensin positiva, por el canal
circular una corriente ID en el sentido del drenador hacia la fuente. Si ahora nos
fijamos en la relacin de tensiones VDS = VGS - VGD , al ser VDS > 0 tendremos
que VGD < VGS , por lo tanto la anchura del canal ser menor del lado del drenador.

Figura 7.19.-Efecto de la tensin VDS . El canal se estrecha ms de la zona del

drenador.
De nuevo el comportamiento es el mismo que hemos visto anteriormente para el
JFET. Para valores de tensin VDS pequeos, el estrechamiento del canal no ser
importante, por lo que la relacin entre la tensin aplicada y la corriente que circula
ser lineal tal y como establece la Ley de Ohm. A medida que el valor de VDS
aumente, el estrechamiento comenzar a ser importante, variando la resistencia que
presenta el canal y perdiendo la linealidad de la caracterstica. Hasta que la tensin
VDS alcance el valor de VDSsat, momento en el cual el canal se habr cerrado por
completo. A partir de este instante, si seguimos aumentando la tensin VDS, por
encima de este valor VDSsat, la corriente ID se mantiene constante.

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Figura 7.20.-Caracterstica ID - VDS para una valor de VGS constante.

De nuevo, la corriente no se anula al cerrarse el canal, ya que si ello sucediese
drenador y fuente estaran al mismo potencial, lo que implicara que VGS y VGD
sern iguales y por lo tanto el canal simtrico respecto a la puerta, es decir, la
situacin en la que estbamos con VDS = 0
4.- APLICACIONES
La forma ms habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.
Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.
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Ventajas con respecto a transistores bipolares

La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados PMOS,
NMOS y CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de
campo con respecto a los transistores bipolares:
Consumo en modo esttico muy bajo.
Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media
micra).
Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del
orden de los nanoamperios.
Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con
el ahorro de superficie que conlleva.
La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los
nanosegundos.
Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta
frecuencias y baja potencia.
ESCALAMIENTO DEL MOSFET

Las dimensiones caractersticas de un transistor MOSFET son la longitud de

canal (L) y el ancho de la compuerta (W).
Las dimensiones ms importantes en un transistor MOSFET son la longitud del
canal (L) y el ancho de la compuerta (W). En un proceso de fabricacin se pueden
ajustar estos dos parmetros para modificar el comportamiento elctrico del
dispositivo. La longitud del canal (L) se utiliza adems para referirse a la tecnologa
con la cual fue fabricado el componente electrnico. De esta manera, un transistor
fabricado con tecnologa de 45 nm es un transistor cuya longitud de canal es igual a
45 nm.
El MOSFET ha sido escalado continuamente para reducir su tamao por varias
razones. El motivo principal es que se pueden poner ms transistores en una misma
rea superficial, aumentando la densidad de integracin y la potencia de clculo de
los microprocesadores. Para tener una idea, los primeros transistores tenan
longitudes de canal de varios micrmetros, mientras que los dispositivos modernos
utilizan tecnologas de apenas decenas denanmetros. En un microprocesador Core
i7 de tercera generacin fabricado con tecnologa de 22 nm se tienen
aproximadamente 1480 millones de transistores.
Los trabajos de Richard Feynman y posteriormente de Robert H. Dennard sobre la
teora de escalamiento fueron la clave para reconocer que la reduccin continua del
dispositivo era posible. Adicionalmente la industria microelectrnica ha tratado de
mantener con vigencia la ley de Moore, una tendencia que indica que la cantidad de
transistores en un circuito integrado se duplica cada dos aos. Para continuar con
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esta tendencia, Intel inici un proceso de produccin en donde la longitud de la

compuerta es de 32 nm en el 2009 y contina reduciendo la escala en el 2011 con
procesos de 22 nm. Por otro lado, la industria de semiconductores mantiene un
"roadmap", el ITRS, que marca las metas del desarrollo de la tecnologa MOSFET.
RAZONES PARA EL ESCALAMIENTO DEL MOSFET
Los MOSFET pequeos son deseables por varias razones. El motivo principal para
reducir el tamao de los transistores es que permite incluir cada vez ms
dispositivos en la misma rea de un circuito integrado. Esto resulta en circuitos con
la misma funcionalidad en reas ms pequeas, o bien circuitos con ms
funcionalidades en la misma rea. Debido a que los costos de fabricacin para una
oblea de semiconductor son relativamente estables, el costo por cada circuito
integrado que se produce est relacionado principalmente al nmero de circuitos que
se pueden producir por cada oblea. De esta forma, los circuitos integrados pequeos
permiten integrar ms circuitos por oblea, reduciendo el precio de cada circuito. De
hecho, a lo largo de las ltimas tres dcadas el nmero de transistores por cada
circuito integrado se ha duplicado cada dos o tres aos, cada vez que un nuevo
nodo de tecnologa es introducido. Por ejemplo el nmero de MOSFETs en un
microprocesador fabricado con una tecnologa de 45 nm podra ser el doble que
para un microprocesador fabricado con tecnologa de 65 nm. Esta duplicacin de la
densidad de integracin de transistores fue observada por Gordon Moore en 1965 y
es conocida como la Ley de Moore.

Tendencia de la longitud del canal y el ancho de compuerta en transistores MOSFET

fabricados por Intel, a partir de la tecnologa de 130 nm.
Tambin se espera que los transistores ms pequeos conmuten ms rpido. Por
ejemplo, un enfoque de escalamiento utilizado en el MOSFET requiere que todas las
dimensiones sean reducidas de forma proporcional. Las dimensiones principales de
un transistor son la longitud, el ancho, y el espesor de la capa de xido. Cada una de
estas dimensiones se escala con un factor de aproximadamente 0.7 por cada nodo.
De esta forma, la resistencia del canal del transistor no cambia con el escalamiento,
mientras que la capacidad de la compuerta se reduce por un factor de 0.7. De esta
manera la constante de tiempo del circuito RC tambin se escala con un factor de
0.7.
Las caractersticas anteriores han sido el caso tradicional para las tecnologas
antiguas, pero para los transistores MOSFET de las generaciones recientes, la
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TRANSISTORES DE EFECTO DE C AMPO

reduccin de las dimensiones del transistor no necesariamente implica que la

velocidad de los circuitos se incremente, debido a que el retardo debido a las
interconexiones se vuelve cada vez ms importante.
5.- NORMA DE FABRICACION

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