PROBLEMAS DE ELECTRNICA

ANALGICA
(Transistores c.a.)

Escuela Politcnica Superior

Profesor. Daro Garca Rodrguez

Transistores c.a.

1.3.- En el circuito emisor comn de la figura de la parte inquierda, siendo sus

parmetros h, hfe = 80 y hie = 1 k y sus parmetros , r = 1 k y gm = 80 mA/V. Calcular
ganancia de intensidad y de tensin y resistencia de entrada y salida.
C
vC
2K

vs

iC

5K

ib

En el circuito dado hemos cortocircuitado las fuentes de tensiones en continua que sirven
para polarizar el transistor y as darnos los parmetros en corriente alterna del transistor.
El circuito equivalente en parmetro h es el siguiente:
h fe ib = 80ib
2K

hie = 1k

vC
vs

ib

iC

5K

Ro

Ri

R'o

Vamos a calcular por el problema.:

Ganancia de intensidad :
Resistencia de entrada :

Ganancia de tensin:

Av =

ic h fe ib
=
= h fe = 80
ib
ib
v
i h
Ri = be = b ie = hie = 1K
ib
ib

Ai =

h fe ib Rc h fe Rc 805
vc
i R
= c c =
=
=
= 400
vbe
ib hie
ib hie
hie
1

Tambien

Transistores c.a.

vc
i R
R
5
= c c = Ai c = 80 = 400
vbe
ib hie
Ri
1
El signo menos nos indica que entre la entrada y salida existe un desfase de 180.
Av =

2K

ib

vs

B
Ri
E

Ganancia de tensin con respecto a vs.:

Avs =

400
vc vc vbe
v
Ri
1
= = Av be = Av
= 400
=
vs vbe vs
vs
Ri + Rs
2 +1
3

( ver figura anterior)

Las resistencia de salida en los dos puntos sern:
Ro se calcula abriendo la fuente de intensidad que en este caso es infinito.
R'o ser infinito en paralelo con Rc luego nos dar Rc = 5 K.
El circuito equivalente en parmetro pi es el siguiente:

2K

g m vbe = 80vbe

r = 1k

vC
vs

ib

iC

5K

Ro

Ri

Calculemos lo solicitado por el problema:

R 'o

Transistores c.a.

Ganancia

de

intensidad:

Resistencia de entrada :

Ri =

Ai =

ic g m vbe g m ib r
=
=
= g m r = 801 = 80
ib
ib
ib

vbe
= r = 1K
ib

Ganancia de tensin:
v
i R
g m vbe Rc g m ib r Rc
Av = c = c c =
=
= g m Rc = 805 = 400
vbe
ib r
ib r
ib r
El signo menos nos indica que entre la entrada y salida existe un desfase de 180.
Ganancia de tensin con respecto a vs:
vc
v v
v
Ri
1
400
= c be = Av be = Av
= 400
=
v s vbe v s
vs
Ri + Rs
2 +1
3
Resistencias de salida:
Avs =

Ro se calcula abriendo la fuente de intensidad que en este caso es infinito.

R'o ser infinito en paralelo con Rc luego nos dar Rc = 5 K.
Los resultados en ambos casos son iguales, como era lo previsto.

Transistores c.a.

2.3.- En el circuito colector comn de la figura de la parte inquierda, siendo sus

parmetros h, hfe = 80 y hie = 1 k y sus parmetros , r = 1 k y gm = 80 mA/V. Calcular
ganancia de intensidad y de tensin y resistencia de entrada y salida.
C
2K

ib

vs

iC

ie

ve

5K

En el circuito dado hemos cortocircuitado las fuentes de tensiones en continua que sirven
para polarizar el transistor y as darnos los parmetros en corriente alterna del transistor.
El circuito equivalente, en forma aproximada, en parmetro h es el siguiente:
h fe ib = 80ib

2K

vs

hie = 1k

ib

iC

5K

R 'o

Ri

En esta configuracin la entrada la tenemos en la base y la salida en el emisor.

En primer lugar vamos a poner las ecuaciones del circuito:
ie =ib + hfeib = ib(hfe + 1)

vs =ib(Rs + hie ) + ieRe = ib(Rs +hie+(hfe + 1)Re)

Ganancia de intensidad: Ai =

ie ib (h fe + 1)
=
= (h fe + 1) = 80 + 1 = 81
ib
ib

Resistencia de entrada :
Ri =

v b ib hie + i e R e ib ( hie + ( h fe + 1))

=
=
= hie + ( h fe + 1) R e = 1 + 815 = 406 k
ib
ib
ib

Transistores c.a.

Ganancia de tensin Av:

Av =

ve Ai RL Ai Re 815 405
=
=
=
=
=1
vb
Ri
Ri
406 406

Ganancia de tensin Avs

Avs =

ve ve vb
v
Ri
406
406
=
= Av b = Av
= 1
=
=1
v s v s vb
vs
Rs + Ri
2 + 406 408

Resistencia de salida mirada desde el emisor hacia la izquierda, sin tener la

resistencia de emisor englobada. Para el clculo de la impedancia de salida se cortocircuita
la fuente de entrada y en la salida se pone una fuente de tensin, la fuente de tensin partida
por la intensidad que circula es la impedancia de salida sin tener en cuenta el signo.
2K

hie = 1k

ib

ie

Ro

Ro =

[ve ] = ib ( Rs + hie ) = Rs + hie

[ie ] ib (h fe + 1) h fe + 1

2 +1
3
= k
80 + 1 81

La resistencia de salida R'o es decir teniendo presente la resistencia de la carga en

este caso Re es la combinacin en paralelo de R'o con Re.
3
5
Ro Re
15
15
Ro =
= 81 =
=
= 0.037k
3
Ro + Re
3 + 815 408
+5
81
Con los parmetros se realiza de la misma manera solamente teniendo
presente que r = hie y hfe = gm r

Transistores c.a.

3.3.- En el circuito de la figura 1 los valores de las resistencias son: Rs=2K,

R1=90k, R2=10k, Rc=4k y Re=1k, y los parmetros aproximado en corriente alterna
hfe=50 y hie=1k.
a) Calcular las ganancias de tensin e intensidades, y resistencias de entrada y
salida en el colector.
b) Calcular las ganancias de tensin e intensidades, y resistencias de entrada y
salida en el emisor.

Rc
RC

R1

Rs

Cp

Rs

R2

C
Q1

ib

ic
C
Q1
E

15
V

E
Vs

ii

vs

Rb

Re

Re

1k

R'i

Ri

Fig.1

Fig.2

En primer lugar calculemos el thevenin de las resistencias R1 y R2. Y obtendremos

el circuito de la figura 2. Las tensiones continuas y los condensadores de paso se
cortocircuitan para el calculo de alterna.
Rb =

R1 R2
9010
=
= 9k
R1 + R2 90 + 10

A continuacin calculamos lo solicitado por el problema, con salida en el colector

Ganancia de intensidad definida por :

Ai =

ic h fe ib
=
= h fe = 50
ib
ib

Resistencia de entrada sin Rb :

Ri =

vb
= hie + (h fe + 1)Re = 1 + (50 + 1)1 = 52k
ib

Ganancia de tensin definida por:

Av =

vc
R
4
= Ai c = 50 = 3.84
vb
Ri
52

Resistencia de entrada con Rb:

Ri' =

Ri Rb
529
=
= 7.67k
Ri + Rb 52 + 9

Transistores c.a.

Ganancia de tensin respecto a vs : (ver fig.3).

RS

Ri

VS

Fig 3
0

Avs =

vc v c vb
v
Ri'
7.67
=
= Av b = Av
= 3.84
= 3.05
'
v s v s vb
vs
7.67 + 2
Rs + Ri
Resistencia de Salida en los dos puntos Ro = (en el colector sin tener en cuenta

Rc)
Ro' = Rc = 4k . ( teniendo en cuenta la resistencia Rc) .

Ganancia de intensidad definida por: (ver fig.4).

Rs

ib

ii

Vs

Rb

Ri

Fig.4
0

Ai' =

ic ic ib
i
Rb
9
=
= Ai b = Ai
= 50
= 7.38
ii ii ib
ii
Rb + Ri
9 + 52

b) Salida en emisor:

Ganancia de intensidad definida por: Ai =

Resistencia de entrada sin Rb:

Ganancia de tensin :

Ri =

Av =

ie (h fe + 1)ib
=
= (h fe + 1) = 51
ib
ib

vb
= hie + (h fe + 1)Re = 1 + (50 + 1)1 = 52k.
ib

ve
R
1
= Ai e = 51 = 0.98
vb
Ri
52

Transistores c.a.

Impedancia de entrada con Rb : Ri' =

Ganancia de tensin:

Ri Rb
529
=
= 7.67k.
Ri + Rb 52 + 9

ve ve vb
vb
Ri'
7.67
Avs =
=
= Av = Av
= 0.98
= 0.78
'
v s v s vb
vs
7.67 + 2
Rs + Ri

Ganancia de intensidad definida por:

i
i i
i
Rb
9
= 51
= 7.52
Ai' = e = e b = Ai b = Ai
9 + 52
ii ii ib
ii
Rb + Ri
Resistencia de salida (en emisor sin tener presenta la Re : (ver fig.5).

Rs

hie

1k

Rb ib

ie

Fig.5
0

Rs Rb
29
+ hie
+1
R + hie
Rs + Rb
Ro =
=
= 2+9
= 0.052k.
(h fe + 1)
(h fe + 1)
(50 + 1)
'
s

Resistencia de salida (en emisor con Re ) : Ro' =

Re Ro
0.0521
=
= 0.049k
Re + Ro 0.052 + 1

Transistores c.a.

4.3.-En el circuito de dos etapas de la figura las resistencias tienen unos valores de
Rs=1 k, R1 =40 k, R2=40 k, Rc1=5k, Re1=0.1k y Re2=5k. Los parmetros en
alterna, de forma aproximada, dado por hie=1k y hfe=50.
Calcular las ganancias de intensidades, tensiones y resistencias de entrada y salida
de las dos etapas.(La salida se encuentra en el emisor de Q2).
Rc1
R1

Rs

Q2
Q1

Vs

12V

Re2

Re1

R2

Calculemos el thevenin de las resistencias R1 y R2 y cortocircuitamos las tensiones

de continua.y tendremos el circuito de la figura 2.
Rc1

ii

ib1

Q2
Q1 i
C

b2

Rs

E1

Rb1

vs

R'i

E2

Re2

ie2

Re1

Ri

Ro

R'o

Fig.2
En primer lugar tendremos que calcular lo solicitado en el transistor Q2, menos la
impedancia de salida, ya que la resistencia de entrada de Q2, carga a Q1.
Luego en Q2
Ganancia de intensidad

Ai 2 =

ie 2 (h fe + 1)ib 2
=
= (h fe + 1) = 51
ib 2
ib 2

Resistencia de entrada :

Ri 2 =

vb 2
= hie + (h fe + 1)Re 2 = 1 + (50 + 1)5 = 256k.
ib 2

Ganancia de tensin :

Av 2 =

ve 2
R
5
= Ai 2 e 2 = 51
1
vb 2
Ri 2
256

La resistencia de colector de Q1 :

Rc' 1 =

10

Ri 2 Rc1
2565
=
= 4.9k.
Ri 2 + Rc1 256 + 5

Transistores c.a.

En Q1 Se tiene:
Ganancia de intensidad :

Ai1 =

Resistencia de entrada: Ri1 =

Ganancia de tensin : Av1 =

ic1 h fe ib 2
=
= h fe = 50
ib1
ib 2

vb1
= hie + (h fe + 1)Re1 = 1 + (50 + 1)0.1 = 6.1k.
ib1

vc1
R'
4.9
= Ai1 c1 = 50
= 40.16
vb1
Ri
6.1
Rb1 =

Resistencia de entrada con Rb1:

Ganancia de tensin total:

4040
= 20k.
40 + 40

Ri'1 =

Ri1 Rb1
6.120
=
= 4.67k.
Ri1 + Rb1 6.1 + 20

Avt =

ve 2 ve 2 vc1
=
= Av 2 Av1 = 1(40.16) = 40.16
vb1 vb1 vb 2

Ganancia de tensin total con entrada vs:

Ri'1
ve 2 ve 2 vb1
4.67
Avst =
=
= Avst '
= 40.16
= 33.08
vs
v s vb1
4.67 + 1
Ri1 + Rs
Impedancias de salida: (Fig.3)
Rc1

hie

Fig.3

Ro =

Ro

R c 1 + h ie
4 +1
=
= 0 .1 K
( h fe + 1 )
50 + 1
Ro' =

Ro Re 2
0.15
=
= 0.1k
Ro + Re 2 0.1 + 5

Ganancia de intensidad dada por: (Fig 4)

11

Transistores c.a.

Rs
Vs

ib

ii

R b1

Fig.4

Ri

Ai =

ie 2 ie 2 ib 2 ic1
Rc1
5
=
= Ai1 Ai 2 (
) = 5051(
) = 48.85
ib1 ib1 ib 2 ic1
Rc1 + Ri 2
5 + 256

Ganancia de intensidad dada por :

Ai' =

is

ie 2 ie 2 ib1
Rb1
20
=
= Ai
= 48.85
= 37.43
ii
ii ib1
Rb1 + Ri1
20 + 6.1

El thevenin de la entrada del circuito lo hemos transformado en el Norton donde el

v
valor de i s = s , quedando el circuito
ib1
Rs
de la figura de la izquierda donde
vamos a definir otra ganancia de
Rs
intensidad:
Rb1
Ri

Rs Rb1
120
i
i i
i
Rs + Rb1
= 48,85 1 + 20 = 6,6
Ai" = e 2 = e 2 b1 = Ai b1 = Ai
Rs Rb1
120
is
ib1 i s
is
+ 6 .1
+ Ri
1 + 20
Rs + Rb1

12

Transistores c.a.

5.3.-En el circuito de dos etapas de la figura las resistencias tienen unos valores de
R1 =90 k, R2=10 k,, Rc1=10 k, Re1=0.1 k, R3=45 k, R4=5 k, Re2=0.33 k
Rc2=3k y Rs= 1 k. Los parmetros, de ambos transistores, en alterna de una forma
aproximada son hie=1k y hfe=50.
Calcular las ganancias de intensidades, tensiones y resistencias de entrada y salida
de las dos etapas.(La salida se encuentra en el colector de Q2).
Rc1

R1

Cp

Rc2
R3

Cp

Rs

Q1

Cp

Q2 12V

Vs

R4
R2

Re1

Cp

Cp

En primer lugar calculemos el thevenin de las resistencias R1, R2 y R3 , R4 y

cortocircuitando las tensiones de continua y condensadores, por ser condensadores de paso,
en alterna, obtenemos el esquema de la fig.2.

0
ic2

Rc1

ii

ib1

ib2

ic1
Q1

R'i1

Rc2

Rb2

Rb1

vs

Rb 2 =

Q2

Ri1

R'i2

R3 R4
455
=
= 4.5k
R3 + R4 45 + 5

Ri2

Ro

R'o

R1 R2
9010
=
= 9k
R1 + R2 90 + 10
Fig.2

Rb1 =

Empezamos los clculos por la segunda etapa, Q2:

Ganancia de intensidad :

Resistencia de entrada :

Ai 2 =

ic 2 h fe ib 2
=
= h fe = 50
ib 2
ib 2

Ri 2 =

vb 2
= hie + (h fe + 1)Re 2 = 1 + (50 + 1)0 = 1k.
ib 2

13

Transistores c.a.

Ganancia de tensin :

Av 2 =

vc 2
R
3
= Ai 2 c 2 = 50 = 150
vb 2
Ri 2
1

Resistencia de entrada incluyendo Rb2 :

Carga en el colector de Q1

Ri'2 =

Ri 2 Rb 2
14.5
=
= 0.82k.
Ri 2 + Rb 2 1 + 4.5

Rc1 Ri'2
100.82
=
= 0.76 K.
'
Rc1 + Ri 2 10 + 0.82

Rc' 1 =

Analicemos la etapa de Q1:

Ganancia de intensidad:

Ai1 =

Resistencia de entrada :

Ri1 =

ic1 h fe ib1
=
= h fe = 50
ib1
ib1

vb1
= hie + (h fe + 1)Re1 = 1 + (50 + 1)0 = 1k.
ib1

Resistencia de entrada incluyendo Rb1:

Ganancia de tensin:

Ganancia de tensin total

Av1 =

Avt =

Ri'1 =

Ri1 Rb1
19
=
= 0.9k.
Ri1 + Rb1 1 + 9

vc1
R'
0.76
= Ai1 c1 = 50
= 38
vb1
Ri1
1

vc 2 vc 2 vc1
=
= Av 2 Av1 = (150)(38) = 5700
vb1 vb1 vb 2

Ganancia de tensin total con referencia a vs

Avst =

vc 2 vc 2 vb1
v
Ri'1
0.9
=
= Avt b1 = Avt
= 5700
= 2700
'
vs
v s vb1
vs
1 + 0.9
Rs + Ri1

Resistencias de salida (ver fig.2)

Ro =

Ganancia de intensidad total definida por

14

Ro' = Rc 2 = 3k

Transistores c.a.

Ait =

Rc1 Rb 2
104.5
Rc1 Rb 2
= Ai1 Ai 2 (
) = 5050( 10 + 4.5 ) = 1891
104.5
Rc1 Rb 2
+1
+ Ri 2
10 + 4.5
Rc1 + Rb 2

ic 2 ic 2 ib 2 ic1
i
=
= Ai1 Ai 2 b 2
ib1 ib1 ib 2 ic1
ic1

ic1

ib2

Rc1

Rb2

Ri2
ic1

Ib2

Ri2

Rc1
0

Ganancia de intensidad total definida por (ver figura inferior hoja).

Ait' =

ic 2 ic 2 ib1
Rb1
9
=
= Ait
= 1891
= 1701.9
ii
ii ib1
Rb1 + Ri1
9 +1

Ib1

ii
Vs

Rs

Rb1

Ri1
0

15

Transistores c.a.

6.3.- En el circuito de sumidero comn de la figura, donde el valor de la resistencia

de drenador es de 5 k y sus parmetros de corriente alterna, aproximado, es de gm = 2
mA/V. Siendo las resistencia de polarizacin R1 = 2M y R2 = 4 M, Fuente de
alimentacin VDD= 12 V. y resistencia de fuente de tensin alterna Ri = 1k.
a) Calcular la tensin de salida, ganancia de tensin e intensidad , impedancia de
entrada y salida en alterna.
b) Si la resistencia la colocamos en el sumidero el circuito es de drenador comn,
calcular lo solicitado en el apartado anterior.
5k
5k

R1

2M

vi

1k

Cp

12V

1k

vi

Rg

4M

4/3M

R2
0
0

Fig.2

Fig.2
D
G
vi

1k

gmvgs
4/3
M

2vi

5k
1k

D
5k

vi
0

Fig.3

Fig.4

En primer lugar calculemos el thevenin equivalente de las resistencia R1 y R2 que se

R R
24
8 4
= = M
encuentran en paralelo. R g = 1 2 =
R1 + R2 2 + 4 6 3
La fuente de tensin equivalente no la calculamos, ya que en alterna la
tenemos que cortocircuitar.
A continuacin calculemos el thevenin en alterna mirado de la puerta haca
la izquierda. Y nos dar la tensin de entrada vs en serie con Ri, por ser Rg mucho
mayor Ri , luego nos quedara el circuito de la figura 2 y su equivalente el de la
figura 4.
v d = id Rd = 2vi 5 = 10vi

id = g m v gs = g m vi = 2vi mA

Ganancia de tensin :

Av =

vd
= 10
vi

Ganancia de intensidad infinito ya que la intensidad de la puerta es igual a cero.

16

Transistores c.a.

Resistencia de salida

Ro = (se abre la fuente de intensidad )

Ro' = Rd = 5k

Resistencia de entrada es infinito ya que por la puerta no circula intensidad.

c) Si la resistencia se encuentra en el sumidero Rs= 5 k, su circuito equivalente
nos viene expresado por la figura 5. Donde podemos escribir:

M1
1k
Vi

Gmvgs

1k

2M
12V

vi

Fig.6

5k

4M
5k

Ro

R'o

Fig.5
id = g m v gs = g m (vi i d Rs )

v s = i d R d =

Ganancia de tensin:

donde id =

g m vi
2vi
2v
=
= i mA
1 + g m Rs 1 + 25 11

2vi
10vi
V
5 =
11
11

Av =

v s 10
=
vi 11

Impedancia de entrada infinito (la intensidad de entrada es igual a cero).

Para calcular la impedancia de salida aqu se cortocircuita la fuente de entrada y en
la salida se le coloca una fuente V, la fuente partido por la intensidad que circula
por ella en valor absoluto es la impedancia de salida.
id = g m V

Impedancia de salida Ro =

[V ]
[ g m V ]

1
k.
gm

y teniendo presente la resistencia Rs

1
Rs
gm
Rs
5
5
Ro `=
=
=
= k.
1
Rs g m + 1 52 + 1 11
Rs +
gm

17

Transistores c.a.

7.3.- En el circuito de sumidero comn de la figura, donde el valor de la resistencia

de drenador es de 5 k y sus parmetros de corriente alterna, aproximado, es de =100
rd=50K . Siendo las resistencia de polarizacin R1 = 2M y R2 = 4 M, Fuente de
alimentacin VDD= 12 V. y resistencia de fuente de tensin alterna Ri = 1k.
d) Calcular la tensin de salida, ganancia de tensin e intensidad , impedancia de
entrada y salida en alterna.
e) Si la resistencia la colocamos en el sumidero el circuito es de drenador comn,
calcular lo solicitado en el apartado anterior.
5k
5k

R1

2M

vi

1k

Cp

12V

1k

vi

Rg

4M

4/3M

R2
0
0

Fig.2

Fig.2
D

D
1k

rd

id

G
Vi

vgs

1k
5k
Rd

G
Vi

rd

gm vgs

Ro

Fig.3

Rd

5k

Ro

Fig.4

En primer lugar calculemos el thevenin equivalente de las resistencia R1 y R2 que se

R R
24
8 4
= = M
encuentran en paralelo. R g = 1 2 =
R1 + R2 2 + 4 6 3
La fuente de tensin equivalente no la calculamos, ya que en alterna la
tenemos que cortocircuitar.
A continuacin calculemos el thevenin en alterna mirado de la puerta haca
la izquierda. Y nos dar la tensin de entrada vs en serie con Ri, por ser Rg mucho
mayor Ri , luego nos quedara el circuito de la figura 2 y su equivalente el de la
figura 3 y figura 4 (thevenin y Norton). Ya sabemos que
100
1
mA
gm =
=
= 2
= 2
rd
50
k
V
En el circuito de la figura 3 podemos escribir:

18

Transistores c.a.

id =

v gs
rd + Rd

vi Rd 1005vi
vi
la salida v d = id RL =
=
= 9.1vi
rd + Rd
rd + Rd
50 + 5

En el circuito de la figura 4
v d = i d

id = g m v gs = g m vi = 2vi mA

Ganancia de tensin :

Av =

rd Rd
505
= 2vi
= 9.1vi
rd + Rd
50 + 5

vd
= 9.1
vi

Ganancia de intensidad infinito ya que la intensidad de la puerta es igual a cero.

Resistencia de salida Ro = 50k (se abre la fuente de intensidad )
R R
505
Ro' = o d =
= 4.54k
Ro + Rd 50 + 5

Resistencia de entrada es infinito ya que por la puerta no circula intensidad.

f) Si la resistencia se encuentra en el sumidero Rs= 5 k, su circuito equivalente
nos viene expresado en la figura 5. Donde podemos dibujar:
2M
M1
1k

12V

4M

Vi

5k

Fig.5

D
1k

Vi

1k

id

rd

vgs
Fig. 6

Vi

Rs

rd
gmvgs

5k

Fig. 7

S
5k

Rs

19

Transistores c.a.

en la figura 6 , tenemos su equivalente en thevenin.

v gs = (vi id Rs ) = i d (rd + Rs )

v s = id Rs =

id =

vi
rd + ( + 1)Rs

1005vi
vi
R s =
= 0.9vi
rd + ( + 1)Rs
50 + (100 + 1)5

v s 0.9vi
=
= 0.9
vi
vi
Resistencia de entrada infinito (la intensidad de entrada es igual a cero).
Ganancia de tensin:

Av =

Para el calculo de la resistencia de salida en el sumidero no incluyendo la resistencia

Rs se define de la siguiente forma.
mod ulo tensin circuito abierto
para ello pongamos ambos circuitos
mod ulo int ensidad en cortocircuito
a continuacin
Ro =

D
1k

D
rd

rd

id

V2

vi

vgs

vi

vgs

Circuito abierto

S
Cortocircuito

En el primer circuito escribimos: v s = v gs = (vi v s )

En el segundo:

v gs = vi = i d rd

id =

vs =

vi
rd

vi
vs
r
50
+1
Ro =
=
= d =
= 0.5k
vi
+ 1 100 + 1
id
rd

20

vi
+1

Transistores c.a.

La resistencia de salida en el sumidero incluyendo la resistencia Rs nos viene

expresada por la combinacin en paralelo de Ro con Rs.
rd
R s
Ro R s
rd Rs
505
+1
R' o =
=
=
=
= 0.45k
rd
Ro + R s
rd + ( + 1)Rs 50 + (100 + 1)5
+ Rs
+1

21

Transistores c.a.

8.3.- Los transistores MOS de la figura son idnticos y su parmetro gm de valor

2mA/V . (Los condensadores del circuito son condensadores de paso).
a) Calcular la ganancia de cada etapa.
b) La ganancia total (salida en el sumidero del tercer MOS)
c) Resistencia de salida.

40k
1k

30M

10k

40M

40M
M1
M3

V1

M2

1n
20M

20M

12V

20M

R7

5k

Las resistencias de 40 M, 20M y 30M, se utilizan slo de polarizacin en

continua ya que en alterna est en paralelo con 40k, 10k y 1k y es equivalente
a estas ltimas resistencias. Lo condensadores son de paso y en alterna es un
cortocircuito. Quedando el circuito equivalente al de la fig.2

40k

10k

1k
M3
M1

M2

V1
5k

Fig.2
Cada uno de los MOS se pueden estudiar por separado siendo la carga 40k,10k y 5k
de M1, M2 y M3 respectivamente, ya que, las dos primeras resistencias estn en paralelo
con la resistencia de entrada de la etapa siguiente que es infinito su resistencia.
Los tres circuitos equivalentes de los tres MOS son los siguientes.

1k

G1

40k

D1
gmvi

vi

40k

G2

10k

D2
gmvd1

Vd1

10k

G3

gmvgs3

Vd2

S3
5k

22

Ro

R'o

Transistores c.a.

En el Primer MOS :
id1=gmvgs1 =gmvi

vd1=-id1Rd1 =- gmRd1vi = -240vi =- 80 vi Voltios

v d 1 80vi
=
= 80
vi
vi

Ganancia de tensin definida por: Av1 =

En el segundo MOS:
id2=gmvgs2 =gmvd1

vd2=-id2Rd2 =- gmRd2vd1 = -210vd1 =- 20 vd1 Voltios

Ganancia de tensin definida por: Av 2 =

v d 2 20v d 1
=
= 20
vd 1
vd 1

En el tercer MOS:
id3=gmvgs3 =gm(vd2-id3Rs3)

v s 3 = i s 3 Rs 3 =

id 3 =

g m v d 2
mA
(1 + g m Rs 3 )

g m v d 2
25v d 2 10v d 2
R s 3 =
=
Voltios
(1 + g m Rs 3 )
(1 + 25)
11

Ganancia de tensin definida por: Av 3 =

v s 3 10v d 2 10
=
=
v d 2 11v d 2 11

b) Ganancia de tensin total:

Av =

vs 3 vs 3 vd 2 vd 1
10
16000
=
= Av 3 Av 2 Av1 = (20)(80) =
= 1.454.54
vi
vd 2 vd 1vi
11
11

c ) Resistencia de salida, interviene slo el ltimo MOS, para calcular R0 se

sustituye la resistencia Rs3 por una fuente de tensin V y esta tensin dividida por
la intensidad que circula por V en valor absoluto es el valor de Ro,
cortocircuentando la fuente de tensin de la entrada.
Ro =

[V ]
[g m V ]

1
1
= = 0.5k
gm 2

Ro' =

23

Rs 3 Ro
5 * 0.5 2.5
=
=
k = 0.45k
Rs 3 + Ro 5 + 0.5 5.5

Transistores c.a.

9.3.- Los transistores MOS de la figura son idnticos y sus parmetros =100 y rd=50 K .
(Los condensadores del circuito son condensadores de paso).
d) Calcular la ganancia de cada etapa. La ganancia total (salida en el sumidero
del tercer MOS)
e) Resistencia de salida.

40k
1k

30M

10k

40M

40M
M1
M3
M2

1n

V1

20M

20M

12V

20M

R7

5k

Las resistencias de 40 M, 20M y 30M, se utilizan slo de polarizacin en

continua ya que en alterna est en paralelo con 40k, 10k y 1k y es equivalente
a estas ltimas resistencias. Lo condensadores son de paso y en alterna es un
cortocircuito. Quedando el circuito equivalente al de la fig.2

40k

10k

1k
M3
M1

M2

V1

vo
5k

Fig.2
Cada uno de los MOS se pueden estudiar por separado siendo la carga 40k,10k y 5k
de M1, M2 y M3 respectivamente, ya que, las dos primeras resistencias estn en paralelo
con la resistencia de entrada de la etapa siguiente, que es infinito su resistencia.
Los tres circuitos equivalentes de los tres MOS son los siguientes.
G1

D1

1k

50k

id1

40k

G2

D2
50k id2

Rd1

G3

Rd2

50k id3

vgs3

10k

Vi

vgs1
+

vgs2
0

24

Vd2

S
5k
0

D3

Transistores c.a.

En el Primer MOS :
id 1 =

v gs1
50 + 40

100vi
mA
90

v d 1 = i d 1 40 =

Ganancia de tensin definida por: Av1 =

100vi
40 = 44.4viVoltios
90

v d 1 44.4vi
=
= 44.4
vi
vi

En el segundo MOS:
id 2 =

v gs 2
50 + 10

100v d 1
mA
60

v d 2 = id 2 10 =

Ganancia de tensin definida por: Av 2 =

100v d 1
10 = 16.6v d 1Voltios
60

v d 2 16.6v d 1
=
= 16.6
vd 1
vd 1

En el tercer MOS:

v gs 3 = i d 3 (5 + 50)
id 3 =

v gs 3 = v d 2 id 3 5

100v d 2
v ds 2
=
50 + ( + 1)5
505

de estas ecuaciones deducimos:

vo = i d 3 5 = 0.99v d 2

Av 3 =

vo
= 0.99
vd 2

b) Ganancia de tensin total:

Av =

v o v o v d 2 v d 1
=
= Av 3 Av 2 Av1 = 0.99(16.6)(44.4) = 729.67
vi
v d 2 v d 1 vi

c ) Resistencia de salida, interviene slo el ltimo MOS, para calcular Ro, aplicamos la
formula del problema 7-3 en la pgina 20 y 21.
Ro =

rd
50
50
=
=
= 0.49 K
+ 1 100 + 1 101

Ro' =

25

Rs 3 Ro
5 * 0.49 2.48
=
=
k = 0.45k
Rs 3 + Ro 5 + 0.49 5.49

Transistores c.a.

10.3.- En el circuito de la figura R1=60 k , R2 = 50 k y RL = 8 k , siendo el

parmetro en alterna gm= 4mA/V (forma aproximada).
a) Si aplicamos una tensin en alterna vi Voltios entre puerta y sumidero calcular
v
la ganancia de tensin Av = d .
vi
b) Si la tensin vi se la aplicamos en serie con la resistencia R2. Calcular lo mismo
que en el apartado anterior.

R1

RL
R1

gm vi

12V

Vi

i1

RL

i2

G
R2
Fig.2

a) En primer lugar la fuente vi en paralelo con la resistencia R2, es equivalente slo

a la fuente vi, a continuacin pongo el circuito equivalente del MOS con el resto
de los componentes externos del circuito y tendremos el circuito de la figura 2
pudiendo escribir las siguientes ecuaciones:
En el nudo superior:

i2 = g m v gs + i1 = g m vi + i1

En la malla exterior podemos escribir: i1 R1 + vi + i2 RL = 0

i1 =

(v i + I 2 R L )
R1

Sustituyendo en la primera ecuacin obtenemos:

i2 =

vi ( g m R1 1) vi (460 1) 239vi
=
=
mA
R1 + RL
60 + 8
68

Tensin de salida

v d = i 2 R L =

R1

es la intensidad en la carga

2398
vi = 28,12viVoltios
68

i3

i4

G
R2

gmvgs

Fig.3
Vi
S

26

RL

Ganancia de tensin :
v
Av = d = 28,12
vi

Transistores c.a.

b) En este apartado tenemos la fig. 3, donde podemos escribir las siguientes

ecuaciones:
En el nudo superior:

i3 = g m v gs + i4

Tensin entre puerta y sumidero:

v gs = I 4 R2 + vi ,

Malla exterior: i3 RL + i 4 ( R1 + R2 ) + vi = 0
En estas tres ecuaciones nos interesa calcular el valor de i3. ( sustituimos la 2 y 3 ecuacin
en la 1).

i4 =

v i + i3 R L
R1 + R2

i3 = g m (

i3 =

v i + i3 R L
v + i R
R2 + v i ) + ( i 3 L )
R1 + R2
R1 + R2

1 g m R1
vi mA
R1 + R2 + g m R L R2 + R L

Luego en la salida tendremos:

v d = i 3 R L =

1 g m R1
1 460
1912
RL vi =
8vi =
vi = 1.11vi
R1 + R2 + g m RL R2 + RL
60 + 50 + 4850 + 8
1718

La ganancia de tensin:
Av =

v d 1,11vi
=
= 1.11
vi
vi

27

Transistores c.a.

11.3.- En el circuito de la figura R1=60 k , R2 = 50 k y RL = 8 k , siendo los

parmetros en alterna . =100 y rd=50 K .
a) Si aplicamos una tensin en alterna vi Voltios entre puerta y sumidero calcular la
v
ganancia de tensin Av = d .
vi
b) Si la tensin vi se la aplicamos en serie con la resistencia R2. Calcular lo mismo
que en el apartado anterior.
60k

G
R1

RL

50k

I2

+ I1

D
12V

Vi

G
R2

vo
8k

v gs

a) En primer lugar la fuente vi en paralelo con la resistencia R2, es equivalente slo

a la fuente vi, a continuacin pongo el circuito equivalente del MOS con el resto de
los componentes externos del circuito y tendremos el circuito de la figura de la
derecha. Sabemos que vgs=vi.
Pudiendo escribir las ecuaciones de mallas:

vi + vi 110 50 I 1
v = 50 58 I

2
i

110 101vi
50 100v
5950vi
i
I2 =
=
= 1,55vi mA
3880
110 50
50 58

salida

Ganancia de tensin : Av =

v d = I 2 RL = 1.53vi 8 = 12.27viVoltios

vd
= 12.27
vi

b) En este caso el circuito sera el siguiente:

Aqu no podemos poner directamente, en forma de matrices, las ecuaciones de
malla, ya que el valor de la tensin entre puerta y sumidero no es funcin solo de la
entrada sino de la intensidad I1.
Podemos escribir las siguientes ecuaciones, segn la figura del ciercuito:
28

Transistores c.a.

v gs = vi 50I 1
vi + v gs = I 1 (50 + 60 + 50 ) I 2 50
v gs = I 1 50 + I 2 (50 + 8)
60k

50k

50k
I1

V1

I2

8k

vgs

+
S
0

Sustituyendo la primera ecuacin en la segunda y tercera ecuacin y expresndola

en forma matricial obtenemos:
( + 1)vi 5160 50 I 1
v = 5050 58 I
i

101vi
5160
5050 100v
5950vi
i
I2 =
=
= 0.127vi mA
46780
5160 50
5050 58

Salida

Ganancia de tensin : Av =

v d = I 2 RL = 0.127vi 8 = 1.01viVoltios

vd
= 1.01
vi

29