ElectroniqueCommutation PDF

Electronique de commutation
par A. Oumnad
Electronique
De
Commutation
A. Oumnad
par A. Oumnad
SOMMAIRE
I
Composants en commutation ......................................................................................... 3

I.1 Rappels ........................................................................................................................ 3
I.1.1 Diviseur de tension ............................................................................................ 3
I.1.2 Diviseur de courant............................................................................................ 3
I.2 Cellule RC .................................................................................................................... 3
I.2.1 RC Passe bas ........................................................................................................ 3
I.2.2 RC passe haut ...................................................................................................... 4
I.3 Caractristiques d'un commutateur..................................................................... 6
I.4 La diode en commutation......................................................................................... 8
I.4.1 Comportement dynamique dune diode .......................................................... 9
I.5 Transistor bipolaire en commutation ................................................................. 10
I.5.1 Temps de commutation ................................................................................... 12
I.5.2 Commande dynamique d'un transistor de commutation .......................... 13
I.5.3 Application : Multivibrateur Astable........................................................... 15
I.6 Transistor MOS enrichissement ..................................................................... 17
I.6.1 Commutateur analogique (porte analogique) .............................................. 17
I.7 Amplificateur oprationnel................................................................................... 18
I.7.1 Fonctionnement en boucle ouverte, COMPARATEUR.............................. 18
I.7.2 Fonctionnement en comparateur seuil unique ........................................ 19
I.7.3 Fonctionnement en contre raction positive ............................................. 19
I.7.4 Application : Multivibrateur astable........................................................... 22
I.8 Le Timer 555 .......................................................................................................... 23
I.8.1 Utilisation en monostable.............................................................................. 23
I.8.2 Fonctionnement en ASTABLE ...................................................................... 25
II ANNEXE : Transistor effet de champs jonction........................................ 27
II.1.1
I-5.3 Paramtres dynamiques d'un JFET .............................................. 29
II.1.2
I-5.1 MOS enrichissement ............................................................... II-33
II.1.3
I-5.2 MOS dpltion ......................................................................... II-34
III
famille de circuits logiques.......................................................................... III-36
Les familles logiques principales .......................................................................... III-36
Model fonctionnel d'une porte logique ............................................................... III-36
IV TRAVAUX DIRIGES .......................................................................................... IV-39
par A. Oumnad
COMPOSANTS EN COMMUTATION
I.1 Rappels
I.1.1 Diviseur de tension
V1
V1
R1
V1
R1
R1
R3
R2
V3
R2
R2
V2
V2
V1
V=
R2
V1
R2
V=
R1+R2
R1
R1
V1 +
V2
R1+R2
R1+R2
1
R1
V2
R2
+
1
+
R2
V3
R3
1
R3
I.1.2 Diviseur de courant

I
I1 = R2 I + V2V1
R1+ R2
R1+R2
I2 = R1 I + V1V2
R1+ R2
R1+R2
I1
I
I2
I1
R1
R2
V1
I2
R2
R1
I1= R2 I
R1+ R2
I 2 = R1 I
R1+ R2
V2
I.2 Cellule RC
I.2.1 RC Passe bas
I.2.1.1
Rponse un chelon
L'quation de toute charge ou dcharge d'une
capacit peut s'crire sous la forme suivante.
V (t ) = V (V V0 )e
Vs
Ve
R
C
Ve
Dans notre cas V=E, Vo=0, =RC : Constante

de temps.
Vs(t)=E(1-e-t/)
E
t
Vs
t=0
est le temps que met le signal Vs pour

E
atteindre 63% de sa valeur finale,
en effet : Vs()=E(1-e-/)=E(1-1/e)=0,63E
Ne pas confondre avec le temps de monte Tr
(Rising Time) qui correspond au temps que met
le signal pour passer 0,1E 0,9E.
t=0
Fig. I-1 : Rponse un chelon d'une cellule RC

passe bas
par A. Oumnad
on retiendra la rgle suivante :
Plus
I.2.1.2
RC= faible
Plus
la rponse est rapide
Rponse un rectangle
t [to,t1[ Charge de la capacit
Ve
Vs(t)=E(1-e-t/) (to origine du temps)
t > t1 Dcharge de la capacit Vs = Vo e-t/
(t1 Origine du temps ) Vo = E(1 - e-T/ )
to
t1
Vs
E
Vo
On retiendra que :
plus
= RC
est faible plus le signal de

sortie ressemble au signal d'entre
to
t1
Fig. I-2 : Rponse un rectangle d'une

cellule RC passe bas
I.2.2 RC passe haut

I.2.2.1
Vc
rponse un chelon
On entendra souvent : La capacit transmet

les fronts de tension, qu'est ce que cela
voudrait il dire? Pour le savoir, on va faire
l'analyse de ce qui se passe aprs l'instant to
sachant les choses suivantes :
Ve = Vc + Vs
Au repos (t < to), aucun courant ne circule
dans le circuit RC.
Une capacit ne peut pas se charger
instantanment.
On peut donc affirmer les rsultats suivants :
t = to - Ve=0, VR = Vs = 0 Vc = 0,
(capacit dcharge).
t = to + Ve = E, Vc = 0, Vs = Vc - Ve =
E
Ve
Vs
Ve
E
to
Vc
Vs
t
to
Fig. I-3 : Rponse un chelon d'une cellule RC

passe haut
par A. Oumnad
Donc on voit bien que le front de tension apparu l'entre du montage se

retrouve la sortie. Il est vident que les choses ne restent pas ainsi, (On a dit
que la capacit ne se chargeait pas instantanment, mais on n'a pas dit qu'elle
ne se chargera jamais) Donc la capacit se charge avec la constante de temps
RC.
Vc(t) = E(1 - e-t/ )

Vs(t) = E - Vc(t) = Ee-t/
On peut essayer d'aborder le phnomne de transmission de fronts de tension
sur un aspect diffrent, en effet, l'Impdance (module) d'une capacit est :
1
1
Zc =
=
C C2 f
Donc cette impdance est quasiment nulle pour les hautes frquences, or
justement un front de tension quivaut une frquence trs leve (Variation
trs rapide) La capacit se comportera donc comme un court-circuit (bout de fil
en cuivre) pour les fronts de tension qui lui sont appliqus. C'est l'approche qui
consiste faire l'tude de la rponse harmonique d'un filtre passe haut. le front
de tension correspond un harmonique trs lev donc bien suprieur la
frquence de coupure du filtre, il est donc transmis avec un gain = 1.
I.2.2.2
Rponse un rectangle
Ve
t [ to , t1[
La capacit
transmet le front puis se charge vers
E avec la constante de temps RC.
t
t
VC =E1e , VS = Ve Vc = Ee
t = t1 De nouveaux la capacit
transmet le font (descendant cette
fois) vers la sortie qui passe de V1 =
V3
Vc
V2
et
to
t1
Vs
E
V2
Vc
Vs
V1
to
V1=Ee .
T
T
V3=V1E =E e 1 , V2=E1e
t > t1 Dcharge de la capacit vers

zro.
VC =V2
V3
Fig. I-4 : Rponse un rectangle d'une cellule RC passe
haut
T
t
, Ve=VC +VS =0VS =VCVS =E e 1e
On peut conclure que :
grand La sortie est quasi rectangulaire .
par A. Oumnad
faible Le montage fonctionne en drivateur.

Dans le cas ou le signal Ve est un signal carr priodique, le signal de sortie
est centr. La composante continue est arrte par la capacit. la forme du
signal dpend de = RC :
faible : le montage fonctionne en drivateur, le signal de sortie est

constitu d'aiguilles la place des fronts de tension du signal d'entre.
Signal d'entre
Signal de sortie
Fig. I-5 : RC passe haut, rponse un signal carr (RC faible)
grand : Le signal de sortie reste carr (il est trs lgrement dform)
mais il est dbarrass de sa composante continue (centr).
Signal d'entre
Signal de sortie
Fig. I-6 : RC passe haut, rponse un signal carr (RC faible)
I.3 Caractristiques d'un commutateur

Un commutateur est un composant dont la rsistance peut
prendre deux tats extrmes, elle est trs faible si le
commutateur est ferm, elle est trs grande s'il est ouvert .
Le circuit de la figure 2.1 reprsente une rsistance RL en
srie avec un commutateur idal. En position ouvert, aucun
courant ne circule dans RL, la tension au point A est gale
VCC. En position ferm, la rsistance du commutateur est
nulle, la tension au point A est nulle, le courant est limit
seulement par RL. La charge RL est alimente.
Vcc
R L
A
K
Fig. I-7 : Commutateur
idal
par A. Oumnad
Un commutateur rel n'a ni une rsistance infinie l'tat

ouvert, ni une rsistance nulle l'tat ferm. La figure 2.2
reprsente le circuit quivalent d'un commutateur rel, RS
est la rsistance l'tat ferm (de conduction), elle est
d'autant plus faible que le commutateur est de bonne
qualit. RP est la rsistance l'tat ouvert (de fuite), plus
elle grande, meilleure est la qualit du commutateur. A l'tat
ferm, la tension au point A n'est plus tout fait nulle, mais
RS
VCC . A l'tat ouvert,
reste toutefois trs faible VA
RS + R L
VA est lgrement infrieure Vcc cause de la chute de
tension dans RL due au courant de fuite du commutateur, VA
Vcc
R L
A
Rp
Rs
Fig. I-8 : Commutateur

rel
RP
VCC .
RP + RL
Contrairement au commutateur idal, une dissipation de puissance se produit

dans le commutateur rel, qu'il soit ouvert ou ferm.
Les rsistances l'tat ouvert
et ferm (Bloqu et conducteur),
caractrisent le comportement statique du commutateur, une autre
caractristique importante du commutateur est son temps de commutation, il
dpends du comportement transitoire du commutateur lors du passage d'un tat
un autre; on parle de comportement
dynamique. La figure 2.3 reprsente le
commande
comportement transitoire dans le cas
d'une commande rectangulaire.
t
td : Temps de retard (delay time)
tr : Temps de monte (rising time)
ts : Temps de stockage (storage)
tf : Temps de descente (fall time)
ton : Temps de conduction, de dblocage
Toff : Temps de blocage
90%
10%
tr
ts
t
tf
t on
off
La plus haute frquence avec laquelle le
Fig. I-9 : Comportement dynamique
commutateur peut tre actionn, doit
avoir une dure de priode Tmin au mois gale ton + toff soit
f max =
1
t on + t off
par A. Oumnad
I.4 La diode en commutation

La diode est un commutateur qui est
commande par le sens de la tension qui lui est
applique. Il n'y a pas de sparation entre le
circuit de commande est le circuit command.
C'est la polarit de la tension d'alimentation de
la charge qui commande la diode. la figure Fig.
I-10 : Diode en commutation montre une diode
utilise en commutateur, alors que la figure Fig.
I-11 : Points de fonctionnement d'une diode en
montre
les
points
de
commutation
fonctionnement sur la caractristique de la
diode, le point C correspond la diode
conductrice, alors que le point B correspond la
diode bloque.
R
Vc
Vd
D
(+E,-E)
Fig. I-10 : Diode en commutation
Id
If
-E
B
Ir Vd
Fig. I-11 : Points de fonctionnement d'une diode en

commutation
Quand Vc=+E, la diode est conductrice, la majeure partie de Vc se trouve aux

borne de R, un courant IF important circule dans le circuit. La rsistance de
conduction (statique) RF=Vd/IF est faible, elle varie entre quelques milliohms
quelques dizaines d'ohms. Alors que le courant If augmente, la rsistance de
conduction Rf diminue (voir point de fonctionnement C), il en rsulte que la
tension Vd = Rf If reste quasiment constante (caractristique quasi verticale).
Par consquent, dans le cas d'une diode conductrice, le calcul est gnralement
fait non pas avec la rsistance de conduction mais avec la tension Vd qu'on prend
gnralement gale 0.7 V pour les diodes au silicium. Pour viter que la diode
soit dtruite par chauffement, il faut veiller ne pas dpasser la puissance
maximale qu'elle peut dissiper, soit
IFMAX . VDMAX < PDMAX .
Pour faire conduire une diode il ne suffit pas que la polarit de la tension
de commande soit correcte, il faut qu'elle soit suprieure la tension de
seuil , sinon la diode restera bloque ou trs faiblement conductrice..
exemple:
Si on a une diode telle que PDMAX = 500 mW, si on prend VDMAX,=2V et E=12V,
il faut calculer R pour que le courant ne dpasse pas IFMAX = 500mW / 2V =
250 mA.
R = (12 - 2)V / 250 mA = 40
par A. Oumnad
Quand Vc = -E, la diode est bloque, le courant Ir est quasiment nul (dpends
beaucoup de la temprature), la rsistance de
Vc
blocage dpasse le gigaohms pour les diodes au
E
silicium. Pratiquement toute la tension -E se trouve
t
au borne de la diode, afin que la diode ne soit pas
dtruite par claquage, la tension inverse -E ne doit
Id
-E
pas dpasser la tension inverse maximale URMAX
fournie par le constructeur.
t
ton
I.4.1 Comportement dynamique dune diode

Vd
La figure Fig. I-12 illustre le comportement
t rr
dynamique d'une diode en commutation. Pendant le
temps d'ouverture TON, qui est trs court, les
t
porteur de charge sont pouss par la tension
directe travers la rgion de transition vers la
Fig. I-12 : Temps de rponse d'une diode
couche conductivit oppose. Si la tension de
commande change de polarit, un courant inverse de mme intensit que If
circule pendant un court instant, ce courant est du aux porteurs de charge non
recombins qui sont rappels par la tension inverse. La dure de ce phnomne
est dite temps de recouvrement inverse trr (reverse recovery time). Selon la
diode et le circuit de commande, il varie de quelques nanosecondes quelques
microsecondes. trr qui correspond au temps de blocage toff de la diode est
considrablement plus important que ton .
Voici quelques caractristiques de diodes du commerce :
1N4148 (Diode de commutation)
VRmax = 75V
: Tension inverse max
IRmax/Vr =20 = 25 nA 25 C : Courant inverse max
= 50 A 150 C
Cmax = 4 pF
Trrmax(If=10mA) = 4ns
IDmax = 75 mA.
1N4007 (diode de redressement)
ID0 = 1A : courant nominal
VRmax = 1000V : Tension inverse max
IRmax(Vrmax,100C) = 50 A : Courant inverse max
VFmax(Ido) = 1.1 V : tension seuil max
par A. Oumnad
10
I.5 Transistor bipolaire en commutation

Dans un transistor utilis comme commutateur, la section metteur collecteur
est utilise comme contact et la section base metteur reprsente le circuit de
commande. Le circuit de commutation et le circuit de commande ne sont pas
galvaniquement spars. Le transistor en conduction correspond au commutateur
ferm, le transistor bloqu au commutateur ouvert.
Ic
Rc
Vrc
Vcc/Rc
Icmax
Ic
C
Rb
Vcc
Ib
Vce
B
Vbb
Ibsat
S
Vcesat
Fig. I-13 : Transistor en commutation
B
Vcc
Vce
Fig. I-14 points de fonctionnement d'un transistor en

commutation
On distingue trois cas de fonctionnement :

A) Fonctionnement linaire
Le point de fonctionnement Q se trouve entre le point B et le point S, il volue
selon les quations suivantes :
(1) Ic = Ib , loi qui caractrise le transistor
(2) E = RC IC + VCE , Loi d'ohm dans la maille de sortie = droite de charge
Si IB , (1) IC , (2) VCE ,
droite de charge de B vers S.
le point de fonctionnement Q se dplace sur la
B) Blocage
C'est quant le point de fonctionnement Q se trouve au point B: IC = 0 , IB = 0 ,
VCE = VCC .
Pour bloquer le transistor, il faut annuler IB, ce qui revient bloquer la

jonction base metteur, pour ce, il suffit d'annuler la tension VBE ou la
rendre ngative pour renforcer le blocage.
Au blocage presque toute la tension VCC se retrouve au borne du transistor,
une trs faible chute de tension se produit dans RC cause du courant rsiduel
par A. Oumnad
du collecteur ICER qui dpend du transistor utilis et des tension VBE et VCE. On
ne fait pas une grande erreur en supposant qu'il est de l'ordre du A .
Pour le 2N2222 ICERmax = 10 nA avec VBE = -3V et VCE=60V
C) Saturation
Le point de fonctionnement Q est au point S.
IB = IBSAT
IC = ICMAX = IBSAT
VBE = VBESAT 0.7 V
VCE = VCESAT 0.2V
V -V
ICMAX = CC CESAT
RC
Mme si IB augmente au del de IBSAT , IC reste gal ICMAX , VBE reste
sensiblement gale VBESAT et VCE sensiblement gale VCESAT .
Pour saturer un transistor il faut lui appliquer un courant IB tq:
IB > IBSAT = ICMAX
Pour le 2N2222 VCEsat = 0.3V

= 1V
pour Ic=150mA, Ib=15mA

pour Ic=0.5A, Ib=50mA (pendant 300 s)
Le plus souvent on ne dispose pas du du transistor, on connat seulement la

fourchette
[MIN ,MAX] disponible sur le catalogue du constructeur.
Exemple :
On dispose d'un transistor 2N1711 dont [100, 300]

Vcc = 12V
VBB = 9V
Rc = 1K
ICMAX = VCC - VCESAT =120.2 12mA
RC
1000
= 100 IBSAT = 12mA/100 = 120 A
R B = VBB VBESAT = 9V-0.7V =69K

IBSAT
120A
11
par A. Oumnad
12
= 300 IBSAT = 12mA/300 = 40 A R B = VBB VBESAT = 9V-0.7V =207K

IBSAT
40A
Pour tre sur qu'on aura saturation quelque soit le 2N1711 dont on dispose, il
faut que IB soit > 120 A soit RB < 69 K.
La condition de saturation devient alors :
IB > IBSAT = ICMAX
Quand le transistor est fortement satur ; IB > IBSAT, on dfinit le facteur de

saturation comme :
= IB
IBsat
Quand le transistor est satur, la quasi totalit de la tension VCC se trouve au
borne de la rsistance de charge du collecteur. De ce fait, mme si le courant IC
est important, il y a une faible dissipation de puissance au niveau du transistor
car VCESAT reste trs faible (0.2V 0.3 V , peut atteindre 1V pour certains
transistor si IC est trop important)

I.5.1 Temps de commutation
La figure 2.9 montre le profil des courants

lors de la saturation et du blocage du
transistor.
td : temps de retard (delay)faible
tr : temps de monte (rise)
ton : temps de dblocage = td+tr
ts : temps de stockage (storage)
tf : temps de chute (fall)
toff : temps de blocage.
Vbe
VBESAT
t
VBEOFF
IB
I B1
t
I B2
Le facteur prpondrant dans le temps de

I
commutation d'un transistor est le temps
de stockage tS. Quand le transistor est
satur, et surtout s'il est fortement
t
satur, un grand nombre de porteurs de
td tr
t on
tf
ts
charge est accumul dans la base du
t off
transistor. Au moment o VBE devient nulle
Fig. I-15 : Temps de commutation d'un transistor
ou ngative, ces porteurs stocks vont
donner naissance un courant IB important
dans le sens oppos, et ceci pendant tout le temps ncessaire pour vacuer
par A. Oumnad
13
toutes les charges se trouvant dans la base, cette dure est dite temps de
stockage. IL n'y a pas de changement perceptible du courant Ic pendant cette
priode.
Pour rduire tS, il faut choisir un courant de IB juste ncessaire pour la
saturation. Il ne faut pas qu'il soit beaucoup plus grand que IBSAT afin que
le nombre de porteurs stocks dans la base ne soit pas trop important.
Pour le 2N2222 : td=10 ns, tr=25ns, ts=225ns
Exercice :
Vcc
Soit le montage de la fig. 2.10, donner une relation entre Rb et

Rc pour que le transistor soit satur.
Rc
Rb
La condition de saturation est I B > I BSAT = ICmax
I CMAX
V CC
- V CESAT
RC
V -V
V
I B = CC BESAT CC
RB
RB
Ic
C
V CC
RC
d'o
Ib
B
RB < MIN . RC
Fig. I-16
I.5.2 Commande dynamique d'un transistor de commutation

Au repos, c..d. t < to, le transistor est satur, RB
et Rc ont t choisies t.q. RB < MIN Rc
VB = VBESAT 0.7V , Vc=VCESAT0.2V
La tension au borne du condensateur C est :
Vca = VB - Ve = 0.7V - 0V = 0.7V
A l'instant to- on a Ve=0V, Vco=0.7V, VB=0.7V
A l'instant to+ on a Ve=E, Vco=0.7 VB=E+0.7
A l'instant to+, Vco est encore gale
0.7V car un condensateur ne peut pas se
charger instantanment.
Vcc
Rc
Rb
Ic
Vca
C
Ib
Ve
Ve
E
t
to
t1
Fig. I-17 : commande dynamique
par A. Oumnad
14
A partir de to+ on se trouve avec une tension bien suprieure 0.7V au borne
de la jonction Vbe ce qui provoque une augmentation trs importante du
courant IB qui provoque une charge trs rapide de la capacit C et on se
retrouve trs vite l'tat statique
Vi
Ve=E, VB=0.7V .
L'tat transitoire n'a pas chang
E
l'tat
du
transistor
car
IB
augmentant, n'a fait que renforcer la
t
saturation.
t0
t1
VB
A l'instant t1, Ve repasse 0, la
Vcc
capacit transmet le front de tension
0.7+E
sur la base qui voit sa tension passer
0.7V-E < 0, le transistor se bloque, La
0.7
t
capa se trouve en prsence du circuit
t2 t3
si dessous,
0.7-E
Vcc
Vc
Rb
C
Vcc
I
B
elle se charge vers la tension Vcc

selon l'quation suivante : (origine des
temps en t1)
0.2
Fig. I-18 : Commande dynamique d'un transistor
VB(t) = VCC - (VCC + E 0.7)e
A l'instant t2, VB commence devenir suprieure zro, la jonction VBE

commence conduire IB augmente Ic augmente VCE commence diminuer
(doucement) . A l'instant t3, VBE atteint 0.7V, le transistor se sature, VCE
"tombe" 0.2V et VBE se stabilise 0.7V, tout le courant achemin par RB passe
dans la base du transistor, la capacit s'arrte de ce charger, et on se retrouve
l'tat initial.
Si on ne tient pas compte du flchissement de la courbe de charge dans
l'intervalle [t2,t3], la dure T de l'impulsion recueillie sur le collecteur peut tre
calcule en posant VB(T)=0.7 soit :
T
T
V 0.7
VCC -(VCC + E 0.7)e RBC =0.7 e RBC = CC
VCC + E 0.7
V + E 0.7
T = RBC Ln CC
VCC 0.7
Si VCC=E et si 0.7V est ngligeable devant VCC :
par A. Oumnad
15
T = RB C Ln 2
I.5.3 Application : Multivibrateur Astable
Il est reprsent sur la figure 2.13. RB et RC sont choisies telles que RB < RC.
A la mise sous tension, un des deux transistor se sature le premier (on supposera
que c'est Q1) car le montage ne peut jamais tre parfaitement symtrique, Le
front de tension ngatif du au passage 0.2 V de la tension VCE est transmis sur
la base de l'autre transistor, la tension VBE de celui ci devient ngative
provoquant son blocage.
Q1 satur , Q2 bloqu, C2 se charge travers RB2 (fig. 2.13), VB2 augmente
exponentiellement avec la constante de temps RB2C2, au moment o elle atteint
0.7V, Q2 se sature , VC2 passe de VCC 0.2V, C1 transmet se front de tension sur
B1, VB1 devient ngative, Q1 se bloque, C1 se charge travers RB1, VB1 augmente
exponentiellement avec la constante de temps RB1C1, au moment o elle atteint
0.7V, Q1 se sature , VC1 passe de VCC 0.2V, C2 transmet se front de tension sur
B2, VB2 devient ngative, Q2 se bloque et le cycle recommence.
Comme l'indique la figure 2.13, Le multivibrateur astable est un oscillateur, il
dlivre deux signaux carrs en opposition de phase sur les collecteurs des
transistors.
B
La priode T=T1+T2 de ces signaux peut tre calcule ainsi :

Charge de C1 : V(0) = 0.7-Vcc+0.2, V = Vcc, V(T1) = 0.7
(front = Vcc-0.2)
V(t) = Vcc-(Vcc+Vcc-0.9)exp(-t/RB1C1)
T1 = RB1C1 Ln 2Vcc-0.9 RB1C1 Ln2
Vcc0.7
T2 = RB2C2 Ln 2Vcc-0.9 RB2C2 Ln2

Vcc0.7
T = (RB1C1+RB2C2) Ln 2
Si RB1 = RB2 = RB et C1 = C2 = C :
T = 2 RBC Ln 2
par A. Oumnad
Vcc
16
VB1
t
Rc1
Rb1
Rb2
Rc2
VC1
Q1
Q2
C1
C2
V B2
Vcc
T1
T2
Rb2
VC2
~0.2V
Q1
C2
t
Fig. I-19 : Multivibrateur Astable
par A. Oumnad
17
I.6 Transistor MOS enrichissement

Si VGB=0, quelque soit la tension drain
G
S
D
source, le courant drain - source est nul car
il y aura toujours une des deux jonctions
Isolant
drain - substrat ou source - substrat qui
Oxyde de silicium
n
n
sera bloque. Si on applique une tension VGB
positive, les porteur minoritaires qui se
p
trouvent dans le substrat (p) sont attirs
substrat
par la grille pour former un canal (n)
(body)
B
conducteur qui va relier le drain la source
Fig. I-20 : MOS canal n enrichissement
et si VDS est non nul, un courant ID circulera
entre le drain et la source. La figure Fig. I-21 illustre les conditions de blocage
et de conduction d'un MOS enrichissement.
Grille metallique
Canal n
D
G
Canal p
ID
ID
B
S
VTH
VGB
VGB
VTH
VGS < VTH
OFF
VGS > VTH
OFF
VGS >> VTH
ON
VGS << VTH
ON
Fig. I-21 : Caractristiques d'un MOS
I.6.1 Commutateur analogique (porte analogique)

C = 1 (VC = Vdd), C = 0 (VC=VEE) Q1 et Q2
sont tous les deux conducteurs, (Q1 : canal
n, Q2 : canal p). La sortie analogique Vsa est
relie l'entre analogique Vea par une
faible rsistance ( RDSON ) de quelque Vea
dizaines d'.
C = 0 (C = 1) le deux transistor sont
bloqus et la sortie analogique est
compltement dconnecte de l'entre
analogique.
Pourquoi deux transistors en parallle ?
C
Q2
VDD
VSS
Q1
C
Fig. I-22 : commutateur analogique
Vsa
par A. Oumnad
18
La largeur du canal de conduction dans un transistor MOS ne dpend

seulement de la tension Grille-substrat VGB (c'est le cas dans la partie centrale
du transistor), elle dpend aussi des tensions Grille-source et grille-drain vers
les extrmit du transistor. Prenons par exemple un MOS enrichissement
conducteur (VG = 10 V, VS=0, VB=0 VD=0), le champ lectrique dans l'oxyde a la
mme intensit partout et le canal de conduction est uniforme sur toute sa
longueur (fig. 2.18a). Si on augmente la tension du drain, la tension VGD diminue
ainsi que le champ dans la rgion voisine du drain, il en rsulte un rtrcissement
du canal dans cette rgion (fig. 2.18b) et donc une augmentation de sa
rsistance.
Le fait d'utiliser deux transistors complmentaires dans une porte analogique,
la variation de la tension d'entre analogique Vea n'influe pas sur la rsistance
de conduction du commutateur car, l'augmentation de rsistance d'un transistor
est compense par la diminution de celle de l'autre.
Vg > 0 V > 0
Vg > 0
D
S
(a)
(b)
p
B
B
Fig. I-23 : canal d'un transistor MOS polaris
I.7 Amplificateur oprationnel

Bien que l'ampli-op ne soit pas un composant discret de commutation, son
fonctionnement non linaire justifie qu'on en parle dans ce chapitre.
I.7.1 Fonctionnement en boucle ouverte, COMPARATEUR
Pour |Vi| < Vth l'ampli-op fonctionne en
Vo
linaire :
V
OH
Vo = ABO Vi , ABO > 105
Pour |Vi| > Vth l'ampli-op fonctionne en non V
Vi
-Vth
Vo
linaire (ou en saturation) :
Abo
Vth
Vi > Vth soit V+ - V- > Vth Vo=VOH
V
Vi < Vth soit V+ - V- < Vth Vo=VOL
Vi= V - V
V
Essayons de voir quel est l'ordre de grandeur
Fig. I-24 : Ampli-op en boucle ouverte
de Vth.
Pour Vi = Vth, Vo = VOH = ABO Vth
L'ampli tant aliment au maximum entre +15V, -15V, et si on tient compte des
tensions de dchet on a VOH de l'ordre de 13V:
OL
par A. Oumnad
VOH ~ 13V
Vth = 13/105 = 0.130 mV
Vth tant trs faible, on peut idaliser
caractristique, fig. 2.20, et dire :
Vo
Vcc
VOH
Vi
19
la
Vi > 0 soit V+ > V-

Vo=VOH
Vi < 0 soit V+ < V-
VOL
Vee
Fig. I-25 : Caractristique idalise
Vo=VOL
I.7.2 Fonctionnement en comparateur seuil unique
V+
Vref
V-
Vo
Vo
Fig. I-26 : Illustration de l'utilisation d'un Ampli op en comparateur
On observe sur la figure que si le signal d'entre V+ comporte un brouittage

indsirable, le signal de sortie en tiendra compte et sera inutilisable dans la
majeure partie des cas.
I.7.3 Fonctionnement en contre raction positive
L'utilisation de l'Ampli-Op avec contre raction positive, a l'avantage de
prsenter deux seuils de basculement. Le trigger de Schmitt est la configuration
contre raction positive la plus courante.
par A. Oumnad
20
Vo
Vi
Vo
Voh
Vs1
Vs2
Vi
R1
R2
Vol
Vref
Fig. I-27 : Trigger de Schmitt
Vi
Fig. I-28 : Rponse d'un trigger de Schmitt
Vo = VOH
Seuil de comparaison
V+ =
Vs1
R2
R1
VOH +
Vref = VS1
R1 + R 2
R1 + R 2
Vo = VOL
V+ =
Vs2
t
Vo
VOH
R2
R1
VOL +
Vref = VS2
R1 + R 2
R1 + R 2
Si Vref=0 et VOL = -VOH :

VS1 = -VS2. La courbe de la fig.
2.22b est symtrique par rapport
zro.
On remarque sur la fig. 2.23 que

ce montage est insensible aux
VOL
Fig. I-29 : Fonctionnement d'un trigger de Schmitt
signaux parasites. Il est donc bien
adapt la mise en forme d'un signal numrique affaibli et bruit durant une
transmission par exemple. Les seuils seront choisis tels que VS1-VS2 soit
suprieure l'amplitude crte crte du bruit.
Remarque :
Avec la contre raction positive, il est impossible de faire fonctionner l'AmpliOp dans la zone linaire, le basculement de la tension de sortie est quasi
instantan. Prenons un exemple :
Donnes : Vcc = 15V, Vee = -15V, VOH = 15V, VOL = -15V, Vref =0, R1 = R2 ,
Abo = 106 Zone linaire : [ -15V , +15 V ]
Etat initial : V- = -7.5V + 16 V
Vo = VOL = -15V V+ = -7.5V Ve = V+ - V- = -16 V
par A. Oumnad
21
Si on augmente Ve de 2 V pour essayer d'aller dans la zone linaire

V- = -7.5V + 14 V Ve = -7.5V +7.5V -14 V = -14 V Vo = 106 . -14 V = -14
V
Sans contre raction positive, tout s'arrte dans cet tat, mais "grce" la
contre raction, on a :
V+ = Vo / 2 = -7 V Ve = -7V +7.5V -14 V = 0.5V - 14 V >> 15 V Vo =
VOH = +15V
Cet tat est stable car maintenant V+ = 7.5V Ve = 7.5V +7.5V -14 V 15V >>
15 V
V-=-7.5V+14vVe=-14VVo=-14VV+=-7VVe0.5V
Vo=+15VV+=+7.5VVe15V Vo=+15V
Vo
15V
-15V-14V
-16V
Ve
15V
0.5V
15V
-14V
-15V
Fig. I-30 : acclration de la commutation par la contre raction positive
par A. Oumnad
22
I.7.4 Application : Multivibrateur astable

Vo
Vc(V-)
Vseuil(V+)
VOH
VS1
Vo
t2
t1
R1
VS2
R2
VOL
Fig. I-31 : Multivibrateur Astable
Pour simplifier on considre que VOL = -VOH et Vref=0 d'o :

R
VS1 =VS2 = 2 VOH
R1 + R2
Supposons qu' la mise sous tension, la capacit est dcharge et Vo = VOH, on a
donc V-=0 et V+=VS1. La capacit se charge avec la constante de temps RC. (Il
est inutile de rappeler que les impdances d'entre de l'ampli-op sont supposes
infinie). Vc = V- augmente, au moment (t1) o elle dpasse V+=V1S, Vo passe VOL,
V+ passe VS2, la capacit se dcharge vers VOL avec la constante de temps RC,
au moment (t2) o elle passe en dessous de V+=VS2, Vo passe VOH, La capacit
commence se charger vers VOH et le cycle recommence.
Si on prend l'origine des temps en t1 on a:
Vc=VOL (VOL VS1 )e
t
RC
R +2R2 RCt
=VOL 1 1
e
R1 + R2
A l'instant t2=T/2 on a :
Vc(T2 )=VS2 =
T
R2
R +2R2 2RC
e
VOL =VOL 1 1
R1 + R2
R1 + R2
R1 = ( R1 + 2 R 2 ) e
T
2 RC
R +2R2
T =2RC Ln 1
R1
Si R1=R2 On a VS1=-VS2=VOH / 2 et :
T =2RC Ln(3)
par A. Oumnad
23
I.8 Le Timer 555

Le 555 est un petit circuit intgr qui peut tre utilis soit en gnrateur
dimpulsion (monostable) soit en gnrateur dhorloge (Astable). Son schma bloc
est le suivant.
Vcc
8
Seuil
6
R
2
Dclanchement
Sortie
Dcharge
RAZ
Fig. I-32 : Schma bloc dun Timer 555
Son fonctionnement peut tre rsum dans le tableau suivant

CAS
1
2
3
4
V2
< 1/3 Vcc
> 1/3 Vcc
> 1/3 Vcc
< 1/3 Vcc
V6
< 2/3 Vcc
< 2/3 Vcc
> 2/3 Vcc
> 2/3 Vcc
R
L
L
H
H
S
H
L
L
H
Q
H
Qp
L
T
Bloqu
Inchang
ON
Interdit
I.8.1 Utilisation en monostable

Si on monte le 555 comme le montre la figure ci dessous et on applique sur son
entre de dclenchement le signal Ve indiqu, son fonctionnement est le suivant :
Au dpart, le transistor T est ON, la capacit est dcharge, Vc = V6 = 0
A l'instant t1, V2 passe une valeur infrieure 1/3 Vcc, on se trouve dans le
cas 1, le transistor se bloque, la capacit commence se charger travers
R.
A l'instant t2, V2 repasse Vcc, deux scnarios sont alors possibles :
par A. Oumnad
24
a) La dure de l'impulsion Ve est suprieure RC, la tension au

bornes de la capacit atteint 2/3 Vcc l'instant t' < t2 , donc
l'instant t2, on se trouve dans le cas 4, les rsultats ne
peuvent tre prvus, ce cas est prohib .
V2
t1
t' t2
Vc
b) L a dure de l'impulsion Ve est faible, (infrieure RC), on se trouve dans le

cas 2, ( V2=Vcc > 1/3 Vcc et V6 < 2/3 Vcc), la situation reste inchange, T
reste bloqu et la capacit continue de se charger.
l'instant t2, la tension au bornes de la capacit devient suprieure 2/3

Vcc, on se trouve dans le cas 3, le transistor conduit est la capacit se
dcharge instantanment , la tension ses bornes passe aussitt en dessous
de 2/3 Vcc et on se retrouve l'tat initial ( cas 2) : V2=Vcc, Vc0, T
conducteur.
Si une autre impulsion similaire se prsente sur l'entre 2, le phnomne se

rpte gal lui mme et on recueillera une impulsion carr de dure
T=t3-t1 sur la sortie.
Vcc
Ve
8
Vcc
Vs
3
Ve
6
7
1
C
Fig. I-33 : 555 utilis en monostable
Calculons la dure de l'impulsion T. L'quation de la charge de la capacit est :

t
t
RC
RC
= V cc 1 e
V C ( t ) = V ( V V 0 )e
V C ( T ) = 2 V CC = V CC 1 e RC
T = RC Ln(3)
par A. Oumnad
25
Ve
Vcc
2/3Vcc
1/3Vcc
Vs
t1 t2
Vcc
Vc
t3
t1
T
2/3Vcc
Fig. I-34 : Signaux d'un monostable base de 555
I.8.2 Fonctionnement en ASTABLE
Vcc
Condition initiale : C dcharge.

V6=0, V2=0, on est dans le cas 1, le transistor est
bloqu. La capacit se charge travers Ra+Rb.
A l'instant t1, on passe dans le cas 2, la situation reste

inchange, la capacit continue de se charger.
Vs
Ra
Rb
A l'instant t2, on passe dans le cas 3, le transistor

conduit et se sature cause de la chute de tension dans
Ra, C se dcharge alors dans Rb.
C
Fig. I-35 : Astable 555
A l'instant t3, On passe de nouveau dans le cas 1, le transistor se bloque, la

capacit se charge travers Ra+Rb et le cycle recommence.
Calculons la priode du signal de sortie :

Charge de la capacit :
t
2 ( R a + R b )C
V C ( t ) = V cc 1 e
2/3Vcc
T1
Vs
Vcc
T2
Vc
1/3Vcc
t
t1
t2
t3
t4
Fig. I-36 : Signaux d'un Astable 555
V C ( T 1 ) = 2 V CC
3
par A. Oumnad
26
T1
( R a + R b )C
= V CC 1 e
T 1 = (R a + R b )C Ln(2)
Dcharge de la capacit
t
2
V C ( t ) = V cc e R b C
3
T2
2
1
V C ( T 2 ) = V cc e R b C = V cc
3
3
T 2 = R b C Ln(2)
T = (R a + 2R b )C Ln(2)
II
par A. Oumnad
ANNEXE : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMPS A JONCTION
Le schma de principe d'un

transistor effet de champ canal
G
Vgs
n est donn par la figure 1. Il
comprend
deux
parties
Substrat P
fondamentales, un canal de silicium
zone dpeuple
type n dont les extrmits sont
S
D
dites Drain et Source et deux
Canal n
zones de type p formant la grille.
zone dpeuple
Dans son utilisation la plus
Substrat P
courante, le drain sera port un
potentiel positif par rapport la
source, alors la grille (pour un
canal n) sera porte un potentiel
Vds
ngatif ou nul par rapport a la
Fig. II-1 : JFET
source ce qui polarisera en inverse
les jonctions PN (Grille-Canal) produisant ainsi 2 zones de charge d'espace (zone
de dpltion ou zones dpeuple) autour des jonctions. Ces zones ne contiennent
pas de porteur, donc elles sont isolantes et leur profondeur augmente avec |VGS|
et auusi mais d'une faon asymtrique avec VDS puisque VDS=VDG+VGS Plus cette
profondeur augmente plus le canal sera 'trangl'.
Pour VDS=0, quelque soit la valeur de VGS, on aura toujours VGS=VGD, donc la
zone de dpltion aura la mme largeur tout le long du canal.
Pour VDS > 0, la tension inverse de la jonction est VGS du cot source et VGD=VDS+VGS du cot du drain soit |VGD|=|VDS|+|VGS|, donc la zone de dpltion sera plus
large de ce cot et de ce fait le canal sera plus troit.
Regardons ce qui se passe si on prend VGS=0 (grille et source court-circuites)
et on fait augmenter VDS progressivement. On observe (voir figure 1.7) que
pourles valeurs faibles de VDS, un courant ID proportionnel VDS circule dans le
canal qui se comporte donc comme une rsistance RDS. Au fure et mesure que
VDS augmente, le canal s'trangle du cot du drain car VDS=VDG, il arrive un
moment o la largeur du canal devient tellement etroite qu'il se produit un
fainomaine de saturation ( * ) du courant ID, qui n'augmente quasiment plus mme
si on continue d'augmenter VDS. La tension VDS qui provoque ce fenomne est dite
tension de pincement Vp .Le courant ID correspondant est not IDSS et la
rsistance du canal avant pincement est note RDSon.
* Des tudes ont montr que cela est du une saturation de la vitesse des lectrons dans la zone trangle
27
par A. Oumnad
28
Si on refait la mme chose mais cette fois ci avec une tension VGS non nulle, au
dbut, pour VDS=0, on a VGD=VGS, ce qui donne une zone de dpletion rgulire le
long de tout le canal qui, ainsi, voit sa largeur rduite.
Ds que VDS commence augmenter, ID augmente proportionnellement mais avec,
cette fois, une pente plus faible car la rsistance du canal est plus leve. Au
fure et mesure que VDS augmente, le canal s'trangle du cot du drain car
VDG=VDS+|VGS| . Au moment o VDG=Vp, le canal est pinc et il y a saturation du
courant ID. Remarquons que le pincement se fait pour une valeur de V'p de VDS
infrieure Vp.
V'p = Vp - |VGS| = Vp + VGS
Si
maintenant
on
ID V'p=Vp+Vgs 1
ID
Rdson
applique une tension VGS=Vp, mme pour VDS nulle, le
canal est pinc sur toute
Vgs=0
Idss
-0.4
sa longueur. Il ne peut y
Vds=Vp
-0.8
avoir de courant ID mme
-1.2
si on fait augmenter VDS,
-1.6
on dit que le FET est
-2
-2.4
bloqu. Pour viter toute
Vds
confusion ( ) on notera
Vp
Vgsoff
Vgs
Fig. II-2 : Courbes caractristiques dun JFET
VGSoff la valeur de VGS qui
bloque le transistor et Vp la valeur de de VDS qui provoque la saturation de
courant ID pour VGS=0.
Si on observe le rseau de caractristiques ID=f(VDS)Vgs=Cte, on s'aperoit qu'on
peut distinguer deux modes de fonctionnement du FET :
Pour VDS < V'p, le FET se comporte comme une rsistance, d'o l'appelation
Zone rsistive ou Zone Ohmique de cette rgion.
ID =
VDS
R DS
avec
R DS =
R DSON
1 + VVGSp
Pour VDS > V'p, Le courant ID ne dpent quasiment pas de VDS. Cette rgion
est dite Zone de saturation.
Bien que tout le monde soit peut prs d'accord que Vgsoff= -Vp, certains auteurs donnent des valeurs diffrentes
comme |Vgsoff| = Vp + 0.9
par A. Oumnad
V
I D = I DSS 1 GS
VGSOFF
II.1.1
29
I-5.3 Paramtres dynamiques d'un JFET
Si on s'intresse aux variations de courant et de tension autour d'un point de

fonctionnement donn, on peut reprsenter
le FET par les paramtres
dynamiques gm et selon la relation :
Id = gm.vgs + 1/. vds
gm = Id/Vgs Vds=Cte est la transconductance ou la pente du FET
1/ = Id/vgs Vgs=Cte est la conductance de sortie du FET.
On pose aussi =Vds/Vgs Id=Cte c'est le coefficient d'amplification. On a
= . gm
En drivant l'expression de Id par rapport Vgs on obtient
gm =
2I DSS
V
V
1 GS = g mo 1 GS
VGSOFF VGSOFF
VGSOFF
Vds
Vgs
par A. Oumnad
1
G
30
4
G
-1
-2
-3
Electronique Numrique par A. OUMNAD
II.1.1.1
II-31
I-5.3.1 Schma quivalent
Il est reprsent sur la fig. 4, il traduit

schmatiquement la relation gnrale :
gm.vgs
Vgs
Vs
Id = gm vgs + 1/ vds
Fig. II-3 : Schma quivalent dun JFET
I-5.4 Polarisation d'un JFET
Le fait de se donner un point de

fonctionnement Qo(VDSo,IDo) dtermine
parfaitement la valeur VGS0 de VGS qui
peut tre dtermine soit partir de
l'quation
ci-dessous
soit
graphiquement partir de la droite de
charge VDD=RDID+VDS+RSID qui est aussi
bien dfinie puisqu'elle passe par le
point Qo et coupe l'axe VDS au point
Vdd.
I Do
VGSo = VGSoff 1
I DSS
Id
VDD
RD+RS
VGS0= 0
ID0
Qo
VDS0
VGS0
VDD
VDS
Fig. II-4 : Point de fonctionnement

peut tre
La somme RD+RS
determine soit partir de la loi d'Ohm dans la maille de sortie ce qui donne
V VDSo
R D + R S = DD
I Do
soit graphiquement puisque la droite de charge coupe l'axe ID au point

VDD/(RD+RS).
II-32
VGS = VG-VS Or VG est fix par la tension de polarisation de la

grille. (en gneral VG=0, exemple : cas de la polarisation
automatique, figure si-contre) . Peu importe la valeur de VG du
moment qu'elle soit connue. Cela nous permet de connaitre la
tension sur la sourse.
Vdd
Rd
G
D
S
VSo = VGSo-VG
VSo = RS IDo
Cela nous donne RS puis RD
Rg
.
Rs
Fig. II-5 : polarisation

automatique
II-33
I-5 Transistor MOS (Mtal Oxyde semi-conducteur)

Le fonctionnement de ce genre de transistor est un peut similaire celui du
JFET par le fait qu'ici aussi on va moduler le courant ID par la modulation de la
largeur d'un canal conducteur. Ici, on ne se servira pas d'une jonction PN pour y
arriver. La grille mtallique est isole du canal par une fine couche d'oxyde de
silicium fortement isolant. Il existe deux types de transistors, MOS dpltion et
MOS enrichissement.
II.1.2
I-5.1 MOS enrichissement

Canal n
Canal P
D
G
metal
metal
isolant
isolant
n
p
n
B
Id
Id
Vgb
Vgb
Vth
ID
Vth
Vgb-Vth
Vgb-Vth
ID
Vgb
Vgb <= Vth
|Vgb|
Vgb >= Vth
Vds
Fig. 1.7 MOS enrichissement
Vds
II-34
En l'absence de potentiel sur la grille un tel transistor ne comporte pas de canal

de conduction donc ID=0, on dit que transistor est normalement bloqu. Les zones
constituant le drain est la source forment avec le substrat deux jonction PN et
selon la polarit de VDS, il y aura toujours une jonction polarise en inverse. Si on
applique une tension VGB sur la grille par rapport au substrat, en vertu des lois de
l'lectrostatique, une charge gale et oppos celle de la grille apparatra en face
de la grille sur l'autre 'lectrode' qui n'est rien d'autre que la partie du substrat
qui est juste en face de la grille. La premire quantit des porteurs constituant
cette charge vont servir compenser la charge inhrente au type du semiconducteur constituant le substrat. Lorsque toutes les charges sont compenses,
des porteurs minoritaires sont cumuls et il y a cration d'un canal, on dit qu'il y a
inversion de canal. Un courant ID apparat alors si une tension VDS non nulle est
applique. La tension VGB partir de laquelle il y a inversion du canal est dite tension
de seuil VTH, Cette tension dpend des caractristiques gomtriques et physique
du transistor et de la diffrence de potentiel entre la source est le substrat :
Vth ( VSB ) Vth ( 0) + 0. 5 VSB

Pour les valeur faibles de VDS, le canal se comporte comme une rsistance :
1
W
R DS =
avec k =
L
2 k ( VGS Vth )
W est la largeur du canal, L sa longueur et une caractristique de la technologie.
Pour les technologies actuelles, elle est de l'ordre de 2.5 3.5 A/V2.
D'une faon similaire au JFET, le fait d'augmenter VDS, provoque la diminution de
la largeur du canal du cot drain et il arrive un moment (|VDS| = |VGS-VTH|) o il y a
pincement du canal donc saturation du courant ID., qui partir de cet instant
dpend peu de VDS. Pour un canal P, la tension VDS doit tre ngative, sinon il n'y a
pas de saturation de ID.
Avant saturation :
I D 2 k ( VGS Vth ) VDS k ( VDS ) 2
Aprs saturation :
I D k ( VGS Vth ) 2
II.1.3
I-5.2 MOS dpltion
Pour ce type de transistor, il existe un canal de conduction pour VGB=0, transistor

normalement ON. Le fait de polariser la grille par rapport au substrat va selon la
polarit de VGB, soit chasser les porteurs du canal; appauvrissement, soit les attirer;
II-35
enrichissement. L aussi, la tension VDS doit tre ngative pour un canal P, sinon la
zone de saturation de ID n'est jamais atteinte.
Canal n
Canal P
metal
metal
isolant
isolant
n
B
B
Id
Id
Vgb
Vgb
Vth
Vth
ID
Vgb-Vth
Vgb-Vth
ID
Vgb< 0
Vgb>0
Vgb=0
Vgb=0
Vgb> 0
Vgb<0
Vds
Fig. 1.8 MOS dpltion
Vds
III
III-36
FAMILLE DE CIRCUITS LOGIQUES
Un circuit intgr est rarement prvu pour fonctionner seul. La plupart du temps,
on devra le relier d'autres pour constituer un systme. Pour pouvoir tre
connects, les circuits doivent appartenir la mme famille, ils doivent avoir un
certain nombre de caractristiques lectriques identiques. Quand on doit dans un
mme systme utiliser deux familles de circuits, il faut prvoir des interfaces de
passage dans les deux sens.
Une famille logique est dfinie par une multitude de critres dont :
Le procd de fabrication
le type de composants utilis (bipolaire, MOS, ...)
Le schma lectrique dfinissant la porte lmentaire
La puissance consomme par la porte lmentaire
La vitesse de fonctionnement de la porte lmentaire
La temprature de fonctionnement
La tension d'alimentation
Les niveaux logiques en entre et en sortie
Les caractristiques en courant
Les familles logiques principales

Les familles logiques principales sont :
Les familles bipolaires : Elles sont fabriques base de transistors bipolaires.

La plus rpandues d'entre elles est la famille TTL (Transistor Transistor Logic)
qui possde de nombreuses variantes.
Les familles CMOS : Elles sont fabriques base de transistor CMOS.
Les familles BiCMOS : Elles sont fabriques base de transistors Bipolaires et
CMOS
Les familles Low Voltage : Ce sont les familles fonctionnant avec une faible
tension d'alimentation
Model fonctionnel d'une porte logique
quelque soit sa famille logique, une porte logique peut tre reprsente par le
model suivant :
III-37
Vcc
Vi1
Vi2
H
Logique
Vo
Vin
Fig. III.1 : model fonctionnel d'une porte logique
Selon la fonction logique ralise par la porte et la configuration des entres, le

bloc logique dtermine la commande des deux commutateurs H et L, 3
configurations sont possibles :
L ferm, H ouvert, La sortie est au niveau bas Vo = VOL niveau logique "o"
L ouvert, H ferm, La sortie est au niveau haut Vo = VOH niveau logique "1"
L ouvert, H ouvert, La sortie est isole Vo = VOZ niveau logique "Z" = haute
impdance
L ferm, H ferm, Cet tat est interdit car il correspond un court-circuit
entre Vcc et la masse
Les figures ci-dessous montrent quelques exemples de portes logiques.
Vcc=5V
R2
1.6K
R1
4K
R4
130
Q3
Vi1
Vi2
Q2
Q1
Vcc
14
D3
13
12
11
10
1
2
Boitier 7400 N
Vo
Q4
D1
D2
R3
1K
Fig. III.2 : porte logique NAND de la famille TTL standard
7
GND
III-38
Vcc=5V
R1
20K
R2
8K
R3
120
Q3
Q4
D1
R7
Vi1
4k
Q1
Vi2
D2
Vo
R4
Q5
12k
D3
D4
R5
1.5k
R6
3k
Q2
Fig. III.3 : porte logique NAND de la famille TTL-LS
VDD
Vi1
Q1
Q2
Vo
Vi2
Q3
Q4
VSS
Fig. III.4 : porte logique NAND de la famille CMOS
IV
IV-39
TRAVAUX DIRIGES
Exercice 1.
Analyser le montage et donner la valeur de Vs pour les
deux cas suivants :
Vcc=5V
R2
1.5K
a) Ve = 0V
b) Ve = 4V
R1
Ve
Q
100
3.3K
Vs
R3
1.5K
Vee=-12V
Exercice 2.
Analyser le montage et donner la valeur de Vs
pour les deux cas suivants :
VCC=12V
R2
R1
2.2K
10K
D1
D2
Vs
Ve
a) Ve = 0V
b) Ve = 4V
Q1
Q2
R3
1K
On prendra :
1 = 2 = = 150
Seuil des jonctions = 0.7V
Vee=-12
Vcc=13V
Exercice 3.
Calculer R1 et R2 pour que :
a) Ve = -12V transistor bloque, VBE = -4 V
b) Ve = +12,34V transistor satur avec IB =
2IBsat
R3
1K
R1
100-200
Ve
R2
IV-40
Vcc=12V
Exercice 4.
Calculer la valeur de Vs pour :

a) Ve= 0V
b) Ve = 5V
RC
9K
Vs
RB
100-200
Ve
5K
RE
2.8 k
Exercice 5.
5V
R1
1K
Ve
Les paramtres de Q1 et Q2 sont :

1=2=100, Pdmax=100 mW, ICE0=1A.
Vcc=12V
R3
1K
Q1
Vs
Q2
R2
300
1) Ve = 0.2V
- Quel est l'tat de Q1 ?
- Calculer IE1, IB1 et IC1
- Quel est l'tat de Q2 ?
- Calculer Vs .
2) Ve=5V, mmes questions que 1)
Vee= -12V
Exercice 6.
Les paramtres de Q1 et Q2 sont :

1=2=100, Pdmax=400 mW, ICE0=1A.
1) V1 = Vtt = 5V
a) K sur position 1
-Quel est l'tat de Q1 ?
-Calculer IB1 et IE1 ?
-Quel est l'tat de Q2 ?
-Calculer Vs .
b) K sur position 2
mmes questions que a)
2) V1=Vcc=12 V
refaire la mme tude que 1)
3) Faut-il choisir V1=Vtt ou V1= Vcc , pourquoi?
Exercice 7.
V1
5V
Vcc=12V
R3
1K
Ve
R1
56K
Q1
Vs
Q2
R2
300
Vee= -12V
IV-41
Vdd=12V
R1
Vs
Ve
R2
Rg
10K
Analyser le montage et donner la

valeur de Vs pour les cas suivants :
1) Ve = -5V , R1 = R2 = 4 k
2) Ve = +5V , R1 = R2 = 4 k
3) Ve = +5V, R1 = R2 = 200
VGSoff = -3V,RDSon = 200
Idss = 8 mA , RDSoff =
Ve
Exercice 8.
Vo
Si VOH = 14V et VOL = -14V

Calculer R2 et Vr pour avoir les seuils de comparaison VS1 = 4V
et VS2=1V.
R1=4.7K
R2
Vr
Exercice 9.
Soit le montage de la figure ci-dessus :
Pour l'ampli-op on prendra
R1=20k
C=10nF
VOH = Vcc = +9V, VOL= Vee = -9V

Pour les diodes on prendra Vd = 0.7V
Analyser le montage, donner l'allure des
tensions VC,
et
VS, calculer les temps
intressants.
capacit
Conditions initiales :
VS = VOH,
dcharge.
+9
Vs
+
-9
R=10K
D1
D2
D3
Exercice 10.
Vref=5V
R1
C1
+12
1K
Ve
Vs
1nF
-12
C=470nF
1K
Analyser le fonctionnement du montage ci-contre dans

le cas o Le signal d'entre est un signal carr
d'amplitude Crte crte A = 6V et de frquence
f=500 Hz (T=2ms).
Dessiner sur le mme graphique les signaux Ve, V-, V+,
et Vs.
Calculer la dure des impulsions de sortie.
On prendra VOH = +11V , VOL = -11V
IV-42
Exercice 11.
12V
Pour l'ampli-op on prendra

VOH = +12V, VOL= -12V
Vr est une tension positive
C=10nF
comprise entre 1 et 8 V
R=20k
R1
24K
+12
Vc
Analyser le montage, dessiner

l'allure des tensions VC, et VS et
donner lexpression de la Periode
en fonction de Vr
Conditions initiales : VS = VOH,
capacit dcharge.
On peut prendre 0.2V 0
-12
Vr
R3
1K
Q1
Vs
Q2
R2
1k
Exercice 12.
On utilise le montage suivant pour faire sonner une alarme chaque fois que la
tension Ve sort de l'intervalle [ V1, V2]
Vcc
Vcc = 5V
Ve
Alarme
Vcc
+
circuit
logique
Vcc
V1
RB
~
200
V2
Les Ampli-Ops (du type comparateur LM311) sont aliments entre Vcc et la
masse et ont une tension de dchet nulle c..d. que : V+ > V- Vo = Vcc, et V+ < V Vo = 0.
1) faire une table de vrit donnant S en fonction des diffrente situations
de Ve par rapport V1 et V2. Donner l'expression logique de S en fonction
de A et B. Dessiner le circuit logique.
2) Proposer une modification pour que le circuit logique soit rduit une
seule porte logique.
3) La rsistance statique de la bobine est R = 0.5 k, calculer RB pour que le
transistor soit satur (avec Ib = 2 Ibsat) quand la sortie de la porte
logique est au niveau haut soit Vs = 3.5V

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Electronique de commutation

Composants en commutation ......................................................................................... 3

I.1.2 Diviseur de courant

Dans notre cas V=E, Vo=0, =RC : Constante

est le temps que met le signal Vs pour

Fig. I-1 : Rponse un chelon d'une cellule RC

on retiendra la rgle suivante :

la rponse est rapide

t [to,t1[ Charge de la capacit

Vs(t)=E(1-e-t/) (to origine du temps)

t > t1 Dcharge de la capacit Vs = Vo e-t/

(t1 Origine du temps ) Vo = E(1 - e-T/ )

est faible plus le signal de

Fig. I-2 : Rponse un rectangle d'une

I.2.2 RC passe haut

On entendra souvent : La capacit transmet

Fig. I-3 : Rponse un chelon d'une cellule RC

Donc on voit bien que le front de tension apparu l'entre du montage se

Vc(t) = E(1 - e-t/ )

t > t1 Dcharge de la capacit vers

On peut conclure que :

grand La sortie est quasi rectangulaire .

faible Le montage fonctionne en drivateur.

faible : le montage fonctionne en drivateur, le signal de sortie est

Fig. I-5 : RC passe haut, rponse un signal carr (RC faible)

I.3 Caractristiques d'un commutateur

Un commutateur rel n'a ni une rsistance infinie l'tat

Fig. I-8 : Commutateur

Contrairement au commutateur idal, une dissipation de puissance se produit

I.4 La diode en commutation

Fig. I-11 : Points de fonctionnement d'une diode en

Quand Vc=+E, la diode est conductrice, la majeure partie de Vc se trouve aux

I.4.1 Comportement dynamique dune diode

I.5 Transistor bipolaire en commutation

Fig. I-14 points de fonctionnement d'un transistor en

On distingue trois cas de fonctionnement :

le point de fonctionnement Q se dplace sur la

Pour bloquer le transistor, il faut annuler IB, ce qui revient bloquer la

Pour saturer un transistor il faut lui appliquer un courant IB tq:

IB > IBSAT = ICMAX

Pour le 2N2222 VCEsat = 0.3V

pour Ic=150mA, Ib=15mA

Le plus souvent on ne dispose pas du du transistor, on connat seulement la

On dispose d'un transistor 2N1711 dont [100, 300]

= 100 IBSAT = 12mA/100 = 120 A

R B = VBB VBESAT = 9V-0.7V =69K

= 300 IBSAT = 12mA/300 = 40 A R B = VBB VBESAT = 9V-0.7V =207K

IB > IBSAT = ICMAX

Quand le transistor est fortement satur ; IB > IBSAT, on dfinit le facteur de

transistor si IC est trop important)

La figure 2.9 montre le profil des courants

Le facteur prpondrant dans le temps de

Soit le montage de la fig. 2.10, donner une relation entre Rb et

La condition de saturation est I B > I BSAT = ICmax

I.5.2 Commande dynamique d'un transistor de commutation

Fig. I-17 : commande dynamique

elle se charge vers la tension Vcc

Fig. I-18 : Commande dynamique d'un transistor

VB(t) = VCC - (VCC + E 0.7)e

A l'instant t2, VB commence devenir suprieure zro, la jonction VBE

La priode T=T1+T2 de ces signaux peut tre calcule ainsi :

T2 = RB2C2 Ln 2Vcc-0.9 RB2C2 Ln2

Fig. I-19 : Multivibrateur Astable