Funcionamiento

asimilable al de una
fuente de corriente
controlada por corriente

BJT
C

TRANSISTOR
BIPOLAR
DE JUNTURA

E
B

TRANSISTOR
BIPOLAR
DE JUNTURA

Dos tipos
de
portadores

electrones
Dispositivos de 3

terminales con dos

uniones p-n
enfrentadas entre s

PNP

NPN

huecos

N
P
N

P
N
P

B
E
C
B
E

vCB + vBE= vCE

iC + iB + iE = 0

vCB
_

+ iB
vBE
_E

iC
+
vCE
_
iE

N
P
N

C
Flujo electrones

VCB
n

Flujo huecos

iC

ICO

B
p

El flujo ms importante est

constituido por electrones
que van del emisor (emite)
al colector (recoge)

iB

recombinacin

VBE n
E

iE

iC = - t iE + ICO = - N iE +ICO
N

N
PN

Modelo de
Ebers - Moll
NPN

vCB

iC
+

vCE

+ iB

vBE

_
_

iE

N I EO
iC =
e

1 NI

v BE
VT

v BC

I CO T

1
1
e
1 N I

v BC
v BE

I EO VT
I

I CO VT
iE =
e
e
1 +
1

1 NI
1 NI

Modelo de Ebers - Moll

N I EO
iC =
1 NI

v BE
VT

v BC

V
I CO T

1
e
1
1 N I

N
PN

v BC
v BE

I EO VT
I
I CO VT
1
1 +
iE =
e
e

1 NI
1 NI

NPN

vCB

vCE

+ iB

vBE

iC

_
_

iE

v BC

V
T

1
iC = N i E I CO e

v BE

V
T

1
i E = I iC I EO e

Zonas de operacin

NPN
v CB

iC
+

v CE

+ iB

v BE
_

iE

NJuntura BE polarizacin directa

P
N
+ C iC

v CB
_

+ iB

CE

vBE = V

conduccin
Juntura BC polarizada inversamente

vCB 0

Funcionamiento normal

Zona activa

v BE
_

iE

Juntura CB polarizada directamente

vCB< 0
Juntura BE polarizacin inversa

vBE 0

Saturacin

corte (iE=0)

oll

v BC

M
T

i
I
e
=

1
s
C
N E
CO
er

iE = I iC I EO e

v BE

v BC

v BE
VT

NPN

vCB

iC
+

vCE

+ iB

vBE
_

i E + I iC

= VT ln 1
I EO

iC + N i E

= VT ln 1
I CO

iE

corte
NPN

vCB

vCB > 0

vCE

+ iB

vBE

v BE

iC

Junturas BE y BC en inversa vBE< 0

_
_

iC N i E + I CO

iE

I I CO

= VT ln 1
I EO

ple
m
u
c
No
rte
o
c
n

i
condic

v BE = VT ln(1 N )

Si iB=0 (base abierta) iE = - iC 0

iE 0
iC =ICO

I I CO = N I EO

v BE ?

VBE(corteSi) 0V
VBE(corteGe) -0,1V
vBE 0

activa directa
N I EO
iC =
e

1 NI

vBE= V
v BE
VT

vCB > 0

v BC

I CO T

1
1
e
1 N I

N I EO
iC
e
1 NI

v BE
VT

I CO
+
1 NI

v BC
v BE

I EO VT
I

I CO VT
iE =
e
e
1 +
1

1 NI
1 NI

I EO
iE
e
1 NI

v BE
VT

I I CO

1 NI

activa directa
vBE= V

vCB > 0

Modelo de gran seal en zona activa

tomando el emisor como terminal comn
C

iB

iC = -N iE + ICO
i B + i E + iC = 0

vBE

N
I CO
+
iC = iB
1N 1N
N

1 N

iC i B +
I CO
+1

ee
-i iG
SS -G
r
iaiar I COO
c
eennc ee I C
r
O
fe r
DDi ife I ICCBBO

Silicio
iCiB

saturacin
Si 0,7V
Ge 0,3V

Junturas BE y BC en directa vBE > 0

La IB tiende a provocar una IC mayor que la que

permite el circuito externo de polarizacin
No hay ms control sobre la corriente de colector

vCB - V (BC)0,2V

vBE= VBES
vCES 0,2V

vCB < 0

B
C

VCES

La corriente de
colector queda
limitada por el
circuito externo

VBES

IC < IB
E

Corte: No fluye corriente por ninguno de los terminales.

Activa Directa: El transistor acta como amplificador de
corriente
iC= iB
Por la unin B-E fluye una corriente de difusin que atraviesa
la regin de base alcanzando la unin B-C, los portadores son
acelerados por el campo elctrico e inyectados en el C
Activa Inversa
J E-B: inversamente polarizada J C-B: directamente polarizada
Por diferencia de dopados, muy poca corriente de la inyectada
por el colector alcanza el emisor.
til en algunas aplicaciones digitales (puertas TTL).
Saturacin
El circuito externo no puede proveer la corriente necesaria
para que el transistor funcione en activa fijando la corriente de
colector en su valor mximo. VCE permanece constante

saturacin

Activa o lineal

corte

Caracterstica de entrada
en emisor comn

iB [A]
400

VCE >1V

300

iB

iC

vBE

200

_
E

100

0,5

vCE

vBE [V]

Caracterstica de salida
en emisor comn

iB

iC

vBE

vCE_

iC[ma]

ruptura

activa o lineal

saturacin

iB

15
10
5
0
corte

10

20

BVCEO

vCE[V]

Caracterstica de salida en emisor comn (Ic vs. vCE )

Tensiones de Ruptura

BVEB0
~-6V/-8V
(unin B-E)
BVCB0
~ 200V
(unin B-C)

BVCE0 ~ 70V/100V

Efecto similar al descrito para diodos, si se polariza

inversamente una unin p-n de un transistor BJT, al aumentar
la diferencia de potencial llega un momento en que la unin
empieza a conducir (efecto avalancha)

Las caractersticas iC-vCE se cortan en un

punto de corriente nula llamado tensin Early

iC
VAF
50 a 150V

ICQ

vCE
VCEQ
Pendiente (VAF/ICQ)-1

iC

Modulacin
ancho de base

v CE

Dependencia de la Temperatura

VBE -2 mV

iC

T1>T

ICO se duplica cada 10 C

T
(T ) (TR )
TR

v CE

iC aumenta con T

Datos fabricante
ICMAX (iC@MIN)
Tensiones de ruptura:

PMX
BVCEO

TIP (min, mx)

BVCBO

BVBEO

Limitaciones de potencia

ICMAX

Potencia = iB v BE+iC vCE iC vCE