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UNIVERSIDAD NACIONAL AUTNOMA DE MXICO

COLEGIO DE CIENCIAS Y HUMANIDADES
PLANTEL ORIENTE
REA DE CIENCIAS EXPERIMENTALES
DESARROLLO DE UN TEMA CON FINES DIDCTICOS PARA
APOYAR EL TEMA 9 DE LA TERCERA UNIDAD DE FSICA IV:

ELABORADO POR:

MXICO, D.F., MAYO DE 2001

INDICE
TEMA

PGINA (S)

1. LOS SEMICONDUCTORES .........................................................3-8

2. LOS DIODOS ................................................................................... 9-17
2.1. OTROS TIPOS DE DIODOS ...................................................... 17-19
3. LOS TRANSISTORES ....................................................................20-26
4. BIBLIOGRAFA .............................................................................. 27

3
1) LOS SEMICONDUCTORES
CONDUCTORES, AISLANTES, SUPERCONDUCTORES Y
SEMICONDUCTORES.
En la naturaleza existen materiales que permiten el paso de la
electricidad con poca dificultad; se les denomina conductores y son
generalmente los metales (aluminio, cobre, oro, plata, , etc.) los que
tienen dicha propiedad. La conduccin nos informa, grosso modo, sobre
la facilidad relativa con la cual se mueven los electrones en un material.
Hay otros materiales (ebonita, madera, algunos plsticos, cermicas,
etc.) que oponen una gran resistencia al paso de la corriente elctrica;
son llamados aislantes y uno de sus usos es precisamente la
atenuacin de los efectos de la electricidad.
A finales del siglo XIX se descubri que, algunos materiales a
temperaturas muy bajas, prcticamente no oponen resistencia al paso
de la corriente elctrica. Son los llamados superconductores y poseen
propiedades peculiares. Tanto algunos elementos (vanadio, mercurio,
estao, etc.) como ciertas cermicas (V3Ga, Nb3Sn, V3Si, etc. ) se
comportan como superconductores a bajas temperaturas.
Finalmente, encontramos a los materiales semiconductores, los que
slo en determinadas ocasiones se comportan como conductores y en
otras como aislantes. Dos semiconductores tpicos son el silicio y el
germanio cuando se encuentran en estado puro y cristalino.
En lo que sigue nos ocuparemos un poco de los conductores y los
aislantes, enfocando ms nuestra atencin a los semiconductores.
EXPERENCIA 1: DISTINCIN ENTRE CONDUCTORES, AISLANTES Y
SEMICONDUCTORES.
Material:
Distintos objetos metlicos (un clip, alambre de cobre y un trozo de
soldadura)
Distintos objetos no-metlicos (un palillo, un pedazo de plstico y papel)
Un diodo rectificador modelo 1N4001 o eqivalente
Un led visible de cualquier color
Una resistencia de 1 K a watts.
Una tableta de experimentacin electrnica (protoboard)
Un juego de caimanes
Una batera (3, 6 9 volts)

Procedimiento:
1. En la tableta arma el circuito que se muestra en la figura A. Observa
que la terminal positiva de la batera est conectada al nodo del led
(pata larga) y la terminal negativa de la misma al ctodo del led (pata
corta). Si el circuito se encuentra correctamente instalado, el led se
encender.

resistencia

led
terminal
larga
+
- batera
objeto colocado

FIGURA A. PRUEBA PARA DETERMINAR SI UN OBJETO ES

CONDUCTOR O AISLANTE.

Entre la terminal negativa de la batera y el extremo de la resistencia

conecta sucesivamente tanto los objetos metlicos como los nometlicos. Registra tu informacin en la siguiente tabla.
TABLA I: MATERIALES CONDUCTORES Y AISLANTES
Objeto
colocado

Se enciende el
led?

Conductor o
aislante?

5
2. Ahora conecta el diodo rectificador 1N4001. Primero hazlo conectando
el nodo con el extremo libre de la resistencia y el ctodo (marcado en
el cuerpo del dispositivo con una banda gris) con la terminal negativa de
la batera (figura B)
Se enciende el led? Por qu?
________________________________________________________________

1N4001

1N4001

+
FIGURA B

+
FIGURA C

En seguida conecta el nodo del diodo rectificador con la terminal

negativa
de la batera y el ctodo con el extremo libre de la resistencia(Figura C).
Se enciende el led? Por qu?
________________________________________________________________
Clasificaras al diodo rectificador como un conductor o como un
aislante?
_________________________________________________________________
En razn al comportamiento del diodo, cmo lo clasificaras?
_________________________________________________________________
ACTIVIDADES PROPUESTAS
1. Investiga cules son las principales tcnicas de fabricacin de los
materiales semiconductores.
2. Qu pases son los mayores productores de semiconductores?
Cules emplean las tcnicas ms avanzadas? Qu instituciones
fabrican semiconductores en Mxico? En qu se utilizan? Esto

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contribuye a compensar el rezago tecnolgico de nuestro pas en esta
materia? Argumenta tu respuesta.

LA ESTRUCTURA ATMICA DETERMINA LAS PROPIEDADES DE LOS

AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES?
Efectivamente. Recordemos que el tomo se compone de un ncleo
constituido por protones y neutrones, en torno del cual existe uno o
varios niveles de energa ocupados por electrones. Los electrones que
ocupan el ltimo nivel son conocidos como electrones de valencia,
siendo los responsables de la capacidad de conduccin de la materia.
Los materiales conductores poseen pocos electrones de valencia y son
dbilmente atrados por el ncleo atmico. De manera que, en presencia
de un campo elctrico externo lo suficientemente intenso, pueden
desligarse del tomo y viajar a travs del material dando lugar por el
movimiento de cargas- a una corriente elctrica cuya magnitud es
proporcional al nmero de electrones as liberados.
En cambio, los aislantes tienen casi completa la ltima banda de
valencia, por lo que es difcil desligarlos de la influencia del ncleo
atmico an en presencia de intensos campos elctricos.
Los semiconductores son tetravalentes, es decir, en su ltima nivel de
energa solamente hay cuatro electrones de valencia. Dichos electrones
forman enlaces covalentes con los electrones vecinos, dando lugar a una
estructura regular y estable conocida como red cristalina. En la figura 1
se encuentra esquematizada tal estructura.
:electrones de la ltima capa
: ncleos de Silicio

Figura 1. Esquema de un cristal de Silicio

Se forma un enlace tetravalente porque
cada tomo comparte cuatro electrones.

A temperaturas cercanas al cero absoluto, los cristales de Silicio se

comportan como aislantes. Sometido a temperaturas ms altas los
enlaces pueden romperse permitiendo que algunos electrones escapen.

7
Cuando esto acontece, queda un hueco que a menudo es ocupado por
otro electrn de valencia o por otro electrn libre. De esta manera, si los
huecos son ocupados por electrones, en el material se establecer la
circulacin de corriente elctrica.
La importancia de los semiconductores radica precisamente en que en
algunas circunstancias se comportan como aislantes y en otras permiten
el paso de la corriente elctrica.
Ahora bien, qu sucede si en la red del silicio cristalino se introduce un
tomo pentavalente u otro de carcter trivalente? La introduccin de
tomos con distinta valencia se denomina dopaje.
La unin de dos o ms materiales distintos previamente dopados es la
base para la construccin de la mayora de los semiconductores
empleados en la actualidad, tales como los diodos, los transistores y los
circuitos integrados.
EL AADIR IMPUREZAS A LOS SEMICONDUCTORES
PROPIEDADES. MATERIALES DOPADOS TIPO N Y TIPO P.

CAMBIA

SUS

Mediante una tcnica llamada difusin es posible sustituir en la

estructura cristalina de silicio un tomo de este elemento por otro.
Existen dos opciones: aadir un tomo con un exceso de electrones u
otro con una deficiencia de estas partculas.
Si al cristal de silicio se le incrustan tomos pentavalentes (antimonio,
fsforo o arsnico), stos tendrn un electrn libre que no forma enlace
con ninguno de los tomos vecinos de silicio. Este aadido de impurezas
o dopaje deja electrones que pueden moverse libremente. Por lo tanto,
se dice que posee portadores negativos (electrones). LOS
MATERIALES TIPO N POSEEN PORTADORES NEGATIVOS. En la figura 2 se
muestra un material de tipo N.

electrones del silicio

electrones del tomo

pentavalente.
ncleos del tomo
de silicio

ncleo del tomo

pentavalente
electrn libre del
FIGURA 2. UN CRISTAL DE SILICIO CON
UNA IMPUREZA DEL TIPO N.

tomo pentavalente

Por el contrario, si se aade un tomo trivalente (boro, galio, indio) al

cristal, faltar un electrn para completar los enlaces con los tomos de
silicio que se encuentran a su alrededor. As, este dopaje deja huecos
disponibles que pueden ser llenados por electrones libres. Se dice
entonces que dejan lagunas positivas.
LOS MATERIALES TIPO P TIENEN LAGUNAS POSITIVAS O HUECOS. En la
figura 3 se representa la estructura de un material tipo P.
electrones del tomo
de silicio
electrones del tomo
trivalente
ncleos del tomo
de silicio

ncleo del tomo

trivalente
hueco dejado por el
tomo trivalente
FIGURA 3. UN CRISTAL DE SILICIO CON UNA
IMPUREZA DEL TIPO P

9
Es importante destacar que el dopaje de los cristales de silicio es una
tcnica que requiere mucha precisin, pues se incrusta un tomo
trivalente (o pentavalente) por cada 200 millones de tomos de silicio!
El cristal en estado puro sobre el que se realiza el dopaje recibe el
nombre de sustrato y los tomos aadidos a ste son las impurezas.
Los cristales ms usados como sustratos son el silicio y el germanio.
El elemento donador ms empleado para fabricar semiconductores tipo
N es el fsforo, en los cristales de silicio; el arsnico y el antimonio en
los cristales de germanio.
En los semiconductores tipo P, las impurezas aadidas al cristal de silicio
son de aluminio o boro. El indio y el galio se utilizan para los cristales de
germanio.

2. LOS DIODOS
LAS UNIONES DE SEMICONDUCTORES TIPOS N Y P
Resulta interesante cuando se realiza la unin de un semiconductor P y
otro de tipo N. A los dispositivos formados por una unin de materiales
tipos P y N se les denomina diodos.
Si recordamos, el material N posee un exceso de electrones libres y en el
material P hay varios huecos. Ocurre que los electrones del lado N
cercanos a la unin son atrados por los huecos del lado P tambin
cercanos a sta. A su vez, los huecos del lado P se desplazan en
direccin a los electrones del lado N. Lo anterior da lugar a un
intercambio de cargas en la unin hasta que se forma una barrera de
potencial que impide dicho intercambio.
La regin en la cual ocurre tal intercambio entre los dadores (electrones)
y los aceptores (huecos) se llama zona de agotamiento. Mientras no
se aplique una diferencia de potencial entre los extremos de los
materiales P y N, se dice que esta unin no se encuentra polarizada.
En la figura 4 se ilustra lo anteriormente descrito.

10

electrones
P

huecos

zona de agotamiento
FIGURA 4. EN UNA UNIN PN SIN POLARIZAR HAY INTERCAMBIO DE CARGAS
EN UNA REGIN Y A SU VEZ SURGE UNA BARRERA DE POTENCIAL QUE
LIMITA ESTE PROCESO.

La barrera de potencial tiene un valor cercano a 0.6 volts en las

uniones PN de silicio y de 0.8 volts en los de germanio. Esto significa que
para tener circulacin de corriente elctrica a travs de la unin
antedicha, necesitamos aplicar una diferencia de potencial (voltaje)
superior a 0.6 volts para los cristales de silicio y mayor a 0.8 volts para
los de germanio.
Si polarizamos al semiconductor PN, esto es, aplicamos una diferencia
de potencial superior a su barrera de potencial- en los extremos libres
de la unin, tendremos dos situaciones. A continuacin las describimos.
1) POLARIZACIN DIRECTA. En este caso la terminal positiva de una
batera se aplica al material tipo P y la terminal negativa de la misma al
material N (figura 5).
Como en la terminal negativa de la batera existe un exceso de cargas
negativas, al encontrar en el material N a los muchos electrones libres,
stos son repelidos hacia la unin PN, pudiendo ocupar los huecos
existentes en el material P. A su vez, las cargas positivas procedentes de
la terminal positiva de la batera repelen a los huecos del material P, de
manera que dichos huecos son repelidos hacia la unin PN.
De esta forma, se establece un flujo de cargas negativas del material N
para ocupar los huecos del material P, y de huecos del material P hacia
el material N. Este flujo de electrones permite el paso de corriente
elctrica a travs del material.

11
Un diodo polarizado directamente se comporta como un conductor
siempre que se le aplique una diferencia de potencial mayor a su
barrera de potencial.

MATERIAL TIPO P

MATERIAL TIPO N

+
huecos

sentido de la corriente elctrica

electrones libres

FIGURA 5. DIODO POLARIZADO EN FORMA DIRECTA

2) POLARIZACIN INVERSA. La terminal positiva de la batera se

conecta al material tipo N y la terminal negativa al material tipo P (figura
6).
Aqu los huecos del material P son atrados por las cargas negativas
procedentes de la terminal negativa de la batera y los electrones libres
del material N son atrados por las cargas positivas procedentes del
positivo de la batera.
As, las cargas se concentran en los extremos del material dando lugar a
una zona libre de portadores de carga en la unin PN, ensanchando la
llamada zona de agotamiento e incrementando el valor de la barrera de
potencial. Lo anterior provoca que no exista flujo de cargas a travs del
material, es decir, que no circule corriente elctrica.
Por lo tanto, un diodo polarizado inversamente se comporta como un
aislante porque se incrementa el valor de la barrera de potencial en la
unin PN.

12

ZONA
DE
PORTADORES
LIBRES

MATERIAL P

MATERIAL N

electrones libres
huecos

FIGURA 6. UN DIODO POLARIZADO EN FORMA INVERSA

EXPERIMENTO 1: CARACTERIZACIN DE UN DIODO RECTIFICADOR

MATERIAL:
Un diodo rectificador modelo 1N4001 o equivalente
Una tableta de experimentacin electrnica (protoboard)
Un potencimetro de 10 K, con cursor de giro y vstago
Resistencias de 10 y 560
Tres pares de caimanes
Alambre de conexin AWG #20
Una batera de 9 volts (de preferencia nueva para evitar cadas de
voltaje)
EQUIPO:
Un ampermetro
Un voltmetro
PROCEDIMIENTO
1. Arma el circuito que se muestra en la figura 7. En este caso, como el
ctodo va el ampermetro- se encuentra conectado a la terminal
negativa de la batera, decimos que el diodo est polarizado
directamente.

13

10 K

nodo

ctodo

9 V

mA
FIG. 7. CARACTERIZACIN DE UN DIODO POLARIZADO EN FORMA DIRECTA

Gira el cursor del potencimetro hasta que obtengas un valor apreciable

en la corriente elctrica (por ejemplo 0.1 mA). Gira lentamente el cursor
del potencimetro y, para cada valor de voltaje que obtenga, registras el
valor correspondiente de la corriente elctrica. Agrupa tus mediciones
en la Tabla II.
TABLA II: CORRIENTE ELCTRICA VERSUS VOLTAJE APLICADO EN UN
DIODO RECTIFICADOR MODELO 1N4001 (POLARIZADO EN FORMA
DIRECTA).
VOLTAJE APLICADO
V (v)

CORRIENTE
ELCTRICA
I (mA)

I (mA)

14

V (volts)

15
2. Ahora invierte las terminales del diodo. Es decir, conecta el ctodo
hacia la unin del potencimetro y la resistencia de 100 , y el nodo
hacia una de las puntas del ampermetro.

10

10 K

+
_

nodo
9 volts

100

ctodo
V

mA
Fig. 7b. Caracterizacin de un diodo polarizado en forma inversa
En este circuito el diodo permanece polarizado inversamente. Gira el
cursor del potencimetro hasta que obtengas el valor mnimo del voltaje
y registra el valor de la corriente elctrica (coloca el ampermetro en la
escala de microamperes). Mueve el cursor al extremo contrario y
registra el valor del voltaje mximo. Con los valores mximo y mnimo
construye una escala para que puedas realizar cambios proporcionales
en el voltaje, a la vez que mides la correspondiente corriente elctrica.
Es importante sealar que el voltaje aplicado lo tomaremos como
negativo. As, al graficar corriente elctrica (I) versus voltaje (V), la
grfica resultante quedar sobre el tercer cuadrante. Vierte tus
mediciones en la siguiente tabla.
TABLA III. CORRIENTE ELCTRICAVERSUS VOLTAJE APLICADO EN UN
DIODO RECTIFICADOR MODELO 1N4001 (POLARIZADO EN FORMA
INVERSA).
VOLTAJE
APLICADO
V (v)

CORRIENTE
ELCTRICA
A (A)

16

- V (volts)

Para el diodo
preguntas:

polarizado

directamente,

contesta

las

siguientes
- I (mA)

17

A qu voltaje aproximadamente- la corriente elctrica a travs del

diodo aumenta en forma sbita? Cul es la razn de esto?

Tiene qu ver el valor anterior con la magnitud de la barrera de

potencial para una unin PN de silicio? Por qu?

De acuerdo con la tendencia de la grfica, qu sucedera si el voltaje

siguiera aumentando?

Para el diodo polarizado en forma inversa, contesta las siguientes

preguntas:
Cambia significativamente la corriente elctrica a travs del diodo
cuando aumentas el voltaje? A qu se debe?

Se puede considerar que en la polarizacin inversa un diodo se

comporta como un material no-conductor de la electricidad? Por qu?
Justifica tu respuesta.

Podra aumentarse indefinidamente el valor del voltaje aplicado en

forma inversa? Por qu? (Sugerencia: investiga qu es el voltaje
mximo inverso).

Investiga qu es un material hmico. De acuerdo a esta definicin,

cmo clasificaras al dispositivo semiconductor que estudiaste?

ACTIVIDADES PROPUESTAS
1.Cules son las especificaciones ms comunes dadas por
fabricantes para los diodos?

2. Cul es el principal uso de los diodos rectificadores?

los

18

3. Investiga cmo se construyen los rectificadores de media onda y de

onda completa.
4. Disea o propn un circuito para convertir la seal alterna de un
transformador en una seal de corriente directa. Si tienes oportunidad,
prueba tu circuito en el osciloscopio o simlalo mediante el programa
Electronic Work Beanch, versin 5.0 (Ver Apndice I).
5. Investiga cmo funcionan y cules son los principales usos de los
siguientes diodos: Zener, leds, fotodiodos, varicap, de efecto tnel, de
microondas, PIN, lser, los triacs, y los de microondas.
2.1. OTROS TIPOS DE DIODOS
Actualmente, en el mercado electrnico se encuentran disponibles
cientos o miles de modelos de diodos, cada uno de stos con funciones y
caractersticas propias. Entre los ms utilizados e importantes
encuentran:

Los diodos rectificadores;

los diodos Zener;
los diodos emisores de luz (LEDs, por sus siglas en ingls);
los diodos detectores;
los fotodiodos;
los diodos Schottky;
los diodos varicap;
los diodos tnel;
los diodos lser;
los diodos de microondas; y
los diodos PIN.

En lo que sigue describiremos brevemente algunos de ellos.

DIODOS RECTIFICADORES
Se les denomina con este nombre a los arreglos de materiales PN
capaces de transformar corrientes alternas o bidireccionales en
corrientes directas o unidireccionales. Debido a esta propiedad, los
arreglos de diodos rectificadores son empleados en el filtraje de seales
elctricas. Debido a que slo conducen la corriente elctrica en un
sentido cuando se encuentran polarizados en forma directa, se les
aprovecha como dispositivos de seguridad en aparatos que suministran

19
carga a ciertos
recargables, etc.

dispositivos

como

los

acumuladores,

las

pilas

Algunos
circuitos
que
emplean estos diodos son
los rectificadores de media
onda y los de onda
completa, los multiplicadores de tensin y las
fuentes
reguladas
de
voltaje.
En la figura 8 se muestra
una fotografa de un diodo
rectificador
capaz
de
manejar
corrientes
elctricas elevadas.

FIGURA 8

DIODOS ZENER
Los parmetros que caracterizan a la mayora de los diodos son: la
corriente mxima en polarizacin directa, el voltaje de polarizacin y el
voltaje mximo de ruptura.
Dependiendo del tipo de diodo, la corriente mxima en polarizacin
directa que puede soportar vara desde unos cuantos miliamperes hasta
cientos de amperes. Mientras que el voltaje mximo de ruptura se
encuentra entre 5 y 6000 volts, dependiendo de cada modelo. Cuando
se alcanza este voltaje en un diodo polarizado inversamente, se
destruye la unin del material tipo P y el material tipo N.
Si un diodo se polariza en forma inversa (ver figura 7b) con un voltaje
cercano al voltaje mximo de ruptura, se dice que entra en avalancha o
ruptura porque la corriente crece enormemente con pequeas
variaciones en el voltaje. Los diodos Zener estn diseados
precisamente para trabajar en dicha zona de avalancha o ruptura. Los
dopajes en el semiconductor se realizan de tal modo que esta zona sea
amplia.
Si un diodo Zener se polariza en forma directa, se comporta como un
diodo rectificador; si se le polariza en forma inversa, es capaz de
mantener el mismo voltaje aunque la corriente que pase por el diodo
sea muy grande o vare considerablemente.

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Cuando se coloca un diodo Zener en polarizacin inversa en un circuito,
ste prcticamente no conduce corriente elctrica hasta que el voltaje
aplicado alcanza un valor determinado. A dicho valor se le denomina
voltaje Zener o de referencia. Al ocurrir lo anterior, el diodo entra en
conduccin manteniendo fijo el voltaje de salida entre sus terminales, a
pesar de las variaciones que pudieran existir en la corriente elctrica
En razn del comportamiento anterior, los diodos del tipo Zener son
ampliamente utilizados como reguladores de voltaje. Comercialmente se
consiguen diodos con un voltaje Zener desde 2 a 200 volts, y con
potencias de disipacin que van de a 50 Watts.
DIODOS EMISORES DE LUZ (LEDs)
Lo particular de esta unin de materiales semiconductores es que, al
polarizarse directamente, emiten luz visible o infrarroja, ya sea en forma
continua o intermitente. Un material tpico de fabricacin de estos
diodos es el arseniuro de galio fosfatado. Dependiendo de la
composicin del diodo, la luz emitida puede ser
de distintos. Los ms comunes son (entre parntesis se indica la longitud
de onda de la luz emitida): esmeraldas (556 nm), verdes (569 nm),
amarillos (585 nm), naranjas (608 nm), rojos de alta eficiencia (626 nm),
rojos normales (640 nm) e infrarrojos (950 nm). Desde el ao 1999, los
diodos que emiten luz azul se comenzaron a vender en Mxico al gran
pblico.
Es interesante destacar que, mientras en los diodos de silicio el
intercambio de energa entre electrones y huecos se traduce en forma
de calor, en los LEDs la combinacin de electrones y huecos provoca
que los primeros pasen de un nivel energtico superior a uno inferior, lo
que se manifiesta como emisin de luz.
Tambin existen materiales en los que la recombinacin de electrones y
huecos provoca emisin infrarroja. Con aqullos se construyen los LEDs
infrarrojos, cuyo uso ms extendido es como emisores de seal activar o
desactivar distintos mecanismos electrnicos.
Los principales usos de los LEDs que emiten luz visible son como
sealizadores y visualizadores. Dependiendo de su tamao, la intensidad
luminosa emitida por dichos diodos va de 0.5 milicandelas a 4 candelas.
Los LEDs poseen una eficien-cia luminosa ms alta que las lmparas de
filamento, pues iluminan ms con voltajes bajos. Se piensa que, a
mediano plazo y con el mejoramiento de los materiales que emiten luz,
los LEDs sustituirn a las lmparas de filamento que ahora nos
iluminan en la casa, en la calle, en el comercio, etc.

21

3. LOS TRANSISTORES
El transistor derivacin de la expresin transfer resistor, es decir,
resistencia de transferencia- fue originalmente un dispositivo
desarrollado por Bardeen, Brattain y Shockley en el ao de 1948, en los
laboratorios de la compaa Bell Telephone.
Los ms simples de estos componentes activos (se les da esta
denominacin porque pueden controlar corriente elctrica) son los
transistores bipolares. El transistor bipolar est constituido por dos
uniones PN contrapuestas. Es un transistor NPN si el semiconductor
emparedado es del tipo P; se trata de un PNP si el semiconductor
interpuesto es del tipo N.
El funcionamiento de un transistor NPN es el siguiente (vid. figura 9). Si
polarizamos directamente la unin PN inferior con una batera B 1,
tendremos una recombinacin entre los electrones sobrantes de la capa
N y los huecos existentes en la capa P. Si recuerdas, esto daba lugar a
una pequea circulacin de corriente elctrica en la unin PN polarizada
directamente (vid. figura 5). A esta corriente la denominaremos IB.
electrones
huecos

IC

COLECTOR (N)

BASE (P)

B2

IB

B1

EMISOR (N)

IE
FIGURA 9. UN TRANSISTOR NPN EN LA CONFIGURACIN EMISOR COMN

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En un transistor NPN la capa inferior de material N recibe el nombre de
emisor, la capa intermedia constituida de material P es la base y la capa
superior de material N es el colector.
Ahora bien, al aplicar una diferencia de potencial ms alta entre la capa
N superior y la inferior mediante la batera B 2, tanto los electrones libres
de la capa N superior como los de la capa inferior, son intensamente
atrados por el campo elctrico positivo de la batera. A esto se le
denomina efecto de avalancha, pues la corriente elctrica que circula
sobre las capas N es mucho mayor que la corriente que se produce en
la base (IB) por efecto de la recombinacin.
Si la corriente elctrica no crece indefinidamente es gracias a que el
proceso de recombinacin de electrones y huecos en la capa PN
polarizada directamente, de alguna manera frena a los electrones
libres de la capa N inferior, lo que a su vez provoca una menor repulsin
entre los electrones que circulan por la unin PN y los de la capa N
superior.
Lo anterior da lugar a una circulacin de corriente elctrica diferente
entre la capa N superior (IC ) y la capa N inferior (IE). De acuerdo con la
primera ley de Kirchhof, las corrientes anteriores estn relacionadas
de la siguiente manera:
IE = IB + IC

...

(1)
Experimentalmente se puede escribir la corriente del colector como
IC = IE + ICB0

...

(2)
Donde es un parmetro que vara entre 0.95 y 0.99 e I BC0 es la llamada
corriente trmica de portadores minoritarios, prcticamente cero para
los materiales dopados de silicio a la temperatura ambiente. Si hacemos
esta consideracin, resulta:
IC = IE

...(3

)
Observa que la diferencia entre las corrientes del emisor (I E) y del
colector (IC) apenas es de entre 1 y 5 %. El parmetro h fb es
denominado ganancia esttica de corriente en configuracin base
comn.

23
Si sustituimos la ecuacin ( 1 ) en la ( 2 ), considerando que I CB0 casi es
cero, tendremos:
IC = (IB + IC)

...

(4)
Al despejar la corriente de colector IC queda:
IC = ( / 1- ) IB
La relacin = ( / 1- ) se le conoce como la ganancia esttica de
corriente del transistor en la configuracin emisor comn. En los
manuales y libros de electrnica el parmetro aparece como hFE. Este
parmetro no es del todo constante pero, a ciertas condiciones de
temperatura, corriente y voltaje, se puede considerar como tal.
El parmetro hFE es muy importante en el diseo electrnico de los
transistores usados como amplificadores. Por ejemplo, el transistor de
silicio NPN de pequea seal modelo BC548A tiene un h FE promedio de
200, lo cual significa que si necesitramos una corriente en el colector
de 200 mA, al menos tendramos que hacer circular por la base una
corriente de 1 mA. Obviamente, la corriente mxima con la que operan
los transistores depende en gran medida de su fabricacin y la potencia
elctrica que puedan disipar.
Otra cosa que debemos tener en cuenta es que los transistores pueden
amplificar, sin distorsionar, cierto tipo de seales que se encuentren
dentro de una banda determinada de frecuencia.
EXPERIMENTO 2: CARACTERIZACIN DE UN TRANSISTOR NPN DE
PEQUEA SEAL (MODELO BC548A EQUIVALENTE).
MATERIAL
Una tableta de experimentacin electrnica
Alambre para conexin calibre #22 AWG
Un transistor NPN de pequea seal modelo BC548A o equivalente
Un potencimetro de 100 K
Una resistencia de 560, a watt
Una resistencia de 82, 100 y 120 K (de preferencia que cada equipo
trabaje con una distinta)
Dos bateras de 9 volts
Cuatro pares de caimanes

24
EQUIPO
Un ampermetro (con escala de miliamperes)
Un voltmetro
PROCEDIMIENTO
1. Arma el circuito representado en la figura 10. Nota que el
ampermetro se encuentra conectado en serie entre el colector del
transistor y la resistencia de carga R L. Es por esta razn que aqu vamos
a medir la corriente que circula por el colector (I C). Las terminales del
transistor emisor, base y colector- se identifican segn se indica en la
figura 10 bis.
El voltmetro est colocado en paralelo entre el colector y el emisor del
transistor, por lo tanto, decimos que se mide el voltaje colector-emisor
(VCE).
En los puntos A y B podemos conectar el circuito que se muestra o, si
dispones de ella, una fuente de voltaje variable de 0 a 9 volts y con una
corriente mxima de 200 mA

C
100 K

+
-

+
-

VCE
9 volts

B
FIGURA 10. CARACTERIZACIN DE UN TRANSISTOR NPN

9 volts

25

h
: 110 (mn.) a 800 (mx.)
FE
BC 548

CARA PLANA DEL

TRANSISTOR

I C = 0.1 Amperes (mx.)

C

B
E

V CE = 30 Volts (mx.)
V = 30 Volts (mx.)
BC

E : EMISOR
B: BASE
C: COLECTOR
E

B C

FIGURA 10 BIS. CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR NPN BC548

2. Ahora mediremos la corriente del colector I C versus el voltaje colectoremisor VCE. Ajusta el cursor del potencimetro hasta que obtengas una
corriente en el colector de al menos unas dcimas de miliamperes. A
continuacin gira lentamente el cursor del potencimetro de tal modo
que cambies el voltaje-emisor colector, a la vez que registras en el
voltmetro la correspondiente lectura de la corriente del colector. Vierte
tus mediciones en la siguiente tabla:
TABLA IV. CORRIENTE DE COLECTOR( IC)VERSUS VOLTAJE COLECTOR-EMISOR
(VCE).
(PARA RB = ____ K)
VOLTAJE COLECTOREMISOR
VCE (mv)

CORRIENTE ELCTRICA DEL

COLECTOR
IC (mA)

26

3. Grafica en papel milimtrico (o auxiliado por una hoja de clculo como

Lotus o Excell) la corriente del colector (I C) versus el voltaje colectoremisor. Recuerda que la corriente de base es constante (I B = 9 volts /
RB). Contesta las siguientes preguntas.
El transistor es un dispositivo con comportamiento hmico o nohmico? Por qu?

A qu voltaje VCE se da la ganancia mnima? (hFE = IC / IB).

IC (mA)

27

A qu voltaje VCE se obtiene la ganancia mxima?

VCE (mV)

28

Qu sucede con la corriente de colector I C conforme se incrementa el

voltaje? Cmo explicas este comportamiento?

Compara tu grafica con las de otros equipos (recuerda que cada uno de
ellos trabaj con distintas corrientes de base IB). De ser posible,
grafiquen todas las curvas en un mismo papel. De qu manera influye
una mayor o menor corriente de base IB en el valor de la corriente de
colector IC?

Debe aumentarse el voltaje aplicado entre el emisor y el colector del

transistor para aumentar el valor de la ganancia? Por qu?

A la familia de curvas obtenida al graficar I C versus VCE se le conoce

como curvas caractersticas para un transistor NPN en la
configuracin emisor comn.
Propn las modificaciones correspondientes al circuito de la figura 9 para
obtener las curvas caractersticas para una configuracin basecomn, es decir, un circuito en el cual la base del transistor est
conectada al negativo de las bateras. Adems, la corriente del emisor
se mantiene constante y lo que se hace variar es la corriente del
colector (IC)versus el voltaje colector-base (VCB). Dibuja tu circuito en el
siguiente espacio.

CIRCUITO PARA UN TRANSISTOR NPN EN LA CONFIGURACIN BASE COMN

29
2.1. OTROS TIPOS DE TRANSISTORES

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