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MEMS Mikroelektromechanische Systeme

MEMS
Herstellung, Bauformen,
Realisierungen

Ralf Drescher - 24.06.2003 - Seminar MEMS

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MEMS Mikroelektromechanische Systeme

Welche Themen werden behandelt?


1. Einleitung - Was sind MEMS?
2. Basistechnologien der Mikrosystemtechnik
2.1 Lithographiebasierte Verfahren
2.2 Miniaturisierung herkmmlicher Fertigungsverfahren
2.3 Hilfsverfahren

3. MEMS - Grundstrukturen und deren Funktionsweise


3.1 Wichtige Theoretische Erkenntnisse
3.2 Membrane
3.3 Feder-Masse-Systeme
3.4 Combdrives

4. Fallbeispiele
4.1 Beschleunigungssensor
4.2 Drucksensor

5. Ausblick: Lab-on-a-Chip
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MEMS Mikroelektromechanische Systeme

1. Was sind MEMS?

Mikro
Elektro
Mechanische
Systeme

Wie der Name schon nahelegt, handelt es sich bei


MEMS um miniaturisierte Systeme mit sowohl
elektrischen/elektronischen als auch mechanischen
Komponenten

Bubble Jet Druckkopfdse


Heizelement

40m

Tintenreservoir

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2. Basistechnologien der Mikrosystemtechnik


2.1 Lithographiebasierte Verfahren
2.1.1 Fotolithographie
2.1.2 LIGA Lithographie, Galvanik, Abformung
2.1.3 Elektronenstrahlstrukturierung

2.2 Miniaturisierung herkmmlicher Fertigungsverfahren


2.3 Hilfsverfahren
2.3.1 Thin Film Deposition and Doping
2.3.2 Wet Chemical Etching
2.3.3 Dry Plasma Etching
2.3.4 Surface Micromachining Sacrificial Layers

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2.1.1 Fotolithographie

Vorteile:
Weitverbreitete Technologie
Kostengnstig bei Massenfertigung
Mechanik & Elektronik in einem IC
Strukturbreiten bis in den nm-Bereich
Nachteile:
Nur flchige Strukturen mglich
Materialien sind von der verwendeten
Technologie abhngig

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2.1.2 LIGA Lithographie, Galvanik, Abformung


Bei diesem im Forschungszentrum Karlsruhe entwickelten
Verfahren wird eine relativ dicke Schicht rntgenempfindlichen Kunststoffs (meist PMMA = Plexiglas) auf
einem Metalltrger mit Hilfe von Rntgentiefenlithographie
(1:1 Maske!) belichtet.
Die nach dem tzen entstandene Form

Durch den metallischen Trger besteht nun die Mglichkeit


an diesen galvanisch Metall anzulagern.

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2.1.2 LIGA Lithographie, Galvanik, Abformung (Fortsetzung)


Setzt man den Galvanisierungsvorgang fort, bis sich eine
Dicke Metallschicht auf der Oberflche gebildet hat...

...erhlt man entweder das gewnschte Bauteil aus Metall...

...oder eine Metallform, die zum Spritzgiessen oder


Heissprgen von Kunststoffen dienen kann.

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2.1.2 LIGA Lithographie, Galvanik, Abformung (Fortsetzung)


Vorteile:
Sehr hohes Aspektverhltnis - je nach Struktur bis zu 50 500! und eine
Oberflchenqualitt im Submikrometerbereich
Strukturhhen bis zu 3mm
Grosse Materialpalette: Kunststoffe, Metalle, Keramiken
Nachteile:
Zwingend: Direktbelichtung mit 1:1 Maske
Herstellung von 1:1 Masken ist sehr teuer
Erst ab sehr grossen Stckzahlen wirtschaftlich

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2.1.3 Elektronenstrahlstrukturierung
Ein Elektronenstrahlschreiber steuert einen
(geformten) Elektronenstrahl rasterfrmig ber
einen elektronenempfindlichen Resist.
Leider ist dieses serielle Schreiben sehr
zeitaufwendig und eignet sich deshalb nicht
fr die Massenproduktion.
Unverzichtbar ist diese Verfahren allerdings fr
die Herstellung hochauslsender Masken (z.B.
fr die Rntgentiefenlithografie aus 2.1.2) oder
die Produktion von Prototypen.
Die Auflsungsgrenze liegt bei etwa 10-20nm.

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2.2 Miniaturisirung herkmmlicher Fertigungsverfahren


Durch Einsatz von CNC-Hochprzisionsmaschinen ist es mglich viele der blichen
Formgebungsverfahren wie
Schneiden
Bohren
Drehen
Frsen
Sandstrahlen
Laserabtragung
Funkenerosion
auch im mikrotechnologischen Bereich mit
einer Genauigkeit von bis zu 1m einzusetzen
Frswerkzeug mit einer
Schnittbreite von 50 m

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2.2 Miniaturisirung herkmmlicher Fertigungsverfahren (Fortsetzung)


Vorteile:
Vollkommen 3-dimensionale Strukturen mglich
kostengnstige Fertigung von Prototypen
Grosse Materialpalette
Nachteile:
Feinste Stukturen nur etwa 10-100m (1 bis 2
Grssenordnungen grsser als bei
lithographischen Verfahren)
Jedes Werkstck muss einzeln gefertigt werden
Kosten bei Massenfertigung sinken nicht so
stark wie bei lithographischen Verfahren

Laserstrukturiertes
menschliches Haar
60m

Aspektverhltnis je nach Material nur 1-10

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2.3.1 Thin Film Deposition and Doping


Ziel dieser Verfahren:
An- bzw Einlagerung von Fremdstoffen an/in Siliziumstrukturen zwecks Herstellung von

Leitern

Widerstnden

Opferschichten

Maskierungsschichten
Folgende Verfahren werden anschliessend kurz vorgestellt:

Silicon Dioxide (oxide)

CVD Chemical Vapour Deposition

Evaporation (Bedampfung)

Sputter Deposition

Doping (Dotierung)

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2.3.1 Thin Film Deposition and Doping (Fortsetzung)

Silicon Dioxide (oxide)

Oxidation von Silizium in einer O2 - oder einer H2O -Atmosphere


(800C 1200C).

Verwendung als Masken- und als Opferschicht (Sacrificial Layer).

Problem: Volumenzuwachs der Struktur. Eine Oxidschicht


der Dicke d verbraucht eine Siliziumschicht der Dicke 0,44d.
=> Oberfchenspannungen. Einsatz nur bei spannungsunempfindlichen Strukturen.

Besondere Verfahren:
LOCOS (LOCal Oxidation of Silicon): Oxidation begrenzt auf
Flche, die nicht von einer Maskenschicht (z.B. Silicon nitride)
abgedeckt ist.
SIMOX (Separation by IMplantation of OXigen): Einbringen von
Sauerstoff in tiefere Schichten des Wafers mit Hilfe von
Ionenimplantation.

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2.3.1 Thin Film Deposition and Doping (Fortsetzung)

CVD Chemical Vapour Deposition

Gasfrmige Ausgangsverbindungen
(Precursor) werden an heissen Wafern
vorbeigeleitet.

Chemische Struktur bricht auf;


nichtflchtige Anteile des Precursors lagern
sich ab, flchtige werden abgesaugt.

Untersttzende Massnahmen:
Zufhrung von zustzlicher Energie durch
Plasma oder Laser, Senkung des
Umgebungsdrucks

Wird verwendet zum Auftragen von:


- Polysilizium
- Siliziumnitrid (nitride)
- PSG (phosphor silicate glass =>
Opferschicht)

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2.3.1 Thin Film Deposition and Doping (Fortsetzung)

Evaporation (Bedampfung)

Aufzudampfendes Material wird durch


Erhitzen in den gasfrmigen Zustand
berfhrt und kondensiert dann auf dem
kalten Wafer.

Max. Temperatur: etwa 1200C


(=> Materialauswahl)

Materiale hauptschlich Elemente, da die


Zusammensetzung beim Aufdampfen von
Stoffgemischen schwer zu steuern ist.

Mgliche Heizquellen sind z.B.


Elektronenstrahl oder ein Wolframfaden.

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Elektronenstrahlverdampfer

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2.3.1 Thin Film Deposition and Doping (Fortsetzung)

Sputter Deposition
Plasmafeld zwischen zwei geladenen Platten
generiert Ar+-Ionen. Diese treffen mit hoher
kinetischer Energie auf das negativ geladene
Target (Kathode) und schlagen Atome aus dem
Atomgitter, die sich auf dem Wafer (Anode)
ablagern.

Doping (Dotierung)
Einbringen von Fremdatomen (z.B. Phosphor, Bor)
in das Siliziumgitter zwecks Vernderung der
elektrischen aber auch mechanischen und
chemischen Eigenschaften.
2 Hauptverfahren: Ionenimplantation und Diffusion

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2.3.2 Wet Chemical Etching


Einfhrung ins tzen von Mikrostrukturen:
Bei allen tzverfahren, die bei der Fertigung von ICs und MEMS verwendet werden
unterscheidet man zwei grosse Hauptgruppen:
isotrope

und

anisotrope

Whrend isotrope tzverfahren gleichmssig in alle Richtungen tzen, wodurch es zu


Untertzungen kommen kann (siehe Abb.), tragen anisotrope tzverfahren das zu
tzende Material z.B. senkrecht zur Waferoberflche oder entlang von Atomebenen ab.

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2.3.2 Wet Chemical Etching (Fortsetzung)


ltestes Verfahren in der Mikrosystemtechnik
Verwendete tzbder sind z.B. HF- und HNO3Lsungen (sehr korrisiv!!!)
Setzt Existenz von Materialien voraus, die gut mit
der Siliziumfertigung harmonieren, aber von der
tzlsung nicht angegriffen werden. Fr o.g. Lsung
dient z.B. Siliziumnitrid als Maskenmaterial
Bei Strukturen im Submikrometer-Bereich spielt
dieses Verfahren keine sehr grosse Rolle mehr, da
sich mit anisotropischen Trockentzverfahren eine
deutlich hhere Genauigkeit erreichen lsst.
Oberhalb des m-Bereichs weiterhin sehr wichtig,
da einfacher, billiger, sauberer (=> selektives
Entfernen von Resist).

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2.3.2 Wet Chemical Etching (Fortsetzung)


Wichtiger Faktor beim Nasstzen: der tzstopp
Da sich das tzverhalten zwischen dotiertem und undotiertem Silizium
unterscheidet, kann man diese Eigenschaft nutzen, um einen tzvorgang bzgl. der
tztiefe zu begrenzen. Dies geschieht mit Hilfe von dotierten Siliziumlagen, die z.B.
per Ionenimplantation in der gewnschten Tiefe erzeugt wurden.
Ebenfalls als tzstopp verwendet werden vergrabene SiO2-Schichten (=> SIMOX).

Resist
Silizium
Dot. Silizium
Silizium (Substrat)

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2.3.3 Dry Plasma Etching


Anisotropische tzverfahren tzrichtung ist
durch den Ionenfluss vorgegeben
Wichtigstes Verfahren zur Erstellung von hohen
Strukturen mit geraden Wnden
Das Grundprinzip haben alle Plasmatzverfahren
gemeinsam: Im Plasma generierte Ionen werden
von umgekehrt geladenem Substrat angezogen
und gehen mit dem zu tzenden Material eine
flchtige Verbindung ein, die abgesaugt wird.
Ionen werden immer senkrecht zum Wafer
beschleunigt => sie treffen in erster Nherung
nie die Wnde.
Unterschiede zwischen den Verfahren liegen z.B.
in der Wahl der Ionenquelle, den chemischen
Zustzen und dem Arbeitsdruck.

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2.3.3 Dry Plasma Etching (Fortsetzung)


Beispiel: RIE Reactiv Ion Etching
Plasma besteht aus 3 Komponenten:
SF6 => F* Radikale
O2 => O* Radikale
CHF3 => CFx+ Ionen
Jede der Komponenten hat eine spezielle Aufgabe:
F* tzt chemisch Silizium zu flchtigem SiF4
O* passiviert die Si-Oberflche mit SiOxFy
CFx+ lst die SiOxFy Schicht vom Boden und
bilden das flchtige COxFy
Das Verhltnis aus diesen 3 Reaktionen bildet nun
die Grundlage fr eine Reihe von Variationsmglichkeiten, die sich hauptschlich in der Qualitt
der Wnde auswirken.

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2.3.3 Dry Plasma Etching (Fortsetzung)


Wie bekomme ich nun aber schne gerade Wnde?
Lsung: Black Silicon Method

zu viel

O2

Mikrograss

zu wenig

Farbe/Oberflche
grau

glatt
schwarz

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2.3.4 Surface Micromachining Sacrificial Layers (Opferschicht)


Wie fertige ich Gebilde, die auf grossen Flchen
vom Substrat getrennt sind und nur von wenigen
Aufhngungspunkten gehalten werden?
Dies erreicht man mit so genannten
Opferschichten
Das Verfahren ist einfach:
Auftragen der Opferschicht
Formen der Opferschicht
Auftragen der Baustrukturschicht
Formen der Baustrukturschicht
selektives Wegtzen der Opferschicht

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2.3.4 Surface Micromachining Sacrificial Layers (Fortsetzung)


Im Zusammenhang mit den Opferschichten gibt es
eine Interessante Anwendung von CVD:
Geschlossene Hohlrume
Wie wir gerade eben gelernt haben, erzeugt man
Hohlrume mit Opferschichten. Mchte man aber
eine geschlossene Struktur um die Opferschicht
haben, hat man das Problem, dass man die
Opferschicht nicht mehr wegtzen kann...
Lsung:
1. feine Lcher lassen, durch die die tzflssigkeit
eindringen kann.
2. Verschliessen der Lcher nach dem tzen mit
CVD

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3. MEMS - Grundstrukturen und deren Funktionsweise


3.1 Wichtige theoretische Erkenntnisse
3.2 Membrane
3.3 Feder-Masse-Systeme
3.4 Combdrives

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3.1 Wichtige theoretische Erkenntnisse


Bei der Miniaturisierung von mechanischen und elektrischen
Konstruktionen gilt zu beachten, dass sich die meisten physikalischen
Eigenschaften nicht linear mit der Grsse ndern!
Flchen ~ l2
Volumen (und damit z.B. auch die Masse) ~ l3.
Eine fr MEMS sehr wichtige
Grsse ist z.B. das Durchbiegen
eines Stabs unter seinem eigenen
Gewicht . ~ l2, was zur Folge hat,
dass eine Struktur die 10 mal kleiner
ist sich 100 mal weniger durchbiegt.
Sie ist also deutlich steifer als die
grssere Struktur.

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3.1 Wichtige theoretische Erkenntnisse (Fortsetzung)


Mit dieser Erkenntnis knnen wir nun auch erklren, warum bei dieser
Struktur unten die quadratische Masse allein von 2 kleinen Auslegern
gehalten werden kann, ohne auf dem Boden aufzuliegen...

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3.2 Membrane
Erster Ansatz zum Messen an einer
Membran:
Piezowiderstand

Kapazitive Messung:
Membran

Membran

Verbesserung: gleiche Membranlast,


doppelte Widerstandsnderung:
Piezowiderstand
Membran

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Kondensatorplatten

Hauptanwendungesgebiet fr
Membrane sind Kraft- und
Drucksensoren (passiv) aber
auch Mikropumpen (aktiv).

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3.2 Membrane (Fortsetzung)


Fertigungsschritte:

Erweiterung des Messbereichs


durch Kraftkompensation:
F0

+
-

Membran mit
Verschiebungsdetektor

Verstrker

vout

FE
Rckstelleinrichtung
fr Membran

Die Rckstelleinrichtung
verhindert, dass die Membran mit
dem Trgermaterial in Berhrung
kommt, was das Ende des
Messbereichs bedeutet.
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3.3 Feder-Masse-Systeme
Prinzip:
F=k*x

Bauformen:
F=m*a => a=k*x/m
m
x

Wir sehen: Unter optimalen


Bedingungen ist die Beschleunigung,
die die Masse m erfhrt proportional
zur Verschiebung x.
Hauptanwendungsgebiet sind
Beschleunigungssensoren.

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Piezowiderstand

m
C

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3.4 Combdrives
Prinzip:

a) Kapazitiver Verschiebungssensor in x-Richtung

a) & b)

c) & d)

x,F

y
x
z

Combdrives knnen verschiedene


Funktionen erfllen:

Kapazitiver Verschiebungssensor in
x-Richtung

Verschiebungsaktuator in x-Richtung

Rotationsaktuator um x-Achse

Hebeaktuator in z-Richtung

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C1

F => C1 > C2
C2

b) Verschiebungsaktuator in x-Richtung
x,F

U1

U2

U1

U2

U1 > U2 => F

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3.4 Combdrives (Fortsetzung)


c) Rotationsaktuator um x-Achse

F
U
U => F
d) Hebeaktuator in z-Richtung

F
U

U => F

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4. Fallbeispiele (Realisierungen)
Eine grosse Packung
Gummibrchen fr denjenigen,
der mir folgende 3 Fragen
(richtig) beantworten kann*:
1. Welche Grundstrukturen
werden hier verwendet?
2. Was fr eine Art von
Sensor ist diese Struktur?
3. Wozu sind die ganzen
Lcher gut?
* Sorry, Professoren und andere
Titeltrger sind leider
ausgeschlossen ;-)

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4.1 Beschleunigungssensor (Lsung)


Bei vorangegangener Struktur handelt es sich um den 2-AchsenBeschleunigunssensor ADXL202(E) der Firma Analog Devices.
Ein paar technische Daten:

Zu finden in:

Messbereich: 2g
Auflsung: 5mg
Betriebsspannung: 3V 5,25V
Stromaufnahme: <0,6mA
Struktur berlebt Beschleunigungen
bis 1000g
Gehuse: 5 x 4,5 x 1,78 mm
Gewicht: <1 Gramm
Preis (ab 100 St.) 10,20$

Microsoft Freestyle Pro Gamepad

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Als Messgrsse dient hierbei der


Anteil der Erdbeschleunigung, der
sich beim Neigen des Pads auf den
Sensor auswirkt.
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4.1 Beschleunigungssensor (Fortsetzung)


Wichtigere Anwendungsgebiete:
KFZ-Sicherheitstechnik:
- Airbagsteuergerte (Crashdetektion)
- ESP-Steuergerte
Motiontracking-Systeme fr VR-Anwendungen
BlueTrak der Uni Bonn

Systemberwachung von Maschinen


(Messung von Vibrationen)
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4.2 Drucksensor
Poly-Si
Dehnungsstreifen

Nitride
Membran

Anschluss
(Metall)

Vakuum/Referezdruck

Poly-Si
Dehnungsstreifen
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Nitride
Membran
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4.2 Drucksensor (Fortsetzung)


Anwendungsgebiete:
Chemische Industrie - Prozessberwachung
Sensorik fr Flugzeuge (Hhenmesser, Barometer)
Medizintechnik - von Einwegblutdrucksensoren bis
zu Blutdruckberwachungssensoren in Herzkatheterspitzen (Bild)

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5. Ausblick Lab-on-a-chip

Gegenstand vieler Forschungsarbeiten


Abfolgen von chemischen und biologischen Prozessen werden in einem Chip realisiert
Spart Energie, Hilfschemikalien, Laborflche und Arbeitskrfte
Gerte werden transportabel (z.B.: Analyse von DNA noch am Ort eines Verbrechens)
Verfahren lassen sich einfach parallelisieren

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5. Ausblick Lab-on-a-chip (Fortsetzung)


Heizelement

Membran

Mikropumpe zum Transport von Flssigkeiten im Chip

Mit LIGA-Technologie hergestellte


Miniturbine zum Messen von Gasdurchfluss

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Ende

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Literaturverzeichnis

Mechanical Microsensors - Elwenspoek, Wiegerink


Einfhrung in die Mikrosystemtechnik Vlklein, Zetterer
VLSI-Skript WS02/03 TI Uni Mannheim Prof. Fischer
http://www.analog.com
http://hikwww1.fzk.de/pmt/arbeitsthemen/d_index_fertigung.html
http://www.oxfordlasers.com
http://www.ece.gatech.edu/research/labs/vc/theory/oxide.html
http://www.sandia.gov/1100/CVDwww/cvdinfo.htm
http://grover.mirc.gatech.edu/
http://www.leb.e-technik.uni-erlangen.de/lehre/mm/html/deposition_sputter.htmRti
http://www.memsguide.com/MEMSequipments-Etchingprocess_dry_RIE_def.htm
Comparison of Bosch and cryogenic processes for patterning high aspect ratio features in silicon by
Martin J. Walker - Oxford Instruments Plasma Technology
http://mitghmr.spd.louisville.edu/course98/pressuregen.html
Micromachined Mirrors by Robert Alan Conant, Berkeley 1993,2000
http://www.joy-stick.net/reviews/gamepads/freestyl.htm
http://www.novasensor.com/
http://www.devicelink.com/mem/archive/96/01/003.html

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