ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DE CHIMBORAZO

Facultad de Informtica y Electrnica

Escuela de Ingeniera Electrnica en Control y Redes Industriales

SISTEMAS DIGITALES I

Franklin Aucanshala - 660

Segundo B

Ing. Luis Snchez

Perodo:
Octubre 2014 Febrero 2015

FAMILIAS LOGICAS
FAMILIA TTL
TTL es la sigla en ingls de transistor-transistor logic, es decir, lgica transistor a
transistor. Es una familia lgica o lo que es lo mismo, una tecnologa de construccin
de circuitos electrnicos digitales. En los componentes fabricados con tecnologa TTL los
elementos de entrada y salida del dispositivo son transistores bipolares.
CARACTERISTICAS

Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4,75V y los

5,25V (como se ve, un rango muy estrecho). Normalmente TTL trabaja con 5V.

Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0,0V
y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H (alto).

La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor base, si bien esta
caracterstica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el
cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S, etc. y
ltimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco
ms de los 250 MHz.

Las seales de salida TTL se degradan rpidamente si no se transmiten a travs de

circuitos adicionales de transmisin (no pueden viajar ms de 2 m por cable sin graves
prdidas).

FAMILIAS
Los circuitos de tecnologa TTL se prefijan normalmente con el nmero 74 (54 en las
series militares e industriales). A continuacin un cdigo de una o varias cifras que
representa la familia y posteriormente uno de 2 a 4 con el modelo del circuito.
Con respecto a las familias cabe distinguir:

TTL: serie estndar.

TTL-L (low power): serie de bajo consumo.

TTL-S (schottky): serie rpida (usa diodos Schottky).

TTL-AS (advanced schottky): versin mejorada de la serie anterior.

TTL-LS (low power schottky): combinacin de las tecnologas L y S (es la familia

ms extendida).

TTL-ALS (advanced low power schottky): versin mejorada de la serie LSS.

TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky).

TTL-AF (advanced FAST): versin mejorada de la serie F.

TTL-HCT (high speed C-MOS): Serie HC dotada de niveles lgicos compatibles con
TTL.

TTL-G (GHz C-MOS): GHz (From lbkj).

FAMILIA CMOS
Complementary
metal-oxide-semiconductor
o
CMOS
(semiconductor
complementario de xido metlico) es una de las familias lgicas empleadas en la
fabricacin de circuitos integrados. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin
conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal forma que, en
estado de reposo, el consumo de energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas,
colocado obviamente en la placa base.
En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la
tecnologa CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de
seales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales cuyo consumo es
considerablemente bajo.
Drenador (D) conectada a tierra (Vss) (0), el valor 0 no se propaga al surtidor (S) y por
lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor pMOS, por el contrario, est en estado
de conduccin y es el que propaga un '1' (Vdd) a la salida.
Otra de las caractersticas importantes de los circuitos CMOS es que son regenerativos:
una seal degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor
lgico inicial 0 1, siempre y cuando an est dentro de los mrgenes de ruido que el
circuito pueda tolerar.
Los voltajes de alimentacin en la familia CMOS tiene un rango muy amplio, estos
valores van de 3 a 15 V para los 4000 y los 74C. De 2 a 6 V para los 74HC y 74HCT.
Los requerimientos de voltaje en la entrada para los dos estados lgicos se expresa como
un porcentaje del voltaje de alimentacin. Tenemos entonces:
VOL(max) = 0 V
VOH(min) = VDD
VIL(max) = 30%VDD
VIH(min) = 70% VDD
CARACTERSTICAS DE LA FAMILIA CMOS.
La tecnologa MOS (Metal Oxido Semiconductor) deriva su nombre de la estructura
bsica MOS de un electrodo metlico montado en un aislador de xido sobre un
subestrato semiconductor. Los transistores de la tecnologa MOS son transistores de
campo denominados MOSFET. La mayora de los CI digitales MOS se construyen
exclusivamente con MOSFET.
Voltaje de alimentacin
Las series 4000 y 74C funcionan con valores de VDD que van de 3 a 15V, por lo que la
regulacin de voltaje no es un aspecto crtico. Las series 74HC y 74HCT funcionan con
voltajes de 2 a 6 V.
Niveles de voltaje
Cuando las salidas CMOS manejan solo entradas CMOS, los niveles de voltaje de la
salida pueden estar muy cercanos a 0V para el estado bajo, y a VDD para el estado alto.

VOL
(max)

0V

VOH
(min)

VDD

VIL
(max)

30% VDD

VIH (min) 70% VDD

Velocidad de operacin
Compuerta NAND N-MOS comn tiene un tiempo de retardo de 50 ns. Esto se debe
principalmente a la resistencia de salida relativamente alta (100k ) y la carga capacitiva
representada por las entradas de los circuitos lgicos manejados.
Margen de ruido
Normalmente, los mrgenes de ruido N-MOS estn alrededor de 1.5V cuando operan
desde VDD = 5 V, y sern proporcionalmente mayores para valores ms grandes de VDD.
Factor de carga
Para circuitos operando en DC o de baja frecuencia, las capacidades del factor de carga
son virtualmente ilimitadas. Sin embrago, para frecuencias mayores de 100 kHz, se
observa un deterioro del factor de carga - siendo del orden de 50, lo que es un tanto mejor
que en las familias TTL.
Consumo de potencia
Los CI MOS consumen pequeas cantidades de potencia debido a las resistencias
relativamente grandes que utilizan. A manera de ejemplo, se muestra la disipacin de
potencia del INVERSOR N-MOS en sus dos estados de operacin.

PD = 5V x 0.05nA = 0.25 nW
PD = 5V x 50 A = 0.25Mw

Complejidad del proceso

La lgica MOS es la familia lgica ms simple de fabricar ya que utiliza un solo elemento
bsico, el transistor N-MOS (o bien el P-MOS), por lo que no requiere de otros elementos
como diodos o resistencias (como el CI TTL).

Susceptibilidad a la carga esttica

Las familias lgicas MOS son especialmente susceptibles a daos por carga electrosttica.
Esto es consecuencia directa de la alta impedancia de entrada de estos CI. Una pequea
carga electrosttica que circule por estas altas impedancias puede dar origen a voltajes

peligrosos. La mayora de los nuevos dispositivos CMOS estn protegidos contra dao
por carga esttica mediante la inclusin en sus entradas de un diodo zener de proteccin.
Estos diodos estn diseados para conducir y limitar la magnitud del voltaje de entrada a
niveles muy inferiores a los necesarios para hacer dao.

Las principales series CMOS son:

serie 4000/14000
serie 74C
serie 74HC (CMOS de alta velocidad)
serie 74HCT

Diferencias entre las familias TTL y CMOS.

En comparacin con las familias lgicas TTL, las familias lgicas MOS son ms lentas
en cuanto a velocidad de operacin; requieren de mucho menos potencia; tienen un mejor
manejo del ruido; un mayor intervalo de suministro de voltaje; un factor de carga ms
elevado y requieren de mucho menos espacio (rea en el CI) debido a lo compacto de los
transistores MOSFET. Adems, debido a su alta densidad de integracin, los CI MOS
estn superando a los CI bipolares en el rea de integracin a gran escala. (LSI - memorias
grandes, CI de calculadora, microprocesadores, as como VLSI).
Por otro lado, la velocidad de operacin de los CI TTL los hace dominar las categoras
SSI o MSI (compuertas, FF y contadores)