Electronica Basica

Ctedra: Ing.
Roberto Barneda
NACIONAL
JTP: Ing. Diego Caputto
Sistemas de Control
UNIVERSIDAD TECNOLGICA
Electrnica y
Clase 16 de abril de 2009
Conocimientos del tester:

Un multmetro, a veces tambin denominado polmetro o tester, es un
instrumento de medida que ofrece la posibilidad de medir distintos
parmetros elctricos y magnitudes en el mismo aparato. Las ms comunes
son las de voltmetro, ampermetro y hmetro. Es utilizado frecuentemente
por personal en toda la gama de electrnica y electricidad.
Utilizacin de un voltmetro digital:
1) Llave de funcin y rango: es usada para seleccionar la funcin y los

rangos usados como as tambin para encender el instrumento
2) Jack common: conexin para la punta de prueba negra (negativa)
3) Jack V mA: conexin para la punta de prueba roja (positivo) para
todas las mediciones de voltaje.
4) Jack 10 A: conexin para la punta de prueba (roja) para las
mediciones de 10 A.
5) Display.
6) Scalo para medicin de transistores.
Medicin de voltaje ( DC).
a) conecte la punta de prueba roja al jack V mA y la punta negra al
jack (COM).
b) Lleve la llave de rango a la posicin deseada de DCV. Si el voltaje de a
hacer medido no se conoce de ante mano lleve la llave a la posicin
mas alto y comience a reducir hasta obtener una lectura satisfactoria.
c) Conecte las puntas de prueba al aparato o circuito a medir.
d) Encienda o conecte el aparato o circuito a ser medido, el valor del
voltaje aparecer en el display digital conjuntamente con la polaridad
de voltaje.
Medicin de voltaje (AC)
a) Punta roja V mA, punta negra a COM .
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Curso: S4051
- Ao: 2009
Ctedra: Ing. Roberto Barneda

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b) Lleve la llave de rango a la posicin deseada de ACV.
c) Conecte las puntas al aparato o circuito a ser medido.
d) Lea el valor del voltaje en el display digital.
Medicin de DC Current.
a) la punta roja a V mA, punta negra a COM ( para mediciones
entre 200A y 10 A) conecte la punta roja al jack 10A.
b) llave de rango a la posicin deseada de DCA.
c) Abrir el circuito a ser medido, y conectar las puntas en serie con la
carga en la cual ser medida la corriente.
d) Lea el valor de la corriente en el display digital.
Medicin de resistencia.
a) punta roja a V mA, punta negra a COM.
b) Llave de rango a la posicin .
c) Si la resistencia a ser medida esta conectada a un circuito apagar y
descargar todos los capacitares antes de efectuar la medicin.
d) Conectar las puntas al circuito a ser medido.
e) Lea el valor de la resistencia en el display digital.
Medicin de diodos.
a) punta roja a V mA, punta negra a COM
b) llave negra a posicin diodo.
c) Conectar la punta roja al nodo del diodo a ser medido y la
punta negra al ctodo.
d) La cada de voltaje en mV ser mostrado. Si el diodo esta
invertido aparecer el numero 1 en el display.
Medicin de transistores.
a) lleve la llave a la posicin hFE
b) determine si el transistor es del tipo NPN o PNP y ubique las puntas
emisoras, base y colectora en los orificios apropiados del scalo hFE
en el panel frontal.
c) Aparecer el valor aproximado de hFE en la condicin de corriente
base de 10 A y VCD 2.8V
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Electrnica y
Principios bsicos de la Electrnica

Leyes fundamentales
Ley de ohm
(V es proporcional a I por la caracterstica R del
conductor)
Ley de joule
(capacidad de disipacin del consumidor)
R es aproximadamente constante en las resistencias convencionales. En un

filamento de bobita de luz, R es muy variable con la temperatura.
El tester es un multmetro que permite realizar mediciones; respecto de la
corriente, el tester mide en mili-ampere (mA). Si la corriente es mayor al
ampere, la conexin + se debe hacer en el borne especial (puede ser de 10
a 20). El dial tambin debe ir a una posicin especial.
El procedimiento para medir es:
Armar el esquema
Calcular los valores esperados y verificar I y P.
Armar el circuito sin tensin
Conectar la fuente
Elegir la escala adecuada y medir
Diferencias entre un generador real e ideal

Generador ideal: es un dipolo activo cuya tensin es constante e
independiente de la corriente que suministra.
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Generador de corriente ideal: es un dipolo activo tal que la corriente es

constante en el tiempo.
El circuito de un generador real es equivalente al siguiente
Medicin de los parmetros equivalentes de un generador ideal
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Nota: Para los instrumentos digitales, la resistencia interna es cote para
todos los rangos un valor tpico de 10 M .
Cuando se mide la tensin de una batera, con un voltmetro digital, se

puede asumir con un error menor a la decima por ciento (0,1%) que, la
tensin indicada por el instrumento, es la tensin E T de un generador ideal
de nuestro dipolo
Determinacin de ET
Para lo cual requiero calcular RT
Para determinar el valor RT (variable y particular para cada pila) vamos a
cargar el circuito, con una resistencia capaz de entregar una corriente
aproximada a la corriente nominal del generador.
Mtodo de Bosch
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Para nuestro caso particular se obtiene el siguiente resultado
Asociacin de Resistencias:
Practica
Empezamos a utilizar el protoboard y las diferentes resistencias conectando
el siguiente circuito:
Donde E=9,34V
Primero, hago los clculos para sacar la potencia disipada:
E
9,34V
9,34mA
R 1000
P I 2 R 0,087W
I
Mediciones:
Circuito Abierto
VAB=0,00 V ;
VBC=0,00 V ;
VCA=9,34V
VBC=9,28 V ;
VCA=9,28V
Circuito Cerrado
VAB=0,00 V ;
Al circuito anterior, agrego una resistencia de 1kOhm y hago los clculos y

las mediciones:
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Donde E=9,31V
E
9,31V
4,66mA
R 2000
P I 2 R 0,043W
I
Mediciones:
VAB=4,66 V ;
VBC=4,65 V ;
E=9,31V
Al primer circuito le agrego una resistencia de 1Ohm y hago los clculos y

las mediciones:
Donde E=9,30V
E
9,3V
9,29mA
R 1001
P I 2 R 0,086W
I
Mediciones:
VAB=9,50 mV
VBC=-9,29 V ;
VCA=9,30V
VAB es despreciable frente al circuito. Se puede apreciar la utilidad de las

resistencias de 1Ohm para medir corrientes, teniendo la cada de potencial
en la misma.
Para utilizar los conceptos del ejercicio anterior, conectamos un circuito
como el siguiente, no sin antes realizar los clculos correspondientes para
cerciorarnos de que las potencias disipadas en cada Resistencia no
superarn el medio Watt.
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1001
501,5
2
E
9,30V
I
18,54mA
REq
501,5
REq 1
I2 I3
I
9,25mA
2
Potencias disipadas en las resistencias de 1Ohm:
PI I 2 R 0,0003W
PI 1 I 12 R 0,0001W
PI 2 I 22 R 0,0001W
Potencias disipadas en las resistencias de 1kOhm:
PR1 I 12 R1 0,08561W
PR 2 I 22 R2 0,0856W
Ninguna de ellas supera el medio Watt, que es el mximo valor de potencia
que resiste la resistencia, segn el fabricante.
Conectamos el circuito, y medimos las caidas de potencial en todas las
resistencias de 1Ohm del mismo.
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Electrnica y
Calibracin de Resistencias de 1 Ohm

Vamos a armar un circuito que nos permita calcular de forma muy
aproximada el valor de resistencia de las resistencias de 1 Ohm. Vamos a
repetir el proceso explicado a continuacin con varias resistencias, para
tener bastantes resistencias de 1 Ohm calibradas, que servirn para las
prcticas siguientes.
E=9.28V
Rsh: Lo tomamos como si verdaderamente fuera de 1 Ohm.
Rc: la calculo tal que en el circuito circulen entre 10 y 20mA.
Para I=10mA
E I R
RC RSh
9.28V
0.010 A
RC 980
Pongo una resistencia de carga de 1kOhm.
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El objeto es estudiar un tipo especial de resistencias. Hasta ahora, vimos

circuitos resistivos, en serie y en paralelo. Ahora veremos resistencias de
tungsteno que no tienen por objeto controlar la corriente, sino iluminar.
Menos del 10% de la energa elctrica se transforma en luz. Todo lo dems
se transforma en calor.
La resistividad es la ltima magnitud a tener presente en el clculo de la
resistencia de un material. Se define como la resistencia especfica, es decir,
la oposicin que ofrece un material al paso de la corriente elctrica por
unidad de longitud y superficie (normalmente para su clculo se utiliza
varillas del material que se debe calcular con unas dimensiones especficas
de 1m de longitud y 1cm2 de seccin).
La resistividad es la parte ms importante de la resistencia, ya que es la que
realmente nos identifica si un material es buen conductor o por el contrario
es un aislante. Hasta el momento, y considerando solamente la longitud y la
seccin, tendra la misma resistencia una varilla de madera que una de
cobre, suponiendo igualdad en las dimensiones fsicas. Era, pues, necesario
otro parmetro que dependiera del material, la resistividad.
La resistencia de un conductor metlico aumenta al aumentar la
temperatura. Dicho aumento depende de la elevacin de la temperatura y
del coeficiente trmico de resistividad alfa , (el cual se define como el
cambio de resistividad por grado centgrado de variacin a 0C a 20C).
Los semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo,
mientras que muchos metales se tornan superconductores (q=0) a pocos
grados por encima del cero absoluto.
La resistencia (R) para una variacin de temperatura (t) (en grados
centgrados) est dada por:
Donde Ro es la resistencia a la temperatura de referencia (generalmente

20 C) y a es el coeficiente de temperatura de la resistencia.
Si la resistividad slo dependiera del tipo de material, no habra
complicaciones, ya que construida la tabla correspondiente, estaran
tabuladas todas las resistividades de los materiales ms frecuentemente
usados. Pero la resistividad tambin depende de la temperatura, siendo
necesarias innumerables tablas, una para cada variacin de la temperatura,
para su completa identificacin.
El problema se solucion, en parte, dando una nica tabla; esta tabla
corresponde a una temperatura estndar de unos 20C, y en ella estn
representados los valores de la resistividad de la mayor parte de materiales
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interesantes desde el punto de vista elctrico. Cuando la temperatura no
coincida con los 20C, aplicando la siguiente frmula (que es otra forma de
expresar la fmula anterior), se obtiene el valor de la resistividad a
cualquier otra temperatura.
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Electrnica y
Clase 7 de mayo de 2009
Para trazar las curvas que caracterizan a una de las lamparitas piojo de
la lista de componentes, conectamos el circuito de la figura. De esa forma,
para diferentes valores de tensin de alimentacin, se obtendr qu
resistencia ofrece la lamparita, y la corriente que recorre el circuito.
La tabla obtenida servir para confeccionar las curvas correspondientes, de
resistencia y corriente en funcin de la tensin de alimentacin, y las
mismas servirn para futuras referencias.
Usamos una de las resistencias que calibramos, tal que

. Variando
el valor de la fuente, tomamos valores desde 12V hasta 0V, y obtenemos los
datos segn la tabla siguiente:
V(V)
R()
I(mA
)
11,98
9,96
8,02
6,05
4,04
2,00
0,03
298,00
275,14
248,76
220,32
182,89
130,55
23,26
40,20
36,32
32,24
27,46
22,09
15,32
1,29
Los grficos correspondientes se vern en la hoja Anexo 1.
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Electrnica y
Rc es una resistencia de carga que limita la corriente total del circuito, y V RC

es la caida de potencial a la que est asociada. De esta forma, yo puedo
fijar VRC y buscar en la curva que acabamos de dibujar los valores de
corriente correspondientes.
Primero, fijo
VP=6V
VRC=6V
Del grfico, obtenemos: RL=220 y vamos a poner una R1 tal que

R1=RL=220
IL=27,46mA
Como en ambas ramas del paralelo, tenemos el mismo valor de resistencia,
la corriente en ambas va a ser la misma I1=IL=27,46mA
Tambin concluimos:
Por lo tanto:
I= I1+IL=54,92mA
RC+R1 = 109,25
Para realizar el circuito en la realidad, con los componentes que tenemos,

ponemos en serie una resistencia de 100 , una de 10 y la de 1,005
para llegar aproximadamente a los valores de R C y R1.
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R1 la logramos con una resistencia de 220 y la resistencia de 1 asociada
a ella es de 0,972.
RL la fijamos en 220 , y la resistencia de 1 asociada a ella es de 0,983 .
Mediciones:
VRC=5,98 V ;
VP=5,99 V
V11=27mV ;
V1L=26,4mV
I1=27,78mA ;
IL=26,86mA ;
I=54,43mA
V1C=54,7mV
Ahora, cambiamos el valor de R1 de modo tal que sea menor la corriente

que pase por la lmpara. Hay que tener en consideracin que, al aumentar
la intensidad de corriente por la rama donde se encuentra R 1, no nos
debemos exceder ya que este valor de corriente no debe bajo ningn
concepto superar al valor de la I total que recorre todo el circuito.
Si antes la corriente en ambas ramas del paralelo era de 27mA
aproximadamente, entonces ahora podemos buscar una R 1 tal que I135mA.
R1=167
RC=110
(Se mantiene igual, slo cambiamos R1)
I=54,92mA (Se mantiene igual tambin)

I1=35,75mA (La calculo con el valor de RL)
RC la logramos colocando en serie una resistencia de 100 , una de 47 , y
dos de 10 .
Mediciones:
VRC=6,42 V ;
VP=5,50 V
V11=32,0mV
I1=32,9mA
IL=25,5mA
V1L=25,1mV
;
V1C=58,6mV
I=58,1mA
Ahora, queremos variar el valor de la caida de potencial del paralelo, y la fijo

en
VP=10V
VRC=2V
Del grfico, obtenemos: RL=275,14 y vamos a poner una R1 tal que
R1=RL=275
IL=36,32mA
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De nuevo, como en ambas ramas del paralelo, tenemos el mismo valor de
resistencia, la corriente en ambas va a ser la misma
I1=IL=36,32mA
Tambin concluimos:
I= I1+IL=72,64mA
Por lo tanto:
RC+R1 = 27,53
Y tambin:
P=0,14W
Para realizar el circuito en la realidad, con los componentes que tenemos,

ponemos en serie tres resistencias de 10 y una de 0,98 para llegar
aproximadamente a los valores de RC y R1.
R1 la logramos con una resistencia de 220 , una de 47 , y una de 10 y
la resistencia de 1 asociada a ella es de 0,98 .
RL la fijamos en 275 , y la resistencia de 1 asociada a ella es de 0,97 .
Mediciones:
VRC=2,38 V ;
VP=9,54 V
V11=35,8mV
I1=36,53mA ;
IL=36,49mA ;
V1L=35,4mV
V1C=72,2mV
I=73,67mA
Ahora, nuevamente, cambiamos el valor de R1 para este nuevo valor de Rc.

Nuevamente, tenemos en consideracin que no nos debemos exceder con
el valor de la corriente ya que no debe superar al valor de la I total que
recorre todo el circuito.
Si antes la corriente en ambas ramas del paralelo era de 36,32mA
aproximadamente, entonces ahora podemos buscar una R 1 tal que I145mA.
R1=220
RC=30
(Se mantiene igual, slo cambiamos R1)
I=72,64mA (Se mantiene igual tambin)

I1=45,45mA (La calculo con el valor de RL)
RC la logramos colocando una nica resistencia de 220 .
Mediciones:
VRC=2,41 V ;
VP=9,56 V
V11=43,7mV
I1=44,5mA
IL=37,5mA
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V1L=36,4mV
;
V1C=81,4mV
I=83,1Ma
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Electrnica y
SEMICONDUCTORES
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica
puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor,
considerados en orden creciente
Los semiconductores ms conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge).
Debido a que, el comportamiento del silicio es ms estable que el germanio
frente a todas las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta
normal, ser el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la
fabricacin de los componentes electrnicos de estado slido. A l nos
referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio
es absolutamente similar.
Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el
ncleo, como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio
este nmero es de 14). El inters del semiconductor se centra en su
capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que haya
un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrn se
siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por
tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del
ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se
encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrones pueden, segn lo
dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En
estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo
completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin
simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.
La
zona
sombreada
de
la
figura
2
representa
manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1
de
una
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser

liberados de la fuerza de atraccin del ncleo son cuatro
SEMICONDUCTOR DOPADO: Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el
positivo de la pila intentar atraer los electrones y el negativo los huecos
favoreciendo as la aparicin de una corriente a travs del circuito
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Electrnica y
Sentido del movimiento de un

electrn y un hueco en el silicio
Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son
pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los tomos
de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos
posibilidades:
Aplicar una tensin de valor superior
Introducir previamente en el semiconductor electrones o
huecos desde el
exterior
La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de

la tensin aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La
solucin elegida es la segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado". El dopaje
consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros
elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas.
Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro
o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.
Semiconductor tipo P
Semiconductor tipo N
SEMICONDUCTOR TIPO N
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s
tomos) sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4
electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que
contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de esos
electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el
quinto queda libre.
Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese
que
cada
tomo
comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro
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Semiconductor dopado tipo N
A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina

"Silicio tipo N". En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de
huecos. Por ello a estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y
"portadores mayoritarios" a los electrones. Las Impurezas tipo N ms
utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo.
Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus
bornes, las posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son
mayores a las del caso de la aplicacin de la misma tensin sobre un
semiconductor intrnseco o puro.
SEMICONDUCTOR TIPO P
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s
sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su
capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones
en su capa exterior, resulta que estos tres electrones llenarn los huecos
que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro,
quedar un hueco por ocupar. Osea que ahora la sustitucin de un tomo
por otros provoca la aparicin de huecos en el cristal de silicio. Por tanto
ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los
portadores minoritarios.
Enlace covalente de tomos de germanio,
obsrvese
que
cada
tomo
comparte
cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos
A esta red de silicio dopada con esta clase de
impurezas se le denomina "silicio tipo P"
Semiconductor dopado tipo P
OBSERVACIONES
Los semiconductores dopados se representan indicando dentro de los
mismos el tipo de portadores mayoritarios.
Semiconductor tipo N
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Semiconductor tipo P
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No siempre el ndice de dopado de un semiconductor es el mismo, puede
ser que este "poco dopado", "muy dopado", etc. Es norma utilizar el signo
(+) para indicar que un semiconductor est fuertemente dopado.
Semiconductor
tipo
fuertemente dopado
NSemiconductor
tipo
fuertemente dopado
Todos los componentes electrnicos en estado slido que veremos en

adelante (transistores, diodos, tiristores) no son ni ms y menos que un
conjunto de semiconductores de ambos tipos ordenados de diferentes
maneras.
Diodo:
Practica
Con la llave abierta, medimos el voltaje de la batera:

E=9,07 V
Ahora cerramos el circuito, y medimos las caidas de tensin entre los puntos
indicados.
VAB=0,74 V (Esto nos indica que el diodo es probable que sea de Silicio)
VBC=8,30 V
E=9,05 V
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Ahora damos vuelta el diodo y comprobamos que la lamparita no se prende.
El total de la caida de tensin se da en el diodo. Las mediciones tomadas
fueron las siguientes:
VAB=9,12 V ;
VBC=0,001 V ;
E=9,12 V
Ahora agregamos una de las resistencias de 1 calibradas.

RSH=0,98
Tomamos las mediciones de cadas de potencial:
VAB=0,74V; VBC=31mV; VCD=8,26V; E=8,99V
De la cada de potencial en la resistencia, calculamos la corriente:
I=31,63mA
La corriente es tan baja, que no se polariza el diodo.
Tambin medimos la tensin directa del diodo:
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VD=682mV
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Los diodos solucionan todo lo que sea conduccin unidireccional.

Potencia disipada: PD I D VD
Donde VD es prcticamente fijo, por lo que la potencia queda en funcin de
la corriente.
Un diodo, como todo semiconductor, no puede controlar los parmetros
externos. Esto implica que en nuestro diseo, esa corriente debe ser
controlada en forma extrnseca (fuera del componente). Una lamparita se
autocontrola. El diodo no.
Un diodo al cual se le aplic ms corriente de la permitida, se abre.
Un diodo que ha sido sometido a una tensin mayor de V Pi se comporta
como un cortocircuito.
LED: Light Emitting Diode (Diodo Emisor de Luz)
Lo controlo mediante una resistencia. La potencia disipada en un LED estar

conformada por la potencia propia para actuar como diodo, ms la potencia
requerida para generar la luz. Entonces, un LED va a tener
aproximadamente VDLed 2V .
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I 5mA
E VR V D
E I R VD
9V 0,7V
R
5mA
R 1700
Electrnica y
Para llegar aproximadamente al valor estimativo que calculamos de R,

ponemos en paralelo dos resistencias de 3,3k , y en serie con el paralelo
una resistencia de 100 , resultando en una resistencia equivalente de:
REq 1750
La resistencia de 1 calibrada tiene un valor resistivo de:
R1 0,97
Mediciones:
VR1=5mV
I=5,15mA
Con lo que determinamos la corriente que recorre el circuito:
VR=8,63V
VD=0,660V Con lo que determinamos que resistencia ofrece el diodo:
VD
0,660V
I
5,15mA
R 128,04
R
PD I D VD
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PD 5,15mA0,660V
Electrnica y
PD 0,0034W
El diodo no tiene un comportamiento resistivo. I f (V ) no es una funcin
lineal. Por lo tanto, voy a tener que ir cambiando Req de modo tal que
pueda obtener distintos valores para trazar la curva.
Conservamos las dos resistencias de 3,3kOhm en paralelo, pero cambiamos
la de 100Ohm por una de 10Ohm, resultando as en una resistencia:
REq 1660
Mediciones:
VR1=5,3mV Con lo que determinamos la corriente que recorre el circuito:
I=5,46mA
VR=7,76V
R 121,43
Conservamos las dos resistencias de 3,3kOhm en paralelo, pero cambiamos

la de 10Ohm por una de 220Ohm, resultando as en una resistencia:
REq 1870
Mediciones:
I=4,85mA
VR=8,64V
R 135,46
Colocamos una resistencia de 1kOhm y una de 1Ohm, resultando as en una

resistencia:
REq 1001
Mediciones:
I=8,97mA
VR=8,59V
- 23 -
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- Ao: 2009

NACIONAL
Electrnica y
Sistemas de Control
R 76,36
Colocamos dos resistencias de 1kOhm en paralelo y una de 100Ohm en

serie con el paralelo, resultando as en una resistencia:
REq 600
Mediciones:
VR1=16,9mV
Con lo que determinamos la corriente que recorre el
circuito: I=17,42mA
VR=8,51V
R 41,15
Colocamos una resistencia de 220Ohm en serie con una resistencia de

47Ohm, resultando as en una resistencia:
REq 267
Mediciones:
VR1=32,3mV
Con lo que determinamos la corriente que recorre el
circuito: I=33,3mA
VR=8,39V
R 22,4
Colocamos una resistencia de 3,3kOhm:

R Eq 3300
Mediciones:
I=2,78mA
VR=8,68V
R 226,3
Colocamos una resistencia de 3,3kOhm y en serie colocamos una resistencia

de 220Ohm, resultando as en una resistencia:
- 24 -
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- Ao: 2009

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Sistemas de Control
Electrnica y
REq 3520
Mediciones:
I=2,68mA
VR=8,69V
R 233,92
Colocamos una resistencia de 3,3kOhm y en serie colocamos una resistencia

de 1kOhm, resultando as en una resistencia:
REq 4300
Mediciones:
I=2,16mA
VR=8,7V
R 285,00
Colocamos dos resistencias de 3,3kOhm en serie, resultando as en una

resistencia:
REq 6600
Mediciones:
I=1,34mA
VR=8,72V
R 445,50
- 25 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

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Sistemas de Control
Electrnica y
Recapitulando, tabulamos todos los datos obtenidos de las diferentes

mediciones y clculos para todos los valores de resistencia:
VD(V
)
RD()
I(mA
)
0,597
0,617
0,627
0,630
0,657
0,660
0,663
0,685
0,717
0,746
445,50
285,00
233,92
226,30
135,46
128,04
121,43
76,36
41,15
22,40
1,34
2,16
2,68
2,78
4,85
5,15
5,46
8,97
17,42
33,30
El grfico correspondiente se ver en la hoja Anexo 2.

Regulamos la fuente lo ms bajo que podemos. Colocamos el potencimetro
para controlar de forma muy finita la cada de potencial, por debajo de 1V.
- 26 -
VAlim(
V)
VD(V)
VV(mV
)
RI(M
)
I(A)
1.164
5.04
10.11
15.11
20
25
30
1.155
5.025
10.0894
15.0877
19.9739
24.9726
29.9697
9
15
20.6
22.3
26.1
27.4
30.3
1283
3350
4897.8
6765.8
7653
9114
9891
910-10
1.5010-9
2.0610-9
2.2310-9
2.6110-9
2.7410-9
3.0310-9
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Sistemas de Control
Electrnica y
Clase 11 de junio de 2009
DIODOS LED (Light-emitting diode)

Diodo emisor de luz, tambin conocido como LED, es un dispositivo
semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido
cuando se polariza de forma directa la unin PN del mismo y circula por l
una
corriente
elctrica.
Este
fenmeno
es
una
forma
de
electroluminiscencia. El color (longitud de onda), depende del material
semiconductor empleado en la construccin del diodo y puede variar desde
el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos
emisores de luz que emiten luz ultravioleta tambin reciben el nombre de
UV LED (UltraViolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja
suelen recibir la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode).
El funcionamiento fsico consiste en que, en los materiales semiconductores,
un electrn al pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde
energa; esta energa perdida se puede manifestar en forma de un fotn
desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria. El que
esa energa perdida cuando pasa un electrn de la banda de conduccin a la
de valencia se manifieste como un fotn desprendido o como otra forma de
energa (calor por ejemplo) va a depender principalmente del tipo de
material semiconductor. Cuando un diodo semiconductor se polariza
directamente, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los
electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas
constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los electrones y huecos
estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir, los electrones
pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energtico
superior a otro inferior ms estable. Este proceso emite con frecuencia un
fotn en semiconductores de banda prohibida directa o "direct bandgap"
con la energa correspondiente a su banda prohibida (vase semiconductor).
Esto no quiere decir que en los dems semiconductores (semiconductores
de banda prohibida indirecta o "indirect bandgap") no se produzcan
emisiones en forma de fotones; sin embargo, estas emisiones son mucho
ms probables en los semiconductores de banda prohibida directa (como el
Nitruro de Galio) que en los semiconductores de banda prohibida indirecta
(como el Silicio). La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma
notable en todos los diodos y slo es visible en diodos como los LEDs de luz
visible, que tienen una disposicin constructiva especial con el propsito de
evitar que la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y una
energa de la banda prohibida coincidente con la correspondiente al
espectro visible. En otros diodos, la energa se libera principalmente en
forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta. En el caso de
que el diodo libere la energa en forma de radiacin ultravioleta, se puede
conseguir aprovechar esta radiacin para producir radiacin visible,
mediante sustancias fluorescentes o fosforescentes que absorban la
- 27 -
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Electrnica y
Sistemas de Control
radiacin ultravioleta emitida por el diodo y posteriormente emitan luz
visible.
El
dispositivo
semiconductor
est
C K
comnmente encapsulado en una cubierta A
(p)
(n)
de plstico de mayor resistencia que las de
vidrio que usualmente se emplean en las Representacin simblica del
lmparas incandescentes. Aunque el diodo LED
plstico puede estar coloreado, es slo por
razones estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida.
Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta con diferentes partes,
razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede ser
bastante complejo.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la
corriente que atraviesa el LED; para ello, hay que tener en cuenta que el
voltaje de operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo
que est relacionado con el material de fabricacin y el color de la luz que
emite) y la gama de intensidades que debe circular por l vara segn su
aplicacin. Valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un LED
corriente estn comprendidos entre los 5 y los 20mA. En general, los LEDs
suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por
ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele buscar un
compromiso entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms
grande es la intensidad que circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto
menor es la intensidad que circula por ellos).
Practica
Vamos a armar circuitos de polarizacin directa con cada color de LED y
realizamos las mediciones para diferentes condiciones de tensin y la
corriente que circula.
Donde Rc es una resistencia de carga, y corroboraremos el valor de Vd.

Pedimos que I=5mA
- 28 -
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NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
9V 2V
5mA
R 1400
R
E 8,73
RSh1 1,069
Determinamos entonces el valor que tiene que tener Rc para que la

corriente que circule al circuito sea de aproximadamente 5mA. De ah,
vamos a ir subiendo de a 1kOhm la resistencia para ir tomando valores para
menores valores de corriente.
Luego, ms despacio, vamos a ir disminuyendo el valor de la resistencia de
carga, para lograr tabular valores de resistencia de entre 5 y 15 mA y en
otros casos hasta 20mA. En esta ltima parte, vamos a tener que ir
calculando las potencias disipadas para que no sobrepasen el medio Watt
que soportan los componentes utilizados en el circuito.
Para los diferentes LEDs, realizamos las mediciones y clculos segn las
tablas siguientes:
LED Verde
Notamos que
la luz se
atena a
medida que
aumentamos
la resistencia
de carga
LED Rojo
RC()
VD(V)
VR(V)
RLED()
VRsh1(m
V)
I(mA)
320
500
600
720
1000
1220
1440
2440
3440
4440
5440
2.28
2.17
2.11
2.10
2.05
2.02
1.99
1.95
1.93
1.91
1.90
6.62
6.80
6.87
6.91
6.97
7.01
7.05
7.08
7.12
7.13
7.15
103.72
150.63
155.56
167.53
281.00
337.20
434.50
719.56
937.80
1201
1451
23.8
15.4
14.5
13.4
7.80
6.40
4.90
2.90
2.20
1.70
1.40
22.00
14.41
13.56
12.54
7.30
5.99
4.58
2.71
2.06
1.59
1.31
RC()
VD(V)
VR(V)
RLED()
VRsh1(m
V)
I(mA)
320
720
1220
2000
3000
4000
1.98
1.91
1.88
1.85
1.83
1.81
6.56
6.78
6.82
6.87
6.91
6.94
95.77
202.16
334.95
565.04
850.55
1075.00
22.1
10.1
6.0
3.5
2.3
1.8
20.67
9.45
5.61
3.27
2.15
1.68
LED Ambar
- 29 -
RC()
VD(V)
VR(V)
RLED()
VRsh1(m
V)
I(mA)
320
720
1220
2000
3000
4000
1.97
1.92
1.89
1.87
1.85
1.83
6.38
6.48
6.61
6.64
6.72
6.92
100.76
216.05
374.15
571.15
860.46
1086.82
20.9
9.5
5.4
3.5
2.3
1.8
19.55
8.89
5.05
3.27
2.15
1.68
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NACIONAL
Electrnica y
Sistemas de Control
Los grficos correspondientes se vern en la hoja Anexo 3.
Los leds rojo y verde tienen una respuesta muy similar, en cambio difiere
bastante de estas la curva del led de color mbar. Para una tensin Vd=2v el
leda mbar recibe una corriente muy elevada, por lo que hay que tener
mayor precaucin al utilizar este color de led.

Puente rectificador
Se denomina rectificador al circuito capaz de convertir la corriente alterna
en corriente continua. Tambin recibe esa denominacin el diodo, que es el
componente electrnico usado para ello.
La rectificacin de la corriente elctrica puede hacerse de dos maneras:
1.
Eliminando la parte negativa de la seal de entrada: rectificador de
media onda empleando un nico diodo.
2.
Convirtiendo la parte negativa de la seal en positiva: rectificador de
onda completa o puente de diodos, segn se empleen dos o cuatro diodos
repectivamente.
El circuito ms empleado es el rectificador de onda completa, usado junto
con un transformador en la conversin de la corriente alterna de 220V y 50
Hz de la red, en la corriente continua de 3 a 24V con que funcionan los
aparatos electrnicos.
Dependiendo de las caractersticas de la alimentacin en corriente alterna
que emplean, se les clasifica en monofsicos, cuando estn alimentados por
una fase de la red elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases.
Atendiendo al tipo de rectificacin, pueden ser de media onda, cuando solo
se utiliza uno de los semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde
ambos semiciclos son aprovechados.
El circuito rectificador de onda completa de la figura, est alimentado por el
circuito secundario de un Transformador de donde obtenemos una seal
senoidal.
- 30 -
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NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
En este circuito el transformador es alimentado por una tensin en

corriente alterna. Los diodos D1 y D3 son polarizados en directo en el
semiciclo positivo, los diodos D2 y D4 son polarizados en sentido inverso.
Ver que la corriente atraviesa la resistencia de carga RL.
El el semiciclo negativo, la polaridad del transformador es el inverso

al caso anterior y los diodos D1 y D3 son polarizados en sentido inverso y
D2 y D4 en sentido directo. La corriente como en el caso anterior tambin
pasa por la carga RL. En el mismo sentido que en el semiciclo positivo.
La salida tiene la forma de una onda rectificada completa.

Esta salida es pulsante y para "aplanarla" se pone un condensador
(capacitor) en paralelo con la carga.
Este capacitor se carga a la tensin mxima y se descargar por RL
mientras que la tensin de salida del secundario del transformador
disminuye a cero ("0") voltios, y el ciclo se repite.
- 31 -
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NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
(A)

DIODOS ZENER
El diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione
en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de
ruptura, el diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensin
casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones
de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura. Un diodo
zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en sus zonas P
y N; al circular una corriente a travs de ste se produce una pequea cada
de tensin de ruptura.
En otras palabras: si un diodo zener est funcionando en la zona zener, un
aumento en la corriente producir un ligero aumento en la tensin. El
incremento es muy pequeo, generalmente de una dcima de voltio.
Los diodos Zener mantienen la tensin entre sus terminales prcticamente
constante en un amplio rango de intensidad y temperatura, cuando estn
polarizados inversamente, por ello, este tipo de diodos se emplean en
- 32 -
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- Ao: 2009

NACIONAL
Electrnica y
Sistemas de Control
circuitos estabilizadores o reguladores de la tensin tal y como el mostrado
en la figura.
Eligiendo la resistencia R y las caractersticas del diodo, se puede lograr que
la tensin en la carga (R L) permanezca prcticamente constante dentro del
rango de variacin de la tensin de entrada V S.
Practica 1
Bsicamente, el Zener posee el mismo comportamiento que el diodo, solo
que su Vpi es mucho menor. En este elemento esta tensin se denomina
tensin de Zener. El Zener utilizado posee una Vz =12v, existiendo una gran
variedad de los mismos.
Dado este valor de Vz es necesario clocar una resistencia que regule la
corriente circulante.
Se utilizara el tester para medir corrientes del orden del mA (que se
producir cuando la cada de tensin en el tester sea menor a su Vz) y una
resistencia de shunt para corrientes del orden del mA (para tensiones de
alimentacin superiores a Vz). Se uso una fuente de tensin variable
EMax=30v
De fabricante: Pz=1 W Vz=12 v
Si se considera
Luego se adopta
->
(P 2 x 1 K )
Formulas usadas
- 33 -
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Sistemas de Control
Electrnica y
(Para E < Vz)
(Para E > Vz)
Cuadro de valores
Vi (V)
Ri
(M/k)
1,49
1,063
713
2,34
3,057
1306
28,3
2,83
4,992
1764
7,04
38,1
3,81
7,002
1838
9,09
54,5
5,45
9,036
1658
E (v)
V (v)
VT (mV)
VRSH
1,078
1,078
14,9
3,08
3,08
23,4
5,02
5,02
7,04
9,09
- 34 -
I
(mV) (mA/mA)
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NACIONAL
Sistemas de Control
11,12
11,12
115,2
11,52
11,005
955
11,9
11,9
196
19,6
11,704
597
12,05
11,95
0,3
0,306
11,95
39,04
12,12
11,95
0,6
0,612
11,95
19,52
12,24
11,96
0,9
0,918
11,96
13,02
12,39
11,96
1,3
1,327
11,96
9,02
12,61
11,97
1,6
1,633
11,97
7,33
12,94
11,98
1,9
1,939
11,98
6,18
Electrnica y
Cuando se alimenta el circuito con una tensin superior a Vz, el Zener limita
su cada de tensin a su valor Vz. Por lo tanto este elemento puede ser
usado como regulador de tensin. Si se le conecta un par de terminales se
puede alimentar un circuito con una tensin igual a Vz.
0
-2
-4
-6
I (mA)
-8
-10
Curva de Zener
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-12
-10
-8
-6
-4
-2
VR(v)
Practica 2
- 35 -
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NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
Utilizacin de un Zener en inversa como regulador de tensin de un circuito

externo.
Se utilizara un Zener en inversa alimentado por una tensin variable hasta
10 v. El Zener presenta una Vz=5,1 v y una Pz =1W.
Al igual que en el circuito anterior, es necesario colocar una resistencia que
regule la corriente. En este caso se usara una lmpara, ya que este
elemento presenta una resistencia que aumenta con el aumento de su cada
de tensin y logra un aumento de corriente menor que una resistencia fija.
Adems, con la lmpara puede apreciarse la variacin de la corriente al
observar la variacin de la luminosidad la lmpara acta como resistencia
de limitacin y protege el Zener.
En la prctica real no se usa una lmpara sino una resistencia fija.
Primero se verificara la condicin Vz del Zener.

Valores provistos
fabricante
por
el
Formulas a usar
=tensin de salida (igual a la cada del Zener mas la de
- 36 -
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NACIONAL
Electrnica y
Sistemas de Control
La
por el momento no tiene utilidad. Los bornes de salida se cargaron
posteriormente con un circuito externo.
Cuadro de valores
E (v)
VSH1 (mV)
I (mA)
VL (V)
VAB (V)
0,3
0,31
0,019
3,98
4,5
1,1
1,13
0,037
4,46
3,9
4,01
0,14
4,85
5,6
8,23
0,56
5,1
6,1
10,3
10,60
5,14
13,8
14,20
1,81
5,17
17,4
17,90
2,75
5,2
20,6
21,19
3,73
5,23
10
22,8
23,46
4,47
5,25
11
28,8
29,63
6,68
5,27
15
35,5
36,52
9,56
5,3
Puede verse que la tensin de salida VAB tiende a estabilizarse en un valor

prximo a vz=51v para alimentaciones superiores a Vz.
El exceso de tensin cae en la lmpara.
Como se conoce la tensin de salida, se pueden cargar los bornes de salida
con cualquier circuito externo que requiera esa tensin. Dicho circuito
externo estar colocado en paralelo al Zener y su tensin de alimentacin
ser la misma que VAB
Primer circuito de carga
Formulas utilizadas
- 37 -
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NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
Cuadro de valores
E (v)
VSH1 (mV)
I1(mA)
VSH2 (mV) I2(mA)
VSH3 (mV) I3(mA)
VAB (V)
4,5
8,8
9,05
0,6
0,61
8,2
8,82
3,79
4,9
9,6
9,88
0,4
0,41
9,68
4,03
5,5
10,7
11,01
0,3
0,31
9,9
10,65
4,3
6,6
14
14,40
2,5
2,55
10,9
11,72
4,77
7,5
16,7
17,18
4,9
5,00
11,3
12,15
4,93
8,5
19,9
20,47
7,9
8,06
11,6
12,47
5,04
9,5
22,4
23,05
10,5
10,71
11,4
12,26
4,97
11
26,4
27,16
14,6
14,90
11,5
12,37
Como el valor de tensin de salida V AB se mantiene aproximadamente

constante para tensiones de fuente superiores a Vz y teniendo en cuenta
que la carga se compone de resistencias de valor fijo, es de esperar que la
corriente que circule por el circuito de carga (I 3) se mantenga constante. Al
aumentar E por encima de Vz, I 3 se mantiene constante y el resto de la
corriente circulara por el Zener. Es necesario tener la precaucin al
aumentar E para no superar la corriente mxima que puede circular por el
Zener.
Segundo circuito de carga
Formulas utilizadas
- 38 -
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- Ao: 2009

NACIONAL
Sistemas de Control
Cuadro
valores
Electrnica y
de
E
(v)
VSH1 (mV)
I1(mA)
VSH2
(mV)
I2(mA)
VSH3
(mV)
I3(mA)
VSH4
(mV)
I4(mA) VAB (V)
4,5
14,7
15,12
1,8
1,84
6,7
7,20
6,4
6,58
2,89
5,6
17,8
18,31
2,04
7,8
8,39
7,5
7,72
3,38
6,6
19,8
20,37
2,1
2,14
8,8
9,46
8,4
8,64
9,8
7,5
21,3
21,91
1,9
1,94
9,6
10,32
9,2
9,47
4,41
22,6
23,25
0,9
0,92
10,7
11,51
10,2
10,49
4,58
10
24,9
25,62
0,5
0,51
11,1
11,94
10,6
10,91
4,78
12
29,5
30,35
4,1
4,18
11,6
12,47
11,1
11,42
14
34
34,98
8,1
8,27
11,9
12,80
11,4
11,73
5,02
16
37,9
38,99
11,8
12,04
12
12,90
11,5
11,83
5,17
20
45,3
46,60
19
19,39
12,2
13,12
11,6
11,93
5,24
Nuevamente, la tensin de salida se estabilizo en un valor similar a Vz. Las

corrientes que circulan por cada rama del paralelo en la carga se mantienen
prcticamente constantes y el resto circula por el Zener.
Practica 3
Utilizacin del Zener en inversa como elemento de corte de corriente.
Se colocara el Zener en inversa y en serie a una lmpara. Se verificara que
cuando la cada de tensin en el Zener alcanza el valor Vz, la corriente
circulante es un 10% de la mxima (corriente conocida como de corte).
Se utilizara Lafuente variable y una lamparita piojito cuyas curvas R=f(Vd) e
I=f(V) son conocidas.
- 39 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

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Sistemas de Control
Datos provistos por el fabricante
Electrnica y
Clculos de verificacin
- ->
- ->
Del grafico se obtiene, para V=12v y R L=61,2, por lo tanto, no se esperan

problemas a altas tensiones ya que la resistencia que puede ofrecer la
lmpara es mayor que la necesaria.
Formulas usadas
Cuadro de valores
E (v)
VZ (V)
VSH (mV)
I (mA)
2,99
0,2
0,20
3,7
3,68
1,4
1,40
4,5
4,39
8,9
8,87
4,7
4,5
14,1
14,06
4,9
4,57
19
18,94
5,1
4,67
20,9
20,84
- 40 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

NACIONAL
Sistemas de Control
8,1
4,74
50,9
50,75
9,3
4,78
59,9
59,72
10,5
4,84
68
67,80
11,7
4,86
76
75,77
13
4,88
83,2
82,95
15,7
4,89
97,8
97,51
17,4
4,89
106,5
106,18
18,4
4,88
111,3
110,97
Electrnica y
Puede verse que la estabilizacin de Vz, comienza alrededor del valor de

E=5,1v. Para esta tensin, la corriente circulante es de 20,84mA que es un
10,6% de la corriente mxima.

CAPACITORES
Es un dispositivo que almacena energa elctrica, es un componente pasivo.
Est formado por un par de superficies conductoras en situacin de
influencia total (esto es, que todas las lneas de campo elctrico que parten
de una van a parar a la otra), generalmente en forma de tablas, esferas o
lminas, separados por un material dielctrico (siendo este utilizado en un
condensador para disminuir el campo elctrico, ya que acta como aislante)
o por el vaco, que, sometidos a una diferencia de potencial (d.d.p.)
adquieren una determinada carga elctrica, positiva en una de las placas y
negativa en la otra (siendo nula la carga total almacenada).
- 41 -
Curso: S4051
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Electrnica y
Sistemas de Control
En cuanto al aspecto constructivo, tanto la forma de las placas o armaduras
como la naturaleza del material dielctrico son sumamente variables.
Existen condensadores formados por placas, usualmente de aluminio,
separadas por aire, materiales cermicos, mica, polister, papel o por una
capa de xido de aluminio obtenido por medio de la electrolisis.
Capacitor electroltico.
El dielctrico es una disolucin electroltica que ocupa una cuba electroltica.
Con la tensin adecuada, el electrolito deposita una capa aislante muy fina
sobre la cuba, que acta como una armadura y el electrolito como la otra.
Consigue capacidades muy elevadas, pero tienen una polaridad
determinada, por lo que no son adecuados para funcionar con corriente
alterna. La polarizacin inversa destruye el xido, produciendo una corriente
en el electrolito que aumenta la temperatura, pudiendo hacer arder o
estallar el condensador.
Dentro de la gran variedad de tecnologas de fabricacin de capacitores, los
electrolticos son los de mayor capacidad, debido a que se recurre a reducir
la separacin entre las placas, a aumentar el rea enfrentada de las mismas
y a la utilizacin de un dielctrico de elevada constante dielctrica.
Los condensadores o capacitores electrolticos deben su nombre a que el
material dielctrico que contienen es un cido llamado electrolito y que se
aplica en estado lquido. La fabricacin de un capacitor electroltico
comienza enrollando dos lminas de aluminio separadas por un papel
absorbente humedecido con cido electroltico. Luego se hace circular una
corriente elctrica entre las placas para provocar una reaccin qumica que
producir una capa de xido sobre el aluminio, siendo este xido de
electrolito el verdadero dielctrico del capacitor. Para que pueda ser
conectado en un circuito electrnico, el capacitor llevar sus terminales de
conexin remachados o soldados con soldadura de punto. Por ltimo, todo el
conjunto se insertar en una carcaza metlica que le dar rigidez mecnica
y se sellar hermticamente, en general, con un tapn de goma, que evitar
que el cido se evapore en forma precoz.
Un trmino muy comn en la jerga de los fabricantes de capacitores
electrolticos es el de protocapacitor, con el cual se denomina a los
capacitores fabricados y ensamblados que aun no se les ha hecho circular
una corriente para que se forme la capa de xido de electrolito. Este trmino
lo utilizaremos ms adelante para una mejor comprensin en este mismo
artculo.
Cabe aclarar que, si bien existen capacitores con dielctrico de papel, en el
caso de los electrolticos el papel entre placas cumple la funcin de sostener
al cido uniformemente en toda la superficie de las mismas.
Capacitor electroltico de tantalio
- 42 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

NACIONAL
Electrnica y
Sistemas de Control
Son ms flexibles y confiables, y presentan mejores caractersticas que los
electrolticos de aluminio, pero tambin su costo es mucho ms elevado.
Existen
tres
tipos:
Capacitores de hojas metlicas (lminas): Se elaboran del mismo modo que
los electrolticos de aluminio. Los alambres conductores de tantalio se
sueldan por puntos tanto a la lmina del nodo como a la del ctodo, las
cuales se arrollan despus con separadores de papel en un rollo compacto.
Este rollo se inserta dentro de una envoltura metlica y, a fin de mejorar el
rendimiento, se agrega un electrlito idneo, como etilenglicol o
dimetilformamida con nitruro de amonio, pentaborato de amonio o
polifosfatos.
Capacitores de hojas de tantalio. Existen en el mercado en tamaos que
varan de 0.12 hasta 3 500 mF, a voltajes hasta de 450 V.
La mayor parte de las aplicaciones para este tipo de capacitor se
encuentran en los intervalos de voltaje superiores, en los que no es posible
aplicar los condensadores de tantalio hmedo, y cuando se requieren
calidades superiores a las de los electrolticos de aluminio, a pesar del
mayor costo. .Las desventajas, en comparacin con otros tipos de
capacitores de tantalio, son: gran tamao, elevadas corrientes de fuga y
gran variacin en la capacitancia con la temperatura. La principal aplicacin
de estos condensadores se encuentra en filtros de fuentes de alimentacin.
Capacitores de tantalio slido. Parecido a la versin hmeda, en cuanto a
sus etapas inciales de manufactura. No hay lquido que se evapore, y el
electrlito
slido
es
estable.
La variacin de la capacitancia es muy pequea: 10% respecto de su valor
a temperatura ambiente en todo el intervalo de temperatura desde -55
hasta
125
C.
Por desgracia, ni el electrlito ni el dielctrico presentan las cualidades de
autorreparacin asociadas con otros capacitores electrolticos. Para proteger
los condensadores de fallas tempranas debidas a defectos del xido y del
electrlito se recomienda su envejecimiento conectado durante 100 h a
voltaje nominal y temperatura mxima, empleando una fuente de energa
de baja impedancia. Adems, se recomienda que el voltaje de operacin no
exceda el 60% del voltaje nominal.
Capacitores cermicos
Los capacitores con dielctrico de cermica son una nica familia con una
constante dielctrica relativamente alta, son de diseo fsico de fcil
fabricacin, en donde se puede encontrar una gran variedad de formatos.
Los capacitores cermicos estn clasificados en tres tipos:
Cermicos de clase I [COG (NP0)] (estable): Este tipo de capacitores
empleados, usualmente a base de dixido de titanio o titanato de calcio con
aditivos, pueden ser usados para lograr las caractersticas deseadas, stas
son el coeficiente de temperatura nominal sobre el rango de 25 a 85 C, la
constante dielctrica relativa de 6 a 500 y un factor de potencia de 0,4 o
menor.
Los capacitores cermicos de clase I son utilizados en circuitos resonantes,
alta frecuencia y acoplamiento, dielctricos de temperatura compensada,
estabilidad dielctrica y otras aplicaciones donde un alto Q son esenciales.
Conocidos tambin como NP0 o Negativo Positivo Cero.
- 43 -
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Electrnica y
Sistemas de Control
Cermicos de clase II [XR7] (semiestable): Son usados cuando la
miniaturizacin es requerida para aplicaciones de radio frecuencia, filtros y
acoplamiento de etapas, donde el Q y la estabilidad pueden estar
comprometida.
La clase II est subdividida en dos subgrupos, estable e inestable.
Los cermicos estables (estable k) tienen una constante dielctrica de 250 a
aproximadamente 2400, tienen una caracterstica no lineal de temperatura
definida
dentro
de
un
rango
de
-60
a
120
C.
Los cermicos inestables (alto k) tienen una constante dielctrica de 3000 a
10000. Estos valores de alto k son obtenidos por formulaciones especiales
de titanatos y aditivos. El rango de operacin de temperatura es de 55 a 85
C o menos (dependiendo de la frmula usada) causado por la disminucin
del k de un 30 al 80%.
Cermicos
de
clase
III
[Z5U]
(propsitos
generales):
En estos diseos un disco cermico aislante con un tratamiento de calor es
aplicado en una atmsfera reducida para que disminuya la resistividad por
debajo de 10 W -cm. Los electrodos de plata son aplicados en la superficie y
son soldados al mismo tiempo, un capacitor formado entre el electrodo y el
cuerpo semiconductor aplicados a ambos lados del disco, es decir, que la
terminacin
est
hecha
por
dos
capacitores
en
serie.
Son aplicados en circuitos de acoplamiento y como supresores de
interferencia.
Envejecimiento:
Estos dielctricos presentan un fenmeno conocido como Transformacin de
la fase del cristal a la temperatura de Curie, es decir, el rango de la
temperatura en la que algunos cristales cambian su forma, dando por
resultado un incremento en la constante dielctrica (k) en o sobre la
temperatura de Curie. El incremento en (k)provoca un incremento en el
valor de la capacitancia. Llevar los capacitores cermicos de la temperatura
de Curie a la temperatura ambiente (25 C) da como resultado una
disminucin gradual de (k). Esta disminucin es una funcin logartmica
dependiente del tiempo y la velocidad del cambio es la velocidad de
envejecimiento.
La velocidad de envejecimiento para los dielctricos es:
COG (NP0) = 0 (no envejece)
X7R = 1 % (mximo de decrecimiento por dcada de tiempo)
Z5U = 3 % (mximo de decrecimiento por dcada de tiempo)
La temperatura de Curie para dielctricos susceptibles de envejecimiento
es:
X7R = alrededor de + 120 C
Z5U = alrededor de + 8 C
- 44 -
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NACIONAL
Sistemas de Control
Practica
Electrnica y
Anlisis de la carga y descarga de un capacitor

Se utilizara un capacito en un circuito cerrado comandado por una llave de
tres vas. Se analizara los tiempos y las tensiones caractersticas de estos
fenmenos.
Para visualizarlos se utilizaran leds. La alimentacin se lograra con la pila de
9v de cc.
El circuito es el siguiente:
La rama central es la rama activa; posee
la fuente y otorgara la energa cuando la
llave se cierre por NC. La rama izquierda
ser reactiva cuando la llave se cierre
por NC*. Al conmutar a NA pasara a ser
activo,
descargando
la
energa
acumulada. La rama derecha es reactiva
y disipara energa cuando la llave cierre
por NA.
*Y acumulara energa
Antes de cerrar el circuito debe verificarse que el capacitor este descargado.
Si el tester registra algn valor de tensin en el capacitor es porque se
encuentra cargado. Se puede descargar a travs del circuito NA y luego
cortocircuitarlo.
El led L1 permite ver el efecto de carga del capacito, cuanto ms se cargue
el capacitor, habr mayor tensin en este y menor en el led. Por lo que su
luminosidad ser cada vez menor. El led L2 permite ver el efecto de
descarga del capacitor. Cuanto ms se descargue, menor ser la tensin
que ofrece y menor la tensin en el led, por lo que su luminosidad ira
descendiendo.
La resistencia R permite regular la corriente circulante por NC, las placas del
capacitor poseen un potencial igual a 0 (capacitor descargado). Por lo tanto,
se puede considerar en ese instante, que el capacitor se comporta como un
cortocircuito (Vc=0)
Instante inicial:
Considerando
Luego la resistencia mnima adoptada es

A medida que el capacitor se carga, aumentara la tensin entre las placas y
disminuir la tensin en el led, hasta que este ltimo se abra. En ese
momento, que se producir pasado un tiempo infinito (en trminos
conceptuales), la corriente circulante ser nula. Por lo tanto la tensin en el
- 45 -
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Electrnica y
Sistemas de Control
capacito
ser
siendo
a la tensin de apertura del led e igual 1,7v.
La tensin en placas del capacito posee la siguiente expresin:
Se verifica que: Para t ->0 ; Vc=0
Para t -> ; Vc=Vf
Se define una constante de tiempo
verifica que:
Para
. Si transcurre un tiempo
En la prctica se establece que, para
, la carga del capacitor es un 97%
se
de
y el capacitor se encuentra completamente cargado.
Valores:
Para
Valores medidos:
Para
;
Luego
La tensin en el capacitor alcanzo un 96,5% de
al transcurrir el tiempo
llegue a un valor similar al anterior.

Para
Valor medio
Luego
La tensin en el capacitor alcanzo un 94,3% de
al transcurrir tiempo
. El
valor es ligeramente menor dado que efectivamente hay una cada de

tensin en la resistencia y, como en el segundo caso es mayor, la
resultante es menor.
- 46 -
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NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
Clase 6 de agosto de 2009

RELE
El rel es un dispositivo electromecnico que funciona como un interruptor,
controlado por un circuito elctrico en el que, por medio de un electroimn,
se acciona un juego de uno o varios contactos que permiten abrir o cerrar
otros circuitos elctricos independientes. Ya que el rel es capaz de
controlar un circuito de salida de mayor potencia que el de entrada, puede
considerarse, en un amplio sentido, una forma de amplificador elctrico.
Los contactos de un rel pueden ser normalmente abiertos (NA),
normalmente cerrados (NC) o de inversin:
Los contactos normalmente abiertos conectan el circuito cuando el

rel es activado; el circuito se desconecta cuando el rel est
inactivo.
Los contactos normalmente cerrados desconectan el circuito
cuando el rel es activado; el circuito se conecta cuando el rel
est inactivo.
Los contactos de inversin controlan dos circuitos: un contacto
normalmente abierto y uno normalmente cerrado con una terminal
comn.
Existen multitud de tipos distintos de rels, dependiendo del nmero
de contactos (cuando tienen ms de un contacto inversor se les llama
contactores en lugar de rels), intensidad admisible por los mismos, tipo de
corriente de accionamiento, tiempo de activacin y desactivacin, etc.
En comparacin con el transistor, se debe destacar que el rel posee
mayor robustez, y permite manejar mayores potencias. En cambio, se debe
- 47 -
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Electrnica y
Sistemas de Control
tener cuidado con el desgaste mecnico, y se observa una menor velocidad
de reaccin.
Practica
Anlisis de las caractersticas de la bobina de un rel.
Se utilizara una fuente de 12v y una resistencia de shunt para conocer las
caractersticas de la bobina de un rel.
El circuito es el siguiente:
Valores medidos
Practica 2
Anlisis de la aparicin de la extra corriente de ruptura.
Al abrir el interruptor que controla la bobina de un rel, esta se comporta
como una fuente instantnea y descarga el magnetismo remanente, la
tensin de descarga es mucho ms elevada que la tensin de alimentacin
y puede ser peligrosa para el circuito de control (que suele ser comandado
por transistores)
El efecto de la extra corriente de ruptura puede apreciarse con una lmpara
de nen. Este gas se ioniza ante una tensin denominada de conduccin (50
a 70v) y la
fuente
utilizada
en
es
te
circuito es
de 12v.
- 48 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
Con la llave cerrada, la bobina recibi la alimentacin de la fuente. Lo

mismo sucedi con la lmpara, pero la tensin de 12v no fue suficiente para
producir la ionizacin. Al abrir la llave, la bobina descargo el magnetismo
remanente y la lmpara encendi en un instante, verificando que la tensin
que se produjo supero el valor de conduccin de la lmpara.
Clase 3 de septiembre de 2009

TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino
"transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de
transferencia")
El transistor bipolar fue inventado en los laboratorios Bell de EEUU en
diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William
Bradford Shockley (recibieron el Premio Nobel de Fsica en 1956).
Caractersticas de los Transistores:
- 49 -
El consumo de energa es relativamente baja.

El tamao de los transistores es relativamente ms pequea que los
tubos de vaco.
El peso.
Una vida larga til (muchas horas de servicio).
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Electrnica y
Sistemas de Control
Puede permanecer mucho tiempo en depsito (almacenamiento).
No necesita tiempo de calentamiento.
Resistencia mecnica elevada.
Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad
(fenmenos sensibles a la luz).
El transistor bipolar est constituido por un sustrato (usualmente silicio) y
tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el
emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de
dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que
son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante
mecnica cuntica.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la
corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada
tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres:

base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la
patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que
si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base),
el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en un factor que
se llama amplificacin.
Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
- 50 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

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Electrnica y
Sistemas de Control
Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de
amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
Ic = * Ib
Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic,
slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso
sale de l, o viceversa.
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que

alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib
cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. En el segundo grfico las
corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a ms
corriente la curva es ms alta.
Construccin de Transistores
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de
dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de
material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto
que al segundo transistor pnp.
Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura las
terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para el
colector y B para la base. Se desarrollar una apreciacin de la eleccin de
esta notacin cuando se analice la operacin bsica del transistor. La
abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction
Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino
bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el
proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo
se utiliza un portador (electrn o hueco), entonces se considera un
dispositivo unipolar.
- 51 -
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- Ao: 2009

NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
Operacin del Transistores

Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp
de la figura 4.14a. la operacin del transistor npn es exactamente la misma
que si intercambiaran la funciones que cumplen el electrn y el hueco. En la
figura se dibujo de nuevo el transistor pnp sin la polarizacin base - colector.
El espesor de la regin de agotamiento se redujo debido a la polarizacin
aplicada, lo que da por resultado un flujo muy considerable de portadores
mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.
Unin con polarizacin inversa de un transistor

pnp
Configuracin de Base Comn

Para la configuracin de base comn con transistores pnp y npn. La
terminologa de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn
tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo
regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el
potencial de tierra. A lo largo de este libro todas las direcciones de corriente
harn referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto
al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define
la direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del
dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, como los amplificadores de base comn se requiere de dos
conjuntos de caractersticas, uno para el punto de excitacin o parmetros
de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el
amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (IE). el
- 52 -
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- Ao: 2009

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Electrnica y
Sistemas de Control
conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene tres regiones bsicas
de inters: la regiones activa, de corte y de saturacin. La regin activa es
la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En
particular:
En la regin activa la unin base - colector se polariza inversamente,
mientras que la unin emisor - base se polariza directamente.
La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la
primera figura. En el extremo ms bajo de la regin activa, la corriente del
emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se debe a la
corriente de saturacin inversa ICO, como lo seala el grafico de curvas.
La corriente ICO real es tan pequea (microamperes) en magnitud si se
compara con la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que
existen cuando IE = 0 para la configuracin de base comn se muestra en la
figura 4.19. La notacin que con ms frecuencia se utiliza para ICO en los
datos y las hojas de especificaciones es, como se indica en la ltima figura,
ICBO.
Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los
transistores de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de
potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su
efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, as como
Is, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la
temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse
en un factor importante debido a que aumenta muy rpidamente con la
temperatura.
En la regin de corte, tanto la unin base - colector como la unin emisor base de un transistor tienen polarizacin inversa.
En la regin de saturacin, tanto la unin como emisor - base estn en
polarizacin directa.
Caractersticas de salida o colector para un amplificador a transistor de base

comn
Corriente de saturacin inversa
- 53 -
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Sistemas de Control
Electrnica y
Configuracin de Emisor Comn

La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo aparece en
la siguiente figura para los transistores pnp y npn. Se le denomina
configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o hace
referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso,
es comn tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez ms,
se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el
comportamiento de la configuracin de emisor comn: uno para el circuito
de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor.
En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colectorbase se encuentra polarizada inversamente, mientras que la unin baseemisor se encuentra polarizada directamente.
Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el corte para la
configuracin de emisor comn se definir mediante IC = ICEO.
Smbolos utilizados con la configuracin de emisor comn: a) transistor npn;

b) transistor pnp
Configuracin de mayor uso en nuestro estudio
Configuracin Emisor Comn
NPN
- 54 -
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NACIONAL
Electrnica y
Sistemas de Control
En esta configuracin, el transistor opera como un rel pero no existe
aislacin galvnica entre el circuito de control y el de potencia.
PNP
Los utilizaremos para trabajar al corte

y a la saturacin.
Corte
Saturacin
Practica
1) BC 337(NPN)
2) BC 327
lamparita 2W/12v
E=9v
Rb
1)
- 55 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

NACIONAL
Electrnica y
Sistemas de Control
El transistor tolera hasta 500mA solo cuando est saturado, si no llego a
abrir del todo se puede quemar por exceso de potencia.
Clase 1 de octubre de 2009

REGULADOR DE TENSION DE TRES PATAS
Un regulador de tensin es un dispositivo electrnico presente en las
fuentes de alimentacin de corriente continua reguladas, cuya misin es la
de proporcionar una tensin constante a su salida. Los reguladores
integrados normalmente son componentes muy parecidos a los transistores
de potencia, suelen tener tres terminales, uno de entrada, un comn o
masa, y uno de salida y slo hay que conectarles un par de condensadores.
Existen circuitos reguladores con un gran abanico de tensiones y corrientes
de funcionamiento. La serie ms conocida de reguladores integrados es la
78XX. Los de mayor potencia necesitarn un disipador de calor. Este es el
principal problema de los reguladores tanto discretos como integrados, al
estar en serie con la carga las cadas de tensin en sus componentes
provocan grandes disipaciones de potencia.
El "78", nos indica que es un regulador positivo (existe la serie "79" que
regula negativamente); XX nos indica a que voltaje regulara.
Para la serie 78XX y 79XX la corriente mxima es 1. Para la serie 78LXX y
79LXX la corriente mxima es 100mA.
- 56 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
En los circuitos la diferencia de tensin entre Vin y Vout se disipar en forma

de calor. Por esta razn los reguladores cuentan con la posibilidad de ser
atornillados a un disipador de calor.
Para las dos denominaciones la tercera pata recibe el nombre de GROUND.

La corriente de ground es muy pequea (se comporta como una base).
Denominacin
78[]XX --> sin letra -->1A
L (low) -->100mA
H (high) -->10A
M (medium)-->5A
XX
05 -->
12 -->
15 -->
20 -->
24 -->
08 -->
09 -->
06 -->
VOut=
VOut=
VOut=
VOut=
VOut=
VOut=
VOut=
VOut=
5v
12v
15v
20v
24v
8v
9v
6v
Practica
- 57 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
Datos obtenidos
Vin (v)
VOUT (v) =
VAB
VRSH (mv)
I (mA)
t (c)
0,0
20
1,71
11
11,0
22
2,55
19
18,9
34
3,5
31
30,9
40
4,54
42
41,9
40
5,02
50
49,9
40
10
5,02
49
48,9
45
13
5,01
50
49,9
75
18
5,01
51
50,8
90
Se puede apreciar que una vez alcanzad el valor de 5v a la salida, el mismo

se mantiene contante producindose un incremento de la temperatura del
regulador.
Variaciones de VOUT con semiconductores
Mediciones
Con diodo 0,7v
- 58 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

NACIONAL
Sistemas de Control
Vin (v)
VOUT (v)
I (mA)
R (W)
1,77
8,9
200
4,52
22,6
200
5,61
28,05
200
10
5,53
27,65
200
12
5,5
27,5
200
14
5,48
27,4
200
18
5,44
27,2
200
22,5
5,42
27,1
200
25
5,38
26,9
200
Electrnica y
Con diodo LED
Vin (v)
VOUT (v)
I (mA)
R (W)
2,5
0,03
0,15
200
1,26
6,25
200
5,64
28,2
200
6,98
34,9
200
12
6,9
34,5
200
14,5
6,87
34,35
200
17
6,85
34,25
200
18,5
6,84
34,2
200
20
6,83
34,15
200
- 59 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
25
6,79
33,95
200
30
6,47
32,35
200
Con diodo
5,1v
Zener
Vin (v)
VOUT (v)
I (mA)
R (W)
0,18
0,8
200
6,3
2,75
13,75
200
8,9
6,49
32,45
200
11
9,53
47,65
200
12,9
10,01
50,05
200
15
9,97
49,85
200
16,4
9,96
49,7
200
20
9,91
49,55
200
25
9,87
49,4
200
30
9,78
48,95
200
- 60 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

NACIONAL
Sistemas de Control
Electrnica y
Nota: en todos los circuitos de ha agregado un diodo disipador para proteger

al regulador y en caso de que exista riesgo de que Vout sea mayor que Vin.
Si esto sucediera el integrado podra quemarse.
Conclusiones: un regulador de tensin proporciona a su salida un voltaje fijo,
independientemente del voltaje que l reciba a su entrada, siempre que
ste ltimo respete un cierto rango que depender del integrado. Otro
parmetro importante es la denominada regulacin de carga, que indica
cunto vara la tensin de salida cuando la corriente vara de un mnimo al
mximo, mantenindose esta tensin de salida constante hasta llegar al
mximo especificado.
- 61 -
Curso: S4051
- Ao: 2009

Electronica Basica

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Ctedra: Ing.

Conocimientos del tester:

1) Llave de funcin y rango: es usada para seleccionar la funcin y los

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

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(V es proporcional a I por la caracterstica R del

(capacidad de disipacin del consumidor)

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Cuando se mide la tensin de una batera, con un voltmetro digital, se

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Al circuito anterior, agrego una resistencia de 1kOhm y hago los clculos y

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Al primer circuito le agrego una resistencia de 1Ohm y hago los clculos y

VAB es despreciable frente al circuito. Se puede apreciar la utilidad de las

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Potencias disipadas en las resistencias de 1Ohm:

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Calibracin de Resistencias de 1 Ohm

Pongo una resistencia de carga de 1kOhm.

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

El objeto es estudiar un tipo especial de resistencias. Hasta ahora, vimos

Donde Ro es la resistencia a la temperatura de referencia (generalmente

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Usamos una de las resistencias que calibramos, tal que

Los grficos correspondientes se vern en la hoja Anexo 1.

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Rc es una resistencia de carga que limita la corriente total del circuito, y V RC

Del grfico, obtenemos: RL=220 y vamos a poner una R1 tal que

Para realizar el circuito en la realidad, con los componentes que tenemos,

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Ahora, cambiamos el valor de R1 de modo tal que sea menor la corriente

(Se mantiene igual, slo cambiamos R1)

I=54,92mA (Se mantiene igual tambin)

Ahora, queremos variar el valor de la caida de potencial del paralelo, y la fijo

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Para realizar el circuito en la realidad, con los componentes que tenemos,

Ahora, nuevamente, cambiamos el valor de R1 para este nuevo valor de Rc.

(Se mantiene igual, slo cambiamos R1)

I=72,64mA (Se mantiene igual tambin)

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Sentido del movimiento de un

La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina

Semiconductor dopado tipo P

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Todos los componentes electrnicos en estado slido que veremos en

Con la llave abierta, medimos el voltaje de la batera:

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Ahora agregamos una de las resistencias de 1 calibradas.

Ctedra: Ing. Roberto Barneda

Los diodos solucionan todo lo que sea conduccin unidireccional.

LED: Light Emitting Diode (Diodo Emisor de Luz)

Lo controlo mediante una resistencia. La potencia disipada en un LED estar