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THSE
prsente par
Jrme Goy
en vue d'obtenir le titre de
DOCTEUR DE L'INSTITUT NATIONAL POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
(arrt ministriel du 30 mars 1992)
Spcialit : Microlectronique
Etude, conception, et ralisation d'un capteur

d'image APS en technologie standard CMOS pour
des applications faible flux de type viseur d'toiles
Date de soutenance : dterminer
Bernard Courtois
Nadine Guillemot
Michel De La Bachelerie
Franois Bailleu
Jean-Michel Karam
Francis Pressecq
Yves Kocher
Directeur de thse
Prsidente du jury
Rapporteur
Rapporteur
Examinateur
Examinateur
Examinateur
Thse prpare au sein du Laboratoire TIMA-CMP

46, Avenue Flix Viallet, 38031 Grenoble
5HPHUFLHPHQWV
Je tiens en premier lieu remercier mon directeur de thse, Monsieur Bernard Courtois, pour
m'avoir accueilli dans son laboratoire et m'avoir fait dcouvrir le monde de la recherche scientifique.
Monsieur Bernard Courtois ma beaucoup encourag publier mes travaux et a fait beaucoup pour
promouvoir mes recherches dans le monde scientifique.
Je remercie tout particulirement Monsieur Jean-Michel Karam, qui fut mon responsable pendant
ma thse et avec qui je poursuis actuellement une carrire industrielle, d'avoir cru en moi, de m'avoir
soutenu et aid techniquement et moralement, et d'avoir su trouver parmi ses relations les personnes les
plus mme de rpondre mes besoins et qui soient susceptibles de financer mes travaux.
La personnalit trs forte de Monsieur Jean-Michel Karam, la qualit de son rle de chef du groupe
microsystmes, ainsi que son savoir-faire dans le monde des affaires font qu'il restera pour moi comme
l'exemple suivre de la russite professionnelle.
Je remercie Monsieur Francis Pressecq, du Centre National d'Etudes Spatiales, de m'avoir permis de
raliser les tests optiques dans son laboratoire, et d'avoir grandement contribu promouvoir mes
travaux.
Je remercie Messieurs Yves Kocher, Pierre Turon, et Dominique Herv, de la socit Sodern, pour
l'intrt qu'ils ont port mes recherches, pour leur soutien et leurs conseils dans le domaine des
capteurs d'images spatiaux qu'ils connaissent bien.
Je remercie Monsieur Robin Rolland, du Centre Inter-universitaire de Micro-Electronique, de
m'avoir grandement aid pour le choix et la fourniture de matriel de mesure pendant les tests que j'ai
effectus pendant ma troisime anne, ainsi que Monsieur Alexandre Chagoya, avec qui j'ai nou de
trs bons rapports professionnels pour tout ce qui touche aux logiciels de simulation et de conception
de circuits lectroniques.
Je remercie tout particulirement ma famille pour leur soutien et leur coute lors des priodes
difficiles, bien que le domaine dans lequel je travaille ne leur soit pas du tout familier.
Enfin, je remercie toutes les personnes qui ont travaill dans mon entourage au sein du laboratoire
TIMA-CMP, notamment Zein Juneidi, Sbastien Colin, Andrs Bianchi, Ahmed Khalid et Grgory
Di Pendina, pour l'ambiance de travail qu'ils ont su mettre pendant ces annes de recherche.
7DEOHGHVPDWLqUHV
CHAPITRE 1 PRESENTATION DES APS CONTEXTE DE L'ETUDE ........................................................................ 1
1.1 INTRODUCTION : LES CAPTEURS DIMAGES ................................................................................................................ 2
1.1.1 Prsentation des APS ........................................................................................................................................... 2
A) Contexte de l'tude .................................................................................................................................................................. 2
B) Mode de fonctionnement des capteurs d'images CMOS ......................................................................................................... 3
1.1.2 Comparaison entre APS et CCD .......................................................................................................................... 5

1.2 PARAMETRES CARACTERISTIQUES ET DEFINITIONS .................................................................................................. 9
1.2.1 Paramtres gomtriques..................................................................................................................................... 9
A) La rsolution du capteur.......................................................................................................................................................... 9
B) La taille des pixels................................................................................................................................................................... 9
C) Le facteur de remplissage ........................................................................................................................................................ 9
1.2.2 Paramtres lis au photosite .............................................................................................................................. 10

A) Le rendement quantique ........................................................................................................................................................ 10
B) Le courant d'obscurit ........................................................................................................................................................... 10
C) La capacit parasite de la photodiode.................................................................................................................................... 11
1.2.3 Paramtres lectriques....................................................................................................................................... 11

A) La vitesse de lecture .............................................................................................................................................................. 11
B) Le facteur de conversion ....................................................................................................................................................... 11
C) L'anti-blouissement.............................................................................................................................................................. 12
1.2.4 Bruit et non-uniformits ..................................................................................................................................... 12

CHAPITRE 2 ETAT DE L'ART ........................................................................................................................................ 13
2.1 PRINCIPAUX TYPES DE CIRCUITS APS REALISES ...................................................................................................... 14
2.1.1 Pixel 4 transistors avec limitation du temps d'intgration .............................................................................. 14
A) Principe de fonctionnement................................................................................................................................................... 14
B) Caractristiques de cette architecture, problmes.................................................................................................................. 16
2.1.2 Mthode de la rsistance de forte valeur, pixel non intgrant ........................................................................... 21

2.1.3 Mthode de la rduction de la taille de la photodiode....................................................................................... 24

2.2 TECHNIQUES DE REDUCTION DU BRUIT DANS UN CAPTEUR APS ............................................................................. 27

2.2.1 Double Echantillonnage Corrl (Correlated Double Sampling, CDS) ........................................................... 27
A) Principe ................................................................................................................................................................................. 27
B) Application, limitations ......................................................................................................................................................... 28
2.2.2 Double Echantillonnage Non Corrl (Non-Correlated Double Sampling, NCDS)......................................... 29

A) Principe ................................................................................................................................................................................. 29
2.2.3 Double Echantillonnage Delta (Double Delta Sampling, DDS)....................................................................... 30

A) Principe ................................................................................................................................................................................. 30
2.3 LES PIXELS COULEURS ............................................................................................................................................... 35

2.3.1 Matrice de filtres couleur................................................................................................................................... 35
2.3.2 Matrices ddies pour chaque composante de couleur...................................................................................... 36
2.3.3 Photodiodes sensibles la longueur d'onde ...................................................................................................... 36
CHAPITRE 3 ETUDE DES DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES : LA PHOTODIODE............................................ 38
3.1 INTRODUCTION .......................................................................................................................................................... 39
3.2 PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DE LA PHOTODIODE .............................................................................................. 42
3.2.1 Le coefficient d'absorption de la lumire par le silicium ................................................................................... 43
3.2.2 Le taux de cration de paires lectrons-trous .................................................................................................... 45
3.2.3 Le rendement quantique..................................................................................................................................... 47
3.3 SIMULATION ET CALCUL DES PARAMETRES CARACTERISTIQUES DE LA PHOTODIODE .......................................... 51

3.3.1 Logiciel de calcul et de gestion des donnes...................................................................................................... 51
3.3.2 Rendement quantique des trois types de photodiodes ........................................................................................ 53
3.3.3 Capacit parasite de la jonction PN .................................................................................................................. 56
3.3.4 Courant d'obscurit............................................................................................................................................ 58
3.4 MESURE EXPERIMENTALE DU RENDEMENT QUANTIQUE DES PHOTODIODES .......................................................... 59
3.4.1 Description du circuit intgr ............................................................................................................................ 59
3.4.2 Calibration de la source de lumire................................................................................................................... 60
3.4.3 Mthode de mesure ............................................................................................................................................ 62
3.4.4 Mesure des rendements quantiques.................................................................................................................... 63
3.4.5 Mesure des capacits parasites et des courants d'obscurit .............................................................................. 64
3.5 MESURE EXPERIMENTALE DES CAPACITES ET DES COURANTS D'OBSCURITE DES PHOTODIODES ......................... 65
3.5.1 Description du circuit intgr ............................................................................................................................ 65
3.5.2 Mthode de mesure ............................................................................................................................................ 66
3.5.3 Mesure des capacits des diodes........................................................................................................................ 67
A) Capacits statiques ................................................................................................................................................................ 67
B) Variation des capacits en fonction de la tension leur bornes ............................................................................................ 68
3.5.4 Mesure des courants d'obscurit........................................................................................................................ 68

3.5.5 Comparaison des rendements quantiques.......................................................................................................... 69
3.6 CONCLUSIONS ............................................................................................................................................................ 70
CHAPITRE 4 REALISATION ET TESTS D'UN CAPTEUR D'IMAGE APS 256 256 PIXELS............................. 71
4.1 INTRODUCTION .......................................................................................................................................................... 72
4.2 REALISATION DU CIRCUIT ......................................................................................................................................... 74
4.2.1 Electronique de commande ................................................................................................................................ 74
A) Principe ................................................................................................................................................................................. 74
B) Ralisation............................................................................................................................................................................. 76
C) Lecture automatique ou manuelle des pixels......................................................................................................................... 78
4.2.2 Dcodeurs de ligne et gnration des signaux R, L, S ....................................................................................... 78

A) Dcodeurs.............................................................................................................................................................................. 78
B) Gnration des signaux R, L, S ............................................................................................................................................. 79
4.2.3 Pixels APS .......................................................................................................................................................... 80

A)
B)
C)
D)
Pixel standard avec photodiode caisson N.......................................................................................................................... 80

Pixel standard photogrille................................................................................................................................................... 82
Pixel amplification diffrentielle ........................................................................................................................................ 84
Pixel amplification par inverseur CMOS............................................................................................................................ 88
4.2.4 Amplificateurs de colonne.................................................................................................................................. 91

4.2.5 Multiplexage et sortie......................................................................................................................................... 92
4.3 TESTS.......................................................................................................................................................................... 93
4.3.1 Capture dune image.......................................................................................................................................... 93
A) Chane dacquisition du signal .............................................................................................................................................. 93
B) Problme li au transistor de limitation du temps dintgration ............................................................................................ 93
C) Traitement de limage pour rduire les non-uniformits ....................................................................................................... 95
4.3.2 Non-uniformits de limage................................................................................................................................ 97

A) Non-uniformits de lensemble constitu par le transistor de transconductance et les amplificateurs de colonne .............. 100
B) Non-uniformits doffset et de gain de chaque pixel........................................................................................................... 102
C) Non-uniformits du pixel amplification par inverseur CMOS.......................................................................................... 104
4.3.3 Bruit de lecture................................................................................................................................................. 107

A) Mthode de mesure ............................................................................................................................................................. 107
B) Cas particulier de la photogrille : utilisation de la technique du double chantillonnage corrl....................................... 108
4.3.4
4.3.5
4.3.6
4.3.7
4.3.8
4.3.9
Facteur de conversion...................................................................................................................................... 109

Courant dobscurit ......................................................................................................................................... 111
Linarit et dynamique..................................................................................................................................... 111
Vitesse de lecture.............................................................................................................................................. 112
Rsultats des tests............................................................................................................................................. 113
Observations et conclusions............................................................................................................................. 115
A) Amliorations possibles ...................................................................................................................................................... 115

B) Choix du type de pixel le plus appropri pour notre application......................................................................................... 117
7DEOHGHVLOOXVWUDWLRQV
Figure 1.1 Vue en coupe d'un viseur d'toiles ............................................................................................................................................................2
Figure 1.2 Vue en coupe d'un CCD. La technologie ncessite l'utilisation d'au moins deux grilles en polysilicium distinctes .................................3
Figure 1.3 Lecture d'une matrice CCD .......................................................................................................................................................................4
Figure 1.4 Lecture d'une ligne d'une matrice APS......................................................................................................................................................5
Figure 1.5 Limitation de la vitesse de lecture due aux taux de transfert de charges ...................................................................................................6
Tableau 1.6 Comparaison des caractristiques moyennes de chaque technologie......................................................................................................7
Figure 1.7 Evolution du march des capteurs d'images ..............................................................................................................................................8
Figure 1.8 Evolution des rgles de dessin ..................................................................................................................................................................9
Figure 1.9 Utilisation de microlentilles ....................................................................................................................................................................10
Figure 1.10 Utilisation dune structure danti-blouissement vertical......................................................................................................................12
Figure 2.1 Schmatique d'un pixel APS 4 transistors, avec ses capacits parasites..................................................................................................14
Figure 2.2 Lecture de la matrice par slection de lignes...........................................................................................................................................15
Figure 2.3 Simulation d'un pixel APS 4 transistors ..................................................................................................................................................15
Figure 2.4 Variantes de larchitecture 4 transistors, avec point de polarisation faible (Vd = Vpix = Vreset 1V) ...................................................18
Figure 2.5 Illustration des transferts de charges lors de l'ouverture du transistor de limitation................................................................................19
Figure 2.6 Schmatique d'un pixel rsistance de forte valeur implantation par un transistor en rgion de sous-seuil ...........................................21
Figure 2.7 Rponse du pixel rsistance de forte valeur...........................................................................................................................................22
Figure 2.8 Principe de la conduction des charges vers la photodiode intgrante......................................................................................................24
Figure 2.9 Masques des pixels..................................................................................................................................................................................24
Figure 2.10 Problme de dispersion des charges dans la surface du capteur............................................................................................................25
Figure 2.11 Double chantillonnage corrl, CDS ...................................................................................................................................................27
Figure 2.12 Utilisation du CDS avec des matrices de photoMOS............................................................................................................................28
Figure 2.13 Double chantillonnage non corrl, NCDS .........................................................................................................................................29
Figure 2.14 Amplificateur de colonne miroir de courant.......................................................................................................................................30
Figure 2.15 Double Echantillonnage Delta pour amliorer la qualit de la correspondance entre amplificateurs de colonne et pixels ..................31
Figure 2.16 Ralisation d'un CDS ou NCDS en sortie de la matrice........................................................................................................................32
Figure 2.17 Ralisation d'un CDS ou NCDS l'intrieur de chaque amplificateur de colonne................................................................................33
Figure 2.18 Double Echantillonnage Delta pour rduire le bruit induit par la chane Double Echantillonnage Corrl ou Non-Corrl ............34
Figure 2.19 Matrice de filtres RVB pour pixels couleurs : motif de Bayer .............................................................................................................35
Figure 2.20 Effet de Moir .......................................................................................................................................................................................35
Figure 2.21 Effet de Moir en pratique ....................................................................................................................................................................36
Figure 2.22 Utilisation de trois matrices pour chaque composante de couleur.........................................................................................................36
Figure 2.23 Photodiode sensible la longueur d'onde de la lumire incidente ........................................................................................................37
Figure 3.1 Capteurs photosensibles ralisables en technologie standard CMOS......................................................................................................39
Figure 3.2 Principe de fonctionnement du photoMOS .............................................................................................................................................39
Figure 3.3 Variation de la profondeur de la zone dpeuple en fonction de la tension de grille ..............................................................................40
Figure 3.4 Trois types de phototransistors................................................................................................................................................................41
Tableau 3.5 Comparaison de caractristiques entre les phototransistors et la photodiode .......................................................................................41
Figure 3.6 Domaines d'utilisation de la photodiode .................................................................................................................................................42
Figure 3.7 Absorption de la lumire dans un matriau .............................................................................................................................................43
Figure 3.8 Coefficient d'absorption de la lumire par le silicium intrinsque ..........................................................................................................44
Figure 3.9 Absorption de la lumire dans le silicium dop ......................................................................................................................................45
Figure 3.10 Taux de cration de paires supplmentaires d'e-/h+ par des photons de grande nergie ........................................................................46
Figure 3.11 Rendement de cration de paires e-/h+ par photon, en fonction de la concentration en porteurs libres du silicium .............................46
Figure 3.12 Illustration de la succession des coefficients d'absorption dans la jonction PN ....................................................................................47
Figure 3.13 Phnomnes contribuant au courant photonique dans une photodiode.................................................................................................48
Figure 3.14 Dure de vie des porteurs libres ............................................................................................................................................................50
Figure 3.15 Mobilit des porteurs libres...................................................................................................................................................................50
Figure 3.16 Organigramme du logiciel de calcul......................................................................................................................................................51
Figure 3.17 Exemple de fonctionnement du logiciel de calcul .................................................................................................................................52
Figure 3.18 Rendements des trois rgions de la jonction PN ...................................................................................................................................53
Figure 3.19 Influence de la profondeur de la zone de charge d'espace sur le rendement quantique.........................................................................54
Figure 3.20 Influence de la largeur de la zone de charge d'espace sur le rendement quantique ...............................................................................54
Figure 3.21 Rendement quantique des trois photodiodes ralisables en technologie CMOS standard.....................................................................55
Figure 3.22 Variation de la capacit parasite d'une jonction PN en fonction du dopage ND ....................................................................................56
Figure 3.23 Variation des capacits parasites des trois photodiodes en fonction de la tension leur bornes Ad = 30m20m.............................57
Tableau 3.24 Comparaison des capacits parasites de chaque photodiode...............................................................................................................57
Figure 3.25 Variation du courant d'obscurit des trois photodiodes en fonction de la temprature Ad = 30m20m ...........................................58
Figure 3.26 Circuit de caractrisation des photodiodes ............................................................................................................................................59
Figure 3.27 Banc de mesure .....................................................................................................................................................................................60
Tableau 3.28 Flux de lumire utiliss pour la mesure du rendement quantique .......................................................................................................61
Figure 3.29 Image obtenue par la camra CCD de calibration de la source lumineuse ............................................................................................62
Figure 3.30 Schma de mesure du courant de diode ................................................................................................................................................62
Figure 3.31 Mesure de la valeur de la capacit d'intgration....................................................................................................................................63
Tableau 3.32 Rendements quantiques mesurs.........................................................................................................................................................63

Figure 3.33 Rendements quantiques mesurs en fonction de la longueur d'onde.....................................................................................................64
Figure 3.34 Matrices de photodiodes .......................................................................................................................................................................65
Figure 3.35 Circuit de caractrisation des capacits parasites et des courants d'obscurit des photodiodes.............................................................66
Figure 3.36 Schma de mesure des capacits parasites et des courants d'obscurit..................................................................................................66
Tableau 3.37 Mesures releves.................................................................................................................................................................................67
Tableau 3.38 Comparaison des capacits des trois types de photodiodes et du photoMOS .....................................................................................67
Figure 3.39 Variation des capacits en fonction de la tension leur bornes ............................................................................................................68
Tableau 3.40 Mesures releves.................................................................................................................................................................................69
Tableau 3.41 Comparaison des courants d'obscurit des trois types de photodiodes et du photoMOS....................................................................69
Tableau 3.42 Comparaison des rendements quantiques ...........................................................................................................................................69
Figure 4.1 Schma-bloc du circuit............................................................................................................................................................................72
Figure 4.2 Layout du circuit / entres-sorties .........................................................................................................................................................73
Figure 4.3 Signaux de commande des lignes............................................................................................................................................................74
Figure 4.4 Illustration de l'action du compteur d'adresse sur le dcodage des lignes ...............................................................................................75
Figure 4.5 Squence de lecture 5 phases................................................................................................................................................................75
Figure 4.6 programmation des retards des compteurs ..............................................................................................................................................77
Figure 4.7 simulation de l'lectronique de contrle..................................................................................................................................................77
Figure 4.8 Dcodeur de ligne ...................................................................................................................................................................................78
Figure 4.9 Gnration des signaux R, L, S ...............................................................................................................................................................79
Figure 4.10 Layout de la gnration des signaux R, L, S .........................................................................................................................................79
Figure 4.11 Schmatique du pixel standard 4 transistors .........................................................................................................................................80
Figure 4.12 Layout du pixel standard limitation ....................................................................................................................................................81
Figure 4.13 Schmatique du pixel standard photogrille.........................................................................................................................................82
Figure 4.14 Layout du pixel standard photogrille..................................................................................................................................................83
Figure 4.15 Schmatique du pixel amplification diffrentielle ..............................................................................................................................84
Figure 4.16 Anti-blouissement rglable..................................................................................................................................................................85
Figure 4.17 Pixel amplification diffrentielle 5 transistors .................................................................................................................................86
Figure 4.18 Layout du pixel amplification diffrentielle 5 transistors ................................................................................................................87
Figure 4.19 Schmatique du pixel amplification par inverseur CMOS .................................................................................................................88
Figure 4.20 Simulation de la squence de lecture du pixel amplificateur par inverseur CMOS...............................................................................89
Figure 4.21 Layout du pixel amplificateur par inverseur CMOS...........................................................................................................................90
Figure 4.22 Schmatique de l'amplificateur de colonne ...........................................................................................................................................91
Figure 4.23 multiplexage des sorties ........................................................................................................................................................................92
Figure 4.24 Chane dacquisition du signal utilise pour le test du circuit APS.......................................................................................................93
Figure 4.25 Signal dlivr par un pixel standard photodiode en caisson N ...........................................................................................................94
Figure 4.26 Variation du temps dintgration de la lumire .....................................................................................................................................94
Figure 4.27 Illustration du problme de la variation du temps dintgration d au multiplexage de la lecture des pixels dune mme ligne .........95
Figure 4.28 Image noire et image blanche................................................................................................................................................................96
Figure 4.29 Image blanche aprs soustraction des offsets ........................................................................................................................................96
Figure 4.30 Image blanche aprs soustraction des offsets et correction du temps dintgration de chaque pixel....................................................96
Figure 4.31 Image dorigine / Image brute dlivre par le capteur / Image aprs traitement................................................................................97
Figure 4.32 Illustration des diffrences de rponses entre deux pixels.....................................................................................................................97
Figure 4.33 Origine des non-uniformits..................................................................................................................................................................98
Figure 4.34 Bruit spatial (Fixed Pattern Noise) cr par la reproduction de la tension du pixel............................................................................100
Figure 4.35 Distinction entre les non-uniformits de colonne et de pixel ..............................................................................................................101
Figure 4.36 Tension de sortie du CAN pour chaque pixel et pour diffrentes valeur de la tension Vreset ...............................................................102
Figure 4.37 Mthode de calcul de loffset et du gain de chaque pixel....................................................................................................................103
Figure 4.38 Image des offsets et du gain de chaque pixel.......................................................................................................................................103
Figure 4.39 Problme de saturation du pixel amplification par inverseur CMOS d une chute de tension de lalimentation VDD................104
Figure 4.40 Architecture du pixel amplification par inverseur CMOS avec sortie en tension .............................................................................105
Figure 4.41 Mthode de calcul du palier de reset, de loffset et du gain de chaque pixel ......................................................................................105
Figure 4.42 Paliers de remise zro des pixels amplification par inverseur CMOS............................................................................................106
Figure 4.43 Origine du bruit de lecture ..................................................................................................................................................................107
Figure 4.44 Observation du bruit de lecture des pixels : lecture dune fentre de 2 3 pixels .............................................................................108
Figure 4.45 Signal de sortie du pixel standard photogrille ..................................................................................................................................108
Figure 4.46 Mesure du bruit de lecture lors de lutilisation du CDS......................................................................................................................109
Figure 4.47 Calcul du facteur de conversion de larchitecture pixel standard, diode standard caisson N.........................................................110
Figure 4.48 Allure des tensions de sortie du pixel standard caisson N (gauche) et du pixel amplification par inverseur CMOS (droite) ........111
Figure 4.49 Variation de la tension de sortie une frquence de lecture des pixels de 10kHz (gauche) et 100kHz (droite) ................................112
Tableau 4.50 Rsultats des tests des 3 types de pixels APS raliss.......................................................................................................................114
Figure 4.51 Comparaison des deux types de lecture possibles ...............................................................................................................................116
Jrme Goy
Ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard pour des applications faibles flux
100
Chapitre 1
Prsentation des APS

Contexte de l'tude
Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude
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Jrme Goy
1.1 Introduction : les capteurs dimages

1.1.1 Prsentation des APS
A) Contexte de l'tude
Les capteurs d'image lectroniques, apparus avec la naissance des CCD (de l'anglais "charge
coupled devices") en 1969, n'ont pas cess de se perfectionner depuis lors, et ont maintenant atteint des
performances et un cot tels qu'il sont prsents dans n'importe quel domaine, depuis les jouets
lectroniques grand public capables de percevoir leur environnement, jusqu' la biologie, o des microcamras permettent d'explorer l'intrieur du corps humain.
Les capteurs d'images sont surtout mis en vidence ces dernires annes avec l'expansion des appareils
photos numriques, et la miniaturisation des camras vidos. Ce dernier secteur trs actif amne de
nombreuses recherches sur la rduction des cots et l'augmentation de la rsolution des circuits.
Dans le domaine spatial, les CCD embarqus bord des satellites ont remplac les tubes lectrons,
plus coteux et plus complexes, dans l'observation du ciel et de la terre. Ils permettent entre autres de
connatre la position et l'orientation du satellite, en cartographiant la vote cleste et en la comparant
avec des positions d'toiles contenues en mmoire. L'ensemble constitu du capteur et de l'optique qui
lui est associe est appel un "viseur d'toiles".
Figure 1.1 Vue en coupe d'un viseur d'toiles
Le CCD, dont les caractristiques dterminent en grande partie la qualit du viseur, est coupl un
refroidisseur effet Peltier permettant d'abaisser sa temprature 15C, afin de diminuer son courant
d'obscurit. Il est reli une lectronique de commande et de dtection du signal. L'ensemble doit tre
endurci aux radiations pour supporter les contraintes lis une utilisation prolonge dans l'espace.
Bien que les CCD actuels soient capables d'atteindre des performances allant jusqu' la dtection du
photon (ou de l'lectron), ils ont maintenant atteint un niveau de complexit qui repousse au maximum
les possibilits de la technologie, et sont prsent fortement concurrencs par une nouvelle gnration
de capteurs d'images utilisant la technologie CMOS traditionnelle[1]. Ces derniers sont moins coteux,
et offrent en outre des fonctionnalits supplmentaires, telles que le fentrage, ou l'intgration de la
conversion analogique-numrique sur le circuit.
page 2
Jrme Goy
L'objectif de cette tude est l'analyse des possibilits offertes par les capteurs CMOS de remplacer
les CCD dans les viseurs d'toiles. Les restrictions lies cette utilisation concernent principalement le
bruit de lecture, qui reste trs infrieur pour les CCD (de l'ordre de quelques lectrons). Dans ce but,
nous avons analys plusieurs types de photodiodes ralisables en technologie CMOS standard, ainsi
que diffrentes architectures de pixel, afin de dterminer la plus adapte pour une application faible
flux.
B) Mode de fonctionnement des capteurs d'images CMOS

La dtection du signal des capteurs CMOS repose sur le mme principe que les CCD : on cre sous
la surface du silicium une rgion appauvrie en porteurs libres, dans lequel se trouve un champ
lectrostatique interne. La lumire incidente apporte dans cette zone l'nergie suffisante pour permettre
le passage d'un lectron dans sa bande de conduction (EG > 1.12eV pour le silicium). La paire
lectron-trou ainsi cre est alors spare par le champ lectrique interne, ce qui produit un courant que
l'on appellera 'courant photonique'.
La diffrence entre les capteurs CMOS et les CCD repose sur la manire de conduire ce courant d'un
pixel un autre, jusqu' l'lectronique charge de l'amplifier. Dans les CCD, la rgion appauvrie est
cre par une grille en polysilicium polarise qui repousse les charges libres du substrat. La profondeur
de la zone de charge d'espace ainsi forme peut tre contrle par la tension applique sur la grille.
De cette manire, les charges sont dplaces d'un pixel vers le pixel voisin en crant des puits de
potentiel successifs.
Figure 1.2 Vue en coupe d'un CCD.

La technologie ncessite l'utilisation d'au moins deux grilles en polysilicium distinctes,
ce qui est incompatible avec la technologie standard CMOS
page 3
Jrme Goy
N lignes
N colonnes
Amplificateur
Sortie
Registre de sortie
Figure 1.3 Lecture d'une matrice CCD
On voit que la principale limitation de cette technologie est lie au taux de transfert de charges (ou
CTE : Charge Transfert Efficiency) d'un pixel son voisin. Pour les meilleurs CCD actuels, la CTE est
de l'ordre de 0.99999. La fraction de signal rsultant de la lecture d'un pixel situ l'extrmit de la
matrice est de :
= CTE 2 N
(1.1)
rendement du signal capt en sortie

:
N:
rsolution de la matrice
CTE : taux de transfert de charges
Cette restriction du taux de transfert de charges limite la taille de la matrice, sa vitesse de lecture, et
rend le circuit sensible aux radiations.
La mthode de lecture des capteurs d'image CMOS repose sur la transmission du signal par des
lignes de mtal parcourant la matrice, selon le principe des mmoires. L'information est directement
recueillie par l'lectronique sans transiter par d'autres pixels, ce qui fait que cette technologie ne subit
pas les inconvnients des CCD.
page 4
Jrme Goy
N colonnes
Ligne / Colonne active
Dcodeur de lignes
Ligne / Colonne inactive
N lignes
Fentre de lecture
Pixel inactif
Pixel actif
Amplificateur de colonne inactif
Amplificateur de colonne actif
Amplificateurs
de colonne
Contrle
Squencement
Sortie
Multiplexeur de sortie
Balayage des colonnes
Figure 1.4 Lecture d'une ligne d'une matrice APS

Pendant une priode Tligne, le multiplexeur de sortie balaye successivement les tensions
dlivres par les amplificateurs de colonne de la fentre de lecture choisie.
A la fin du balayage des colonnes, le dcodeur de lignes active la ligne suivante.
Des transistors prsents dans chaque pixel commandent l'intgration de la lumire, slectionnent le
pixel, et amplifient le signal avant de le transmettre dans les colonnes. C'est pourquoi ces circuits sont
appels 'capteurs pixels actifs' ou APS (Active Pixel Sensor).
1.1.2 Comparaison entre APS et CCD

Ce point a dj t voqu dans la publication [2], qui est devenue une rfrence dans le domaine
des APS. On se contentera ici de rsumer les principales diffrences entre ces deux technologies.
Cot
En premier lieu, la caractristique qui fait que les APS sont devenus des concurrents srieux pour
les CCD est le fait qu'ils sont le plus souvent fabriqus dans une technologie standard, compatible avec
le procd CMOS. Cet atout rend les capteurs CMOS beaucoup moins chers que les CCD, et son
intrt est d'autant plus grand que la taille du circuit est importante.
D'autre part, ils bnficient ainsi des avances considrables de la technologie sur la rduction des
rgles de dessin, et par l mme sur la rduction de la taille des pixels.
page 5
Jrme Goy
Intgration de l'lectronique
La plupart des circuits APS fabriqus de nos jours intgrent des fonctions labores telles que le
contrle de la lecture d'une trame, le fentrage, l'anti-blouissement, ou la conversion analogiquenumrique. Ces fonctions ncessitent l'emploi d'une puce annexe dans le cas des CCD, qui ne peuvent
avoir de transistors sur le circuit d'imagerie.
Sensibilit aux radiations
Ce point constitue une limitation fondamentale de l'utilisation de CCD dans des viseurs d'toiles,
car les radiations crent des piges lectrons dans le substrat du capteur, affectant ainsi la CTE. Les
radiations sont galement un point critique pour les APS, car elles augmentent significativement le
courant d'obscurit, mais dans ce cas, le signal capt en sortie ne transite que par un seul pixel, et est
donc beaucoup moins dgrad.
Vitesse de lecture, rsolution
Ces deux derniers points sont directement lis la valeur du taux de transfert de charges, qui
augmente exponentiellement avec le temps de transfert, comme illustr ci-dessous[3].
Figure 1.5 Limitation de la vitesse de lecture due aux taux de transfert de charges
Facteur de remplissage
D'un autre ct, les capteurs d'image CMOS souffrent encore de l'intgration de transistors dans le
pixel, qui affecte le facteur de remplissage, celui-ci tant proche de 100% chez les CCD.
Depuis l'apparition des APS, vers 1995, la taille des pixels n'a pas cess de diminuer conjointement
avec la taille des transistors, ce qui fait que le facteur de remplissage n'a pas beaucoup progress et
reste autour de 30-40%.
Non-uniformits de la matrice
Bien que peu voqus dans la littrature, les non-uniformits (ou 'bruit spatial') des capteurs CMOS
sont un problme proccupant pour certaines applications scientifiques exigeantes, comme c'est le cas
de cette tude. Contre cela, peu de solutions existent, car les transistors du pixel sont gnralement
dessins aux dimensions minimum de la technologie, et souffrent donc de variations spatiales de leurs
caractristiques, dont principalement la tension de seuil (non-uniformit des offsets du capteur) et le
facteur de gain (non-uniformit de la sensibilit).
Ce rapport prsentera une tude des non-uniformits des APS, de leur cause, et de quelques
propositions pour y remdier.
page 6
Jrme Goy
Bruit de lecture
Plusieurs tudes ont t menes sur ce sujet[4][5][6], et s'accordent sur le point que le bruit de lecture
des capteurs CMOS est trs suprieur celui des CCD, en grande partie en raison de la ncessit de
repolariser la photodiode sous une tension stable (tension de Reset) aprs la phase d'intgration de la
lumire. Cette 'remise zro' ne peut se faire qu'un utilisant un transistor plac en srie avec la capacit
de la photodiode, crant ainsi un bruit 'shot' gal KT/C. Le bruit quivalent du pixel se trouve alors
tre de l'ordre que plusieurs dizaines d'lectrons, bien suprieur au bruit des CCD fabriqus de nos
jours.
On observe actuellement que les dispositifs base d'imagerie se tournent de plus en plus vers les APS,
et cette tendance ne fera que se confirmer l'avenir.
CCD
APS
Rsolution moyenne
1024 1024
1024 1024
Taille du pixel
9m 9m
7m 7m
70-100%
50-70%
Rendement quantique
35-70%
20-50%
Facteur de conversion
10-20V
5-20V
2-15 pA/cm
100-1000 pA/cm
7-15 e-
20-50 e-
1-150 MHz
10-700 MHz
70-85 dB
50-75 dB
Anti-bloussement
non
oui
Fentrage
non
oui
Conversion A/N
non
8-10 bits
Courant d'obscurit
Bruit de lecture
Vitesse de lecture
Dynamique
Tableau 1.6 Comparaison des caractristiques moyennes de chaque technologie
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Jrme Goy
700 000 k$
600 000 k$
500 000 k$
Facsimile
Scanners
400 000 k$
Vidocamras PC
Camras industrielles
300 000 k$
Camras numriques
Camras analogiques
200 000 k$
App. photos numriques
100 000 k$
1997
1998
1999
2000
2001
2002
500 000 k$
450 000 k$
400 000 k$
350 000 k$
Facsimile
Scanners
300 000 k$
Vidocamras PC
250 000 k$
Camras industrielles
200 000 k$
Camras numriques
Camras analogiques
150 000 k$
App. photos numriques
100 000 k$
50 000 k$
1997
1998
1999
2000
2001
2002
Source : Cahners In-Stat Group 1998
Figure 1.7 Evolution du march des capteurs d'images

haut : CCD
bas : APS
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Jrme Goy
1.2 Paramtres caractristiques et dfinitions

1.2.1 Paramtres gomtriques
A) La rsolution du capteur
Tout systme d'imagerie se caractrise principalement par la rsolution de l'image obtenue. Dans ce
domaine, les APS atteignent aujourd'hui les CCD (rsolution maximum de 4Mpix environ), malgr les
nombreuses amliorations apportes ces derniers. On voit actuellement couramment des capteurs de
quelques millions de pixels, et cette tendance ne fera que se confirmer l'avenir, car les capteurs
CMOS, contrairement aux CCD, ne sont limits que par des paramtres lectriques (consommation,
vitesse de la conversion analogique-numrique, ...) qui s'amliorent avec les rductions des rgles de
dessin.
B) La taille des pixels

Une fois encore, les avances de la densit d'intgration de l'lectronique bnficient aux capteurs
CMOS. Bien que la taille des pixels soit un paramtre moins crucial que la rsolution, puisque la taille
des circuits intgrs augmente, elle permet de rduire le cot du circuit, et donc facilite la fabrication et
la diffusion en grande srie.
Il est noter que la rduction des rgles de dessin ne pnalise pas la fabrication des capteurs d'images
CMOS. Au contraire, des dimensions plus fines permettent d'obtenir des capacits parasites rduites
qui amliorent grandement les performances statiques (gain, bruit) et dynamiques (vitesse de lecture).
C) Le facteur de remplissage
On appelle facteur de remplissage le rapport entre la surface du pixel utilise pour la dtection de la
lumire (principalement la surface de la photodiode) et la taille du pixel. Ce facteur est de l'ordre de 30
70% pour les circuits actuels. Dans certains cas particuliers, on pourra considrer que les charges
gnres dans la zone active du pixel, cest dire entre les transistors, contribuent au courant
photonique, soit parce qu'elles diffusent vers la photodiode, soit parce qu'elles modifient les
caractristiques lectriques des transistors qui les entourent.
Dans la suite de ce rapport, on ne considrera comme zone active que la surface de la photodiode,
l'influence de la rponse de la partie lectronique tant difficile dterminer avec prcision.
Longueur de grille d'un transistor MOS
Taille du pixel
Dimensions (m)
100
10
densit dlectronique
pouvant tre incluse
dans un pixel
0,1
1970
1975
1980
1985
1990
1995
2000
Anne
Figure 1.8 Evolution des rgles de dessin
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Jrme Goy
On peut avoir recours une matrice de microlentilles pour amliorer le facteur de remplissage du
circuit. Celles-ci sont de mme taille qu'un pixel, et sont utilises pour concentrer le faisceau lumineux
vers la partie sensible du capteur. On peut atteindre ainsi des facteurs de remplissage quivalents
proches de 100%.
zone photosensible (photodiode ou photoMOS)

zone insensible (lectronique)
Figure 1.9 Utilisation de microlentilles
1.2.2 Paramtres lis au photosite

A) Le rendement quantique
Le rendement quantique reprsente le pourcentage de photons qui contribuent au courant
photonique dans la diode, par la cration d'une paire lectron-trou. Dans le cas idal, chaque photon
reu par la diode dont l'nergie est suprieure au gap du silicium (1.12eV , soit une longueur donde de
la lumire incidente de moins de 1100nm) cre une paire lectron-trou. Dans la pratique, le rendement
quantique est limit :
par le coefficient de rflexion de la surface du silicium, qui peut tre corrig par un traitement
surfacique appropri
par la largeur de la zone de charge d'espace, o se situe la majeure partie de la dtection de la lumire
par les recombinaisons en surface et en profondeur des charges
Il conviendra de distinguer le rendement quantique pur de la diode (aux alentours de 50-60%), du
rendement quantique effectif du pixel, qui prend en compte le facteur de remplissage.
eff = FR
(1.2)
eff : rendement effectif du pixel

: rendement quantique de la photodiode
FR : facteur de remplissage du pixel
Le rendement quantique dpend fortement de la longueur d'onde de la lumire incidente. Il n'y a
donc pas de sens annoncer une valeur de rendement quantique sans prciser pour quelle longueur
d'onde (ou plage de longueurs d'onde) cette valeur est valable. On donne gnralement dans les
spcifications d'un circuit d'imagerie la valeur maximale possible du rendement.
B) Le courant d'obscurit
Le courant d'obscurit reprsente le courant mesur par le pixel en l'absence de toute illumination. Il
est principalement d au courant de saturation inverse de la photodiode, les courants de fuite des
transistors tant ngligeables.
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Jrme Goy
Comme dans le cas d'une diode classique, on lui distinguera une composante primtrique et une
composante surfacique, et il sera fortement dpendant de la temprature (doublement de sa valeur tous
les 7C environ). Pour le rduire, on utilise parfois un systme de refroidissement par effet Peltier,
notamment dans le cas des viseurs dtoiles, o la valeur du courant dobscurit est un paramtre
crucial.
Lors de l'irradiation du circuit, le courant d'obscurit augmente significativement, et celui-ci sera donc
une contrainte majeure pour l'utilisation des capteurs d'images CMOS dans des applications spatiales.
C) La capacit parasite de la photodiode

Bien qu'elle ne soit pas une spcification propre du capteur, la capacit parasite de la photodiode est
trs importante pour la valeur du facteur de conversion (dans le cas d'un pixel intgrant) et pour le bruit
li la remise zro du pixel, comme on le verra par la suite.
On cherchera dans tous les cas obtenir une capacit parasite de photodiode la plus faible possible, ce
qui sera facilit par la rduction de la taille des pixels, au fur et mesure de leur volution.
1.2.3 Paramtres lectriques

A) La vitesse de lecture
On distinguera dans la suite de ce rapport la vitesse de lecture des pixels, d'une ligne, et d'une trame.
Bien que la vitesse de lecture des pixels soit sensiblement constante pour un circuit (de l'ordre de
quelques Mpix/s pour les capteurs d'image actuels, certains atteignant plusieurs centaines de Mpix/s),
la vitesse de trame (ou le taux de rafrachissement de l'image) dpend de la rsolution de la fentre lue.
Dans le cas des CCD, la question n'est pas fondamentale, puisque cette taille est fixe. Il peut toutefois y
avoir une ambigut en ce qui concerne les APS, puisque l'utilisation du fentrage augmentera
considrablement la vitesse de trame.
Dans le cas des viseurs d'toiles en particulier, la fentre de lecture sera de l'ordre de 10 10 pixels.
On obtient ainsi des vitesses de lecture de trame de quelques diximes de millisecondes.
La vitesse de lecture d'une image peut donc dpendre de trois lments :
le pixel, qui travaille la frquence de lecture d'une trame
les drivers et les amplificateurs de colonne, qui gnrent ou acquirent un signal modul la
frquence ligne
le multiplexeur de sortie du circuit, et les convertisseurs analogique-numrique, qui travaillent la
frquence pixel.
Gnralement, la vitesse du circuit sera limite en sortie par le multiplexeur et / ou les convertisseurs.
Cependant, dans le cas de fentres de lecture de petites dimensions, il faudra surveiller la frquence de
fonctionnement de l'amplificateur de colonne.
B) Le facteur de conversion
Il exprime le gain du pixel, soit la diffrence de niveau relev en sortie pour chaque lectron gnr
dans le photosite. L'augmentation du facteur de conversion permet en outre de rduire le bruit de
lecture, comme on le verra par la suite.
page 11
Jrme Goy
C) L'anti-blouissement
Cette proprit est fondamentale pour les systmes d'imagerie, car elle consiste empcher un pixel
qui subit une trop forte illumination de parasiter ses pixels voisins. En effet, les charges cres par la
lumire sont parfois accumules dans le substrat et peuvent se propager dans le capteur si elles sont
trop nombreuses, modifiant ainsi le rendement quantique des pixels voisins.
Pour viter cela, on peut soit utiliser une structure de photosite qui empche les charges de se propager
(par exemple en isolant les pixels entre eux par des caissons successifs), ou bien prvoir un transistor
d'vacuation des charges qui devient passant lorsque le potentiel en surface du photosite dpasse un
certain seuil. Ce transistor peut tre de structure latrale ou verticale.
P+ diffusion
Vb
caisson N
B
C
Substrat P
Figure 1.10 Utilisation dune structure danti-blouissement vertical

La structure de dtection est une photodiode (jonction P+/Nwell) et non pas un phototransistor,
car sa base est force Vb. Lorsque le potentiel de la diffusion P est suprieur Vb + 0.7V, le
transistor bipolaire PNP devient passant et vacue les charges superflues.
1.2.4 Bruit et non-uniformits

On distinguera dans la suite de ce rapport le bruit temporel, qui rsulte de la diffrence de niveau
entre deux chantillons successifs d'un mme pixel, sous illumination constante, et le bruit spatial, qui
reprsente les non-uniformits du circuit.
Le bruit temporel est d aux densits spectrales de bruit des diffrents lments du pixel, qui
s'ajoutent aux variations des offsets lors de la lecture. On distingue :
le bruit 'shot', cr par les courants prsents dans la photodiode
le bruit en 1/f de la photodiode et de l'lectronique du pixel
le bruit photonique provenant de la variation de lumire reue par le capteur
Une tude dtaille des bruits temporels sera vue plus loin dans ce chapitre. Nous reprendrons les
nombreuses tudes menes dans ce domaine sur les capteurs CMOS, en explicitant les conditions
particulires pour lesquelles chaque type de bruit domine, ainsi que les techniques pour les rduire :
Double Echantillonnage Corrl (Correlated Double Sampling, CDS), Double Echantillonnage Non
Corrl (Non-Correlated Double Sampling, NCDS), Double Echantillonnage Delta (Double Delta
Sampling, DDS).
Le bruit spatial (ou Fixed Pattern Noise, FPN) est fortement dpendant de la technologie de
fabrication employe, et il est difficilement prvisible et corrigible. Dans les circuits intgrs CMOS
analogiques, on choisit de prfrence des transistors de grandes dimensions, qui sont moins sensibles
aux variations de longueur de grille. Cette technique pourra tre utilise pour le dessin des
amplificateurs de colonne, mais pas en ce qui concerne les pixels, qui utilisent des transistors aux
dimensions minimales.
En ce qui concerne le bruit spatial issu des pixels, on appellera DSNU (Dark Signal
Non-Uniformities) les non-uniformits de l'image obtenue en obscurit, et PRNU (Pixel Response
Non-Uniformities) les non-uniformits d'une image sous illumination homogne, aprs correction des
DSNU.
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200
Chapitre 2
Etat de l'art
Chapitre 2 Etat de l'art
page 13
Jrme Goy
2.1 Principaux types de circuits APS raliss

2.1.1 Pixel 4 transistors avec limitation du temps d'intgration
A) Principe de fonctionnement
Vreset
VDD
CGST
CGSL
CGDL
CGDR
id
Vd
Vpix
CGDT
Cd
Vcol
VSS
icol
Figure 2.1 Schmatique d'un pixel APS 4 transistors, avec ses capacits parasites
Ce type de pixel est le plus communment employ pour la ralisation de matrices images
APS[7][8][9], car il est d'une conception simple et stable. Le transistor de limitation de l'intgration
(contrle du temps dobturation), L, et le transistor de reset, R, sont commands en interrupteurs. Un
troisime transistor T permet d'isoler le signal sensible issu de la diode (Vd, Vpix), des colonnes de la
matrice, dont la capacit parasite s'ajouterait sans cela la capacit de la diode, dgradant ainsi
considrablement les performances du capteur. Enfin, un transistor de slection de la ligne, S, ralise
un multiplexage du signal de long de la matrice de capteurs.
La phase de lecture se compose de quatre phases :
fermeture des transistors R et L : la tension Vreset est applique aux bornes de la diode, neutralisant
les charges accumules dans celle-ci pendant la lecture de la trame prcdente.
ouverture du transistor de Reset, le transistor de limitation tant toujours ferm. Le courant gnr
par la photodiode ne pouvant tre vacu par les transistors, il reste confin aux bornes de la diode
et s'intgre dans la capacit parasite de celle-ci.
en fin d'intgration, le transistor L s'ouvre, gelant ainsi le signal Vpix sur la grille du transistor T,
grce aux capacits parasites CGSL, CGDR et CGST.
la lecture du pixel est ralise en basculant le transistor de slection pour tous les pixels dune
mme ligne. La tension Vpix module ainsi le courant dans la colonne, qui sera lu par l'amplificateur
situ en bout de chaque colonne.
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(a)
(b)
Figure 2.2 Lecture de la matrice par slection de lignes
(a) : au niveau pixel / transistor
(b) : au niveau systme
Figure 2.3 Simulation d'un pixel APS 4 transistors
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Jrme Goy
B) Caractristiques de cette architecture, problmes

a. Facteur de conversion
Ce pixel est de type intgrant, car il utilise la capacit parasite de la photodiode ( laquelle s'ajoutent
les capacits parasites des transistors) pour stocker les charges issues de l'illumination.
Son facteur de conversion est donc :
Fc =
Fc :
q:
Cint :
Cd :
CGDL :
CGSL :
CGDR :
CGST :
q
q
C int C d + C GD L + C GS L + C GD R + C GS T
(2.1)
facteur de conversion du pixel (V)

charge d'un lectron = 1.602 10-19 C
capacit quivalente utilise pour l'intgration du signal (F)
capacit de la jonction de la diode (F)
capacit grille-drain du transistor L (F)
capacit grille-source du transistor L (F)
capacit grille-drain du transistor R (F)
capacit grille-source du transistor T (F)
Avec :
Cd =
Ad :
Pd :
si :
Xdep :
k:
T:
Vi :
Vd :
NA :
ND :
Csurf :
Cperi :
d :
A d si
=
X dep
A d si
2 si
q
2kT 1
1

Vi + Vd
+
q N A N D
ou Cd =
A d Csurf
+ Pd C peri
V
1+ d
d
(2.2) (2.3)
aire de la diode (m)

primtre de la diode (m)
permittivit du silicium = 1.04 10-10 F/m 300K
largeur de la zone de charge despace (m)
constante de Boltzmann = 1.3806 10-23 J/K
temprature absolue (K)
tension interne de la diode (V)
tension inverse applique aux bornes de la diode (V)
dopage de la zone P (m-3)
dopage de la zone N (m-3)
composante surfacique de la capacit de diode sous tension nulle (F/m)
composante primtrique de la capacit de diode sous tension nulle (F/m)
potentiel de jonction (V)
Vi est donn par :

Vi =
ni :
kT N A N D
ln
2
q
ni
(2.4)
concentration de porteurs intrinsque du silicium = 1.45 10-10 cm-3 300K
Dans le cas d'un pixel de 30m 30m, on obtient des valeurs de l'ordre de la centaine de
femto-Farad, soit un facteur de conversion d'environ 1.6V/e-.
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Jrme Goy
b. Facteur de remplissage
Si on se place dans une utilisation faible flux, on pourra considrer que le signal utile, Vd, varie
faiblement autour de sa valeur nominale, Vreset.
Vdf = Vreset Fc n e
(2.5)
Vdf : tension de la diode en fin d'intgration (V) (voir figure 2.3)

ne : nombre d'lectrons gnrs par la photodiode pendant lintgration
Le choix de la tension Vreset est donc critique, puisque c'est cette tension qui rglera la grandeur du
courant de colonne, icol.
i col =
icol :
Kp :
WT :
LT :
VT :
Vpix :
K p WT
(VDD Vpix VT
2 LT
K p WT
(VDD Vdf Vpix VT
2 LT
(2.6)
courant consomm dans une colonne de la matrice pendant la phase de lecture (A)
facteur de gain du transistor T (A/V)
largeur de grille du transistor T (m)
longueur de grille du transistor T (m)
tension de seuil du transistor T (V)
variation de la tension Vpix due l'ouverture des transistors L et S (V) (voir figure 2.3)
Si le courant de colonne est trop faible, il risque d'tre dissip dans les colonnes et sera plus
difficilement dtectable en sortie. Dans le cas contraire, il reprsentera une grande part de la
consommation du capteur, puisqu'il se retrouve dans chaque colonne de la matrice.
Pcol = VDD n x i col = VDD n x
K p WT
(VDD Vreset + Fc n e Vpix VT
2 LT
(2.7)
Pcol : puissance dissipe dans les colonnes du circuit lors de la lecture (W)
nx : nombre de colonnes de la matrice
Il est noter ici qu'une majorit des tudes et des ralisations de capteurs CMOS APS se basent sur
une tension Vreset gale VDD. Cela a pour consquence que lors de faibles illuminations, le transistor
T est polaris dans sa rgion de sous-seuil, et que les courants de colonne sont trs faibles. Il est donc
beaucoup plus difficile de dtecter de petits signaux.
Pour obtenir des courants de colonnes de lordre du micro-Ampre, (Pcol mW), on se fixera
Vreset 4V.
Du fait de cette polarisation, et pour diminuer la rsistance srie des transistors L et R, on utilisera
des transistors de type P, qui sont prfrables aux transistors N lorsque le point de fonctionnement est
lev, comme cest le cas ici. En revanche, ces transistors ncessitent l'utilisation d'un caisson N de
grande dimension, ce qui dgrade significativement le facteur de remplissage du pixel.
Une variante de cette architecture pourrait consister symtriser chaque transistor, ainsi que leur point
de polarisation.
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Jrme Goy
VDD
Vpix
Vd
Cd
S
Cd
id
id
Vd
Vpix
VSS
Vreset
VSS
R
Vreset
VSS
(a)
(b)
Figure 2.4 Variantes de larchitecture 4 transistors, avec point de polarisation faible (Vd = Vpix = Vreset 1V)
(a) : avec photodiode la masse
(b) : avec photodiode VDD
Le premier cas de figure utilise une photodiode N polarise en faible inversion. Lors de l'intgration
du signal, la tension ses bornes va diminuer et risque de s'inverser, polarisant ainsi la diode en direct.
Ce cas de figure pourra donc tre employ, mais uniquement pour des faibles flux.
Le deuxime cas requiert de polariser les deux bornes de la diode, et complique sa conception
(utilisation de photodiodes P, qui occupent une surface plus grande). On perd ainsi sur le facteur de
remplissage au lieu d'en gagner.
c. Linarit
La capacit de jonction utilise pour l'intgration du signal varie selon la tension applique ses
bornes. On a ainsi un effet de non-linarit lors de fortes expositions.
En combinant les quations (2.1), (2.3), et (2.5), on obtient :
dVd ( t )
V (t ) n e
q
q
dn e =
1+ d
dt
d
C d (Vd ( t ))
A d C surf + Pd C peri
Tint
(2.8)
dVd(t) : variation de la tension Vd(t) pendant un temps dt

nombre dlectrons gnrs par la photodiode pendant un temps dt
dne :
En rsolvant lquation, on trouve :
n
Vd ( t ) = Vreset + Fc e
Tint
Tint :
q2 ne
t +
4 T 2 (A C + P C )2
int
d
surf
d
peri
d
2
t
(2.9)
temps d'intgration (s)
Le troisime terme de lquation exprime la non-linarit de la photodiode.
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Jrme Goy
d. Offset en fin d'intgration

Les capacits grille-source et grille-drain du transistor L sont charges en fin d'intgration la
tension
VGS L = VGD L = VL L Vreset + Fc n e
(2.10)
VGSL : tension grille-source du transistor L (V)

VGDL : tension grille-drain du transistor L (V)
VLL :
tension de commande de la grille du transistor L l'tat bas (V)
Lors du basculement de ce transistor, en fin d'intgration, cette charge va se transmettre dans la
capacit parasite de la diode d'une part, et dans la capacit parasite du nud Vpix d'autre part. La
diffrence de tension dpendra du point partir duquel le transistor est ouvert.
On notera ce point VLT
VLT VLH
VLL VLT
CGDL
CGSL
CGDL
Vpix
Vd
Cd
CGSL
Vpix
Vd
CMOS = CGDR + CGST
Cd
CMOS = CGDR + CGST
VSS
VSS
VSS
VSS
(a)
(b)
Figure 2.5 Illustration des transferts de charges lors de l'ouverture du transistor de limitation
(a) : 1re phase : transistor L ferm (VL < VLT)
(b) : 2me phase : transistor L ouvert (VL > VLT)
Soit :
1re phase
2me phase
C GDL
C GSL + C GDL
+ (VL H VL T )
Vd = (VL T VL L )
C GSL + C GDL + C d + C MOS
C GDL + C d
C GSL + C GDL
C GSL
+ (VL H VL T )
Vpix = (VL T VL L )
C GSL + C GDL + C d + C MOS
C GSL + C MOS
Vd :
Vpix :
VLL :
VLH :
VLT :
(2.11)
(2.12)
offset sur le nud Vd cr l'ouverture du transistor L (voir figure 2.3)

offset sur le nud Vpix cr l'ouverture du transistor L (voir figure 2.3)
tension de commande de la grille du transistor L l'tat bas (V)
tension de commande de la grille du transistor L l'tat haut (V)
tension de commande de la grille du transistor L pour laquelle ce transistor s'ouvre (V)
page 19
Jrme Goy
Les capacits tant fixes, on cherchera rduire les termes (VLT VLL) et (VLH VLT), ce qui revient
fixer les tensions de commande de grille du transistor L les plus proches possible des niveaux de
saturation et de blocage.
Dans le deuxime terme des quations (2.11) et (2.12), la capacit Cd est trs suprieure CMOS, et on
aura donc un offset moins important sur le nud Vd que sur le nud Vpix.
e. Bruit de lecture
Pour finir, le paramtre le plus significatif d'un pixel APS est son bruit de lecture. En dehors du
bruit prsent pendant l'intgration de la lumire, qui est un bruit grenaille d au courant gnr par la
photodiode et qui ne peut pas tre corrig, le bruit de lecture est domin par le bruit grenaille provoqu
par le transistor de remise zro de la valeur du pixel[6].
Si on considre que le temps de Reset du pixel est suffisant pour atteindre un niveau stable, on a une
densit de bruit issue de la photodiode de :
=
:
k:
T:
kT
C int
(2.13)
bruit de lecture d la remise zro du pixel par le transistor R (Vrms)

constante de Boltzmann = 1.3806 10-23 J/K
temprature absolue (K)
Pour exprimer ce bruit en terme d'lectrons quivalents gnrs par la photodiode, il faudra le diviser
par le facteur de conversion, soit :
=
:
k T C int
=
C int
q
k T C int
q
(2.14)
bruit de lecture d la remise zro du pixel par le transistor R (e-rms)
Soit 127 lectrons rms T = 300K pour une capacit typique d'une centaine de femto-Farad.
Cette valeur est trop importante dans notre cas et devra tre rduite.
On voit donc ici qu'un point fondamental est la valeur de la capacit d'intgration Cint, puisque
celle-ci va jouer sur le facteur de conversion, et par l mme sur le bruit de lecture du pixel.
La difficult majeure rencontre lors de la conception d'un pixel APS est ainsi la rduction de la
capacit parasite de la photodiode. Ceci peut se faire soit en agissant sur la technologie, soit en
modifiant la structure du pixel. Dans notre cas, on a choisi d'utiliser une technologie standard, la fois
pour rduire le cot de fabrication du capteur, et pour faciliter sa production en srie.
Nous allons maintenant tudier les autres architectures de pixel qui permettent de diminuer le bruit
de lecture.
page 20
Jrme Goy
2.1.2 Mthode de la rsistance de forte valeur, pixel non intgrant

Cette approche est fondamentalement diffrente de celle utilise gnralement dans les capteurs
d'images CMOS, puisqu'elle ne repose pas sur l'intgration du courant photonique dans une capacit.
Le courant issu de la photodiode est transform en tension en utilisant une rsistance de forte valeur,
comme montr ci-dessous. Pour ce faire, il faut pouvoir crer une rsistance de l'ordre du Giga-Ohm,
qui est obtenue en polarisant un transistor MOS dans sa rgion de sous-seuil[10][11].
VDD
VDD
id
id
Cd
VSS
Cd
VSS
Figure 2.6 Schmatique d'un pixel rsistance de forte valeur

implantation par un transistor en rgion de sous-seuil
On a en sortie une tension qui est fonction du courant de diode par la formule :
Vpix = VDD
Vpix :
id :
ID0 :
n:
W:
L:
n k T id W
ln

q
I
DO L
(2.15)
tension dlivre par le pixel (V)

courant dlivr par la photodiode (A)
courant de rfrence dpendant de la technologie, de la tension VSB du transistor, et de VT (A)
facteur de pente de la rgion de sous-seuil
largeur de grille du transistor (m)
longueur de grille du transistor (m)
page 21
Jrme Goy
Figure 2.7 Rponse du pixel rsistance de forte valeur

haut : simulation effectue sur l'architecture de la figure 2.6
bas : rsultats exprimentaux

a. Rponse logarithmique
Comme montr dans la formule prcdente, la tension Vpix n'est pas proportionnelle au courant de
diode, mais au logarithme de celui-ci. Ceci n'est pas un inconvnient majeur si on prend soin de
corriger cette rponse en sortie du circuit. Au contraire, ce principe peut s'avrer fort utile pour des
applications faibles flux, puisque la sensibilit du capteur augmente lors de faibles niveaux de lumire.
Il faudra cependant veiller ce que le transistor soit en permanence dans sa rgion de sous-seuil, faute
de quoi la tension de sortie deviendra proportionnelle la racine carre du courant de diode.
(cf figure 2.7, pour une illumination suprieure 10 W/m)
page 22
Jrme Goy
b. Facteur de remplissage
Un atout de cette structure, outre le fait de ne pas intgrer le signal et donc de ne pas avoir de bruit
de Reset, est sa simplicit de ralisation. La commande du pixel ne ncessite en effet pas de signal
Reset, ni de signal de fin d'intgration, et sa lecture peut tre ralise en utilisant un transistor de
transconductance et un transistor de slection de ligne, selon le principe dvelopp prcdemment.
On atteint ainsi de bonnes performances sur le facteur de remplissage du pixel (en conservant une taille
de pixel constante), ou sur la rsolution du capteur, si on rduit la taille du pixel en proportion.
c. Accs alatoire aux pixels
La suppression de l'intgration de la lumire permet en outre une lecture en temps rel de la valeur
du courant de diode. Il n'y a ainsi pas de dbut ni de fin d'intgration, et on peut tout moment
connatre l'exposition de n'importe quel pixel de la matrice. Cet avantage sera certainement trs utile
pour des applications multimdia, mais n'est pas fondamental dans le cas qui nous intresse.
d. Variation spatiale du signal
Bien que ces trois premires caractristiques ne soient pas dommageables pour la fabrication d'un
capteur d'image, la variation spatiale des rponses est un point beaucoup plus critique. En effet, la
formule (2.15) montre que la sensibilit du pixel dpend essentiellement des caractristiques du MOS
qui varient significativement selon la temprature, la gomtrie de la grille (souvent dessine aux
dimensions minimales), et les dopages qui changent avec l'irradiation du capteur.
Les concepteurs de cette architecture de pixel recommandent d'utiliser en parallle de la matrice de
capteur une mmoire de mme taille servant stocker les non-uniformits de chaque pixel afin de les
corriger en sortie du circuit. Cette solution s'avre relativement complexe mettre en uvre,
(consommation, densit d'intgration, fiabilit...) et pour cette raison, ce type d'architecture sera rejet
dans notre cas.
D'une manire gnrale, il y aura un compromis faire entre la rduction de la valeur de la capacit
d'intgration (ou de l'lment d'amplification, comme ici du MOS) et la variation spatiale de ses
caractristiques, qui deviendra de plus en plus critique quand les dimensions approchent les minima de
la technologie.
page 23
Jrme Goy
2.1.3 Mthode de la rduction de la taille de la photodiode

Comme on l'a vu, l'inconvnient majeur de l'architecture standard 4 transistors est le bruit du
pixel, directement li la valeur de sa capacit Cint.
Cette capacit tant proportionnelle la surface de la diode (et son primtre), on cherche obtenir
une diode la plus petite possible, sans pour autant nuire au facteur de remplissage.
Une approche originale a t dveloppe par la socit FillFactory. Il s'agit de contrler le dopage du
substrat du capteur afin de rediriger les charges vers l'lment sensible. On peut ainsi considrer que la
plus grande partie des paires lectrons-trous cres par la lumire contribuent au courant photonique.
Figure 2.8 Principe de la conduction des charges vers la photodiode intgrante
Figure 2.9 Masques des pixels
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Jrme Goy
La diffrence de dopage entre les diffrentes couches cre un puis de potentiel sous l'lectronique du
pixel, qui sert stocker les lectrons. Ceux-ci se dplacent alors par diffusion dans toute la surface du
circuit et sont capts par la diode la plus proche.

a. Facteur de remplissage
Le facteur de remplissage n'est pas en ralit de 100%, car il est limit :
par la rflexion de la lumire incidente sur les lignes de mtal de l'lectronique, et l'intgration des
charges dans les zones de diffusion des transistors MOS (cf figure 2.8, (1) et (2)).
Cette limitation fait que le facteur de remplissage se rapproche de celui atteint par un pixel
classique, dont la photodiode occuperait toute la surface laisse libre par l'lectronique.
par les recombinaisons des charges prsentes dans le puis de potentiel.
Puisque les taux de recombinaison des charges dans le puis de potentiel sont difficilement
quantifiables, seule une caractrisation exprimentale de ce pixel permettra de valider cette thorie. Le
facteur de remplissage effectif du pixel sera obtenu en mesurant le rendement quantique du pixel, et en
ayant pralablement calibr le rendement quantique de la photodiode, selon la formule (1.2).
b. Prcision de la dtection
Les lectrons gnrs par la lumire vont tre attirs par lune des quatre diodes qui les entoure,
mais il est difficile de prvoir exactement leur dplacement. Ainsi, il est possible quune charge
parcoure une distance relativement grande avant dtre capte. De ce fait, on considrera quun pixel
sera en ralit constitu de quatre photodiodes et de leur lectronique correspondante, selon le schma
ci-dessous :
Taille effective du pixel
ePixel lmentaire
eecharge capte par un

pixel diffrent du pixel
o elle a t cre
=> bruit spatial sur limage rsultante
Figure 2.10 Problme de dispersion des charges dans la surface du capteur
La prcision de la dtection tant fondamentale pour lapplication qui nous intresse (dtection du
barycentre dune toile), ce point sera particulirement dlicat. En revanche, cette architecture permet
de raliser un effet de binning en lisant sparment chacune des quatre diodes lmentaires
constituant chaque pixel, ce qui augmente la rsolution de limage, et rduit ainsi cet inconvnient.
page 25
Jrme Goy
c. Variation spatiale des rponses

Comme vu dans la partie 2.1.2 B) d. , la diminution de la taille de la photodiode peut entraner des
problmes de bruit spatial, d au fait que les variations de gomtries dune diode lautre deviennent
plus significatives.
d. Utilisation dune technologie spcifique
Le dernier point caractristique de cette architecture est quelle ncessite lemploi dune technologie
de fabrication qui permette la superposition des couches de diffrents dopages P dans le substrat. On ne
pourra probablement pas utiliser pour cela la transition cre par la couche pitaxiale, celle-ci tant
trop profonde et donc moins sensible la lumire (profondeur de pntration de quelques m).
Cette spcificit supprime ainsi le principal atout des capteurs dimages CMOS, qui est li au fait
quils peuvent tre raliss sur une chane de circuits intgrs standard, rduisant ainsi
considrablement le cot et la simplicit de fabrication. Dans notre cas, lobjectif est de ne pas apporter
la moindre modification au procd de fabrication, et cela passe donc par une tude des caractristiques
dune technologie donne, et des limites quelle peut avoir sur le rendement quantique et le gain du
pixel. Cette tude fera lobjet du chapitre suivant de ce rapport.
page 26
Jrme Goy
2.2 Techniques de rduction du bruit dans un capteur APS

Dans la partie prcdente, nous avons tudi les principaux types de pixels CMOS fabriqus
aujourdhui, ainsi que leurs limitations. Bien que des approches originales aient t dveloppes,
larchitecture communment employe, qui intgre le courant photonique dans la capacit parasite de
la photodiode, reste la plus stable et la plus fiable. Cependant, comme on la vu, le principal
inconvnient de cette architecture est son bruit de lecture, d en majeure partie la remise zro du
pixel par le transistor de Reset.
Pour y remdier, plusieurs techniques sont maintenant couramment utilises dans la conception de
capteurs CMOS. Il ne sagit plus cette fois de rduire la valeur du bruit de Reset, mais de limiter son
influence sur la lecture du signal.
2.2.1 Double Echantillonnage Corrl

(Correlated Double Sampling, CDS)
A) Principe
Ce procd consiste ralis deux lecture successives dun mme pixel, pendant une mme lecture
de trame.
une lecture du niveau de Reset, aprs l'ouverture du transistor R
une lecture du niveau du signal, aprs intgration
La soustraction de ces deux niveaux supprime le bruit li la remise zro du pixel, comme illustr cidessous.
offset lors de
louverture de R
Valeur nominale de la tension de Remise zro
bruit kT/C
bruit kT/C
CDS
niveau zro
Tint
ouverture
du transistor
de Reset
1re lecture
2me lecture
trame 1
trame 2
temps d'accs au pixel
Figure 2.11 Double chantillonnage corrl, CDS
page 27
Jrme Goy
Cette technique est base sur le fait que le bruit de lecture en
kT / C int nest prsent que pendant
le temps o le transistor R est ferm. A louverture de celui-ci, la tension de bruit, qui oscille autour de
sa valeur nominale Vreset, est "gele" aux bornes de la capacit dintgration (appel 'niveau zro' dans
la figure prcdente). On a donc aprs louverture un niveau de tension stable, dont la valeur moyenne
est gale (Vreset offset), et dont lcart-type d'une trame une autre est gale kT / C int .
En l'absence de CDS, la valeur du signal aprs l'intgration de la lumire dpendra directement de la
valeur de ce palier. La lecture du pixel aura donc elle aussi un cart-type de kT / C int d'une trame
une autre.
la mthode du CDS, en soustrayant ces deux tensions, limine compltement le bruit de Remise zro
du pixel. On obtient ainsi directement le taux d'illumination du pixel.
On peut remarquer ici que le CDS supprime galement l'offset qui apparat l'ouverture du transistor R.
B) Application, limitations
Bien que trs efficace, cette technique ne peut pas tre utilise dans la majorit des cas, en raison de
la complexit de sa mise en uvre. En effet, pendant le temps d'intgration Tint, le circuit de lecture a
parcouru la matrice entire, et il faut donc que lors de la deuxime lecture d'un pixel, aprs intgration,
il puisse retrouver la valeur de Reset qu'avait ce pixel, afin de faire la soustraction des niveaux.
Pour cela, il faudrait pouvoir stocker les niveaux de Reset de chaque pixel de la matrice. On peut par
exemple concevoir une matrice de points mmoire analogiques de mme taille que le capteur, mais
cette solution parat coteuse en terme de surface et complexe mettre en uvre.
En revanche, la technique du CDS est particulirement adapte aux photoMOS, dont le principe de
fonctionnement repose sur l'intgration des charges sous une grille en polysilicium, puis sur leur
transfert quasi instantan vers le circuit de lecture.
La rapidit de ce transfert permet d'avoir successivement les deux niveaux de tension ncessaires pour
le CDS.
Valeur nominale de la tension de Remise zro
bruit kT/C
bruit kT/C
CDS
niveau zro
Tint
ouverture
du transistor
de Reset
1re lecture
2me lecture
transfert
des charges
trame 1
trame 2
Figure 2.12 Utilisation du CDS avec des matrices de photoMOS
page 28
Jrme Goy
2.2.2 Double Echantillonnage Non Corrl

(Non-Correlated Double Sampling, NCDS)
A) Principe
Le Double Echantillonnage Non Corrl est une alternative au CDS qui peut tre plus facilement
utilisable avec des circuits photodiodes. Il consiste soustraire de la valeur lue en fin d'intgration le
niveau de Reset de la trame suivante.
offset lors de
louverture de R
Ecart entre les deux paliers = 2 kT/C
bruit kT/C
bruit kT/C
NCDS
niveau zro
Tint
ouverture
du transistor
de Reset
1re lecture
trame 1
2me lecture
trame 2
Figure 2.13 Double chantillonnage non corrl, NCDS
Le NCDS soustrait deux niveaux de tension qui ont lieu pendant le temps o le pixel est accd. Il n'y a
donc pas de stockage de tension, et sa mise en uvre s'en trouve ainsi grandement simplifie.
Le palier de Reset n'est pas li au niveau d'illumination lu, mais celui de la trame suivante. On a
ainsi l'effet inverse de celui dsir : puisque les deux tensions ne sont pas corrles, on double en
valeur quadratique le bruit de Reset du pixel au lieu de le supprimer.
Cette technique ne sera utile que pour supprimer l'offset li l'ouverture du transistor R et les offsets
de la chane d'acquisition, mais ne pourra tre employe que si le bruit de lecture est trs faible.
page 29
Jrme Goy
2.2.3 Double Echantillonnage Delta

(Double Delta Sampling, DDS)
A) Principe
Le Double Echantillonnage Delta est une technique destine rduire la dispersion de
caractristiques des amplificateurs de colonne. En effet, on verra par la suite que ceux-ci l'origine de
la majeure partie du bruit spatial.
Le Double Echantillonnage Delta consiste utiliser deux structures identiques qui sont traites de la
mme manire, et mesurer la dispersion du signal en sortie. Il peut tre utilis ainsi soit pour
amliorer la correspondance entre les amplificateurs de colonne et les pixels, soit pour augmenter les
performances de la chane Double Echantillonnage Corrl.
a. Amlioration de la correspondance entre les amplificateurs de colonne et les pixels
Comme on l'a vu dans les exemples prcdents, les architectures de pixels ont le plus souvent un
transistor de transconductance qui permet de convertir la tension de la photodiode en un courant le
long des colonnes de la matrice.
Le rle fondamental des amplificateurs de colonne est alors de reconvertir ce courant en tension afin de
reconstituer le signal du pixel. Cela se fait grce un miroir de courant, et un transistor de
transconductance de mme taille que celui prsent dans les pixels, et qui est utilis comme miroir.
Pixel
Vreset
R
L
VDD
T1
Vpix
S
VSS
Structure identique
colonne
Icol
VDD
M1
Vpix
Vpix
Icol
miroir de
courant
Figure 2.14 Amplificateur de colonne miroir de courant
page 30
Jrme Goy
Le principal problme li cette structure, est que les deux transistors de transconductance T1 et M1
sont de taille minimale, et peuvent tre spars par une distance gale la taille de la matrice de
capteurs. Il est alors trs difficile de les faire se correspondre.
Dans ce cas, la technique du DDS peut tre employe grce un pixel tmoin dont la structure reprend
le plus fidlement possible celle des pixels de la matrice.
Pixel
Vreset
R
L
VDD
T1
Vpix
S
VSS
Mesure de la qualit
de la restitution du
signal
Pixel tmoin
VDD
Tension de
rfrence
T2
S
VDD
M1
Vpix
Vpix
Icol
miroir de
courant
Figure 2.15 Double Echantillonnage Delta pour amliorer la

qualit de la correspondance entre amplificateurs de colonne et pixels
Le niveau relev en sortie lorsque la tension est applique sur le pixel tmoin, sera utilis comme
rfrence de signal pour la mesure.
Le DDS permet ainsi de calibrer l'offset induit par le miroir de courant et par la dispersion des
caractristiques de M1.
Il est noter que cette technique ne sera utile que si l'on a pas employ de CDS ni de NCDS, car dans
ces deux cas de figure l'offset de la chane d'acquisition est dj corrig.
page 31
Jrme Goy
b. Utilisation du DDS dans une chane Double Echantillonnage Corrl ou Non-Corrl

Les chanes Double Echantillonnage Corrl ou Non-Corrl ncessitent le stockage de deux
niveaux de tension pour chaque pixel.
On peut raliser cette opration soit l'intrieur de chaque amplificateur de colonne, soit en sortie de la
matrice.
Nous allons tudier les diffrences entre ces deux techniques.
Echantillonnage et soustraction des niveaux en sortie de la matrice
sig
ref
Sortie unique
multiplexeur
sig2
sig1
sig6
sig4
sig3
sig5
ref2
sig7
ref1
sig8
ref3
ref8
ref6
ref4
ref5
ref7
opration ( sig1 ref1 )
Figure 2.16 Ralisation d'un CDS ou NCDS en sortie de la matrice
Dans une premire phase sig, le niveau de signal de chaque pixel se retrouve en sortie des
amplificateurs de colonne. Le multiplexeur balaye alors ces valeurs.
On applique ensuite une phase ref qui nous donne le niveau de rfrence de chaque pixel. Ces niveaux
sont galement parcourus par le multiplexeur de sortie.
La tension de sortie ainsi obtenue (illustre ci-dessus) est difficilement exploitable, puisqu'il faut alors
soustraire pour chaque pixel son niveau de rfrence de son niveau de signal, qui ne sont pas
successifs.
page 32
Jrme Goy
Echantillonnage des niveaux l'intrieur de chaque amplificateur de colonne
sig
ref
multiplexeur signal
sig2
sig3
Sortie signal
sig6
sig4
sig7
sig5
sig1
sig8
t
opration ( sig1 ref1 )

ref2
multiplexeur rfrence
Sortie rfrence
ref1
ref3
ref8
ref6
ref4
ref5
ref7
t
Figure 2.17 Ralisation d'un CDS ou NCDS l'intrieur de chaque amplificateur de colonne
Les deux niveaux de tension sont stocks dans deux capacits diffrentes prsentes dans chaque
amplificateur de colonne. On a en sortie deux tensions correspondant l'une au signal lu, l'autre au
niveau de rfrence. On peut alors plus facilement raliser la soustraction des deux niveaux de sortie,
puisque ceux-ci sont prsents simultanment.
On voit donc que si l'on veut recourir la technique du CDS ou du NCDS, il sera ncessaire de prvoir
un double systme d'chantillonneur-bloqueur dans chaque amplificateur de colonne.
Les dispersions de caractristiques d'un chantillonneur l'autre peuvent s'avrer critiques pour
l'homognit du circuit.
Le Double Echantillonnage Delta est alors utilis pour court-circuiter les deux capacits et obtenir ainsi
un niveau de rfrence de l'offset induit par les chantillonneurs.
page 33
Jrme Goy
sig
1
Vsig
Csig
DDS
Mesure de l'offset
Cref
1
Vref
ref
Figure 2.18 Double Echantillonnage Delta pour rduire

le bruit induit par la chane Double Echantillonnage Corrl ou Non-Corrl
La technique du Double Echantillonnage Delta ne doit pas tre confondue avec les deux
prcdentes, car elle ne s'applique pas pour rduire le bruit de reset du pixel, mais seulement pour
corriger les offsets induits dans les amplificateurs de colonnes.
Elle ne corrige pas non plus les non-uniformits des gains des amplificateurs de colonne.
Contrairement au CDS et au NCDS, elle corrige le bruit spatial (dispersion des caractristiques sur la
matrice de capteurs) et non le bruit temporel.
page 34
Jrme Goy
2.3 Les pixels couleurs

Bien que l'objectif de cette thse soit la ralisation d'une matrice APS en noir et blanc, il est utile de
rappeler les techniques utilises couramment pour la fabrication de pixels couleurs. On peut ainsi
s'assurer que le capteur fabriqu sera compatible avec elles.
2.3.1 Matrice de filtres couleur

Le procd le plus couramment employe pour les systmes d'imagerie couleur, qu'il s'agisse de
capteurs CCD ou de capteurs CMOS, consiste superposer au capteur monochrome une mosaque de
filtres rouges, verts, et bleus (ou Color Filter Array, CFA), selon le schma ci-dessous.
Figure 2.19 Matrice de filtres RVB pour pixels couleurs : motif de Bayer
Selon cette technique, le quart des pixels est utilis pour capter la composante rouge de limage, un
autre quart dlivre limage bleue, et la moiti restante des pixels dtecte limage verte.
Dans chaque teinte (rouge, vert, et bleu), la valeur des pixels manquants est reconstitue par un
algorithme d'interpolation bas sur l'image partielle obtenue[12].
L'inconvnient li cette technique est la perte d'information lie au fait que chaque pixel est ddi
une composante de couleur unique, et que l'image obtenue dans chaque teinte est partielle.
Un autre problme peut apparatre lorsque l'image capte possde un motif dont la taille est
sensiblement la mme que le motif RVB de la matrice. On voit alors apparatre des couleurs sur
l'image capte qui n'taient pas prsentes sur l'image d'origine. C'est le phnomne de Moir.
Par exemple, supposons que le sujet photographier possde un motif d'alternance de points noirs et
blancs dune taille proche de celle des pixels. L'image rsultante pourra tre vert claire, comme illustr
ci-dessous.
Figure 2.20 Effet de Moir
page 35
Jrme Goy
Figure 2.21 Effet de Moir en pratique
2.3.2 Matrices ddies pour chaque composante de couleur

Une alternative l'utilisation d'une matrice de filtres RVB est de recourir trois matrices de pixels
pour chacune des trois composantes de couleur. Les images sont spares grce un prisme.
Figure 2.22 Utilisation de trois matrices pour chaque composante de couleur
Cette technique supprime le phnomne de Moir et amliore la rsolution de l'image, puisqu'elle ne

ncessite pas d'interpolation, mais en revanche elle requiert trois circuits, ce qui augmente
sensiblement son cot de revient.
2.3.3 Photodiodes sensibles la longueur d'onde

L'utilisation de plusieurs jonctions de profondeurs diffrentes permet de reconnatre la longueur
d'onde de la lumire incidente, en plus de son intensit. On parle alors de dtecteurs BDJ[13][14] (de
langlais Buried Double Junction).
La profondeur de pntration de la lumire dans le silicium dpend de sa longueur d'onde, les
longueurs d'onde faibles (bleu) tant absorbes en surface, et les grandes longueurs d'onde (rouge) tant
absorbes en profondeur. L'utilisation de plusieurs jonctions PN de diffrentes profondeurs permet
donc de reconnatre la longueur d'onde de la lumire incidente, en plus de l'intensit de
celle-ci.
page 36
Jrme Goy
diff. P+
I1
caisson Nsubstrat P-
I2
Figure 2.23 Photodiode sensible la longueur d'onde de la lumire incidente
Dans le cas d'un procd de fabrication standard (contrainte que l'on s'est fixe pour le cadre de cette
thse), les deux jonctions qui peuvent tre superposes sont :
une jonction entre une zone de diffusion P dans un caisson N
courant I1
une jonction entre le caisson N et le substrat de type P
courant I2
Partant de ces deux courants, il est possible de connatre:
l'intensit de la lumire incidente
la longueur d'onde de la lumire incidente si celle-ci est monochromatique.
Dans le cas d'une lumire incidente constitue de plusieurs longueurs d'ondes (comme la lumire
blanche), il nous manque une grandeur pour valuer les trois paramtres fondamentaux :
intensit
teinte
saturation
ou bien la valeur des trois composantes :
rouge
vert
bleu
Il faudrait pour cela pouvoir connatre un troisime courant I3, ce qui implique l'utilisation d'une
troisime jonction PN (Buried Triple Junction, BTJ) qui est incompatible avec une technologie
standard CMOS.
De plus, cette technologie est encore trs dlicate mettre en uvre en raison de sa forte dpendance
vis--vis du coefficient dabsorption du silicium, ainsi que de la variation spatiale des profondeurs des
jonctions.
Pour ces raisons, ce type de photodiode ne pourra pas tre employ l'heure actuelle pour la ralisation
de capteurs APS couleur.
page 37
Jrme Goy
300
Chapitre 3
Etude des dispositifs
photosensibles :
La photodiode
Chapitre 3 Etude des dispositifs photosensibles : la photodiode
page 38
Jrme Goy
3.1 Introduction
On a vu dans le chapitre 2 que l'amlioration des caractristiques du pixel APS passe par un choix et
une caractrisation des diffrents types de capteurs photosensibles ralisables en technologie CMOS.
Pour la fabrication du circuit, nous avons choisi la technologie fournie par Austria Mikro Systeme, car
elle possde les avantages suivants:
bonne tenue aux radiations
possibilit de prototypage et de faible volumes de production
bonnes caractristiques pour la fabrication de circuits analogiques et mixtes
Dans cette technologie, il est possible de raliser trois types de photodiodes, et un phototransistor
MOS.
G
grille SiPoly
N+
P+
N-
dpltion
Nsubstrat P -
photodiode
caisson N
photodiode
diffusion N
photodiode
diffusion P
dans caisson N
photogrille / photoMOS
domaine actif: gnration du courant photonique
Figure 3.1 Capteurs photosensibles ralisables en technologie standard CMOS
Les trois photodiodes sont constitues d'une simple jonction PN dont le champ lectrique interne est
utilis pour sparer les paires lectron-trou cres par la lumire incidente.
La photogrille, ou photoMOS, est base sur le mme principe, mais la jonction PN n'est cette fois pas
cre par des couches de dopages implants, mais par une grille en polysilicium.
Lorsque la grille est soumise une tension leve, une zone d'inversion se cre en dessous d'elle, dont
la largeur dpend de la tension applique. C'est le champ lectrique prsent dans cette zone d'inversion
qui est utilis pour sparer les paires lectron-trou.
VG
VT
Cox
Poly
V1
Oxyde
Eint
e
h+
Semiconducteur
N+
C1
TR
V2
N+
C2
Substrat P
Figure 3.2 Principe de fonctionnement du photoMOS
page 39
Jrme Goy
La tension VT est maintenue constante, environ 3V.

La source du transistor TR est monte en diode flottante. Elle possde une capacit parasite entre la
diffusion et le substrat note C1. Le drain possde une capacit parasite C2.
Lorsque la tension de grille VG passe l'tat haut (+5V), le potentiel V1 de la rgion situe sous la
grille augmente. Il se retrouve alors au dessus de la tension de grille VT : le transistor de transfert TR est
donc bloqu, et la photogrille est ainsi isole du signal de sortie, qui est maintenu stable par la capacit
C2.
Il se forme une zone d'inversion sous le photoMOS, et les lectrons gnrs par la lumire sont alors
stocks sous la grille.
En fin d'intgration, la tension de grille VT passe l'tat bas (0V), ce qui fait baisser brusquement la
tension V1 en dessous du potentiel VT. Le transistor de transfert TR est alors passant. Les charges
cres par la lumire vont ainsi transiter sous ce transistor jusqu' la capacit parasite C2, ce qui a pour
effet d'abaisser le potentiel de celle-ci. C'est cette chute de potentiel qui sera mesure en sortie.
Le transfert de charges se poursuit jusqu' ce que la tension V1 remonte la limite de conduction du
transistor TR.
La profondeur de la zone dpeuple cre sous la grille est donne par la formule :
X depMOS
XdepMOS :
si :
Cox :
VG :
NA :
= Si
C ox
2 VG C ox
1+
1
q Si N A
(3.1)
profondeur de la zone dpeuple d'une structure MOS (m)

permittivit du silicium = 1.04 10-10 F/m 300K
capacit par unit de surface de l'oxyde de grille (F/m2)
tension applique sur la grille (V)
dopage du substrat (m-3)
0,9
Profondeur de la zone dpeuple (m)
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
Tension de grille (V)
Figure 3.3 Variation de la profondeur de la zone dpeuple en fonction de la tension de grille
page 40
Jrme Goy
Un troisime type de capteur photosensible est le phototransistor ( ne pas confondre avec le

photoMOS). Celui-ci amplifie le courant photonique selon le mme principe que le transistor bipolaire,
car il est constitu d'un empilement de couches NPN ou PNP. Le courant gnr dans la base est alors
amplifi d'un coefficient .
anneaux de garde
en diffusion P+
diffusion P+
caisson N-
diffusion P+
caisson N-
B
substrat P-
Oxyde de champ
Si-Poly
zone de charge
d'espace
(a)
substrat P-
(b)
anneaux de garde
en diffusion P+
SiPoly
SiPoly
caisson N-
B
C
substrat P-
(c)
Figure 3.4 Trois types de phototransistors
(a) Phototransistor vertical
(b) Phototransistor vertical avec zone de champ
(c) Phototransistor latral avec/sans anneau de garde
Les tudes portant sur les phototransistors[15] montrent que ceux-ci peuvent atteindre des
rendements quantiques considrables ( de l'ordre de 100 800 fois le rendement de la photodiode)
mais qu'en contrepartie ils souffrent d'un trs fort courant d'obscurit et d'une mauvaise uniformit des
rponses.
Ces deux derniers paramtres tant cruciaux pour notre application, nous avons choisi de rejeter les
phototransistors dans la suite de cette tude.
Rendement
quantique
Courant
d'obscurit
Uniformit
des rponses
Phototransistor latral
39700 %
131 nA/cm
3.26 %
Phototransistor latral avec anneau de garde
12600 %
94 nA/cm
4.11 %
5300 %
25 nA/cm
3.92 %
13600 %
56 nA/cm
2.96 %
50 %
1 nA/cm
0.50 %
Phototransistor vertical
Phototransistor vertical avec zone de champ
Photodiode
Tableau 3.5 Comparaison de caractristiques entre les phototransistors et la photodiode
page 41
Jrme Goy
3.2 Principe de fonctionnement de la photodiode

La photodiode n'a rien dans sa conception de particulier par rapport une diode classique. Il est
ainsi possible de produire des photodiodes partir de n'importe quelle technologie, pour peu qu'on
prenne soin de les dessiner de taille suffisante, et de ne pas les recouvrir de mtal.
On peut cependant recourir des procds de fabrication spcifiques pour augmenter les performances
d'une diode; notamment en largissant la largeur de la zone de charge d'espace. On a alors une diode
PIN (Positif - Intrinsque - Ngatif), dont le rendement est suprieur celui d'une diode classique, et
dont la capacit parasite est rduite.
En l'absence de lumire, une photodiode se comporte comme n'importe quelle autre diode, son courant
variant exponentiellement par rapport la tension ses bornes.
I dark = I S e qV kT 1
(3.2)
Idark : courant d'obscurit de la diode (A)

IS : courant de saturation inverse de la diode (A)
V : tension aux bornes de la diode (V)
La lumire incidente cre des paires lectron-trou qui vont superposer au courant d'obscurit un
courant que l'on appellera "courant photonique", Iph.
I = I dark + I ph
I:
:
= I S e qV kT 1
+ q Ad
(3.3)
courant de la photodiode sous illumination (A)

flux de lumire incident (s-1 m-2)
On a ainsi plusieurs domaines d'utilisation possible de la photodiode :
obscurit
illumination
(1)
courant de saturation
inverse (obscurit)
V
IS
Iph
Iph
tension de
circuit ouvert
(2)
(3)
courant de saturation
inverse (illumination)
courant de
court-circuit
Figure 3.6 Domaines d'utilisation de la photodiode

(1) : mode direct
(2) : mode gnrateur de courant / tension
(3) : mode inverse
page 42
Jrme Goy
On utilise trs peu le mode direct, puisque la diffrence des caractristiques entre l'obscurit et
l'illumination est trs peu marque.
Le mode gnrateur de courant / tension peut tre utilis par exemple pour la fabrication de piles
photovoltaques.
On se basera ici sur le troisime domaine d'utilisation, le mode inverse, qui est le domaine o la
mesure de l'illumination reue par la diode est la plus aise. Dans ce mode, le courant est trs peu
fonction de la tension aux bornes de la diode, et sa valeur est directement proportionnelle l'intensit
de la lumire incidente. Les principaux problmes de cette utilisation sont lis au fait que les courants
mesurer sont trs faibles (de l'ordre du pico-Ampre, voire du femto-Ampre), et que le courant
d'obscurit de la diode perturbe la mesure.
Nous allons maintenant caractriser les diffrents phnomnes qui se droulent lors de l'illumination
d'une jonction PN. Ceux-ci sont :
l'absorption de la lumire dans le silicium
le taux de cration de paires lectrons-trous par chaque photon absorb
la capacit de la jonction PN sparer les paires lectrons-trous cres, ce qui induit le courant
photonique
3.2.1 Le coefficient d'absorption de la lumire par le silicium

Le coefficient d'absorption reprsente la fraction du flux lumineux incident qui sera absorbe par le
silicium, par unit de profondeur.
(x) (x+dx)
abs(x,dx)
profondeur
x x+dx
Figure 3.7 Absorption de la lumire dans un matriau
A l'intrieur d'une rgion troite note ( x, x+dx ), une proportion dx du flux lumineux (x) qui sera
parvenu cette profondeur sera absorbe.
abs ( x , dx ) = dx ( x )
abs(x,dx) :
(x) :
0 :
:
(3.4)
flux lumineux absorb une profondeur x, et sur une largeur dx (s-1 m-2)
flux lumineux prsent une profondeur x (s-1 m-2)
flux lumineux sous la surface (x = 0) (s-1 m-2)
coefficient d'absorption de la lumire (m-1)
En consquence, le flux lumineux (x+dx) qui se retrouve la profondeur x+dx sera gal :
( x + dx ) = ( x ) abs ( x , dx ) = ( x ) dx ( x ) = ( x ) (1 dx )
(3.5)
page 43
Jrme Goy
En rsolvant cette quation, on trouve :

( x ) = 0 e x
(3.6)
L'absorption de la lumire dans un matriau suit donc une loi exponentielle.

Les figures suivantes illustrent la valeur du coefficient d'absorption du silicium en fonction de la
longueur d'onde de la lumire incidente[16].
1e+7
Coefficient d'absorption (cm-1)
1e+6
1e+5
1e+4
1e+3
1e+2
1e+1
0,001
0,01
0,1
Lambda (m)
1e+6
Coefficient d'absorption (cm-1)
1e+5
1e+4
1e+3
1e+2
1e+1
1e+0
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
Figure 3.8 Coefficient d'absorption de la lumire par le silicium intrinsque

haut : dans l'ultraviolet
bas : dans le visible et le proche infrarouge
page 44
Jrme Goy
3.2.2 Le taux de cration de paires lectrons-trous

Les graphes prcdents ne sont valables que pour le silicium intrinsque. Dans le cas du silicium
dop, il faudra tenir compte d'une composante d'absorption lie au fait que certains photons sont
absorbs sans crer de paire lectron-trou.
Cette composante est proportionnelle la concentration de porteurs libres dans le silicium, et varie en
fonction de l'nergie lumineuse selon la formule (valable temprature ambiante) :
2
q
0 = 7,4 10 22
nd
h c
0 :
:
h:
c:
nd :
(3.7)
coefficient d'absorption des photons qui ne crent pas de paire lectron-trou (m-1)
longueur d'onde de la lumire incidente (m)
constante de Planck = 6.625 10-34 J s
vitesse de la lumire = 3 108 m/s
concentration de porteurs libres (m-3)
Ainsi, dans les formules (3.4), (3.5), et (3.6), il convient de remplacer la valeur de par ( + 0), o
reprsente le coefficient d'absorption des photons crant une paire lectron-trou, et 0 le coefficient
d'absorption des photons ne crant pas de paire lectron-trou.
La figure 3.7 devient donc :
photons absorbs ne crant pas de paire e-/h+
0.e-(+0)x
0
photons absorbs crant une paire e-/h+
0.e-x
profondeur
Figure 3.9 Absorption de la lumire dans le silicium dop
En plus de ce phnomne, il peut se produire dans le cas de particules de grande nergie, soit de
faible longueur d'onde, une cration de paires supplmentaires de porteurs libres par un effet de
cascade d'ionisations.
On notera cet effet (1+), reprsentant le taux de cration de paires supplmentaires de porteurs
libres.
page 45
Jrme Goy
= 20%
1,2
Taux de cration de paires e-/h+
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0,25
0,35
0,45
0,55
0,65
0,75
0,85
0,95
1,05
Lambda (m)
Figure 3.10 Taux de cration de paires supplmentaires d'e-/h+ par des photons de grande nergie
On note que cet effet n'est significatif que pour < 0.35m et qu'il est ngligeable dans le visible,
domaine qui nous intresse ici.
La combinaison de ces deux effets nous permet de formuler le rendement de cration de paires de
porteurs libres par photon :

cr = (1 + )
(3.8)
cr : rendement de cration de paire e-/h+ par photon absorb
Taux de cration de paires e-/h+
1,0
0,8
1e+17 cm-3
0,6
1e+18 cm-3
1e+19 cm-3
1e+20 cm-3
0,4
0,2
0,0
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
Figure 3.11 Rendement de cration de paires e-/h+ par photon,

en fonction de la concentration en porteurs libres du silicium
page 46
Jrme Goy
Lorsque l'nergie des photons reus devient infrieure la bande de valence du silicium
(Eg = 1.12eV, soit > 1.1m), ceux-ci ne peuvent plus crer de porteurs libres, et le rendement cr
devient nul.
Les capteurs photosensibles base de silicium ne pourront donc tre sensible qu'au proche infrarouge.
Pour des longueurs d'ondes plus grandes, il faudra recourir d'autres matriaux (SiGe, InSb ).
3.2.3 Le rendement quantique

Le rendement quantique reprsente la capacit de la structure sparer les paires lectrons-trous
cres par les photons, afin qu'elles contribuent au courant de la photodiode. On utilise pour cela le
champ lectrique d'une jonction PN.
On prend comme exemple ici le cas d'une jonction entre une zone de diffusion N et le substrat de type
P. Cette jonction est constitue de trois zones de dopages diffrents:
la diffusion N, fortement dope (1020 atomes/cm3)
la zone de charge d'espace, dpourvue de porteurs libres
le substrat P, faiblement dop (1017 atomes/cm3)
Comme on l'a vu dans la partie prcdente, la concentration des porteurs libres dtermine la valeur du
coefficient d'absorption. On a donc ainsi une succession de trois coefficients d'absorption diffrents.
On note :
xN :
xP :
w:
:
N :
P :
0 :
1 :
2 :
largeur de la zone N (sans prendre en compte la largeur de la ZCE) (m)

largeur de la zone P (sans prendre en compte la largeur de la ZCE) (m)
largeur de la ZCE (m)
coefficient d'absorption de la ZCE (considr comme du silicium intrinsque) (m-1)
coefficient d'absorption de la zone N = + 0N (m-1)
coefficient d'absorption de la zone P = + 0P (m-1)
flux en surface (s-1 m-2)
flux pntrant dans la ZCE (s-1 m-2)
flux pntrant dans la zone P (s-1 m-2)
1 = 0 e N x N
2 = 0 e ( N x N + w )
0 e N x
0
1 e x
xN
2 e P x
xN+w
xN+w+xP
profondeur
Figure 3.12 Illustration de la succession des coefficients d'absorption dans la jonction PN
page 47
Jrme Goy
A l'intrieur de la zone de charge d'espace de la jonction, on peut considrer que tous les porteurs libres
crs sont spars. On a donc un rendement quantique directement proportionnel au flux absorb dans
cette rgion.
Dans les zones N et P, la cration d'lectrons et de trous va dsquilibrer la relation entre porteurs
minoritaires et majoritaires, et de ce fait les porteurs minoritaires de chaque rgion vont diffuser vers le
bas. On a donc une composante du courant photonique qui sera due aux trous dans la zone N, et aux
lectrons dans la zone P. Cette diffusion sera fortement dpendante de la dure de vie des porteurs
minoritaires de chaque rgion.
Iph
Idark
diffusion h+
N+
Eint
e-
gnration e / h+
ZCE
h+
diffusion e
Figure 3.13 Phnomnes contribuant au courant photonique dans une photodiode
Le rendement quantique de la photodiode se calcule par les formules suivantes[17] :

= ZCE + ( cr N N ) + (cr P P )
ZCE = (1 r ) e N x N 1 e w
L ( + N L h ) e N x N [sh ( x N L h ) + 1 ch ( x N L h )]
N = (1 r ) 2 N 2 h 1
N L h e N x N
ch ( x N L h ) + 1 sh ( x N L h )
N L h 1
(3.9)
(3.9 a)
(3.9 b)
L ( P L e ) e P x P [sh ( x P L e ) + 2 ch ( x P L e )]
P = (1 r ) e ( N x N + w ) 2 P 2 e 2
+ P L e (3.9 c)
ch ( x P L e ) + 2 sh ( x P L e )
P L e 1
page 48
Jrme Goy
Avec:
N = + 0N
1 = s1
Lh
Dh
P = + 0P
2 = s2
Le
De
(3.9 d)
(3.9 e)
Lh = Dh h
L e = D e e
(3.9 f)
k T
h
D h =
q
kT
e
D e =
q
(3.9 g)
rendement quantique dans la ZCE du au champ lectrique interne

ZCE :
rendement quantique dans la rgion N du la diffusion des trous
N :
rendement quantique dans la rgion P du la diffusion des lectrons
P :
cr N, cr P : rendement de cration de paires e-/h+ par un photon en rgion N / P (cf. equ. 3.8)
r:
coefficient de rflexion du flux lumineux la surface de la structure
0N, 0P : coefficient d'absorption de la rgion N / P ne crant pas de paire e-/h+ (cf. equ. 3.7) (m-1)
s1 , s2 :
vitesse de recombinaison des trous en surface / des lectrons en face arrire (m/s)
longueur de diffusion des porteurs minoritaires (trous en rgion N, lectrons en rgion P) (m)
Lh, Le :
Dh, De :
coefficient de diffusion des porteurs minoritaires (trous en rgion N, lectrons en rgion P) (m/s)
temps de vie des trous en rgion N / des lectrons en rgion P (s)
h, e:
mobilit des trous en rgion N / des lectrons en rgion P (m/V s)
h, e:
Dans l'quation de N, le terme (1 r ) reprsente la quantit de flux lumineux pntrant sous la
surface. Le coefficient de rflexion r changera la valeur absolue du rendement quantique sur tout le
spectre, mais n'affectera pas la forme de la courbe (on considre que r() = constante). Pour le rduire,
on peut recourir des traitements de surface sur la couche de passivation du circuit.
Dans l'quation de ZCE, le terme (1 r ) e N x N reprsente la quantit de flux lumineux pntrant dans
la zone de charge d'espace.
Dans l'quation de P, le terme (1 r ) e ( N x N + w ) reprsente la quantit de flux lumineux pntrant
dans la zone P (cf. figure 3.12).
La dures de vie des porteurs minoritaires est donn dans l'abaque suivante. Cependant, ce paramtre
est trs significatif pour le calcul du rendement quantique de la photodiode, et il sera utile de le
caractriser pour la technologie employe[17][18].
page 49
Jrme Goy
Dure de vie des porteurs libres (s)
1e-5
1e-6
1e-7
lectrons
trous
1e-8
1e-9
1e-10
1e+14
1e+15
1e+16
1e+17
1e+18
1e+19
1e+20
Dopage (cm-3)
Figure 3.14 Dure de vie des porteurs libres
Mobilit (cm/V.s)
10000
1000
lectrons
trous
100
10
1e+14
1e+15
1e+16
1e+17
1e+18
1e+19
1e+20
Dopage (cm-3)
Figure 3.15 Mobilit des porteurs libres
Dans l'quation du rendement quantique, il n'y a donc que le coefficient de rflexion de la lumire en
surface r qui soit inconnu, ainsi que les vitesses de recombinaison en surface (s1) et en face arrire (s2).
Pour les calculs de la partie suivante, on a pris :
r = 0.5
s1, s2 variant de 0 1010 m/s
page 50
Jrme Goy
3.3 Simulation et calcul des paramtres caractristiques

de la photodiode
3.3.1 Logiciel de calcul et de gestion des donnes
Pour tenter de prvoir le comportement du circuit que l'on va raliser, nous avons simul les
quations dcrites dans les parties prcdentes grce au logiciel Matlab.
La complexit de certains calculs nous a amen concevoir un systme de gestion de donnes, qui
combine les quations les unes par rapport aux autres, et qui permet de savoir quels paramtres sont
incalculables, faute de donnes suffisantes.
Pour cela, l'ensemble des fonctions concernant la physique des composants semi-conducteurs a t
transcrit en une librairie Matlab. Un fichier technologique nous permet de renseigner les
caractristiques de la fonderie (dopages, profondeurs des couches, ), ainsi que les donnes
concernant le circuit (temprature d'utilisation, surface de la diode, ), et partant de l, un programme
recherche l'ensemble des paramtres dont la valeur peut tre connue. On peut ensuite faire varier
n'importe quelle(s) donne(s) pour tracer des courbes simples, ou paramtriques.
librairie
qu. de physique des
semi-conducteurs
fichier technologique
+
donnes sur le circuit
Evaluation des paramtres

Utilise les paramtres technologiques
si ceux-ci sont connus,
les fonctions de physique des
semi-conducteur sinon
Paramtres
connus
Paramtres
inconnus
choix du paramtre
utilis comme
abscisse du graphe
x = ....
t = ....
0,50
0,45
0,40
sortie
graphique
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Figure 3.16 Organigramme du logiciel de calcul

page 51
Jrme Goy
L'exemple ci-dessous illustre le fonctionnement du logiciel pour le calcul d'une concentration de

porteurs minoritaires (nnP = concentration d'lectrons dans la rgion P, npN = concentration de trous
dans la rgion N).
fichier technologique
+
donnes sur le circuit
librairie
qu. de physique des
semi-conducteurs
ni = Nc N v e
ND = 1e21
Eg
2 kT
n i2
ND
n2
= i
NA
n pN =
T = 300
n nP
ND = 1e20
NA = ???
T = 300
ni = 1.45e10
npN = 210
nnP = ???
Paramtres connus
Paramtres inconnus
ND = 1e20
T = 300
ni = 1.45e10
npN = 210
T=x
NA
nnP
choix du paramtre
utilis comme
abscisse du graphe
100000
10000
1000
100
sortie
graphique
10
1
0,1
0,01
250
300
350
Figure 3.17 Exemple de fonctionnement du logiciel de calcul
Le fichier technologique nous donne le dopage de la rgion N : ND = 1021 atomes/cm-3, ainsi que la
temprature typique d'utilisation : T = 300K.
Les quations de physique nous permettent de calculer la valeur de la concentration intrinsque ni du
silicium, et les concentrations de porteurs minoritaires en fonction du dopage.
A partir de ces fichiers, le programme value les paramtres :
ND : donn dans le fichier technologique
NA : n'est pas dans le fichier technologique il n'y a pas de formule pour le calculer valeur inconnue
T : donn dans le fichier technologique
ni : n'est pas dans le fichier technologique calcul partir de la formule, connaissant T
npN : n'est pas dans le fichier technologique calcul partir de la formule, connaissant ni, ND
npN : n'est pas dans le fichier technologique on ne connat pas la valeur de NA pour le calcul
valeur inconnue
page 52
Jrme Goy
Une fois que l'organisation des fonctions est dfinie, on peut choisir de faire varier une donne
(T = x), ce qui fait varier la valeur de ni, et donc celle de nnP. On peut alors tracer le graphique de nnP
en fonction de T.
3.3.2 Rendement quantique des trois types de photodiodes

Comme on la vu dans la partie 3.2.3 , le rendement quantique est fonction de trois composantes : le
courant de diffusion des trous dans la rgion N, la gnration et la sparation des paires lectrons-trous
dans la zone de charge d'espace, et le courant de diffusion des lectrons dans la rgion P.
Nous avons simul ces trois composantes pour une jonction PN cre partir d'une zone de diffusion
N (fort dopage, faible profondeur) sur le substrat de type P.
0,50
0,45
Rendement quantique
0,40
0,35
0,30
Region N
Region P
0,25
ZCE
Total
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
Figure 3.18 Rendements des trois rgions de la jonction PN
Contrairement l'ide gnralement acquise que le rendement quantique se passe essentiellement

dans la zone de charge d'espace, on s'aperoit ici que le rendement est situ principalement dans la
rgion P, du fait que celle-ci occupe la majeure partie de la profondeur de la diode.
Lorsque la longueur d'onde de la lumire incidente est faible ( < 0.5m), le coefficient d'absorption
est trs lev, et tous les photons sont absorbs en surface, dans la rgion N. La lumire ne parvient pas
suffisamment profondment pour que le rendement de la zone P et de la ZCE soit significatif.
A l'inverse, lorsque la longueur d'onde est trop grande ( > 0.9m), les paires lectrons-trous sont
cres trop profondment pour pouvoir influencer le courant photonique.
Le comportement de la photodiode sera donc trs fortement fonction des largeurs de chaque couche,
comme illustr dans les figures suivantes.
page 53
Jrme Goy
0,50
0,45
Rendement quantique
0,40
0,35
Prof. = 0,1 m
Prof. = 0,3 m
0,30
Prof. = 1 m
Prof. = 3 m
0,25
Prof. = 10 m
Prof. = 30 m
0,20
Prof. = 100 m
0,15
0,10
0,05
0,00
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
Figure 3.19 Influence de la profondeur de la zone de charge d'espace sur le rendement quantique
Plus les rgions se trouvent prs de la surface, plus la photodiode sera sensible aux longueurs d'ondes
courtes, de grande nergie.
Pour amliorer les caractristiques en ce qui concerne les grandes longueurs d'ondes, absorbes en
profondeur, il faut que la zone de charge d'espace soit la plus large possible, afin de s'assurer que les
paires lectrons-trous gnres en profondeur participent galement au courant photonique.
0,50
0,45
Rendement quantique
0,40
0,35
Larg. = 0,1 m
Larg. = 0,3 m
0,30
Larg. = 1 m
Larg. = 3 m
0,25
Larg. = 10 m
Larg. = 30 m
0,20
Larg. = 100 m
0,15
0,10
0,05
0,00
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
Figure 3.20 Influence de la largeur de la zone de charge d'espace sur le rendement quantique
Le rendement quantique d'une photodiode sera amlior lorsque la zone de charge d'espace de la
jonction PN sera le plus proche de la surface (longueurs d'ondes courtes) et la plus large possible
(longueurs d'onde longues).
page 54
Jrme Goy
Partant de ces constatations, on peut simuler le comportement des photodiodes que l'on peut raliser
en technologie standard CMOS.
Pour obtenir le graphe suivant, on s'est fix :
r (coefficient de rflexion en surface) = 0.5
s1 = s2 (vitesses de recombinaison, inconnues) = s variant de 0 1010 m/s.
0,50
0,45
Rendement quantique
0,40
0,35
Diff. N , s = 0
0,30
Diff. N , s = 1e10
Caisson N , s = 0
0,25
Caisson N , s = 1e10
Diff. P , s = 0
0,20
Diff. P , s = 1e10
0,15
0,10
0,05
0,00
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,1
Lambda (m)
Figure 3.21 Rendement quantique des trois photodiodes ralisables en technologie CMOS standard
Les meilleurs rsultats sont obtenus pour les diodes N (diffusion N ou caisson N) sur substrat P. La
diode constitue de diffusion P sur un caisson N possde un comportement moins bon partir de
> 0.6m , car alors les photons sont absorbs dans le substrat, en dessous du caisson N, et ne peuvent
alors plus influencer le courant de la photodiode.
Le rendement de la photodiode cre par un caisson N sur substrat P est trs dpendant de la valeur
de la vitesse de recombinaison en surface des porteurs minoritaires. En effet, du fait que le caisson est
trs peu dop (31016 atomes/cm3 au lieu de 1020 atomes/cm3 pour la diffusion), sa longueur de
diffusion est trs grande, et donc son rendement quantique dans la zone N sera plus significatif que
celui de la diode diffusion, pour peu que sa vitesse de recombinaison soit faible.
Si sa vitesse de recombinaison est grande (s = 1010 m/s), le dnominateur de l'quation (3.9 b) est
prdominant, et le rendement quantique diminue.
On choisira de prfrence pour la conception de notre matrice de capteurs une photodiode caisson N
ou diffusion N.
page 55
Jrme Goy
3.3.3 Capacit parasite de la jonction PN

Afin d'augmenter le facteur de conversion du pixel, et de rduire son bruit de remise zro, il est
ncessaire que la capacit parasite de la jonction PN de la diode, aux bornes de laquelle seront stockes
les charges gnres par la lumire, soit la plus faible possible.
La valeur de la capacit d'une jonction PN est donne par l'quation (2.2).
Elle sera fortement dpendante des dopages de chaque rgion, qui modifient la largeur de la ZCE.
160
140
Capacit (fF)
120
100
80
60
40
20
0
1e+15
1e+16
1e+17
1e+18
1e+19
1e+20
Dopage (atomes/cm3)
Figure 3.22 Variation de la capacit parasite d'une jonction PN en fonction du dopage ND

On s'est fix NA = 7 1016 atomes/cm3 , Ad = 30m20m
On peut donc s'attendre ce que la capacit de la diode caisson N (faiblement dope) soit infrieure
celle des diodes base de diffusion.
Pour estimer la variation de la valeur de la capacit en fonction de la tension ses bornes, qui
dterminera la linarit du pixel (voir section 2.1.1 B) c. ), on a trac le graphe suivant :
page 56
Jrme Goy
300
250
Capacit (fF)
200
Diff. N
Caisson N
150
Diff. P
100
50
0
1
1,5
2,5
3,5
4,5
Tension inverse aux bornes de la diode (V)
Figure 3.23 Variation des capacits parasites des trois photodiodes en fonction de la tension leur bornes
Ad = 30m20m
Les valeurs de linarit et de bruit issu de ces mesures sont donnes dans le tableau ci-dessous :
Diffusion N sur substrat P

Caisson N sur substrat P
Diffusion P sur substrat N
Capacit d'une
diode 30m20m
sous 3 Volts
Bruit de
remise zro
= KT/CP
Facteur de
conversion
= q/CP
Variation selon la tension

ses bornes
= (CP(1V)CP(5V)) / CP(3V)
146 fF
153 e- rms
1.1 V/e-
34 %
51 fF
91 e- rms
3.1 V/e-
34 %
207 fF
183 e- rms
0.77 V/e-
36 %
Tableau 3.24 Comparaison des capacits parasites de chaque photodiode
Bien que la diode caisson N aie une capacit trs infrieure aux autres diodes, celle-ci reste
cependant trop leve pour nous permettre d'atteindre l'objectif de 50 e- rms que l'on s'est fix.
Pour cela, il faut soit diminuer la surface de la diode, soit recourir une architecture permettant
d'intgrer les charges gnres par la lumire dans une capacit autre que celle de la photodiode.
Ces deux solutions seront approfondies et ralises dans la suite de cette tude.
page 57
Jrme Goy
3.3.4 Courant d'obscurit

Plusieurs mcanismes physiques interviennent dans le calcul du courant d'obscurit d'une
photodiode, et sont le plus souvent trs difficile dterminer. Parmi ceux-ci, on peut citer :
la diffusion des porteurs minoritaires dans les rgion P et N
la gnration-recombinaison dans la zone de dpltion
l'effet tunnel de bande bande
la gnration de courant en surface du aux effets de surface
La diode tant polarise en rgime de forte inversion, son courant d'obscurit est environ gal au
courant de saturation inverse.
Le courant de saturation inverse cr par la diffusion des porteurs minoritaires s'crit :
q D h n pN sh ( x N / L h ) + 1 ch ( x N / L h ) q D e n nP sh ( x P / L e ) + 2 ch ( x P / L e )
I Sd = A d
Lh
ch ( x N / L h ) + 1 sh ( x N / L h )
Le
ch ( x P / L e ) + 2 sh ( x P / L e )
ISd :
npN :
nnP :
(3.10)
courant de saturation inverse de la diode du la diffusion des porteurs minoritaires

dans les zones N et P (A)
concentration des trous libres dans la rgion N (m-3)
concentration des lectrons libres dans la rgion P (m-3)
On obtient le graphe suivant, donnant le courant de diffusion en fonction de la temprature :

1000
Courant d'obscurit (fA)
100
10
Diff. N
Caisson N
Diff. P
1
0,1
0,01
-20
-10
10
20
30
40
50
Temprature (C)
Figure 3.25 Variation du courant d'obscurit des trois photodiodes en fonction de la temprature
Ad = 30m20m
On voit ici que la valeur du courant d'obscurit est sensiblement la mme quelle que soit le type de
diode, et qu'il dpend fortement de la temprature (doublement de sa valeur tous les 5C environ).
La valeur du courant d'obscurit ne sera donc pas un critre significatif dans le choix du type de
photodiode.
page 58
Jrme Goy
3.4 Mesure exprimentale du rendement quantique des

photodiodes
Bien que l'outil de calcul que l'on aie dvelopp nous donne une ide assez fidle des trois
paramtres fondamentaux de la photodiode (rendement quantique, capacit parasite, et courant
d'obscurit), il est ncessaire de compter ces calculs thoriques par une approche exprimentale.
Pour cela, nous avons fabriqu un circuit de test avec la fonderie Austria Mikro Systeme, en
technologie 0.8m, double mtal, double poly.
Cette technologie nous offre lavantage de pouvoir raliser des prototypes faible cot tout en ayant la
possibilit de rduire les rgles de dessin 0.6m, voire 0.35m. Elle a en outre t caractrise pour
un endurcissement aux radiations par le choix de structures de dessin appropries[19].
3.4.1 Description du circuit intgr

Le circuit de mesure des photodiodes contient des matrices de 2 2 photodiodes de taille
20m 20m, et 40m 40m. Pour une meilleure homognit du circuit, chaque matrice de 2 2
photodiodes est place au centre d'une matrice 44 dans laquelle les diodes de priphrie sont
court-circuites la masse ou VDD.
Chaque photodiode est relie un plot d'entre-sortie ne contenant aucune protection contre les
dcharges lectrostatiques, et aucune rsistance srie, afin de perturber le moins possible la mesure.
diodes
diff.N/sub.P
diodes
caiss.N/sub.P
diodes
diff.P/caiss.N
diodes 40 40 m
plots I/O
diodes 20 20 m
plots I/O
Figure 3.26 Circuit de caractrisation des photodiodes
page 59
Jrme Goy
3.4.2 Calibration de la source de lumire

La prcision de la mesure sera essentiellement fonction de la qualit de la source lumineuse. On
cherche obtenir une source :
monochromatique
homogne sur toute la surface occupe par les photodiodes
directive
Pour cela, nous avons disposition plusieurs types de sources lumineuses :
le laser : trs directif et trs monochromatique, mais peu homogne, surtout compte-tenu des
surfaces importantes requises par le circuit
les diodes lectroluminescentes : monochromatiques, mais peu puissantes et peu directives. De
plus, la gamme des longueurs d'ondes n'est pas toujours complte.
la lampe filament : lumire blanche puissante, non-directive, mais relativement homogne.
Dans l'application qui nous intresse, il est apparu que la lampe filament tait le meilleur compromis,
mais ses caractristiques doivent tre amliores de la manire suivante :
la directivit est obtenue en faisant passer la lumire travers deux plaques perces d'un trou dont le
diamtre est trs infrieur la distance qui les spare.
pour obtenir une lumire monochromatique et amliorer l'homognit, on place un filtre et un
diffuseur prs de la source.
cache = 3mm
cache = 3mm
support
filtre
circuit
diffuseur
source de
lumire
30 cm
Figure 3.27 Banc de mesure
Afin de connatre avec prcision l'intensit de la lumire la surface du capteur, on a utilis une
camra scientifique calibre Princeton Instruments TE/CCD 512 TKBM, place la place du circuit.
On vrifie ainsi que l'image capte est bien homogne sur l'ensemble de la surface o sont places les
photodiodes de test.
Les mesures sont effectues avec cinq filtres aux longueurs d'ondes de 532, 610, 750, 850, et 950 nm,
et pour trois valeurs du flux lumineux. Le rendement est calcul sur la moyenne de ces trois flux.
Flux 1 (ph/s/m)
532 nm
3.0 1018
610 nm
3.5 1018
750 nm
4.2 1018
850 nm
9.6 1018
950 nm
10.8 101
8
Flux 2 (ph/s/m)
4.5 1018
5.2 1018
Flux 3 (ph/s/m)
18
18
6.0 10
6.9 10
12.7 101
19.2 101
16.1 101
21.5 101
21.2 10
28.9 10
page 60
Jrme Goy
8
Tableau 3.28 Flux de lumire utiliss pour la mesure du rendement quantique
page 61
Jrme Goy
Figure 3.29 Image obtenue par la camra CCD de calibration de la source lumineuse
3.4.3 Mthode de mesure

Les appareils de mesure conventionnels ne sont pas assez prcis pour capter les courants trs faibles
issus des photodiodes (de l'ordre du nano-Ampre).
On mesure ce courant grce au circuit externe suivant :
plot d'entre-sortie
CIO
,
Cd
Csuiv
Id
AmpliOP suiveur
f = 10 Hz
Cmes
Vd
Oscilloscope
VDC
CIO
Figure 3.30 Schma de mesure du courant de diode
Lorsque l'interrupteur est ferm, la tension VDC se retrouve aux bornes de la capacit de mesure, de
valeur 100pF. A l'ouverture, cette capacit est dcharge par le courant issu de la photodiode selon la
formule :
I d = (C mes + C IO + C suiv + C d )
Id :
Cmes :
CIO :
Csuiv :
Cd :
V :
t :
V
t
(3.11)
courant issu de la diode (A)

capacit externe place aux bornes de la diode (F)
capacit induite par les plots d'entre-sortie et par les pistes de la carte de mesure (F)
capacit d'entre de l'amplificateur oprationnel mont en suiveur (F)
capacit parasite de la jonction PN (F)
variation de tension observe l'oscilloscope pendant un temps t (V)
dure pendant laquelle l'interrupteur est ouvert (demi priode) (s)
page 62
Jrme Goy
La valeur de la capacit d'intgration (Cmes + CIO Csuiv + Cd) est obtenue sous obscurit (avec un
courant de diode ngligeable) et en plaant une rsistance de forte valeur (1M) en parallle de la
diode, selon le schma :
CIO
Cd
AmpliOP suiveur
Csuiv
Id
f = 10 Hz
Cmes
Oscilloscope
Vd
VDC
CIO
Figure 3.31 Mesure de la valeur de la capacit d'intgration
Lors de l'ouverture de l'interrupteur, la tension V se dcharge ave la constante de temps :

= (Cmes + CIO + Csuiv + Cd) R
On mesure ainsi la valeur du paramtre (Cmes + CIO + Csuiv + Cd) = 180pF.
3.4.4 Mesure des rendements quantiques

La valeur du rendement de chaque diode est obtenue par l'quation :
(C mes + C IO + C suiv + C d )
=
nb e / s / m
=
V
1
t surf . diodes
(3.12)
On obtient les valeurs suivantes :

diode
Photodiode N+/PPhotodiode N-/PPhotodiode P+/N-
532 nm
610 nm
750 nm
850 nm
950 nm
30%
37%
5%
29%
35%
2%
22%
14%
1%
11%
10%
0%
36%
42%
8%
Tableau 3.32 Rendements quantiques mesurs
page 63
Jrme Goy
0,50
Rendement quantique
0,40
0,30
Diff. N
Caisson N
Diff. P
0,20
0,10
0,00
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
Lambda (m)
Figure 3.33 Rendements quantiques mesurs en fonction de la longueur d'onde
On observe que la forme des courbes obtenues par rsultat exprimental correspond bien aux calculs
thoriques, comme montr dans la figure 3.21, savoir que :
le rendement de la diode P est infrieur ceux des diodes N, du fait qu'elle est contenue dans un
caisson N de faible profondeur, et qu'elle ne peut donc pas capter les longueurs d'ondes trop
grandes, qui sont absorbes sous le caisson.
les rendements des diodes N est relativement stable entre 0.5 m et 0.75 m, puis commence
chuter partir de 0.8 m, zone pour laquelle les photons sont capts dans de grandes profondeurs
( > 10 m), et dont les paires lectrons-trous cres ne peuvent plus diffuser suffisamment vers la
zone de charge d'espace.
le rendement de la photodiode caisson N est lgrement meilleur que celui de la photodiode
diffusion N, pour des vitesses de recombinaisons faibles, du fait que le caisson est faiblement
dop, et donc que sa zone de charge d'espace est plus grande.
3.4.5 Mesure des capacits parasites et des courants d'obscurit

En utilisant les montages des figures 3.30 et 3.31, on a cherch mesurer les deux autres paramtres
fondamentaux des photodiodes, mais cette mesure s'est avre impossible raliser en raison de la
prcision limite par le fait que les lments de mesure (capacit Cmes, amplificateur oprationnel
suiveur, ) sont monts en externe.
La valeur trop importante des capacits parasites du montage (80 pF) rend ngligeable les capacits
parasites des photodiodes qui s'y ajoutent ( de l'ordre d'une centaine de femto-Farads).
De plus, les courants de fuite des lments et de la carte limitent la prcision de mesure des courants
au dixime de nano-Ampre, tandis que les courants d'obscurit que l'on cherche caractriser sont de
l'ordre du dixime de pico-Ampre.
Pour connatre ces deux paramtres fondamentaux, il a donc fallu concevoir un nouveau circuit de
mesure, dans lequel tous les lments ncessaires sont intgrs.
page 64
Jrme Goy
3.5 Mesure exprimentale des capacits et des courants

d'obscurit des photodiodes
Ce deuxime circuit a pour but de complter les rsultats obtenus par le premier circuit fabriqu, qui
n'tait pas suffisamment prcis pour les mesures de capacits parasites et de courants d'obscurit.
3.5.1 Description du circuit intgr

Comme dans la premire version du circuit de caractrisation des photodiodes, on a intgr dans ce
circuit des matrices de 6 6 diodes dont les diodes de priphrie sont court-circuites VSS ou
VDD.
Les mesures sont effectues sur chacune des quatre colonnes de chaque matrice, dans lesquelles les
diodes sont relies entre elles, ce qui nous permet d'obtenir la valeur moyenne de la capacit et du
courant d'obscurit de chaque colonne, et d'augmenter ainsi la prcision de la mesure.
diodes de
priphrie
diode 1
diode 3
diode 2
diode 4
Figure 3.34 Matrices de photodiodes
On a choisi d'utiliser dans cette version des diodes de grande surface (40m 40m, et 80m
80m), ce qui minimise l'influence des capacits parasites et des courants d'obscurits induits par
l'lectronique de mesure.
On a galement ajout ici des matrices de photoMOS, qui nous permettront de comparer ses
caractristiques celles des photodiodes.
page 65
Jrme Goy
photodiodes
40m 40m
lectronique
de mesure
photodiodes
80m 80m
lectronique
de mesure
slection de la
matrice / diode
Figure 3.35 Circuit de caractrisation des capacits parasites et des courants d'obscurit des photodiodes
3.5.2 Mthode de mesure

La mthode de mesure est trs semblable la prcdente, mais on utilise cette fois-ci la capacit de
la photodiode pour raliser l'intgration du courant. Celui-ci est fourni par un miroir de courant de
rapport 10, command par un potentiomtre externe. La polarisation en tension de la diode est ralise
par l'intermdiaire d'un transistor agissant comme interrupteur, qui force une tension VR aux bornes de
celle-ci. En sortie, un amplificateur-suiveur interne permet d'isoler la photodiode de la capacit des
plots d'entre-sortie.
VDD
VDD
W10, L
VR
plot d'entre-sortie
W, L
Ip
Csuiv
CIO
Ip10
AmpliOP suiveur
Cd
Vd
Oscilloscope
Figure 3.36 Schma de mesure des capacits parasites et des courants d'obscurit
page 66
Jrme Goy
3.5.3 Mesure des capacits des diodes

A) Capacits statiques
Comme dans le cas prcdent, la capacit mesure ici est gale la somme des capacits des
lments photosensibles et des capacits apportes par l'lectronique de mesure. Pour connatre la
valeur de ces dernires, on a dessin une structure identique celle de la figure 3.36, mais dont la
photodiode a t retire.
On obtient les rsultats donns dans les tableaux suivants.
Mesure de la
capacit de
l'lectronique (fF)
Mesure de la capacit
des photodiodes + de l'lectronique (fF)
Photodiode N+/P- 40m

Photodiode N-/P- 40m
Photodiode P+/N- 40m
PhotoMOS 40m
PhotoMOS 80m
diode 1
1800
6000
630
1600
1700
7250
16250
70000
diode 2
1800
6125
645
1600
1650
7250
16500
70000
diode 3
1800
6125
630
1675
1600
7250
16000
69750
diode 4
1850
6375
615
1700
1675
7125
16000
68750
sans diode
98
155
98
165
73
120
67
125
Tableau 3.37 Mesures releves
Ce tableau nous permet de vrifier que les capacits introduites par l'lectronique de mesure sont bien
infrieures aux capacits des diodes. On a donc corrig le problme majeur du prcdent circuit.
Capacit surfacique
(nF/cm)
Capacit surfacique (nF/cm)

PhotoMOS 40m
PhotoMOS 80m
diode 1
26.6
22.8
8.3
5.6
25.4
27.9
252.9
272.9
diode 2
26.6
23.3
8.6
5.6
24.6
27.9
256.8
272.9
diode 3
26.6
23.3
8.3
5.9
23.9
27.9
249.0
272.0
diode 4
27.4
24.3
8.1
6.0
25.0
27.4
249.0
268.1
moyenne
Capacit
d'une diode
30m 20m (fF)
25.0
150
7.0
42
26.3
158
262.8
1577
Tableau 3.38 Comparaison des capacits des trois types de photodiodes et du photoMOS
On voit une grande similitude entre les valeurs obtenues et les rsultats calculs dans le tableau
3.24. Ceci nous permet de confirmer les conclusions labores prcdemment sur le fait que la
photodiode constitue par un caisson N sur substrat P semble la plus adapte pour une utilisation en
faible flux.
En outre, on s'aperoit que la capacit du photoMOS est trs suprieure celle des photodiodes. Ceci
pourrait s'avrer un inconvnient majeur dans l'application qui nous intresse, mais cette structure
possde l'avantage de pouvoir facilement tre utilise dans une technique de Double Echantillonnage
Corrl, qui supprime son bruit de lecture et augmente significativement son facteur de conversion. Les
problmes que pourraient induire cette capacit importante sont donc ainsi limins.
page 67
Jrme Goy
B) Variation des capacits en fonction de la tension leur bornes

Les mesures prcdentes sont compltes par une tude sur les variations des capacits en fonction
de la tension appliqus leur bornes. On a vu dans la partie 2.1.1 B) c. que ce paramtre influenait la
linarit de la rponse du pixel.
Pour cela, on effectue les mmes manipulations que prcdemment en faisant varier la tension VR de la
figure 3.36 de 1.5V 3V.
Pour une meilleure comparaison des variations, chaque courbe est normalise par rapport sa valeur
en VR = 2V.
Variation relative
1,10
1,05
Diff. N
Caisson N
1,00
Diff. P
PhotoMOS
0,95
0,90
1,5
2,0
2,5
3,0
Tension applique (Volts)
Figure 3.39 Variation des capacits en fonction de la tension leur bornes
On voit ici une variation d'environ 15% entre la valeur de la photodiode diffusion N VR = 1.5V, et
sa valeur VR = 3V. La diode caisson N varie elle d'environ 10%, et la diode P de 7%.
La capacit d'intgration du photoMOS ne varie pas selon la tension ses bornes car elle est n'est pas
constitue par une zone de charge d'espace, comme c'est le cas des photodiodes, mais elle est due
l'paisseur d'oxyde entre la grille et le substrat.
3.5.4 Mesure des courants d'obscurit

La mesure des courants d'obscurit se fait partir du mme schma que pour les capacits
(figure 3.36), mais en ne dbitant aucun courant IP dans la diode. Lorsque le transistor de Reset s'ouvre,
la capacit de la diode se dcharge progressivement par son courant d'obscurit. A partir de la valeur de
la capacit obtenue prcdemment (tableau 3.37), on peut en dduire la valeur du courant.
On obtient les rsultats donns dans les tableaux suivants, pour les diodes de 80m 80m
temprature ambiante. Les valeurs sont ensuite reportes une surface de 30m 20m, qui sera la
taille de notre pixel.
page 68
Jrme Goy
Mesure du courant
d'obscurit de
l'lectronique (fA)
Mesure du courant d'obscurit

des photodiodes + de l'lectronique (fA)
Photodiode N+/PPhotodiode N-/PPhotodiode P+/NPhotoMOS
diode 1
133
105
237
398
diode 2
158
24
104
331
diode 3
75
138
273
101
diode 4
69
104
233
116
sans diode
0.9
0.1
8.9
2.3
Tableau 3.40 Mesures releves

Courant d'obscurit
Courant d'obscurit (pA/cm)
diode 1
518
408
890
1545
diode 2
612
94
371
1284
diode 3
289
537
1032
388
(pA/cm)
diode 4
266
407
874
443
moy
421
361
792
915
35%
45%
32%
56%
Courant d'obscurit
d'une diode
30m 20m
2.5 fA
2.2 fA
4.8 fA
5.5 fA
15800 e-/s
13600 e-/s
29700 e-/s
34300 e-/s
Tableau 3.41 Comparaison des courants d'obscurit des trois types de photodiodes et du photoMOS
Cette fois encore, les rsultats exprimentaux concordent avec les calculs thoriques et les
conclusions faites dans la partie 3.3.4 , saloir que l'ordre de grandeur du courant d'obscurit est
sensiblement le mme quelque soit le type d'lment photosensible (quelques femto-Ampres pour une
surface de 30m 20m, T 15C), et que celui-ci ne constituera pas un paramtre critique dans le
choix de l'architecture du capteur.
On note cependant ici une grande dispersion des rponses ( allant de 35% 56% de la valeur
moyenne) qui risque de dgrader fortement les performances du systme d'imagerie dans les faibles
flux. Pour attnuer cette dispersion spatiale (DSNU : Dark Signal Non-Uniformities), il sera ncessaire
de fonctionner des niveaux de lumires crant un courant photonique trs suprieur au courant
d'obscurit.
3.5.5 Comparaison des rendements quantiques

Les rendements quantiques ayant dj t caractriss, on a simplement voulu ici comparer les
rponses moyennes en lumire blanche, non calibre.
La rfrence de niveau est obtenue partir des mesures ralises sur le circuit prcdent.
Rendement quantique
36 %
42 %
3%
35 %
Tableau 3.42 Comparaison des rendements quantiques
On a ici la valeur du rendement quantique moyen du photoMOS qui n'avait pas pu tre obtenu sur le
circuit prcdent.
page 69
Jrme Goy
3.6 Conclusions
Ce chapitre propose une tude relativement complte des principaux paramtres des lments
photosensibles qui peuvent tre utiliss dans un pixel APS.
Il ressort de cette tude que la photodiode constitue par une zone de diffusion P sur caisson N n'est
pas adapte cette utilisation, en raison de son trs faible rendement quantique. Ceci provient du fait
que dans cette diode, l'intgration des photons est limite la profondeur du caisson N ; les photons de
grandes longueur d'onde qui pntrent trop en profondeur ne participant plus au courant photonique.
Dans les diodes de type N et dans le photoMOS, au contraire, les charges intgres en profondeur dans
le substrat crent un courant de diffusion des porteurs minoritaires qui vient augmenter le rendement
quantique.
Il apparat galement que la capacit de la photodiode caisson N est moins importante que les
autres, du fait du faible dopage de celle-ci. Cette faible capacit l'avantage d'augmenter le facteur de
conversion (gain) du pixel, et par l mme de rduire son bruit de remise zro du signal.
En revanche, les rgles de dessin de la technologie imposent de respecter une distance importante
(5 m) entre le caisson N et les transistors des pixels, ce qui rduit fortement le facteur de remplissage
des pixels caisson N.
Le photoMOS est un bon lment photosensible, bien que la grille en polysilicium filtre une partie
de la lumire incidente[3], car il possde la particularit de pouvoir transfrer trs rapidement les
charges intgres sous la grille dans une autre capacit, ralisant ainsi un Double chantillonnage
Corrl qui amliore de beaucoup ses performances. Dans le cas d'une photodiode, cette technique est
beaucoup plus difficile mettre en uvre en raison de la ncessit de mmoriser les tats de chaque
pixel en dbut d'intgration (voir partie 2.2.1 ).
La photodiode constitue d'une zone de diffusion N sur le substrat P est la plus simple raliser, et
possde ainsi le meilleur facteur de remplissage. Cependant, la capacit parasite de cette diode induit
un bruit de remise zro trop important dans le cas qui nous intresse. Pour y remdier, il faudra
chercher une architecture de pixel APS qui intgre les charges photoniques dans une capacit diffrente
de celle de la diode.
A partir de ces conclusions, il se dgage trois types de pixels CMOS possibles:
un pixel avec une photodiode caisson N
un pixel avec un photoMOS quip d'une technique de Double Echantillonnage Corrl
un pixel avec une photodiode diffusion N quip d'une capacit d'intgration spare
Ces trois solutions feront chacune l'objet d'une tude et d'une ralisation dans le chapitre suivant. Nous
obtiendrons ainsi des informations complmentaires sur le bruit spatial et temporel des pixels, la
dynamique, ou le facteur de conversion de chaque architecture, qui nous permettront de connatre le
type de pixel le mieux adapt une utilisation faible flux.
page 70
Jrme Goy
400
Chapitre 4
Ralisation et tests
d'un capteur d'image APS
256 256 pixels
Chapitre 4 Ralisation et tests d'un capteur d'image APS 256 256 pixels
page 71
Jrme Goy
4.1 Introduction
Dans ce chapitre, nous allons tudier la ralisation et le test d'un capteur d'image CMOS APS d'une
rsolution de 256 256 pixels. Ce circuit permettra de valider ou de rejeter les multiples solutions
d'architecture qui s'offrent nous pour la fabrication d'un capteur faible flux.
Parmi ces choix, on distingue :
le type d'lment photosensible : photodiode N+, photodiode N-, photodiode P+, ou photoMOS
le type d'architecture du pixel : pixel standard avec/sans transistor de limitation d'intgration, ou
pixel amplification dans une capacit spare
le type de sortie du pixel : sortie en tension ou sortie en courant
les fonctions de rduction de bruit spatial et temporel : CDS, NCDS, DDS
le choix d'un type d'adressage des pixels : dfinition d'un protocole de commande du circuit,
ralisation du fentrage
Afin de tester plusieurs architectures de pixel, et plusieurs photodiodes possibles, nous avons
fractionn la matrice de capteurs en quatre matrices de 128 128 pixels chacune, chaque matrice
utilisant une architecture et un type de photodiode diffrent.
Ce circuit a t dessin avec la technologie Austria Mikro Systeme (AMS) 0.6m, double mtal,
double poly, et possde une surface de 10.3 8.8 mm dont 7.7 7.7 mm sont occups par la matrice
de capteurs.
dcodeurs
de ligne
(5)
4 matrices
128 x 128
gnration
des signaux
de commande
R1, R2, L1, L2, S
amplificateurs de colonne
contrle
multiplexeur analogique
sortie
registre X start
registre X stop
X
dcodeur de colonne
registre Y start
registre Y stop
rglage temps d'intgr.
Figure 4.1 Schma-bloc du circuit
page 72
Jrme Goy
entres signaux analogiques
pixels standards
4 transistors
+
photodiode N-/P-
pixels standards
3 transistors
+
photoMOS
pixels amplification
8 transistors
+
photodiode P+/N-
pixels amplification
5 transistors
+
photodiode N+/P-
sorties de contrle (facultatives)
dcodeurs ligne
entres bus d'adresse / de donnes
FF
80
7F
Y
sortie
X
00
00
7F 80
amplificateurs de colonne / dcodeur colonne
FF
sorties adressage X/Y

lectronique de
commande
Figure 4.2 Layout du circuit / entres-sorties
On distingue 4 blocs fonctionnels:

la matrice, compose d'un ensemble de pixels
les dcodeurs de lignes, chargs d'envoyer chaque ligne de la matrice les signaux de commande
les amplificateurs et dcodeurs de colonne, qui dtectent, amplifient, et multiplexent le signal issu de
chaque colonne sur la sortie
l'lectronique de commande qui squence l'ensemble sur une horloge externe
L'adressage des pixels se fait par ligne, c'est dire que les signaux de commande sont envoys le long
d'une mme ligne de la matrice, puis on rcupre le signal issu d'un pixel sur la colonne
correspondante.
Les lignes de la matrice qui ne sont pas utilises (dans le cas d'un fentrage ou de la lecture d'un seul
pixel) sont continuellement zro (signal Reset actif).
La sortie est analogique et devra tre chantillonne et convertie en numrique en externe.
L'adressage des lignes et des colonnes de la matrices sera ralis par un bus de donnes 8 bits dont la
valeur correspond au numro de ligne et de colonne du pixel lire (valeur entre 0x00 et 0xFF).
page 73
Jrme Goy
4.2 Ralisation du circuit

4.2.1 Electronique de commande
A) Principe
On cherche crer une squence de lecture d'une trame dans laquelle les signaux de commande des
pixels sont dcals d'une ligne une autre. Ainsi, chaque ligne de pixel suit la mme squence de
lecture, mais des instants diffrents, afin de pourvoir multiplexer les sorties.
Chaque pixel est command par trois signaux :
un signal de remise zro (R), qui force une tension fixe au bornes de la photodiode
un signal de limitation du temps d'intgration (L), qui n'est utilis que par certains types de pixels
un signal de slection (S), qui force la tension du pixel sur la colonne qui lui est associe
Tligne
R
R1
ligne 1
L
S
R
R1
ligne 2
S
R
R1
ligne 3
S
temps
Figure 4.3 Signaux de commande des lignes. Les squences de lecture sont identiques,
mais dcales d'une priode Tligne d'une ligne une autre.
Pour gnrer ces chronogrammes, on utilise 5 phases codant les fronts de monte et de descente de
chaque signal R, L,S :
phase R1 : front descendant du Reset fin du reset, dbut du cycle de lecture
phase L1 : front montant du signal L dbut d'intgration de la lumire
phase L2 : front descendant du signal L fin de l'intgration de la lumire
phase S : impulsion sur le signal S slection du pixel, lecture de la valeur de l'illumination
phase R2 : front montant du Reset remise zro du pixel
Ces phases se retrouvent donc successivement sur chaque ligne, avec un intervalle de temps Tligne,
comme illustr sur la figure ci-dessus.
Chaque phase est ralise par un compteur associ un dcodeur de ligne 1 parmi N. La sortie du
compteur correspond au numro de la ligne sur laquelle la phase est dclenche.
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Jrme Goy
La figure suivante montre par exemple le cas de la phase de lecture d'une fentre de 6 6 pixels
commenant l'adresse ligne 0x20 jusqu' l'adresse 0x25.
ligne 0x25
ligne 0x24
rechargement
du compteur
sa valeur
initiale
ligne 0x23
ligne 0x22
incrmentation
du compteur
ligne 0x21
ligne 0x20
Figure 4.4 Illustration de l'action du compteur d'adresse sur le dcodage des lignes
Ainsi, on aura par exemple un ensemble compteur + dcodeur qui sera charg de remettre le signal
reset actif (phase R2). Pour cela, le dcodeur fera parcourir un bit 1 le long des lignes de la fentre de
lecture. Lorsqu'un bit 1 est positionn devant une ligne, tous les pixels de cette ligne seront remis
zro.
Il est ncessaire que les cinq compteurs soient retards les uns par rapport aux autres. Le retard d'un
compteur par rapport un autre correspondra l'intervalle de temps qui s'coule entre deux phases.
La programmation de chaque retard permettra de dfinir une squence de lecture spcifique.
Figure 4.5 Squence de lecture 5 phases
page 75
Jrme Goy
Ainsi, on pourra par exemple modifier le retard L2 pour contrler la dure de l'intgration de la
lumire par le capteur (rglage de la luminosit de l'image reue), ou encore raccourcir le retard S afin
que la slection du pixel (lecture) intervienne pendant l'intgration de celui-ci.
B) Ralisation
a. Programmation d'une squence de lecture
Le squencement tant ralis par ligne, un mme instant tous les pixels d'une mme ligne vont
dlivrer leur signal sur la colonne qui leur est associe. Le multiplexeur de colonne balaye alors
successivement les valeurs de chaque pixel de la ligne (voir figure 1.4).
On distingue :
l'horloge 'pixel', dont la priode correspond au temps de lecture d'un pixel sur la sortie
frquence de fonctionnement du multiplexeur de colonne
l'horloge 'ligne', priode pendant laquelle les pixels d'une mme ligne sont lus
frquence de fonctionnement des amplificateurs de colonne
priode de maintient du signal S sur une ligne
l'horloge 'trame', priode de lecture d'une trame
frquence de fonctionnement des pixels, temps d'une squence de lecture
On a :
Tligne = n x Tpixel
(4.1)
T squence de lecture = Ttrame = n x n y Tpixel
(4.2)
nx: taille en X de la fentre de lecture = XMAX XMIN

ny: taille en Y de la fentre de lecture = YMAX YMIN
La programmation se fait en initialisant des registres internes de 16 bits codant le nombre de priodes
Tpixel s'coulant pour chaque retard. Ces retards ne pourront pas excder la dure d'une squence de
lecture Tsquence de lecture, soit au maximum 256 256 = 65536 priodes Tpixel.
En plus de ces registres, quatre registres 8 bits programmables contiennent les coordonnes de la
fentre de lecture : XMIN, XMAX, YMIN, et YMAX.
Tous ces registres doivent tre initialiss la mise sous tension du circuit, grce un bus d'adresse 4
bits et un bus de donne 8 bits.
b. Codage du squencement par des compteurs
Le retards entre les 5 compteurs R1, R2, L1, L2, et S sont raliss en maintenant leur signal d'entre
'Reset' actif autant de priodes Tpixel que programm dans les registres.
Les horloges de synchronisation des compteurs de ligne (une horloge diffrente pour chaque compteur)
sont gnres partir de compteurs synchroniss par l'horloge pixel et comptant de XMIN XMAX, afin
de raliser l'quation (4.1).
page 76
Jrme Goy
YMIN
YMAX
XMIN
XMAX
Figure 4.6 programmation des retards des compteurs
Dans le cas de la lecture d'une fentre allant de l'adresse 0x20 0x25 en X, et de 0x30 0x35 en Y, on
obtient le chronogramme suivant :
retards de S, R2, L1, L2
(respectivement 5, 10, 11, et 12 Tpixel)
prolongent les signaux de reset
Figure 4.7 simulation de l'lectronique de contrle

page 77
Jrme Goy
La sortie du compteur de pixel servant de base au compteur de slection, note ci-dessus X(7:0), sera
envoye au multiplexeur de colonnes.
C) Lecture automatique ou manuelle des pixels

Pour faciliter l'tude du circuit, on a implant la possibilit de visualiser en permanence les signaux
issus d'un mme pixel. Ceci permet par exemple d'analyser les pixels 'chauds' de la matrice.
On met en entre des compteurs dlivrant le signal X(7:0) (slection de la colonne du pixel) et S(7:0)
(slection de la ligne du pixel) une horloge qui peut tre gale soit l'horloge d'entre 'ClkX' (mode
automatique), soit une horloge externe (mode manuel).
4.2.2 Dcodeurs de ligne et gnration des signaux R, L, S

A) Dcodeurs
Comme on l'a vu, les dcodeurs de lignes positionnent un bit 1 sur la ligne correspondant la valeur
du compteur qui leur est associ.
0x02
AND 8
D
C
30m
0x01
AND 8
D
C
30m
0x00
AND 8
D
C
Clk
A7
A6
A5
A4
A2
A3
A1
A0
Sorties du compteur
Figure 4.8 Dcodeur de ligne
Chaque sortie du dcodeur tant envoye sur une ligne des pixels, il est ncessaire que ces sorties
soient espaces de la hauteur d'un pixel, soit 30m dans notre cas.
Pour viter les 'glitchs' (pics lors du basculement du dcodeur), on synchronise chaque sortie sur un
front montant d'horloge grce des bascules D.
page 78
Jrme Goy
B) Gnration des signaux R, L, S

A partir des bits 1 mis par les dcodeurs de ligne, on doit reconstituer la squence de lecture de la
figure 4.3. Cela se fait simplement par des bascules RS, comme illustr ci-dessous.
Reset
1
R1
RH
RL
RH
RL
LL
R2
changement
des niveaux
haut et bas
Reset
1
L1
LH
LL
LH
L2
1
0
changement
des niveaux
haut et bas
mise en forme
du signal
Figure 4.9 Gnration des signaux R, L, S
Le signal de slection S ne durant que pendant un temps Tligne, il n'est pas ncessaire de le transformer.
Les valeurs hautes et basses des signaux R et L ne sont pas forcment 0 et 5V. On a vu dans la partie
2.1.1 B) d. que pour limiter les offsets lors du basculement des transistors dans les pixels, il est
prfrable de rduire la diffrence entre les deux niveaux de ces signaux. Par exemple, pour rendre un
transistor N passant, il suffit de faire basculer sa grille de 0 2V (pour les transistors P, les niveaux
seront 5 et 3V).
Ces changements de niveaux sont cods par des switchs doubles basculant entre les tensions notes
RH, RL, LH et LL, qui sont fournies en entre du circuit.
Cette lectronique tant reproduite pour chaque ligne de la matrice, sa hauteur ne devra pas excder la
hauteur d'un pixel, soit 30m.
bascules
switchs
30 m
Figure 4.10 Layout de la gnration des signaux R, L, S
page 79
Jrme Goy
4.2.3 Pixels APS

Pour pouvoir comparer plusieurs architectures de pixels possibles, la matrice de 256 256 pixels a
t fragmente en 4 matrices de 128 128 pixels chacune.
A) Pixel standard avec photodiode caisson N

La premire matrice est constitue de la structure de base des pixels CMOS, illustre la figure 2.1,
utilise dans de nombreuses tudes[7][8][9]. Cette architecture a t tudie dans le premier chapitre, et
nous allons rappeler ici ses caractristiques :
architecture simple, constitue de quatre transistors P, et possdant un bon facteur de remplissage
intgration des charges dans la capacit parasite de la photodiode
la valeur relativement leve de cette capacit d'intgration (chapitre 3) limite le facteur de
conversion du pixel et augmente son bruit de lecture
Vreset
VDD
Vd
Vpix
CGDT
Cd
Vcol
VSS
icol
Figure 4.11 Schmatique du pixel standard 4 transistors
Afin d'augmenter le gain du pixel et de rduire son bruit temporel, il a t dmontr dans le
chapitre 3 que la photodiode fabrique partir d'un caisson N sur un substrat de type P est la mieux
adapte pour l'application qui nous intresse. Elle possde avant tout la plus faible capacit surfacique,
et a en outre un bon rendement quantique (environ 40% entre 0.5m et 0.8m) et un faible courant
d'obscurit.
En revanche, sa fabrication impose de respecter un espace important entre cette diode et les transistors
de l'lectronique du pixel (rgles de dessin fixes par la technologie employe), ce qui rduit
significativement le facteur de remplissage du pixel.
La figure ci-dessous montre clairement la distance minimum qu'il a fallu respecter autour de la zone
photosensible.
page 80
Jrme Goy
lignes
R, L, S, Vreset,
VDD, VSS
colonnes
photodiode
caisson N
Figure 4.12 Layout du pixel standard limitation
On obtient les performances thoriques suivantes

Surface de la photodiode
388 m
388 m / (30m 30m) = 43%
Rendement effectif max. du pixel
42% 43% = 18%
Capacit d'intgration Ci
388 m 7 nF/cm = 27 fF
Courant d'obscurit
388 m 361 pA/cm = 1.4 fA
Facteur de conversion FC
q
= 5.9 V/eCi
Bruit de lecture
kT 1
= 66 e- rms
C i FC
Les valeurs de 42%, 7nF/cm, et 361pA/cm ont t mesures exprimentalement pour une photodiode
caisson N dans le chapitre 3.
Les autres paramtres caractristiques (dynamique, vitesse de lecture, ) sont principalement
dtermins par les amplificateurs de colonne, que l'on verra par la suite.
page 81
Jrme Goy
B) Pixel standard photogrille

Lautre solution voque dans la conclusion du chapitre 3 pour rduire le bruit de lecture est de
recourir la technique du CDS (Correlated Double Sampling), explique dans la partie 2.2.1 . Celle-ci
ne peut se faire que dans le cas o la remise zro du pixel prcde immdiatement sa lecture.
Pour ce faire, on a recourt au pixel photogrille, qui permet de faire transiter rapidement des charges
sur la sortie, comme il est dit dans la partie 3.1.
On a utilis la mme architecture que prcdemment, mais cette fois le signal de limitation
dintgration L sert commander le basculement de la grille recouvrant la photodiode.
Vreset
VDD
L
COX
T
diff N
Vpix
CGDT
sub P
Vcol
icol
Figure 4.13 Schmatique du pixel standard photogrille
Il est noter quon a supprim ici le transistor de passage not TR dans la figure 3.2, afin dacclrer
le transfert des lectrons sur la sortie. En effet, la technique communment employe consiste faire
basculer la grille du photoMOS jusqu la limite de conduction de ce transistor, ce qui nous amne
allonger significativement le temps de transfert. Si lon veut utiliser la technique du CDS, il est
ncessaire que ce temps soit relativement court afin de ne pas pnaliser la vitesse de lecture dune
trame.
Linconvnient li la suppression de ce transistor est que la capacit de loxyde COX se retrouve ainsi
en srie avec la capacit de sortie CGDT (voir figure ci-dessus). On peut donc sattendre des offsets
importants lors du basculement de la tension de grille L.
Dans notre cas, on va tcher de limiter ces offsets en rduisant lamplitude du basculement de la
tension L comme il est expliqu dans la partie 4.2.2 B) .
La figure suivante illustre le dessin du pixel standard photogrille.
page 82
Jrme Goy
lignes
R, L S, Vreset,
VDD, VSS
photogrille
diffusion N
recouverte de
polysilicium
colonnes
Figure 4.14 Layout du pixel standard photogrille

Surface de la photogrille
605 m
605 m / (30m 30m) = 67%
Capacit d'intgration Ci
valeur de la capacit CGDT
Courant d'obscurit
605 m 915 pA/cm = 5.5 fA
dpend de la valeur de la capacit CGDT
Bruit de lecture
trs faible si on utilise la technique du CDS
page 83
Jrme Goy
C) Pixel amplification diffrentielle

a. Principe
On a vu lors de ltat de lart des capteurs APS que la rduction du bruit de lecture passe par la
diminution de la valeur de la capacit dintgration.
Celle-ci peut se concevoir de deux manires :
par la rduction de la taille de la photodiode, qui implique une dgradation du facteur de
remplissage si la taille du pixel est inchange.
par lutilisation dune capacit dintgration diffrente de la capacit parasite de la photodiode.
Cest ce point qui a t tudi ici.
On utilise pour cela le schma suivant[20] :
R
Cint
VDD
Vdiode
Cd
Aop
Iph
Vpix
V+
S
Icol
Figure 4.15 Schmatique du pixel amplification diffrentielle
Lamplificateur oprationnel est ici utilis pour forcer une polarisation constante aux bornes de la
photodiode. En consquence, le courant mis par celle-ci circule dans la capacit qui a t place aux
bornes de lamplificateur. Cette capacit dintgration est ralise par superposition de couches de
polysilicium 1 et 2. On peut ainsi lui attribuer nimporte quelle valeur.
Un transistor de remise zro du signal est plac aux bornes de cette capacit. Le bruit de lecture du
pixel sera principalement caus par le bruit grenaille de ce transistor qui est donn par lquation
(2.14). Ce bruit (exprim en lectrons rms) est proportionnel la racine carre de la valeur de la
capacit dintgration. On a choisi ici de se fixer : Cint = 10 fF.
Ce type darchitecture se retrouve dans la littrature[21] sous le terme damplificateur transimpdance
capacitive, ou Capacitive transimpedance amplifier, CTIA.
REMARQUE Dans cette architecture, le transistor de limitation dintgration, command par la tension
de commutation note L na pas t implant. La lecture de la tension de sortie du pixel se passe donc
pendant lintgration de la lumire par celui-ci, ce qui nous amne chantillonner une tension
variable dans le temps. On a pour cette raison rencontr quelques difficults lors des tests de ce circuit
qui seront dcrits par la suite.
page 84
Jrme Goy
Outre la rduction du bruit de lecture, cette architecture possde les avantages suivants :
Augmentation du facteur de conversion
Le bruit de lecture et le facteur de conversion du pixel sont troitement lis. Laugmentation du

facteur de conversion a pour effet de rduire non seulement le bruit temporel, mais aussi les nonuniformits de llectronique de traitement (amplificateurs de colonne, convertisseurs analogiquenumrique).
Stabilit / Linarit
L'utilisation d'une capacit en polysilicium la place de la capacit parasite de la diode rend le pixel
plus stable dans le temps et moins sensible au rayonnements, du fait que les lectrons sont stocks dans
les couches surfaciques, et non dans le substrat. De plus, l'application d'une tension continue aux
bornes de la diode fait que le point de fonctionnement de celle-ci est toujours constant lors de
l'intgration, ce qui amliore la linarit du capteur.
On peut galement sattendre ce que la bonne stabilit du procd de fabrication sur les couches de
polysilicium amliore les dispersions spatiales des rponses, lorsquon le compare avec la prcision
relative obtenue sur le dopage, et donc la valeur, de la capacit de diode qui se trouve tre llment
critique des architectures classiques.
Anti-blouissement
Dans le cas des pixels standards, une surexposition du capteur provoque une accumulation des
charges dans le substrat, sous la photodiode. Ces charges sont susceptibles de se dplacer vers dautres
pixels, modifiant ainsi leur caractristiques. On parle alors dblouissement du capteur.
Dans le cas prsent, une accumulation de charges dans la capacit ne fait que saturer l'amplificateur.
On peut cependant envisager de raliser un anti-blouissement en jouant sur la valeur haute applique
sur la grille du transistor de Reset. En effet, lors de l'illumination du pixel, la tension de sortie de
lamplificateur va augmenter progressivement. Lorsquelle aura atteint une valeur suffisamment
leve, la tension grille-source du transistor de Reset va faire que celui-ci devienne passant, courtcircuitant la capacit et vacuant ainsi les charges en trop accumules.
La figure suivante montre le rsultat dune simulation effectue en fixant une tension de commande de
grille de 4V, et une tension de Reset gale 4V. La tension de sortie ne pourra pas dpasser 4.35V.
Iph = 100 pA
Iph = 30 pA
Iph = 10 pA
Iph = 3 pA
Iph = 1 pA
Figure 4.16 Anti-blouissement rglable
page 85
Jrme Goy
b. Ralisation
On cherche minimiser le nombre de transistors ncessaires pour limplantation de lamplificateur
oprationnel. Ces transistors devront ncessairement tre intgrs dans le pixel, et donc ils seront
dessins aux dimension minimales.
La premire architecture possible est celle de la figure ci-dessous :
R
Cint
VDD
VDD
Vcapa
Vdiode
V+
Cd
Iph
S
Vpol
Icol
VDD
Figure 4.17 Pixel amplification diffrentielle 5 transistors
REMARQUE Pour des raisons de surface, le transistor de Reset est de type N. Il n'est pas ncessaire ici
d'utiliser des transistors P car le point de fonctionnement est fix par la tension 'V+' une valeur
arbitraire. La commande de Reset de ce pixel sera donc inverse para rapport aux autres (niveau
passant 5V, et niveau bloqu 0V).
On a choisit pour ce pixel une photodiode de type P : faible rendement quantique, bonne isolation entre
pixels. Le courant photonique sera dans le sens contraire du courant des pixels diode N.
La mthode employe dans ce cas pour la ralisation de lanti-blouissement est linverse de celle
dcrite prcdemment : lors de lillumination la tension de sortie de lampli diminue ; lorsquelle
devient trop basse, la tension grille-source du transistor de remise zro sera suffisante pour rendre
celui-ci passant, dchargeant ainsi la capacit dintgration.
page 86
Jrme Goy
lignes
R, S, V+, Vpol,
VDD, VSS
photodiode P
colonnes
Figure 4.18 Layout du pixel amplification diffrentielle 5 transistors
En raison de la complexit de l'architecture, le facteur de remplissage de ce pixel nest que de 50%.

452 m
452 m / (30m 30m) = 50%
8% 50% = 4%
Capacit d'intgration Cint
10 fF
Courant d'obscurit
452 m 792 pA/cm = 3.6 fA
q
= 16 V/eC int
Bruit de lecture
kT 1
= 40 e- rms
C int FC
page 87
Jrme Goy
D) Pixel amplification par inverseur CMOS

Les performances obtenues par larchitecture prcdente sont clairement limites par un mauvais
facteur de remplissage d au fait que lamplificateur oprationnel utilis, bien que dune ralisation
simpliste, ncessite un trop grand nombre de transistors.
Cette version a pour but de simplifier lextrme le nombre de composants utiliss pour raliser la
fonction damplificateur transconductance capacitive. Pour cela, on part du fait que lamplificateur ne
doit pas obligatoirement tre diffrentiel, mais quil peut simplement se contenter daugmenter
lamplitude de la tension dentre autour dun point de fonctionnement choisi.
Dans cette hypothse, on tudie le schma suivant :
R
Cint
Vdiode
Cd
VDD
Vcapa
Iph
Vpol
S
Icol
Figure 4.19 Schmatique du pixel amplification par inverseur CMOS
Le point de fonctionnement est fix par la tension Vpol applique sur la grille dun transistor N agissant
comme source de courant. Les tensions dentre et de sortie de lampli sont court-circuites par le
transistor de remise zro du signal une tension proche de 4V.
La photodiode choisie ici est de type N+ (bon rendement quantique, faible surface), ce qui fait que le
courant photonique est dirig de manire faire augmenter la tension de sortie au cours de
l'intgration.
La capacit dintgration est identique au pixel prcdent (capacit poly1/poly2), et donc les valeurs de
bruit de lecture et de facteur de conversion seront identiques.
page 88
Jrme Goy
On obtient les simulations suivantes :
Figure 4.20 Simulation de la squence de lecture du pixel amplificateur par inverseur CMOS
On peut constater ici que le point de fonctionnement de la photodiode reste relativement stable entre
4.021V et 4.013V, et que la diffrence de potentiel cre par lillumination du capteur se retrouve donc
aux bornes de la capacit dintgration.
On peut estimer ici le gain apport par ltage CMOS :
A CMOS =
(VCAPA )
4.19 3.96
=
= 29
4.013 4.021
(VDIODE )
(4.3)
page 89
Jrme Goy
lignes
R, S, Vpol,
VDD, VSS
photodiode N
colonnes
Figure 4.21 Layout du pixel amplificateur par inverseur CMOS

597 m
597 m / (30m 30m) = 66%
36% 66% = 24%
Capacit d'intgration Cint
10 fF
Courant d'obscurit
597 m 421 pA/cm = 2.5 fA
q
= 16 V/eC int
Bruit de lecture
kT 1
= 40 e- rms
C int FC
Ce type de pixel semple donc en thorie le plus mme de rpondre aux spcifications recherches. Il
conjugue en effet une architecture impliquant un bruit de lecture faible et un bon facteur de conversion,
une photodiode de type N+ et une lectronique simple qui permettent un bon facteur de remplissage.
page 90
Jrme Goy
4.2.4 Amplificateurs de colonne

Les tages de sortie des 4 types de pixel sont strictement identiques (transconductance + transistor
de slection) pour pouvoir les relier afin de constituer la matrice complte de
256 256 pixels.
Le rle des amplificateurs de colonne est double :
polariser la colonne une tension constante, pour s'affranchir de l'influence de sa capacit parasite
reproduire la tension qui est applique sur la grille du transistor de transconductance.
Pour reproduire cette tension, on utilise une structure de type miroir de courant qui va faire passer dans
un transistor talon le mme courant que celui qui circule dans la colonne de la matrice de capteurs[7].
VDD
Vpix
m1
Pixel
m2
VDD
Icol
m3
VDD
m4
VDD
VDD
VDD
Ipol
m5
m6
Ipol
m11
1.5V
Vcol
VDD
VDD
m13
1.5V
m7
m8
m15
Vcol
m12
Sortie
m14
Suiv
m9
m16
m10
Figure 4.22 Schmatique de l'amplificateur de colonne
page 91
Jrme Goy
Les transistors m1 et m2 sont les transistors de transconductance et de slection du pixel (valable pour
n'importe lequel des 4 types de pixels).
Le miroir de courant constitu par les transistors m9 et m10 recre dans le transistor m3 un courant
strictement identique celui de la colonne, grce lasservissement constitu par les transistors m11,
m12, m13, et m14.
Les transistors m1 et m3 tant strictement identiques, on retrouve sur la grille de m3 la mme tension
que celle prsente lintrieur du pixel.
Les paires de transistors m5/m6 et m7/m8 permettent respectivement de polariser le courant (qui vient
sajouter au courant de mesure) et la tension de la colonne de la matrice.
4.2.5 Multiplexage et sortie

Les tensions de sortie de chaque amplificateur de colonne sont multiplexes sur un seul plot de
sortie, par l'intermdiaire d'un amplificateur oprationnel mont en suiveur.
X (7:0)
Out
1
Figure 4.23 multiplexage des sorties
Les interrupteurs analogiques sont constitus de paires de transistors N/P dont les dimensions sont
calcules pour rduire au maximum les offsets louverture.
page 92
Jrme Goy
4.3
Tests
4.3.1 Capture dune image

A) Chane dacquisition du signal
Le traitement du grand nombre de donnes ncessaires pour une bonne caractrisation du circuit
APS ralis est obtenu grce une chane dacquisition constitue dun oscilloscope numrique coupl
un ordinateur quip du logiciel de calcul Matlab.
Sorties de contrle
Signaux de
commande
Image de test
Ordinateur
Oscilloscope numrique
TDS2150
Objectif
photographique
Carte de test
du circuit
Figure 4.24 Chane dacquisition du signal utilise pour le test du circuit APS
La slection dune fentre de lecture se fait manuellement par les bus dadresse et de donnes du
circuit. Un affichage permet de contrler le bon droulement de la squence de lecture de la trame.
Loscilloscope est utilis pour visualiser les signaux de sortie et pour la conversion
analogique/numrique des paliers dillumination des pixels. Les valeurs sont cods sur 16 bits, entre
32768 et +32768.
B) Problme li au transistor de limitation du temps dintgration

On cherche caractriser le pixel standard quip dune photodiode en caisson N, dcrit dans la
partie 4.2.3 A) .
On fixe la tension de remise zro du pixel Vreset 3.8 Volts. La sortie obtenue sur lcran de
loscilloscope est montre dans la figure suivante.
page 93
Jrme Goy
Reset
Illumination
Figure 4.25 Signal dlivr par un pixel standard photodiode en caisson N
Ce type de courbe est obtenu grce la fonction de lecture manuelle de la matrice dcrite la section
4.2.1 C) , cest dire que lon fige les dcodeurs de slection du pixel sur une adresse dtermine.
On sest rendu compte que la sortie ne pouvait tre correctement rendue par les amplificateurs de
colonne que si elle est comprise entre 3.1 Volts et 4.0 Volts. Or louverture du transistor de limitation
du temps dintgration du pixel cre un offset en sortie qui fait basculer le signal en dehors de cette
plage, bien que la diminution de lamplitude de basculement des grilles aie t prvue dans la partie
4.2.2 B) . On ne pourra donc pas utiliser cette fonctionnalit par la suite.
Cet inconvnient na quune porte limite puisque la possibilit de suppression de ce transistor de
larchitecture standard avait t prvue. Le contrle du temps dintgration de la matrice est alors
obtenu non pas en ouvrant le transistor L en fin dintgration, mais en retardant la fin de la remise
zro du pixel, comme illustr sur la figure suivante[20].
t2
t1
Remise zro
t2
(actif ltat bas)
t1
Transistor de
limitation L
L(1)
L(2)
Remise zro
(actif ltat bas)
R(2)
R(1)
offsets
Vpix (1)
Sortie du pixel
intgration
de la lumire
Sortie du pixel
Vpix (1)
Vpix (2)
intgration
de la lumire
Vpix (2)
temps
Lecture
temps
Lecture
Figure 4.26 Variation du temps dintgration de la lumire

Gauche : par ouverture du transistor L
Droite :
par retardement de louverture du transistor de Reset
page 94
Jrme Goy
On peut voir dans la figure prcdente que lutilisation du retard de louverture du transistor de Reset
supprime effectivement les offsets, mais en revanche il ncessite de raliser une lecture du signal
pendant lintgration de la lumire par le pixel. Ceci nous amne des variations de rponse sur les
pixels dune mme ligne, car ceux-ci sont remis zro au mme instant (adressage des pixels par
ligne), mais sont lus des priodes dcales dun intervalle de temps gal Tpixel.
t5
........
t4
Matrice APS
t3
t2
t1
Remise zro
(actif ltat bas)
remise zro
1
remise zro de tous

les pixels de la ligne
8
Sortie des pixels
intgration
de la lumire
temps
lecture par
multiplexage des
colonnes
Lecture pixel 1
Lecture pixel 2
Lecture pixel 3
Lecture pixel 4
Lecture pixel 5
........
Figure 4.27 Illustration du problme de la variation du temps dintgration

d au multiplexage de la lecture des pixels dune mme ligne
Les temps dintgration des pixels dune mme ligne sont donc diffrents (voir ci-dessus t1, t2, t3, ),
et limage apparatra donc plus claire sur sa partie droite que sur sa partie gauche.
Pour viter cela, il faut prvoir un systme dchantillonneur-bloqueur synchrone dans chaque
amplificateur de colonne, avant le multiplexage.
Ce systme na pas t prvu dans le cas du circuit qui a t fabriqu, et on a d corriger par un
traitement informatique les erreurs lies aux variations de temps dintgration.
C) Traitement de limage pour rduire les non-uniformits

Les tapes employes pour le traitement de limage sont les suivantes :
acquisition dune image noire (sous obscurit) pour connatre les offsets induits par les pixels
acquisition de limage que lon veut visualiser
soustraction des deux images
correction des temps dintgration des pixels par multiplication dun coefficient li au numro de
colonne de chaque pixel.
page 95
Jrme Goy
Les courbes suivantes montrent la sortie de chaque pixel telle quelle est dlivre par le convertisseur
analogique-numrique dans le cas de la lecture dune matrice de 10 10 pixels.
5000
noir = 0
Valeur lue en sortie
-5000
-10000
-15000
-20000
blanc = -25000
-25000
-30000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Pixel
Figure 4.28 Image noire et image blanche
On voit nettement ici une forme en 'dent de scie' sur limage blanche due au fait que le temps
dintgration des pixels de la colonne de gauche est infrieur celui des pixels de la colonne de droite.
-20000
-25000
-30000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
90
100
Pixel
Figure 4.29 Image blanche aprs soustraction des offsets
-20000
-25000
-30000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Pixel
Figure 4.30 Image blanche aprs soustraction des offsets et correction

du temps dintgration de chaque pixel
Le traitement appliqu a clairement uniformis les rponses des pixels, diminuant ainsi les nonuniformits de limage.
page 96
Jrme Goy
Dans la pratique, on a ralis lacquisition dimage suivante :
Figure 4.31 Image dorigine / Image brute dlivre par le capteur / Image aprs traitement
Malgr lamlioration apporte par ce traitement, on voit quil subsiste des non-uniformits. Nous
allons maintenant identifier ces non-uniformits et les quantifier.
REMARQUE Les parties suivantes dcrivent le procd de mesure uniquement mais ne donnent pas de
valeur numrique. Lensemble des rsultats obtenus a t regroup en fin de chapitre pour permettre
une meilleure comparaison des performances de chaque architecture de pixel.
4.3.2 Non-uniformits de limage (Dark Signal Non-Uniformities, DSNU,

et Pixel Response Non-uniformities, PRNU)
Cette partie couvre lensemble des tests qui ont t raliss pour tenter dexpliquer la cause des nonuniformits observes sur le circuit.
Nous avons pour cela dfini une mthodologie de tests permettant didentifier les points faibles du
circuit et les moyens dy remdier.
DEFINITION Dans la suite de ce rapport, on utilisera le terme non-uniformit doffset pour dsigner les
variations spatiales des caractristiques de limage qui sont indpendantes du temps dintgration, et le
terme non-uniformit de gain pour dsigner les variations spatiales de limage qui sont
proportionnelles au temps dintgration, sous une illumination uniforme de la matrice de capteurs.
tension
Pixel 1
Pixel 2
Vreset
offset 2
offset 1
gain 2
gain 1
temps
Figure 4.32 Illustration des diffrences de rponses entre deux pixels
page 97
Jrme Goy
Les origines des non-uniformits du capteur APS sont montres dans la figure suivante.
V reset
Transistor de Reset :
non-uniformit doffset louverture
VDD
L
Vd
Transistor de transconductance :
non-uniformit doffset et de gain
Vpix
CGDT
Cd
VSS
Photodiode :
non-uniformit de gain
Pixel
Icol
Transistor de reproduction de la tension du pixel :

non-uniformit doffset et de gain
VDD
m3
Amplificateur
de colonne
VDD
m4
VDD
VDD
VDD
Ipol
m5
m6
m11
1.5V
Vcol
VDD
Ipol
VDD
m13
1.5V
m7
m8
m15
Vcol
m12
Sortie
m14
Suiv
m9
m16
m10
Figure 4.33 Origine des non-uniformits
Les non-uniformits cres par des transistors utiliss en mode analogique peuvent tre dues :
une variation des dimensions de la grille : W et L
une variation du facteur de gain : KP
une variation de la tension de seuil : VT
Les transistors utiliss comme interrupteurs (par exemple R et L) crent des non-uniformits doffsets
lorsquils souvrent (voir partie 2.1.1 B) d. ) en raison de la variation spatiale des valeurs de leurs
capacits grille-source et grille-drain.
page 98
Jrme Goy
Dans lexemple de la figure prcdente, on peut identifier les non-uniformits suivantes :

variation spatiale de la valeur de la capacit parasite de la photodiode
Le facteur de conversion du pixel est directement proportionnel la valeur de cette capacit. Sa
variation va donc donner lieu une non-uniformit sur le gain de la matrice image.
variation spatiale de loffset cr lors de louverture du transistor de Reset
Cet offset va se retrouver lors de la lecture du pixel, aprs intgration de la lumire. Sa
variation va donc influer directement sur loffset de limage obtenue.
variation spatiale de la qualit de la reproduction de la tension du pixel par lamplificateur de
colonne
Le transistor de transconductance du pixel T sert isoler la tension du pixel Vpix (trs sensible)
de la colonne (capacit parasite, pertes, bruit). La tension applique sur sa grille module la
valeur du courant qui circule dans la colonne. Lamplificateur de colonne, grce au miroir de
courant constitu par les transistors m9 et m10, et un transistor tmoin m3 identique au
transistor T reproduit sur la grille de celui-ci la valeur de la tension Vpix. Or cette reproduction
nest pas parfaitement fidle en raison de la non-correspondance entre les transistors m3 et T.
Cette non-uniformit est donc cause par deux phnomnes :
la variation des caractristiques du transistor T sur lensemble des pixels de la matrice
la variation des caractristiques du transistor m3 sur lensemble des amplificateurs de colonne.
On considre ici quil ny a pas de non-uniformit sur la remise zro des pixels, cest dire que la
tension Vreset applique sur tous les pixels est identique, et puisque le transistor R a une rsistance
ngligeable lorsquil est ferm, on pourra considrer que les tensions Vpix de tous les pixels sont
identiques lorsque ceux-ci sont remis zro.
Cette hypothse est fondamentale pour la suite de ltude, mais on verra plus loin quelle ne sapplique
pas pour toutes les architectures de pixel.
La suite de ltude des dispersions spatiales des rponses va se dcomposer comme suit :
quantification et identification des non-uniformits dues la reproduction de la tension du pixel Vpix
par lensemble constitu du transistor de transconductance et des amplis de colonne
dfinition dune mthode de correction de ces non-uniformits afin de les supprimer des
mesures suivantes
quantification et identification des non-uniformits causes par la variation de la capacit
dintgration et par louverture du transistor de reset.
page 99
Jrme Goy
A) Non-uniformits de lensemble constitu par le transistor de transconductance et les

amplificateurs de colonne
On cherche dans cette partie quantifier le bruit spatial apport par la reproduction de la tension
interne du pixel Vpix.
Pour cela, on fixe une valeur pour la tension de remise zro Vreset (par exemple 3.8 Volts) et on place
lensemble des pixels en mode de Reset permanent.
Partant de lhypothse prcdente, on peut considrer que lensemble des tensions Vpix des pixels sont
gales la valeur choisie pour Vreset. Les non-uniformits observes en sortie proviennent donc
uniquement de la reproduction du signal par lensemble constitu par le transistor de transconductance
et les amplificateurs de colonne.
Limage observe en sortie est donne par la figure suivante.
Figure 4.34 Bruit spatial (Fixed Pattern Noise) cr par la reproduction de la tension du pixel
par lensemble constitu du transistor de transconductance et de lamplificateur de colonne
Dans cette image :

une colonne claire ou fonce est due la variation des caractristiques (W, L, VT, KP) dun
transistor m3 contenu dans lamplificateur de colonne
un pixel clair ou fonc est d la variation des caractristiques dun transistor de transconductance
T contenu dans le pixel
Pour quantifier la provenance des non-uniformits de cette image, on procde un moyennage de
chaque colonne de limage. Le nombre de pixels dune colonne tant relativement lev (128), on peut
considrer que les moyennes des rponses des pixels sur chaque colonne sont identiques, et donc que
les non-uniformits qui restent aprs ce moyennage sont dues aux amplificateurs de colonne.
page 100
Jrme Goy
En soustrayant limage moyenne de limage dorigine, on obtient les non-uniformits cres par la
variation des caractristiques des transistors de transconductance des pixels.
moyenne sur chaque colonne
image fournie par le capteur
non-uniformits des amplis colonnes
non-uniformits des pixels
Figure 4.35 Distinction entre les non-uniformits de colonne et de pixel
On constate que limage de droite apparat plus claire sur le haut et plus fonce sur le bas. Ceci est d
au fait que plus les pixels sont loigns des amplificateurs de colonne, plus la concordance entre les
transistors T et m3 est difficile.
Lidentification prcise de lorigine des non-uniformits est importante car les variations causes par
les amplificateurs de colonne peuvent tre corriges par Double Delta Sampling, comme il est dcrit
dans la section 2.2.3 .
La valeur numrique du bruit spatial montr ci-dessus nest pour linstant pas rvlatrice car elle est
exprime en units donnes par le convertisseur analogique-numrique de sortie. Pour la quantifier, il
faut dabord pouvoir faire la correspondance entre la variation de tension Vpix et la variation de la
tension de sortie.
Ceci est obtenu en acqurant plusieurs images pour diffrentes valeurs de la tension de remise zro du
pixel Vreset, tout en maintenant la matrice entire de pixel en mode de Reset permanent (Vpix = Vreset).
Pour Vreset variant de 3.1V 4.0V par pas de 0.1V, on obtient la figure suivante.
page 101
Jrme Goy
30000
25000
4.0V
20000
3.9V
15000
= 580
3.8V
10000
3.7V
5000
3.6V
3.5V
-5000
3.4V
-10000
3.3V
-15000
3.2V
3.1V
-20000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Pixel
Figure 4.36 Tension de sortie du CAN pour chaque pixel et pour diffrentes valeur de la tension Vreset
On peut grce ces mesures reconstituer la valeur de la tension Vpix de chaque pixel.
Si le convertisseur analogique-numrique dlivre par exemple la valeur 7000 pendant la lecture du
pixel numro 48, on peut ainsi savoir que la tension Vpix de ce pixel vaut environ 3.73 Volts, comme
illustr ci-dessus.
De la mme manire, on peut dterminer que lcart-type des rponses obtenu pour la valeur de la
tension Vreset gale 3.8V, soit = 580 units, correspond une variation de la tension Vpix de 10.9
mV.
B) Non-uniformits doffset et de gain de chaque pixel

On a vu qu lintrieur de chaque pixel, si on excepte les variations du transistor T que lon vient
dtudier, les non-uniformits proviennent :
de la variation spatiale de la valeur de la capacit parasite de la photodiode, qui cre une nonuniformit du gain des pixel
de la variation spatiale de loffset cr lors de louverture du transistor de Reset, qui cre une nonuniformit de loffset des pixel
page 102
Jrme Goy
Pour les mesurer, on acquiert une image sous obscurit, ou bien avec un temps dintgration nul, et une
autre image sous illumination uniforme.
Les deux images telles quelles sont obtenues en sortie du CAN sont ensuite interpoles daprs la
mthode dcrite prcdemment pour obtenir leur quivalent en terme de variation de la tension du
pixel. On corrige ainsi intgralement les non-uniformits provoques par lensemble (transistor de
transconductance + ampli colonne). Les non-uniformits mesures ne proviennent alors plus que du
pixel proprement dit.
tension du pixel
Vreset
offset
image "noire"
gain
image "blanche"
temps
Figure 4.37 Mthode de calcul de loffset et du gain de chaque pixel
Les non-uniformits doffset cres par louverture du transistor de remise zro du pixel sont donnes
par limage sous obscurit.
Les non-uniformits de gain cres par la variation de la valeur de la capacit parasite de la photodiode
sont donnes par la soustraction de limage sous illumination par limage des offsets.
Figure 4.38 Image des offsets et du gain de chaque pixel

page 103
Jrme Goy
C) Non-uniformits du pixel amplification par inverseur CMOS

Dans le cas du test des pixels dont le principe de fonctionnement par intgration du courant
photonique dans une capacit en polysilicium de faible valeur, on sest heurt une impossibilit de
mesure du fait :
dune instabilit de lamplificateur oprationnel ralis partir de larchitecture 5 transistors
dcrite dans la partie 4.2.3 C)
dune rsistance trop leve de la ligne dalimentation VDD qui cre une instabilit sur
larchitecture amplification par inverseur CMOS dcrite la section 4.2.3 D) .
Sur ce dernier point, on a analys le phnomne comme tant d une consommation de courant trop
importante dans les colonnes de la matrice, comme illustr ci-dessous.
R
VDD
Cint
R parasite
VDD'
VGSm1
Vdiode
Cd
Iph
m1
Vcapa
T
g
Vpol
m2
S
Icol
Figure 4.39 Problme de saturation du pixel amplification par inverseur CMOS

d une chute de tension de lalimentation VDD
A la fermeture du transistor de slection du pixel S c, la tension Vcapa agit sur la grille du transistor de
transconductance T pour faire circuler un courant Icol dans la colonne.
Or ce courant cre une lgre chute de la tension dalimentation VDD d due la rsistance des lignes
de mtal. La tension dalimentation du pixel devient alors VDD' = VDD R Icol.
Cette chute de tension se retrouve sur la tension de diode Vdiode e du fait que la tension grille-source
du transistor m1 varie peu en raison de sa polarisation en courant force par le transistor m2. La
variation de la tension Vdiode cre alors un flux de charges entre les capacits Cd et Cint f qui amplifie
la chute de tension sur Vcapa g dun facteur gal Cd / Cint 15.
La baisse de Vcapa amplifie ainsi la valeur du courant de colonne, qui augmente encore la chute de la
tension VDD', et ainsi de suite.
On obtient finalement une saturation de la tension Vcapa une valeur proche de VSS.
Lors de la conception du circuit, la chute de tension de lalimentation VDD avait t anticipe et
calcule, mais lenchanement de ces consquences tait difficilement prvisible.
page 104
Jrme Goy
Cependant, il a t ajout au circuit fabriqu un ensemble de 3 colonnes de 128 pixels bass sur
larchitecture prcdente mais possdant une sortie en tension. Le problme prcdent est alors rsolu.
R
VDD
Cint
VDD'
VGSm1
Vdiode
Cd
m1
Vcapa
Iph
m2
Vpol
Vcol
Figure 4.40 Architecture du pixel amplification par inverseur CMOS avec sortie en tension.
Lorsque le transistor de slection du pixel S est ferm, la tension Vcapa est transmise sur la colonne
Cest sur ces 3 colonnes quont port les mesures effectues sur cette architecture, dont le principe
consiste intgrer le courant photonique dans une capacit en polysilicium.
Nous allons donc maintenant pouvoir comparer les deux architectures afin dvaluer leur qualits et
leurs dfauts respectifs.
Dans ce cas de figure, les non-uniformits sont causes :
par la remise zro du pixel, dont la valeur sera gale VDD' VGSm1. Les dispersions des
caractristiques analogiques de m1 (tension de seuil, facteur de gain, dimensions de grille) vont
faire que ce palier de remise zro ne sera pas uniforme pour tous les pixels, contrairement
lhypothse mise sur les pixels architecture standard (voir page Erreur ! Signet non dfini.).
par loffset cr louverture du transistor de reset, de la mme manire que dans le cas prcdent
par les variations spatiales de la capacit dintgration Cint, qui cre un non-uniformit de gain.
Les mesures sont cette fois obtenues partir de trois images qui sont mutuellement soustraites, comme
illustr ci-dessous.
tension du pixel
Vreset
image des paliers de reset

offset
image des offsets
gain
image "blanche"
temps
Figure 4.41 Mthode de calcul du palier de reset, de loffset et du gain de chaque pixel
page 105
Jrme Goy
Le fait que ces pixels soient quips dune sortie en tension plutt quune sortie en courant
supprime les consquences de la chute de tension dalimentation (cest dire linstabilit du pixel),
mais il nen reste pas moins la prsence dune rsistance parasite sur la ligne dalimentation.
Lors de la remise zro des pixels, les tensions Vdiode et Vcapa sont court-circuites une valeur gale
VDD' VGSm1 = VDD R Ipol m2 VGSm1, qui varie selon le numro de ligne du pixel (la tension
dalimentation est fournie par le haut de la matrice de pixel).
On obtient le trac sur loscilloscope montr ci-dessous.
signal de synchro trame
tot
pixels "bas"
niveau
de
reset faible
pixels "hauts"
niveau de
reset lev
pix
Figure 4.42 Paliers de remise zro des pixels amplification par inverseur CMOS
La caractrisation des non-uniformits des paliers de remise zro t calcule pour deux cas de
figure :
mesure du bruit spatial brut des pixels tel quil apparat en sortie du circuit : tot
mesure du bruit spatial des pixels si lon tient compte de la chute de la tension dalimentation, en
calculant lcart-type des pixels autour de leur rgression linaire : pix.
On cherche ainsi distinguer les imperfections du circuit qui seront corriges dans une future version,
en surdimensionnant les lignes dalimentation, des imperfections propres larchitecture du pixel
choisie (pix).
page 106
Jrme Goy
4.3.3 Bruit de lecture

A) Mthode de mesure
On cherche maintenant mesurer le bruit de lecture issu du pixel, provoqu essentiellement par la
remise zro de celui-ci. Contrairement au bruit spatial prcdent qui donne les variations de
caractristiques dun pixel un autre, ce type de bruit est temporel, cest dire quil sagit de mesurer
les variations entre plusieurs lectures conscutives du mme pixel, sous illumination uniforme.
lecture du niveau de tension pour le
calcul du bruit de lecture
tension du pixel
remise zro du
pixel
cart de tension entre

les deux paliers
bruit de lecture
remise zro du
pixel
intgration
de la lumire
intgration
de la lumire
temps
"Gel" de la tension du pixel une
valeur alatoire lors de louverture
du transistor de reset
Figure 4.43 Origine du bruit de lecture
Les deux paliers de remise zro ntant pas identiques entre deux lectures successives, on aura en
sortie des niveaux diffrents, bien que lillumination du circuit soit constante.
Pour quantifier le bruit de lecture, on procde un grand nombre de lectures de paliers successifs dun
mme pixel. Afin de rduire le bruit ajout par la chane dacquisition du signal, on procde un
moyennage temporel de la tension sur la priode de temps qui suit louverture du transistor de reset.
On amliore ainsi considrablement la prcision de la lecture.
Il est noter que le moyennage temporel effectu supprime le bruit induit par les appareils de mesure
(amplificateurs, CAN) mais ne supprime pas le bruit de lecture que lon cherche mesurer, car on
ne fait ici que lisser le palier de reset, sans chercher observer directement le bruit prsent pendant la
phase de remise zro.
page 107
Jrme Goy
le bruit que lon voit ici nest d
quaux appareils de mesure
rduit par moyennage temporel
signal de synchro
trame
cart entre deux

paliers successifs
dun mme pixel
bruit de lecture
h
g
h
g
h
g
Figure 4.44 Observation du bruit de lecture des pixels : lecture dune fentre de 2 3 pixels
B) Cas particulier de la photogrille :

utilisation de la technique du double chantillonnage corrl
Comme on la vu, lintrt principal de lutilisation de photogrilles comme lment photosensible
est la possibilit de raliser un transfert rapide des charges, permettant ainsi pendant une mme
squence de lecture de pouvoir effectuer une soustraction de la tension de sortie avant et aprs
illumination. On supprime ainsi le bruit de lecture (voir paragraphe 2.2.1 ).
En pratique, on observe loscillogramme suivant sur la sortie du pixel photogrille.
remise zro du
signal
intgration de la
lumire dans la
diode de sortie
offsets apparaissant
lors du basculement
de la tension de grille
quantit de charges
stockes sous la
grille pendant
lintgration de la
lumire
Figure 4.45 Signal de sortie du pixel standard photogrille
page 108
Jrme Goy
La valeur du bruit de lecture cr par le transistor de reset est donn, de la mme manire que pour
un pixel classique, par la lecture du palier suivant la remise zro c.
La technique du CDS, quand elle, consiste soustraire les valeurs avant et aprs le transfert des
charges. On mesure donc un lger bruit temporel provenant du basculement de la grille.
tension
Nous avons pour cela ici fig la squence de lecture sur un pixel particulier, en utilisant le mode de
lecture manuel prvu pour le circuit (voir partie 4.2.1 C) ), et nous avons effectu une soustraction des
paliers d et e par traitement informatique.
temps
Figure 4.46 Mesure du bruit de lecture lors de lutilisation du CDS
Lensemble de ces mthodes nous donne donc le bruit de lecture de chaque architecture de pixel
exprim en Volts rms. Pour le convertir en lectrons rms quivalent, il convient de le diviser par le
facteur de conversion.
4.3.4 Facteur de conversion

La mthode employe pour obtenir le facteur de conversion de chaque type de pixel est trs connue
et couramment employe[3] lors des caractrisations de pixels APS. Elle repose sur le principe que le
flux photonique varie de manire alatoire entre chaque intgration. Sa fluctuation est caractrise par
la loi de Poisson, et on peut dmontrer que son cart-type est gal la racine carre de sa valeur
moyenne.
phot = n phot
(4.4)
phot : bruit photonique (photons rms)

nphot : nombre moyen de photons captes
Le nombre dlectrons tant proportionnel au nombre de photons reus (multiplication par le
rendement quantique), ceux-ci varient galement selon la mme loi.
e = n e
e :
ne :
(4.5)
bruit photonique (lectrons rms)

nombre moyen dlectrons gnrs par llment photosensible
page 109
Jrme Goy
Le bruit de lecture observ en sortie aprs illumination sera donc :

S2
S:
phV:
L:
Fc :
Vs :
= 2phV + 2L
= Fc2 e2 + 2L
= Fc2 n e + 2L
= Fc Vs + 2L
(4.6)
bruit de lecture en sortie aprs illumination (V rms)

bruit photonique (V rms)
bruit de lecture indpendant de lillumination reue (bruit de reset calcul prcdemment)
facteur de conversion (V/e-)
variation moyenne de la tension en sortie (V)
Ainsi, la pente du signal dans le trac de S, en fonction de la valeur moyenne de la variation de la

tension de sortie nous donne la valeur du facteur de conversion.
Nous avons donc ralis plusieurs calculs du bruit de lecture, selon la mthode dcrite prcdemment,
pour 6 niveaux dillumination du capteur diffrents.
Pour augmenter la prcision du calcul, on a effectu 100 mesures de bruit sur chaque pixel dune
matrice de 5 5. Le facteur de conversion obtenu est donc la moyenne des facteurs de conversion de
ces 25 pixels. On diminue ainsi le risque de mesurer un pixel "chaud" qui ne serait pas caractristique
de la matrice.
Bruit de lecture (V)
2,5
1,5
0,5
0
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
Valeur moyenne de la variation de la tension de sortie (V)
Figure 4.47 Calcul du facteur de conversion de larchitecture pixel standard, diode standard caisson N
La pente obtenue nous donne le facteur de conversion de ce type darchitecture de pixel. La valeur
dorigine est le bruit de lecture qui a t calcul dans la partie prcdente.
page 110
Jrme Goy
4.3.5 Courant dobscurit

La mesure du courant dobscurit de chaque pixel ne pose aucun problme particulier. Il suffit
daugmenter le temps dintgration du pixel suffisamment jusqu obtenir un signal assez grand en
sortie pour pouvoir tre mesur avec prcision. Dans notre cas, ce temps dintgration tait de 2
secondes.
4.3.6 Linarit et dynamique

La linarit dune courbe est calcule comme la somme des variances entre le signal et sa rgression
linaire selon la formule suivante :
1 n y i ri
lin = 100% 1

n i =1 y i
yi :
ri :
n:
(4.7)
valeur de la tension de sortie un instant i

valeur de la rgression linaire de la tension de sortie un instant i
nombre de valeurs sur lequel porte le calcul
Error! Objects cannot be created from editing field codes.

Error! Objects cannot be created from editing
field codes.
Figure 4.48 Allure des tensions de sortie du pixel standard caisson N (gauche) et du pixel amplification par
inverseur CMOS (droite)
On voit sur les graphes prcdents que dans le cas du pixel standard (figure de gauche) la droite de
rgression linaire est parfaitement confondue avec la rponse du pixel. Dans le cas du pixel
amplification par inverseur CMOS (figure de droite) on peut observer un lger dcalage entre les deux
courbes. Ce dcalage est cependant trs faible et on peut dire quon a ici une trs bonne linarit dans
les deux cas.
page 111
Jrme Goy
4.3.7 Vitesse de lecture

Comme on la vu dans la partie 4.2.1 B) , il faut distinguer dans le calcul de la vitesse de lecture
trois composantes :
la vitesse de lecture dune trame, qui est la frquence avec laquelle chacun des pixel de la matrice
est lu. Cette frquence est gnralement assez basse (10-1000 kHz) et les pixels ne constitueront
donc pas llment limiteur de la vitesse de lecture globale du circuit.
la vitesse de lecture dune ligne, qui est la frquence de fonctionnement des amplificateurs de
colonne. Ceux-ci doivent tre dessins de manire trs attentive car ils vont dterminer en grande
partie les caractristiques du capteur (FPN, dynamique). Ils vont aussi tre llment le plus
critique pour la dtermination de la vitesse maximale de lecture, car les courants de polarisation
quils utilisent sont trs faibles (courant de polarisation de la colonne de lordre du nano-ampre) et
pour atteindre la prcision voulue il faudra un temps de stabilisation relativement long.
la vitesse de lecture des pixels, enfin, est celle laquelle fonctionne le multiplexeur de sortie. Dans
la matrice APS, seul le multiplexeur de sortie fonctionne cette frquence, et il est donc possible
datteindre ici des frquences de lecture de pixels de plusieurs dizaines de mga-Hertz.
La vitesse de lecture du capteur sera donc limite par lun des trois lments suivants :
les pixels, fonctionnant quelques Hertz
les amplificateurs de colonne, fonctionnant quelques dizaines de kilo-Hertz
le multiplexeur de sortie, fonctionnant quelques mga-Hertz.
Il est noter que le rapport entre les frquences trame, ligne, et pixel dpendent de la taille de la fentre
de lecture. Dans le cas dune fentre de grande taille, le multiplexeur de sortie sera plus sollicit, tandis
que dans le cas dune fentre de taille rduite, ce sont les pixels qui limiteront les performances.
Lexpression dune vitesse de lecture unique (exprime en pixels/seconde) est donc trs relative.
Dans notre cas, on sest aperu en faisant des mesures pour des tailles de fentre variable que llment
le plus limiteur de la frquence de sortie est le multiplexeur.
Figure 4.49 Variation de la tension de sortie une frquence de lecture des pixels
de 10kHz (gauche) et 100kHz (droite)
page 112
Jrme Goy
4.3.8 Rsultats des tests

Le tableau 4.50 montre les valeurs obtenues lors des tests des 3 matrices de pixels du capteur APS
ralis.
Dans un premier temps, on ne sest intress quaux non-uniformits induites par le pixel
proprement dit, cest dire par loffset louverture du transistor de Reset (non uniformit doffset) et
par la variation spatiale de la capacit dintgration (non-uniformit de gain), comme illustr sur la
figure 4.33. Pour cela, on sest affranchi des non-uniformits cres par lenvoi du signal le long des
colonnes de la matrice (transistor T + reproduction du signal par les amplis de colonne travers le
transistor m3) selon la mthode dcrite dans la partie 4.3.2 A) , et grce au graphe montr dans la
figure 4.36.
La premire ligne du tableau de la page suivante montre les non-uniformits du palier de Reset. Les
deux pixels utilisant une architecture standard (remise zro par une tension fixe applique sur le
pixel) ont un cart-type sur le palier de Reset nul.
En revanche le pixel amplification par inverseur CMOS est remis zro en plaant lamplificateur en
mode suiveur (sortie = entre ngative, voir figure 4.19), ce qui cre un palier aux alentours de 4 Volts
avec une lgre variation spatiale due la dispersion des caractristiques des transistors. On a observ
ici la rponse illustre la figure 4.42, cest dire que la tension de Reset de ce type de pixel varie
selon la chute de la tension dalimentation VDD le long de la matrice. Les deux chiffres donns
traduisent dune part lcart-type total des pixels, et dautre part lcart-type des pixel en supprimant
les effets de la chute de la tension dalimentation.
La deuxime ligne du tableau donne les non-uniformits cres par louverture du transistor de Reset.
La troisime ligne regroupe lensemble des non-uniformits doffset du pixel donnes dans les deux
premires lignes (on peut noter ici que 3 1 + 2 en raison du fait que les non-uniformits ne sont
pas corrles).
La quatrime ligne donne la non-uniformit de gain du pixel induite par la variation de la capacit
dintgration.
Dans un second temps, on sest attach quantifier les non-uniformits apportes par la
reproduction du signal dans le transistor de transconductance T et les amplificateurs de colonne (voir
figure 4.33). Lerreur induite par cette reconstitution du signal cre des non-uniformits doffset et de
gain, donns dans les lignes 5 10 du tableau.
Dans chaque cas (offset et gain), on caractrise les non-uniformits totales (tel quillustr sur la figure
4.34), puis on cherche quantifier la part qui est due la variation des caractristiques du transistor T
du pixel (lignes 6 et 9) par rapport celle due aux transistors m3 des amplificateurs de colonne (lignes
7 et 10). Pour cela, on utilise la mthode dcrite dans la partie 4.3.2 A) et dans la figure 4.35.
Enfin, les dernires lignes du tableau donnent les valeurs du courant dobscurit, du bruit de lecture, du
facteur de conversion, de la dynamique, de la linarit, et de la vitesse de lecture tels que dcrits dans
les parties 4.3.3 4.3.7 .
page 113
Jrme Goy
Pixel standard
Photodiode Caisson N
Pixels standard
Photogrille
3,8 V
3,7 V
Ecart-type 1
64,4 mV
Min-Max
145,5 mV
Moyenne
27,5 mV
31,1 mV
-585,2 mV
Ecart-type 2
2,1 mV
21,1 mV
73,5 mV
Min-Max
5,6 mV
60,3 mV
146,4 mV
Moyenne
3,8275 V
3,7311 V
3,4148 V
Ecart-type 3
2,1 mV
21,1 mV
89,8 mV
80,6 mV
Min-Max
5,6 mV
60,3 mV
205,5 mV
153,7 mV
Moyenne
614,0 mV
603,4 mV
541,0 mV
Ecart-type (PRNU)
2,6 mV (0,4%)
7,3 mV (1,2%)
26,9 mV (5,0%)
Min-Max
7,0 mV (1,1%)
17,7 mV (2,9%)
59,2 mV (10,9%)
Moyenne
10
Tension de Reset
Offset louverture du
transistor de Reset
Tension de Reset +
Offset louverture du
transistor de Reset
Gain du pixel
Pixels amplification
par inverseur CMOS
Sortie en tension
total
sans la
chute de la
tension
dalim
4,0 V
h 29,0 mV
74,9 mV
Transconductance : offset
total
Ecart-type
18,2 mV
16,6 mV
Min-Max
47,6 mV
40,1 mV
pixel pixel
Ecart-type
10,9 mV
Min-Max
26,2 mV
colonne colonne
Ecart-type
14,6 mV
Min-Max
26,5 mV
Transconductance : gain
total
Ecart-type
2,9%
2,9%
Min-Max
7,2%
7,6%
pixel pixel
Ecart-type
1,9%
Min-Max
4,6%
colonne colonne
Ecart-type
2,2%
Min-Max
4,2%
Moyenne
9,1 fA
106,3 fA
12,2 fA
Ecart-type (DSNU)
0,9 fA
22,8 fA
1,7 fA
Min-Max
3,0 fA
58,7 fA
3,6 fA
70 81 e- rms
64 78 e- rms
Avec CDS: 25 e- rms
182 808 e- rms
Facteur de conversion
4,8 V/e-
10,2 V/e-
14,7 V/e-
Dynamique
800 mV
800 mV
1000 mV
80.000 e-
70.000 e-
non mesur car la

rponse de la photogrille
nest pas linaire
96,8%
Courant d'obscurit
Bruit de lecture
Capacit de stockage maximum du pixel (dyn / FC)
170.000 e98,8%
Linarit de la rponse
c
d
11,8 mV
25,2 mV
11,7 mV
18,9 mV
2,3%
1,7%
5,3%
3,4%
600 kHz
Vitesse maximale de lecture
( limite par le multiplexeur de sortie, qui est commun tous les pixels )
Tableau 4.50 Rsultats des tests des 3 types de pixels APS raliss
page 114
Jrme Goy
4.3.9 Observations et conclusions

A) Amliorations possibles
a. Ajout dun systme dchantillonnage sur les amplificateurs de colonne
Un systme dchantillonnage du signal synchrone pour tous les amplificateurs de colonne
permettrait de sassurer que le temps dintgration est bien identique pour tous les pixels, ce qui nest
pas le cas pour le circuit que nous avons fabriqu (voir partie 4.3.1 B) ). On a du ici recourir un
traitement informatique pour corriger ces imperfections.
b. Amlioration de la reproduction du signal dans le cas des pixel architecture standard

On observe dans le cas du pixel architecture standard, quil soit base dune photodiode caisson
N ou dune photogrille, que les non-uniformits du palier de Reset ainsi que du gain du pixel sont
satisfaisantes, mais quun problme subsiste lorsquil sagit de conduire le signal le long des colonnes
de la matrice et de le reproduire en sortie de capteur (lignes 5 10).
les non-uniformits c et e dues au transistor de transconductance T peuvent tre rduites en
augmentant les dimensions de la grille de celui-ci, mais limpact de cette modification risque dtre
trs faible
en revanche, les non-uniformits d et f dues la reproduction du signal par les amplificateur de
colonne pourraient tre fortement attnues par
lamlioration de la correspondance entre le transistor de reproduction de la tension du
pixel m3 et le transistor T (voir figure 4.33) en utilisant des techniques de dessin
appropries.
la variation de la tension de colonne, la place de son courant. Cette technique ne
ncessite ainsi pas de reproduction de signal, ce qui en supprime tous les inconvnients.
En revanche il faudra se satisfaire dune lgre non-linarit de la rponse due la
variation de la tension VGS du transistor suiveur, comme montr dans la figure 4.51, ainsi
quune possible rduction de la vitesse de lecture due au temps de charge des capacits
parasites prsentes sur les colonnes.
lutilisation de la technique de DDS (Double Delta Sampling) explique dans la partie
2.2.3 qui supprime les non-uniformits doffsets des amplificateurs de colonne d.
page 115
Jrme Goy
Pixel 1
Pixel 2
T1
Pixel 1
T2
Pixel 2
T1
T2
/ non linarit
Icol
de la tension
VGS
Icol
Vcol
d
Vcol
Vcol
Vcol
/ ncessaire
reproduction
du signal
M1
M2
miroir de
courant
miroir de
courant
/ temps de charge
des capacits
parasite des
colonnes
Icol
- bonne
Icol
reproductibilit
des suiveurs de
colonne
Figure 4.51 Comparaison des deux types de lecture possibles :

gauche : tension de colonne fixe, modulation du courant
droite : courant de colonne fix, modulation de la tension
La modulation de la tension de la colonne au lieu de son courant permet en outre daugmenter la

dynamique de la rponse puisque dans le cas de la modulation en courant, une tension de pixel trop
basse va avoir pour effet daugmenter significativement le courant de colonne. Dans notre cas, on a
limit la dynamique des pixels architecture standard 800 mV g, ce qui correspond des courants
de colonne de lordre du nano-ampre.
Le choix de la modulation en tension de la colonne permet ainsi de fixer la consommation du capteur,
qui ne fluctue alors plus en fonction de lillumination reue.
c. Correction de la chute de tension de lalimentation

Un dernier point revoir est la chute de la tension dalimentation dans le cas des pixels
amplification par inverseur CMOS. Celle-ci dj t lorigine des problmes expliqus dans la
partie 4.3.2 C) . En surdimensionnant les lignes dalimentation du capteur, on ramne ainsi les nonuniformits du palier de Reset de 64 mV 29 mV h.
page 116
Jrme Goy
B) Choix du type de pixel le plus appropri pour notre application

A ce stade, aucun des trois types de pixels fabriqus ne convient pour lapplication qui nous
intresse, principalement en raison de fortes non-uniformits. Cependant, dans le cas des pixels
architecture standard, une future version du circuit permettrait sans doute de corriger un grand nombre
de ces dfauts. Cette mme architecture couple une photogrille possde de bonnes performances, en
particulier en ce qui concerne son bruit de lecture qui est rduit 25 lectrons rms en utilisant la
technique du CDS, mais souffre dun important courant dobscurit dont lorigine na pas pu tre
identifie (la caractrisation des photogrilles dans le chapitre 3 ne laisse rien transparatre de ce
problme).
En revanche, larchitecture amplification par inverseur CMOS et base sur lintgration des
charges dans une capacit en polysilicium a bien, comme on sy attendait, un gain plus important que
les autres architectures, mais possde dune part de fortes non-uniformits, probablement dues la
sensibilit du gain de lamplificateur aux caractristiques des transistors, et dautre part dun bruit de
lecture important gnr par ces mmes transistors. Ce bruit se retrouve amplifi en sortie du pixel.
Ces caractristiques mdiocres rendent ce pixel inutilisable dans une application faible flux comme
les viseurs dtoiles. Cependant, il nest pas exclu dutiliser lavenir ce type de pixel coupl un
amplificateur oprationnel plus complexe qui supprimerait les problmes que lon a rencontr ici. Il
faut pour cela intgrer plus dune dizaine de transistors dans chaque pixel, ce qui nest envisageable
que par une rduction importante des rgles de dessin de la technologie.
page 117
Jrme Goy
Bibliographie
[1]
Eric. R. Fossum Assessment of image sensor technology for future NASA missions
SPIE vol. 2172, pp 38-53, 1994
[2]
E. Fossum Active Pixel Sensors: are CCD's dinosaurs ?

SPIE vol. 1900, pp 2-14, 1993
[3]
J. Slhusvik Etude et conception de capteurs d'image pixel actifs et de l'lectronique de

traitement associe en vue d'applications faible flux
Thse ENSAE 1996
[4]
O. Yadid-Pecht, B. Mansoorian, E. Fossum, B. Pain Optimization of noise and responsitivity in

CMOS active pixel sensors for detection of ultra low light levels
SPIEE, pp 125-136, 1997
[5]
A. Mendis CMOS Active Pixel Image Sensors for highly integrated imaging systems
IEEE Journal of Solid State Circuits, vol. 32, pp 187-197, 1997
[6]
Hui Tian, Boyd Fowler, and Abbas El Gamal Analysis of temporal noise in CMOS APS
SPIE vol. 3649, 1999
[7]
C. Huat Aw, B. A. Wooley A 128128 pixel standard CMOS image sensor with electronic
shutter
IEEE Journal of Solid State Circuits, vol. 31 n12, pp 1922-1930, 1996
[8]
R.H. Nixon, S.E Kemeny, C.O. Staller, E.R. Fossum 128 128 CMOS photodiode-type
Active Pixel Sensor with on-chip timing, control, and signal chain electronics
SPIE, vol. 2415 Charge Coupled Devices and Solid State Optical Sensors V, n34, 1995
[9]
Orly Yadid-Pecht, Bedabrata Pain, Craig Staller, Christopher Clark, Eric Fossum CMOS
Active Pixel Sensor Star Tracker with regional electronic shutter
IEEE Journal of Solid-State circuits, vol. 32 n2, pp 285-288, 1997
[10] N. Ricquier, B. Dierickx Pixel structure with logarithmic response for intelligent and flexible
imager architectures
Microelectronic engineering 19, pp 631-634, 1992
[11] N. Ricquier, B. Dierickx Random addressable CMOS image sensor for industrial applications
Sensors and actuators, A 44, pp 29-35, 1994
[12] Maya R. Gupta, Ting Chen Vector color filter array demosaicing
SPIE vol. 4306 Sensors and camera systems for scientific, industrial, and digital photography
applications II, pp 374-382, 2001
[13] G.N. Lu, M. Ben Chouikha, G. Sou, M. Sedjil Colour detection usign a buried double p-n
junction strcuture implemented in the CMOS process
Electronic letter, vol. 32, n6, pp 594-596, 1996
[14] A. Alexandre, G. Sou, M. BenChouikha, M. Sedjil, G.N. Lu, G. Alqui Modeling and design
of multi buried junctions detectors for color systems development
SPIE vol. 4019 DTIP2000, pp 288-298, 2000
[15] R.W. Sandage & J.A. Connelly Producing phototransistors in a standard digital
CMOS technology
IEEE 0-7803-3073-0/96, pp 369-372, 1996
[16] H. Melchior Demodulation and photodetection techniques
Laser handbook, vol. 1, pp 725-835, 1972
Bibliographie
page 118
Jrme Goy
[17] A. Rogalski Infrared photon detectors

SPIE, ISBN 0-8194-1798-X, 1995
[18] J.G. Fossum, D.S. Lee A physical model for the dependance of carrier lifetime on doping
density in nondegenerate silicon
Solid-state Electronics, vol. 25, n8, pp 741-747, 1982
[19] Filipe Vinci Dos Santos Techniques de conception pour le durcissement des circuits intgrs
face aux rayonnements
Thse Universit Joseph Fourier, 1998
[20] J. Goy, B. Courtois, JM. Karam, F. Pressecq Design of an APS CMOS image sensor for space
applications using standard CAD tools and CMOS technology
SPIE vol. 4019 DTIP2000, pp 145-152, 2000
[21] B.A. Fowler, J. Balicki, D. How, M. Godfrey Low-FPN high-gain capacitive transimpedance
amplifier for low-noise CMOS image sensors
[22] J. Goy, B. Courtois, JM. Karam, F. Pressecq Design and test of an Active Pixel Sensor for
space applications
[23] Jerald G. Graeme Photodiode Amplifiers
ISBN 0-07-024247-X, 1996
[24] Antonio Cerdeira, Magali Estrada Analytical expressions for the calculation of pixel detector
capacitances
IEEE Transaction on nuclear science, vol. 44, pp 63-66, 1997
[25] B. Fowler, A. El Gamal, D. Yang, H. Tian A method for estimating quantum efficiency for
CMOS image sensors
SPIE, vol. 3301, 1998
[26] E.S. Eid, T.Y. Chan, E.R. Fossum, R.H. Tsai Design of radiation hard CMOS APS image
sensors in a 0.35m standard process
[27] B.R. Hancock, T.J. Cunningham, K.P. McCarty, G. Yang, C.J. Wrigley, P.G. Ringold, R.C.
Stirbl, B. Pain Multi-megarad (Si) radiation-tolerant integrated CMOS imager
[28] H.S. Bloss, S.K. Gick, S.C. Schmoelz, G. Foettinger CMOS active pixel sensor with a chess
pattern pixel layout
[29] Robert Wodnicki, Gordon W. Roberts, Martin D. Levine A log-polar image sensor fabricated
in a standard 1.2m ASIC CMOS process
IEEE Journal of Solid-State circuits, vol. 32 n8, pp 1274-1277, 1997
[30] David X.D. Yang, Boyd Fowler, Abbas El Gamal A 128 128 pixel CMOS area image sensor
with multiplexed pixel level A/D conversion
IEEE Custom integrated circuits conference, pp 303-306, 1996
Bibliographie
page 119
Study, conception and fabrication of an APS image sensor in standard CMOS technology
for low light level applications such as star trackers
In the field of image sensors, the technology called "CMOS sensors" or APS (Active Pixel Sensor) has been
recently developped, based on the integration of MOS transistors within each pixel, whose role is to amplify and
drive the signal throughout metal lines crossing the
image array. The spatial field, in particular, is interested in this technology because of its low sensitivity to
radiations, and because its price and performances are now reaching the one of the best actualCCDs.
This thesis explores the improvements which can be done to the current CMOS sensors in order to facilitate their
use in satellites.
This improvements concern especially the study of the photosensitivepart (photodiode or photoMOS), the choice
of a pixel architecture which could improve the gain and reduce readout noise, and the realization of a sequential
scanning system with possibility of adjustable exposure time and windowing.
In this perspective, several solutions have been realized and tested, and results give a wide idea of the advantages
and drawbacks of each kind of sensor.
Etude, conception, et ralisation d'un capteur d'image APS en technologie standard CMOS
pour des applications faible flux de type viseur d'toiles
Dans le domaine des capteurs d'image est apparu rcemment la technologie dite de "capteurs CMOS" ou APS
(Active Pixel Sensor) qui intgre l'intrieur de chaque pixel quelques transistors MOS chargs d'amplifier et
deconduire le signal le long de lignes de mtal parcourant l'ensemble de la zone image. Le domaine spatial en
particulier s'intresse cette
technologie du fait qu'elle est moins sensible aux radiations que les capteurs CCD, et qu'elle atteint prsent des
cots et des niveaux de bruit de lecture satisfaisants.
Cette thse explore les amliorations qui peuvent tre apportes aux capteur CMOS traditionnels afin de les
rendre plus proches des contraintes requises pour l'utilisation spatiale.
Ces amliorations concernent notamment l'tude de la partie photosensible (photodiode ou photoMOS), le choix
d'une architecture de pixel permettant d'augmenter son gain intrinsque tout en rduisant son bruit de lecture, et
la ralisation d'un systme de balayage de la matrice avec possibilit de fentrage et de temps d'exposition
programmable.
Dans ce cadre, plusieurs solutions ont t fabriques et testes, et les conclusions permettent de dresser une large
vision des avantageset des inconvnients de chaque type de capteur.
ISBN 2-913329-79-9 (Paperback)

ISBN 2-913329-80-2 (Electronic Format)

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THSE

Etude, conception, et ralisation d'un capteur

Date de soutenance : dterminer

Thse prpare au sein du Laboratoire TIMA-CMP

1.1.2 Comparaison entre APS et CCD .......................................................................................................................... 5

1.2.2 Paramtres lis au photosite .............................................................................................................................. 10

1.2.3 Paramtres lectriques....................................................................................................................................... 11

1.2.4 Bruit et non-uniformits ..................................................................................................................................... 12

2.1.2 Mthode de la rsistance de forte valeur, pixel non intgrant ........................................................................... 21

2.1.3 Mthode de la rduction de la taille de la photodiode....................................................................................... 24

2.2 TECHNIQUES DE REDUCTION DU BRUIT DANS UN CAPTEUR APS ............................................................................. 27

2.2.2 Double Echantillonnage Non Corrl (Non-Correlated Double Sampling, NCDS)......................................... 29

2.2.3 Double Echantillonnage Delta (Double Delta Sampling, DDS)....................................................................... 30

2.3 LES PIXELS COULEURS ............................................................................................................................................... 35

3.3 SIMULATION ET CALCUL DES PARAMETRES CARACTERISTIQUES DE LA PHOTODIODE .......................................... 51

3.5.4 Mesure des courants d'obscurit........................................................................................................................ 68

4.2.2 Dcodeurs de ligne et gnration des signaux R, L, S ....................................................................................... 78

4.2.3 Pixels APS .......................................................................................................................................................... 80

Pixel standard avec photodiode caisson N.......................................................................................................................... 80

4.2.4 Amplificateurs de colonne.................................................................................................................................. 91

4.3.2 Non-uniformits de limage................................................................................................................................ 97

4.3.3 Bruit de lecture................................................................................................................................................. 107

Facteur de conversion...................................................................................................................................... 109

A) Amliorations possibles ...................................................................................................................................................... 115

Tableau 3.32 Rendements quantiques mesurs.........................................................................................................................................................63

Prsentation des APS

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

1.1 Introduction : les capteurs dimages

Figure 1.1 Vue en coupe d'un viseur d'toiles

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

B) Mode de fonctionnement des capteurs d'images CMOS

Figure 1.2 Vue en coupe d'un CCD.

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

Figure 1.3 Lecture d'une matrice CCD

rendement du signal capt en sortie

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

Ligne / Colonne inactive

Figure 1.4 Lecture d'une ligne d'une matrice APS

1.1.2 Comparaison entre APS et CCD

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

Tableau 1.6 Comparaison des caractristiques moyennes de chaque technologie

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

App. photos numriques

App. photos numriques

Figure 1.7 Evolution du march des capteurs d'images

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

1.2 Paramtres caractristiques et dfinitions

B) La taille des pixels

Figure 1.8 Evolution des rgles de dessin

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

zone photosensible (photodiode ou photoMOS)

Figure 1.9 Utilisation de microlentilles

1.2.2 Paramtres lis au photosite

eff : rendement effectif du pixel

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

C) La capacit parasite de la photodiode

1.2.3 Paramtres lectriques

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

Figure 1.10 Utilisation dune structure danti-blouissement vertical

1.2.4 Bruit et non-uniformits

Chapitre 1 Prsentation des APS Contexte de l'tude

Chapitre 2 Etat de l'art