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Ewaldo L. M. Mehl
1.
Russel S. Ohl
George Clarke
Southworth
A idia de Southworth de usar cristais como detetores de radar mostrou bons resultados e
iniciou-se uma pesquisa no Bell Labs quanto ao uso de outros tipos de cristais, entre eles o quartzo
(xido de silcio - SiO2). O prximo personagem dessa histria, Russel Shoemaker Ohl (18981987), tem sido chamado de "pai desconhecido" do transistor. Ohl era qumico formado pela Penn
State University em 1918 e trabalhava para o Bell Labs desde 1927. A partir de 1940 Ohl passou a
integrar a equipe que trabalhava na pesquisa de cristais detetores de radar, ficando encarregado da
obteno de silcio altamente purificado. Durante esse trabalho Ohl conseguiu produzir bastes de
silcio com dopagem p e n nas extremidades opostas, que se constituiu no primeiro diodo de juno
p-n. Ohl tambm descobriu que o dispositivo era sensvel a luz em vrios comprimentos de onda,
sendo portanto tambm o inventor do diodo foto-detetor. Apesar desses diodos primitivos terem
sido fabricados com silcio em plena Segunda Guerra Mundial, as pesquisas no Bell Labs estavam
extremamente voltadas ao radar e dessa forma dava-se mais ateno s propriedades dos cristais
semicondutores como detetores de alta freqncia do que especificamente para o desenvolvimento
de novos dispositivos.
As pesquisas do Bell Labs, pela aplicao militar do radar, eram
conduzidas em carter ultra-secreto. Um outro grupo no entanto dedica-se
tambm ao estudo de cristais semicondutores e esteve a um passo de inventar o
transistor antes dos cientistas do Bell Labs. Karl Lark-Horovitz (1892-1958) era
professor assistente na Universidade de Vienna, na ustria. Primeiramente
emigrou para o Canad e em 1926 para os EUA, onde tornou-se professor de
fsica na Universidade Purdue. A partir de 1942 o Prof. Lark-Horovitz e um
grupo de pesquisadores da Purdue comearam a concentrar seus estudos nas
propriedades eltricas de cristais de germnio e teve seu trabalho atrado pelos
Karl Larkpesquisadores do Bell Labs. Os fsicos da Purdue mantiveram estreita
Horovitz
colaborao com o Bell Labs, atravs de uma srie de reunies tcnicas.
Infelizmente tal colaborao ocorreu num nico sentido, pois devido a Segunda
Guerra Mundial em curso, os trabalhos do Bell Labs na rea de semicondutores no eram
divulgados comunidade acadmica. Dessa forma, o grupo de Lark-Horovitz no tinha acesso aos
resultados do Bell Labs nessa rea e acredita-se que por tal motivo a inveno do transistor teve que
esperar o fim da guerra para ocorrer.
O transistor uma inveno creditada a trs pesquisadores do Bell Labs: Schockley,
Bardeen e Brattain. Essa paternidade e o fato dos trs terem sido agraciados com o Prmio Nobel de
Fsica por sua inveno pressupe um trabalho de pesquisa conjunta, mas que na verdade teve seus
momentos de inveja e desentendimento. William Bradford Schockley (1910-1989) , dos trs
inventores, certamente o personagem mais polmico. Nascido em Londres (Inglaterra), seus pais
emigraram para a California, onde Shockley estudou na Cal Tech. Posteriormente, fez Doutorado
no MIT. Comeou a trabalhar no Bell Labs em 1936 onde, a partir de 1939, pesquisou uma maneira
de converter os cristais retificadores em um dispositivo de amplificao de sinais eltricos. A
Segunda Guerra Mundial interrompeu essa linha de pesquisas, sendo que a partir de 1945 Shockley
assumiu no Bell Labs o cargo de vice-lider do grupo de pesquisas em Fsica do Estado Slido. Esse
grupo inclua Bardeen, um pesquisador que j estavam trabalhando com o
mecanismo de conduo eltrica
em cristais e posteriormente
Brattain, um fsico recmdesempregado da Marinha dos
EUA. Walter H. Brattain (19021987) nasceu na China, filho de
um
norte-americano
que
trabalhava em uma escola para
William Bradford
estrangeiros. Com a volta dos
John Bardeen
Walter H. Brattain
Shockley
pais para os EUA, estudou no
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Bardeen (em p, esquerda), Brattain (sentado) e Shockley (em p, direita) e o primeiro transistor de contato
montado no Bell Labs. Essas fotos foram divulgadas em 1956 pelo Bell Labs quando anunciou-se que os seus
pesquisadores seriam agraciados com o Prmio Nobel de Fsica.
Na verdade nenhum dos trs trabalhava no Bell Labs nessa data e provavelmente os equipamentos mostrados na
foto esto ali unicamente para comporem um "cenrio" adequado.
trabalhar no Bell Labs, com cerca do dobro do salrio que receberia como professor universitrio.
Com a perspectiva de trabalhar com aspectos tericos da Fsica de Estado Slido, Bardeen passou a
integrar a equipe do Bell Labs, onde aplicou conceitos da Fsica Quntica que demonstraram a
existncia de uma camada de cargas livres na superfcie externa de um cristal de germnio. Nesse
trabalho, Bardeen era o terico e Brattain o experimentalista, sendo que a partir de uma experincia
idealizada por Brattain para medir as cargas superficiais de um cristal de germnio, verificou-se que
o eletrodo metlico causava um efeito de controle da corrente eltrica. Nascia assim em dezembro
de 1947 o primeiro transistor, conhecido como transistor de contato metlico. O nome veio de
transfer resistor, pelo efeito na mudana de
condutividade do cristal. Ao mostrar o
dispositivo para Shockley, este lembrou-se de um
trabalho que havia realizado antes da guerra,
porm usando xido de cobre e no germnio e
sugeriu um novo dispositivo, onde o contato
metlico foi substitudo por uma camada fina de
germnio, atuando como terminal de controle da
corrente (ou seja, o terminal "base" do transistor).
Assim, o transistor de juno nasceu poucas
semanas aps o transistor de contato metlico.
Apesar de Brattain ser reconhecido como o
construtor dos primeiros transistores, Shockley
Um dos primeiros transistores "comerciais",
fabricado pela empresa norte-americana Western
atribua a si a paternidade do transistor de juno,
Electric e o amplificador transistorizado para pessoas
por conta de sua idia "esquecida" pela Guerra.
com dificuldade de audio, fabricado pela Zenith
No incio de 1948 Shockley, Brattain e Bardeen
em 1952. Cada transistor custava US$ 16.
preencheram o pedido de patente do transistor,
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norte-americano do Texas, a empresa teve um rpido crescimento nas dcadas de 1920 e 1930.
Durante a Segunda Guerra Mundial a empresa acabou envolvendo-se com a produo de
equipamentos eletrnicos militares e viu no transistor uma oportunidade de dar um destino s suas
instalaes de produo de equipamentos eletrnicos que haviam se tornado ociosas com o trmino
da guerra. Apesar da aquisio da licena, os quatro tcnicos da Texas Instruments que ficaram oito
dias no Bell Labs para conhecer o mtodo de fabricao dos transistores voltaram para Dallas
extremamente decepcionados com a precariedade do processo e afirmaram que era uma mera
questo de sorte que os transistores funcionassem ou no. Era comum, por exemplo, que em cada
cinco transistores fabricados somente um funcionasse, o que era inconcebvel sob o ponto de vista
de produo em larga escala. A Texas Instruments contratou ento Gordon Teal, um texano que
trabalhava no Bell Labs, para que auxiliasse na produo dos transistores. Para evitar conflitos com
o Bell Labs devido contratao de Gordon Teal, a Texas Instruments colocou um pequeno
anncio num jornal de Nova York, sem identificao da empresa, recrutando um pesquisador.
Assim oficialmente Gordon Teal entrou na Texas Instruments em resposta a esse anncio, apesar de
ter ficado claro que seu recrutamento na verdade ocorreu como fruto da visita do pessoal da Texas
ao Bell Labs. Aps aproximadamente um ano de trabalho na Texas Instruments, Gordon Teal e sua
nova equipe conseguiram fabricar os primeiros transistores de germnio em 1953 e com custo de
US$ 2.50 cada, bastante inferior aos US$ 16 da Western Electric. Em 1954 a Texas Instruments
anunciou o incio da produo de transistores de silcio, com a vantagem de operarem at uma
temperatura de cerca de 100oC. A empresa General Electric, que tambm adquiriu a licena de
fabricao dos transistores, interessou-se especialmente por um dispositivo com quatro camadas
(PNPN) tambm desenvolvido no Bell Labs em 1956, batizado de triggering transistor. A GE
lanou ento em 1958 um novo dispositivo, que chamou de Thyristor, que marca o incio da
Eletrnica de Potncia.
Outra empresa que tambm adquiriu a licena
de fabricao do transistor foi a Motorola, que havia
sido fundada em Chicago em 1928 pelos irmos Paul
V. Galvin (1895-1959) e Joseph E. Galvin (18991944). Inicialmente a empresa chamava-se Galvin
Manufacturing Corporation e construa retificadores
destinados a carregar as baterias que eram usadas
como fontes de alimentao nos rdio-receptores
domsticos. No entanto nos anos seguintes os
receptores de rdio comearam a ser fabricados j com
a fonte de alimentao incorporada, de modo que as
vendas da empresa dos irmos Galvin comearam a
declinar. Com o crescimento da indstria
automobilstica norte-americana e o grande interesse
na poca pelos programas de rdio, os irmo Galvin
Anncio do Auto-Rdio transistorizado da
decidiram fabricar um rdio-receptor que pudesse ser
Motorola, de 1958.
instalado nos automveis. Em 1930, a empresa lanou
o primeiro rdio para automveis com o nome de Motorola, em uma espcie de contraposio ao
rdio domstico equipado com toca-discos chamado "Radiola" que havia sido lanado pela RCA.
No incio os auto-rdios eram bastante grandes e no havia um lugar apropriado para sua instalao
nos automveis, obrigando a empresa dos irmos Galvin a licenciarem oficinas de instalao que
faziam a adaptao dos rdios aos veculos. S aps a Segunda Guerra Mundial as empresas
automobilsticas passaram a oferecer os auto-rdios como acessrio do prprio veculo. A Motorola
comeou a atuar tambm na rea de rdio-comunicao e foi a primeira empresa a produzir
equipamento de rdio para os automveis da polcia norte americana. Por tal experincia em rdiocomunicao durante a Segunda Guerra Mundial a Motorola ficou encarregada de produzir um
rdio-comunicador porttil para as tropas norte-americanas, conhecido como Handie-Talkie, que era
carregado numa mochila por um soldado. Esse trabalho envolveu de tal forma a Motorola que toda
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a fbrica ficou dedicada produo de equipamento militar de 1942 at 1944, comercializando para
o pblico civil somente alguns auto-rdios existentes nos estoques que foram convertidos para
serem usados nas residncias. Terminada a Guerra, a Motorola voltou-se novamente para a
produo de auto-rdios mas tinha sua linha de produo dos Handie-Talkies ociosa e procurava
novos produtos. Para a Motorola, o baixo consumo de energia dos transistores pareceu uma
interessante caracterstica, j que o principal problema dos auto-rdios vlvulas era o elevado
consumo de energia da bateria do automvel. Assim, a Motorola comprou da Western Electric em
1952 a licena de fabricao do transistor com o claro objetivo de tentar produzir transistores de
potncia. No entanto, somente em 1956 a Motorola conseguiu fabricar seus primeiros transistores
de germnio com capacidade de 3A e lanou seu primeiro auto-radio transistorizado.
Os primeiros transistores eram feitos a partir de um pequeno basto de cristal de germnio
tipo N, com as extremidades dopadas com o elemento qumico ndio. Obtinha-se, dessa forma,
unicamente transistores PNP. No entanto em 1953 um empresrio japons procurou a Western
Electric, oferecendo-se para adquirir os direitos de fabricao dos transistores. Esse personagem
chamava-se Akio Morita e sua empresa tinha o longo nome de Tokyo Tsushin Kogyo Kabushiki
Kaisha. Morita havia criado sua pequena empresa logo aps o trmino da Guerra, fabricando
inicialmente panelas dotadas de resistncias eltricas para cozimento de arroz. Com o grande
interesse dos japoneses, nessa poca, em aprender o idioma Ingls, Morita comeou tambm a
fabricar gravadores de som que eram usados em escolas de Ingls para reproduzir fitas gravadas
com programas de rdio norte-americanos, j que os professores japoneses tinham uma pssima
pronncia de Ingls. Como o nmero de receptores de rdio era muito reduzido no Japo, Morita
interessou-se pelo transistor para fabricar rdios portteis de baixo custo. Apesar do mais completo
ceticismo da Western Electric, a licena foi fornecida
empresa de Morita mediante o pagamento da mesma quantia
de US$ 25 mil que era cobrada das empresas norteamericanas. A Western Electric chegou a consultar o
Departamento de Estado norte-americano se podia ou no
vender a licensa a Morita, visto que o Japao era at h poucos
anos um inimigo na Guerra. Os funcionrios federais no
entanto no colocaram nenhum bice venda da licena e
Akio Morita, fundador da Sony e o
consideraram que a pequena empresa japonesa estava
antigo logotipo da empresa.
simplesmente jogando dinheiro fora.
De fato, no Japo, a empresa de Morita
logo verificou que os transistores da Western
Electric no funcionavam em altas freqncias,
fato que impediria seu uso em rdio-receptores.
No entanto aps cerca de um ano de tentativas
dois funcionrios de Morita chamados Makoto
Kikuchi e Leo Esaki conseguiram fabricar
transistores NPN de germnio, usando fsforo
como dopante, com resposta de freqncia
superior aos transistores PNP da Western
Linha de montagem de transistores da Motorola em
Electric. Durante essas pesquisas foi tambm
1961. Os transistores tinham que ser testados e
descoberto o efeito de tunelamento nos
montados um a um em seus invlucros metlicos.
semicondutores, que levou Esaki a receber o
Prmio Nobel de Fsica em 1973. De forma independente nos EUA a Texas Instruments tambm
conseguiu fabricar transistores NPN de alta freqncia e em 1955 a companhia norte-americana
Regency lanou um rdio receptor transistorizado alguns meses antes dos japoneses, vendido no
varejo por cerca de US$ 50. Cada rdio receptor da Regency tinha 4 transistores fabricados pela
Texas Instruments. No entanto a Regency aparentemente no acreditava no sucesso do seu produto
e produziu poucas unidades do seu rdio modelo TR-1, que esgotou-se rapidamente das poucas
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A primeira TV inteiramente
transistorizada, lanada pela Sony em
maio de 1960 e o primeiro walkman,
apresentado pela Sony em 1979. Os
escritrios da Sony na Inglaterra e nos
EUA reclamaram que a palavra
"walkman" era incorreta sob o ponto
de vista gramatical e sugeriram Stow
Away e Sound-About, mas o nome
walkman j havia se tornado popular.
3.
Jack Kilby, seu caderno de notas mostrando a concepo do primeiro circuito integrado e o prottipo resultante
silcio (SiO2) altamente aderente ao cristal. No caso do germnio, a camada de xido tambm se
forma mas solvel em gua. O xido de silcio "crescido" sobre o cristal de silcio forma uma
camada eletricamente isolante mas que pode ser retirada de forma seletiva em algumas reas atravs
de ataque pelo cido fluordrico. Forma-se assim "janelas" por onde pode-se adicionar tomos de
outros elementos ao cristal de silcio, criando regies com caracterstica de conduo "P" ou " N".
Dessa forma, atravs de um processo de fotolitografia de alta densidade formam-se transistores e
diodos sobre a superfcie do cristal de silcio, conhecido como processo epitaxial. Devido
possibilidade de se automatizar totalmente o processo de fotolitografia, os transistores construdos
pela tcnica epitaxial tem custo de produo baixssimo ao mesmo tempo que suas caractersticas
eltricas so bastante definidas. Dessa forma, atualmente as indstrias podem fabricar milhes de
transistores praticamente idnticos, com custo de poucos centavos, em visvel contraste com os
primeiros transistores que eram montados individualmente e tinham caractersticas eltricas
extremamente variveis.
menor. Em 1964 a Texas Instruments estava fabricando circuitos integrados para aparelhos de
surdez e em 1967 a Sony lanou o primeiro rdio-receptor utilizando circuitos integrados.
4.
Microprocessadores
seu novo produto e comeou a comercializar o 4004, que se tornou assim o carro-chefe de uma
extraordinria linha de produtos, com enormes implicaes econmicas e sociais.
Gordon Moore e o diagrama da "Lei de Moore", que mostra o aumento da capacidade das memrias dinmicas e
reduo do tamanho dos dispositivos semicondutores.
comemorasse seu 45o aniversrio (ou seja, em 1975) seria possvel colocar 65000 transistores em
um nico circuito integrado. De fato, em 1975 Moore, j como diretor da INTEL, compareceu ao
International Electron Devices Meeting do IEEE e mostrou uma memria recm-lanada na
ocasio, com cerca de 64000 transistores. Suas previses ficaram ento conhecidas como lei de
Moore, que estabelece que o nmero de componentes por circuito integrado dobra a cada dezoito
meses, ou quadruplica a cada trs anos. Em forma matemtica tem-se:
(Componentes por chip) = 2(ano-1975)/1,5
5.
Microcomputadores
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O primeiro jogo de "Pong" da Atari, construdo em 1972 e instalado num bar em Sunnyvale, Califrnia. A vista traseira
mostra que o "monitor" na verdade era um televisor preto-e-branco fabricado pela Hitachi.
Um outro produto que surgiu de forma curiosa com os microprocessadores foram os vdeojogos. Nolan Bushnell era um estudante universitrio que decidiu adaptar um jogo que funcionava
num grande computador IBM da Universidade da Califrnia para o microprocessador Intel 4004.
Essa sua primeira tentativa, que ele batizou de Computer Space, justificou que aps terminar seu
curso ele fundasse uma pequena empresa a qual batizou com o estranho nome de Syzygy. Apesar de
ter feito algum sucesso entre seus colegas, o jogo foi considerado muito complicado. Bushnell ento
aceitou a sugesto do seu amigo Al Alcorn de que um jogo eletrnico deveria ser simples o
suficiente para ser operado por um bbado. Em novembro de 1972 Bushnell e Alcorn conseguiram
que o proprietrio do bar Andy Capps Tavern, na cidade de Sunnyvale na Califrnia deixassem
eles instalarem no local um estranho caixote vermelho onde se destacava um monitor. Como os
monitores de computador eram muito caros, na verdade o "monitor" tratava-se de um televisor
preto-e-branco Hitachi. A mquina tinha uma caixa coletora de moedas, adaptada de uma mquina
de lavar roupas automtica e fora batizada de PONG. O jogo era extremamente simples, com botes
que serviam para movimentar dois pequenos traos na tela, num jogo de ping-pong eletrnico. Para
jogar era necessrio inserir uma moeda de 25 centavos, que fazia a mquina funcionar por cerca de
5 minutos. Aps dois dias o proprietrio do bar telefonou para Alcorn avisando que a mquina no
estava mais funcionando. Ao abrir a mquina, Alcorn descobriu que a caixa coletora estava
abarrotada de moedas, razo pela qual a mquina havia deixado de funcionar. Viram ento que
tinham uma boa idia nas mos; o nome da empresa foi trocado para Atari e iniciou-se uma nova
indstria eletrnica que por certo os pioneiros da eletrnica no tinham imaginado que pudesse um
dia vir a existir. Alm do PONG para bares, a Atari produzia inicialmente tambm verses infantis
chamadas de Snoopy Pong e Puppy Pong, que destinavam-se a serem instaladas em salas de espera
de pediatras, para entreter as crianas. Essa tentativa mostrou a Bushnell e Alcorn o potencial que
existia nos vdeo-jogos para o pblico infantil e adolescente, que tornou-se ento o principal alvo da
empresa. A Atari considerada a responsvel pela entrada dos microcomputadores nos lares de
todo o mundo, atravs de vdeo-jogos. Dessa forma, o microcomputador comeou a ser visto pelos
jovens como objetos divertidos e interessantes, revolucionando a computao eletrnica.
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6.
Concluses
Esta uma histria que est sendo feita a cada dia. Alm de ter se tornado a principal
inveno do sculo XX, o transistor revolucionou a prpria indstria eletrnica. Por exemplo, ao
trmino da Segunda Guerra Mundial o campo da eletrnica era dominado por um conjunto de
empresas norte americanas: General Electric, RCA, Raytheon, Sylvania, Philco-Ford e
Westinghouse. Observa-se portanto que o transistor foi cruel com as empresas norte americanas,
que aparentemente no souberam adaptar-se nova tecnologia e deram lugar a empresas antes
inexpressivas ou totalmente novas. J na Europa, a holandesa Philips e a alem Siemens souberam
tomar partido da nova inveno e mantm-se de forma ativa no mercado de semicondutores. Nos
EUA, ao contrrio, a Intel um vvido exemplo de uma empresa relativamente nova, que cresceu
junto com a tecnologia dos circuitos integrados e dos microcomputadores de forma fantstica, a
partir de uma idia revolucionria. Sobre o futuro, s se pode dizer que ser mais fantstico do que
possamos imaginar.
Sobre o autor:
Ewaldo Luiz de Mattos Mehl (mehl@eletr.ufpr.br) formado em Engenharia Eltrica pela Universidade Federal do Paran (UFPR)
em Curitiba. Possui cursos de Mestrado e Doutorado e desde 1982 professor do Curso de Engenharia Eltrica na UFPR.
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