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Diferencias entre los transistores JFET y

MOSFET
Escrito por warren rachele | Traducido por juan manuel rodriguez

Los transistores de efecto de campo hacen posibles los modernos circuitos integrados.
transistors image by Claudio Calcagno from Fotolia.com
La baja tensin y mnima generacin de calor de los FET (FET, del ingls field effect
transistors), o transistores de efecto de campo, los hace componentes atractivos para la
miniaturizacin y ajustados para circuitos integrados. Existen dos formas bsicas del
transistor FET, el JFET y el MOSFET. Cada tipo de dispositivo es til en una amplia
gama de circuitos, desplazando a menudo a diseos de transistores bipolares ms
antiguos.

Diseo de JFET y MOSFET


Tanto el JFET (JFET, del ingls junction field effect transistor), o transistor de efecto de
campo de juntura, como el MOSFET (MOSFET, del ingls metal oxide semiconductor
field effect transistor), o transistor de efecto de campo de xido metlico semiconductor,
comparten un diseo comn de base unipolar. La tensin se lleva a travs de un canal
conductor desde la fuente y uniones de drenaje. La resistencia a esta corriente vara en
funcin de la entrada de tensin en el terminal de la compuerta. La compuerta del
MOSFET est aislada del material del canal por una capa de dixido de silicio, que le
permite funcionar tanto en el modo de agotamiento como en el de enriquecimiento.

Tipo de canal
El diseo del JFET limita su canal de ser utilizado en un modo de agotamiento nico.
Un canal de agotamiento aumenta la resistencia en respuesta a la tensin detectada en la
compuerta principal. El canal de un MOSFET puede ser fabricado tanto en la forma de
agotamiento como en la de enriquecimiento. El canal de un MOSFET de tipo
incremental se vuelve menos resistente a medida que se aplica tensin a la compuerta.
Ambos transistores estn disponibles en las configuraciones del canal-n y canal p.

Flujo de corriente
La configuracin bsica de los dos tipos de transistores muestra una diferencia
fundamental con respecto al flujo de corriente a travs del canal. Un JFET est
normalmente encendido, es decir, permite que la corriente fluya libremente entre los
terminales de fuente y drenaje cuando no hay entrada de tensin en la compuerta. El
agotamiento aumenta la resistencia en este canal hasta que la puerta llegue a la "pizca"
de tensin, que cierra el canal. Un dispositivo MOSFET de tipo de agotamiento es
tambin un canal normalmente encendido. El MOSFET del tipo de enriquecimiento es
normalmente un canal apagado. La tensin en la compuerta de este tipo de dispositivo
reduce la resistencia a travs de este canal que permite que la corriente fluya.

Impedancia
La impedancia de entrada JFET es alta, lo que significa que el dispositivo drenar poca
o ninguna corriente desde el circuito al que est unido. No hay corriente indeseada que
ingrese en el circuito desde el dispositivo, haciendo que esta sea til en una amplia
gama de diseos de circuitos. El diseo MOSFET tiene una impedancia an mayor que
el JFET. El precio por esta caracterstica es que el dispositivo MOSFET es ms
susceptible a daos por una acumulacin de electricidad esttica.

Cmo usar un MOSFET


Escrito por j.t. barett | Traducido por lorena perez

Un MOSFET es un interruptor electrnico eficiente.


transistor image by Alex from Fotolia.com
Puedes utilizar un MOSFET, transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor
o metal oxide field effect transistor, en proyectos de electrnica donde necesitas
encender y apagar un dispositivo de alta tensin con un voltaje controlado. El MOSFET
FQP50N06, por ejemplo, puede cambiar a 60 voltios CC en un mximo de 50 amperios
para un total de 120 vatios. Para tener una idea bsica de cmo funciona un MOSFET,

se puede utilizar hacer parpadear un emisor de salida de luz. Un oscilador de baja


frecuencia de onda cuadrada proporciona la tensin al control.
Nivel de dificultad: Moderado

Necesitars
FQP50N06 MOSFET
FQP50N06 Hoja de datos
Diodo emisor de luz de 5mm redondo
560 ohmios de vatio
Lista completa

Instrucciones
Examina la hoja de datos del FQP50N06 MOSFET. Fjate que el dispositivo
tenga una puerta de desage y cables de origen.
Inserta el MOSFET en el perfboard. Dobla las piernas ligeramente en el otro
lado para evitar que el dispositivo se deslice hacia fuera. Coloca la resistencia de
560 ohms a travs de la perfboard (placa de circuito perforada) con un cable
cerca de la cabeza de drenaje del MOSFET. Suelda los dos conductores y corta
el exceso con los alicates de corte diagonal.
Examina el diodo emisor de luz o LED. Fjate que un lado tiene una parte plana,
y un cable es ms corto que el otro. ste es el terminal de ctodo. El otro es el
nodo. Inserta el LED a travs de la perfboard para que tu terminal de ctodo
est cerca del cable de resistencia desconectado. Suelda los dos conductores y
recorta el exceso.
Desliza el hilo rojo del clip de batera de 9 voltios en la perfboard cerca del
nodo del LED. Suelda el cable rojo al nodo y el clip de sobra. Desliza el hilo
negro del clip de batera en el perfboard cerca del cable de la fuente del
MOSFET. Suelda esta conexin y corta el exceso.
Toma el cable BNC y corta con la pinza de puesta a tierra, el cable de la fuente
del MOSFET. Sujeta el cable conectado" con una pinza a la puerta del
MOSFET. Inserta el cable en el conector BNC macho del oscilador de onda
cuadrada.
Coloca una nueva batera de 9 voltios en el compartimiento de la batera. Gira el
oscilador y establece su frecuencia en aproximadamente 1Hz. Establece la
amplitud de salida del oscilador a entre 5 y 10 voltios. El LED debe encenderse
y apagarse a la frecuencia del oscilador. Cuando se activa la frecuencia hacia
arriba o hacia abajo, el LED parpadear ms rpido o ms lento.