EC5E01

ELECTRNICA I.
Programa:
1) Semiconductores.
2) Caractersticas del diodo de Unin.
3) Circuitos con diodos.
4) Caractersticas del transistor Bipolar BJT.
5) Transistores de Efecto de Campo: JFET y MOSFET.

Tema 1:
Textos Bsicos........................................................................................................................ 1
1.1. Partculas Cargadas: ........................................................................................................ 2
1.2. Intensidad de Campo, Potencial, Energa........................................................................ 2
1.2.1. Potencial: ................................................................................................................. 2
1.2.2. Energa Potencial:.................................................................................................... 2
1.2.3. La ley de Conservacin de la energa...................................................................... 3
1.2.4. Concepto de barrera de energa Potencial. .............................................................. 3
1.3. La Unidad de energa eV. ............................................................................................... 4
1.4. El tomo de Bohr (Bohr 1913). ...................................................................................... 4
1.5. Estructura Electrnica de los elementos......................................................................... 4
1.6. Aislantes, Semiconductores y Metales. .......................................................................... 5
1.6.1. Aislante:................................................................................................................... 5
1.6.2. Semiconductor:........................................................................................................ 6
1.6.3. Metal:....................................................................................................................... 6

Bibliografa:

Textos Bsicos
Jacob Millman & Christos C. Halkias.
A. Sedra & K.C. Smith.
Electrnica Integrada.
Dispositivos Electrnicos y Amplificacin
Editorial Hispano Europea, S.A.
de Seales.
Barcelona Espaa 1984. Captulos 1, 2, 3, 8 Editorial Interamericana.
y 10.
Mxico, D.F. 1985, Captulos 4, 7, 8, 9.

Textos de Referencia:
Shilling, Donald.
Electronic Circuits.
Res 2. TK 7867, S33

Gray, Paul E. Searle.

Electronic Principles.
Res 2. TK 7871.85, G67

Gray, Paul R, G. Meyer.

Analysis and design of
analog integrated circuits.
Res 2. TK 7874, G688

Albert Paul Malvino.

Principios de Electrnica.
Sexta edicin.
Prof.: Antonio BOSNJAK SEMINARIO.

Clase 1

Para comenzar, es importante repasar algunas de las definiciones bsicas estudiadas en la

asignatura de fsica, con la finalidad de fortalecer la introduccin que formar la base de la
fsica de los semiconductores.

1.1. Partculas Cargadas:

La carga, o cantidad de electricidad negativa y la masa del electrn tienen como valor
1,60 x 10-19 C (culomb) y 9,11 x 10-31 kg, respectivamente. As mismo sabemos que la
intensidad de corriente se mide en Ampers, y 1 Amp. es igual a 1 C/s. Para conocer el
nmero de electrones que contiene 1 Amp. hacemos un clculo sencillo:

n de electrones . q
1 Seg.
lo que da como resultado: 6,25 x 1018.

(1)

1 Amp =

1.2. Intensidad de Campo, Potencial, Energa.

Por definicin, la fuerza f (newton) sobre la unidad de carga positiva en un campo
elctrico se denomina intensidad de campo elctrico en este punto. La segunda ley de
Newton determina el comportamiento de una partcula cargada con q (Culomb), de masa m
(kilogramos), que se mueve con la velocidad v (metros por segundo) en un campo de E
(volt por metro).
dv
f = q = m
(2)
dt
1.2.1. Potencial:
Por definicin, el potencial V (voltios) de un punto B con respecto al punto A es el
trabajo empleado para llevar una carga positiva por el campo desde el punto A al B. Esta
definicin es vlida para un campo tridimensional. Para un problema unidimensional con A
en xo y B a una distancia arbitraria x:
x

V Edx

(3)

xo

Diferenciando la ecuacin (3) da:

dV
E=
(4)
dx
El signo menos es debido a que el campo elctrico est dirigido desde la regin de mayor
a la de menor potencial.
1.2.2. Energa Potencial:
Por definicin la energa potencial U (joule) es igual al potencial multiplicado por la
carga q que estamos considerando, o sea:

U = qV

Prof.: Antonio BOSNJAK SEMINARIO.

(5)

Clase 1

1.2.3. La ley de Conservacin de la energa.

La ley de conservacin de la energa indica que el total de la energa W, que es igual a la
suma de las energas potencial U y cintica 12 mv2 , permanece constante. Por lo tanto, en
cualquier punto del espacio:

W = U + 12 mv 2 = constante

(6)

Con la finalidad de ilustrar esto, consideremos dos electrodos A y B. El electrodo A lo

colocamos a tierra mientras que el electrodo B a un potencial negativo. Desde el electrodo
A se lanza un electrn con una velocidad inicial vo, es decir, con una energa cintica inicial
1 mv 2 , a medida que este electrn va acercndose al electrodo B se desacelera y convierte
o
2
parte de su energa cintica en energa potencial; hasta llegar un punto en el cual se detiene
y toda su energa cintica se convirti en energa potencial. Esto se ilustra correctamente en
la figura 1.
Inicialmente
W = 1 2 mvo2
(7)
W = 1 2 mv 2 + qV en el punto P1
W = qV

en el punto P2
d
D is ta n c ia , x
P o t e n c ia l, V

-V d

(b)

En e rg a
qV d

En e rg a P o te n c ia l, U
R

P2

W
+ Vd
(a )

En e rg a
Cin tic a , W-U
0

P1

En e rg a To ta l, W
Q
S

xo

D is ta n c ia , x
(c )

Figura 1. (a) Un electrn abandona el electrodo A con una velocidad inicial vo movindose en un
campo retardador hacia la placa B; (b) el potencial; (c) barrera de energa potencial entre electrodos.

1.2.4. Concepto de barrera de energa Potencial.

En la misma figura 1, un electrn no puede pasar del punto P2, veamos porque?.
Consideremos un punto ms alejado como el punto S, la energa total en este punto es QS,
mientras que la energa potencial en ese mismo punto sera RS. Si restamos QS menos RS
nos da un valor negativo; sin embargo, una energa cintica negativa no existe, ya que nos
darn nmeros imaginarios para la velocidad por lo tanto en el punto P2, existe una barrera

Prof.: Antonio BOSNJAK SEMINARIO.

Clase 1

de potencial que el electrn no puede pasar. Las barreras de energa potencial de este tipo
desempean un importante papel en el anlisis de los elementos semiconductores.

1.3. La Unidad de energa eV.

El joule (J) es la unidad de energa en el sistema MKS. En algunos problemas de
potencia, esta unidad es verdaderamente pequea, y se acostumbra a introducir el factor 103
106 para convertir watt (1 W = 1 J/s) a kilowatt o Megawatt, respectivamente. Sin
embargo, en la electrnica esta unidad es muy grande as que se introducen unidades de 107, para convertirlos en erg. El cual sigue siendo muy grande, es por ello que se introduce
una nueva unidad denominada eV; definida como:
1 eV 1,60 x 10-19 J

1.4. El tomo de Bohr (Bohr 1913).

Bohr en 1913 postul las siguientes tres leyes fundamentales:
1) No son posibles todas las energas dadas por la mecnica clsica, sino que el tomo slo
puede poseer ciertas energas discretas. Dentro de los estados correspondientes a estas
energas discretas, el electrn no emite radiacin y se dice que se halla en estado
estacionario, o sea no radiante.
2) En la transicin de un estado estacionario correspondiente a una energa definida W2 a
otro estado con una energa asociada W1, se emitir radiacin. La frecuencia de esta
energa radiante viene dada por:
f =

W2 W1
h

(8)

donde h es la constante de Planck en joule-segundo, W se expresa en joule, y f en ciclos

por segundo o sea hertz.
3) Un estado estacionario queda determinado por la condicin de que el momento angular
del electrn en este estado est cuantificado y debe ser un mltiplo entero de h 2 .
Wn =

mq 4 1
8h2o2 n2

(9)

1.5. Estructura Electrnica de los elementos.

La solucin de la ecuacin de Schrdinger para el hidrgeno o para cualquier tomo
multielectrn requiere tres nmeros cunticos. Se designan por n, l y ml y se restringen a
los siguientes valores enteros:
n = 1,2,3,...
l = 0,1,2,..., (n 1)
ml = 0,1,2,...,l
Para poder definir totalmente una funcin de onda, es necesario introducir un cuarto
nmero cuntico ms spin que solo puede tener dos valores: + (correspondientes a la
misma energa).

Prof.: Antonio BOSNJAK SEMINARIO.

Clase 1

De acuerdo con la teora estudiada en qumica los elementos de la columna del Grupo
Iva de la tabla peridica tienen la siguiente configuracin en la ltima capa:
Tabla 1.1. Configuracin electrnica del Grupo IV A.
Elemento

Nmero
atmico

1s 2 2s 2 2 p 2

Si

14

1s 2 2s 2 2 p 6 3s 2 3 p 2

Ge

32

1s 2 2 s 2 2 p 6 3s 2 3 p 6 3d 10 4s 2 4 p 2

Sn

50

1s 2 2 s 2 2 p 6 3s 2 3 p 6 3d 10 4s 2 4 p 6 4d 10 5s 2 5 p 2

Configuracin

El carbono, el silicio, el germanio y el estao tienen las configuraciones electrnicas

indicadas en la Tabla 1.1. Obsrvese que cada uno de estos elementos tiene completas las
subcapas, excepto la ms exterior p, que slo contiene dos de los seis electrones posibles. A
pesar de esta similitud, el carbono en forma cristalina (diamante) es un aislante, el silicio y
el germanio son semiconductores y el estao es un metal. Esta anormalidad aparente se
explicar en la siguiente seccin.

1.6. Aislantes, Semiconductores y Metales.

1.6.1. Aislante:
La estructura en bandas de energa se indica en la figura 2, para un espaciado normal de
la malla. Para el diamante (carbono) la regin que no contiene estados cunticos est
elevada en varios electrn-volt ( EG 6 eV ). Esta gran banda prohibida separa la regin de
valencia llena de la banda de conduccin vaca. Cualquier energa que pudiera
suministrarse a un electrn de la banda de valencia es muy pequea para que este salte
hasta la banda de conduccin.
Banda de
c o n d u c c i n
Ele c tro n e s
libre s .

EG 6 eV

Banda
P ro h ibid a

Banda de
Co n d u c c i n

E G 1 eV
Hu e c o s

Banda de
Va le n c ia

Banda de
Va le n c ia .

(b)
(c )
(a )
Figura 2. Estructura de bandas de energa de (a) un aislante, (b) un semiconductor, (c) un metal.

Prof.: Antonio BOSNJAK SEMINARIO.

Clase 1

1.6.2. Semiconductor:
Una sustancia cuya anchura de banda prohibida sea relativamente pequea ( 1 eV ), se
denomina semiconductora. El grafito, otra sustancia cristalina del carbono que tiene una
simetra diferente de la del diamante, tiene un valor pequeo de EG y es un semiconductor.
A medida que la temperatura aumenta, algunos de estos electrones de valencia adquieren
una energa trmica mayor que EG , y por tanto se mueven en la banda de conduccin. A
partir de este momento, son electrones libres en el sentido de que pueden moverse bajo la
influencia de cualquier campo exterior aplicado. Estos electrones, libres, o de conduccin
quedan esquematizados en la figura 2-b por puntos negros. El aislante se ha convertido en
un ligero conductor, y constituye el semiconductor. La ausencia de un electrn en la banda
de valencia se representa por un pequeo crculo en la figura 2-b y se denomina hueco. La
frase huecos en un semiconductor siempre se refiere a niveles de energa vacos en una
banda de valencia diferente.
La importancia de los huecos estriba en que pueden servir como portadores de
electricidad, comparables en efectividad con los electrones libres. En la prxima clase se
explicar el mecanismo por el cual un hueco contribuye a la conductividad. Tambin se
demostrar que, si se introducen ciertas impurezas en el cristal, resulta un estado de energa
prohibida. Veremos tambin que esos niveles de impurezas tambin contribuyen a la
conduccin. A un material semiconductor en el que predomine este mecanismo de
conduccin se le denomina semiconductor extrnseco (impurificado).
1.6.3. Metal:
Un Slido que contenga una estructura de banda parcialmente llena se denomina metal.
Con la influencia de un campo elctrico los electrones pueden adquirir una energa
adicional y cambiar a etapas ms elevadas. Ya que estos electrones mviles constituyen una
corriente, estos materiales son conductores y la regin parcialmente llena es la banda de
conduccin. En la figura 2c, hay un ejemplo de una estructura de bandas de un metal que
indica superpuestas las bandas de valencia y banda de conduccin.

Prof.: Antonio BOSNJAK SEMINARIO.

Clase 1