INTRODUCCION:

El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado solido que

consiste en dos uniones PN muy cercanas entre si, que permite controlar en paso
de corriente a travs de sus terminales.
Un transistor de unin bipolar por dos uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones.

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

De esta manera en esta prctica comenzaremos este transistor bipolar de juntura

BJT, cules son sus caractersticas y aplicaciones. El uso de estos dispositivos es
como amplificadores. Los circuitos de los cuales se usan para diferentes aparatos,
fuentes de poder.
Esta prctica se tomaran medidas estticas de resistencias elctricas a varios
transistores y en la segunda se armaran cuatro circuitos con transistores.
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de
electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la
regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que
muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que
huecos desde la base hacia el emisor.
Se armaran circuitos con transistores. Como se sabe el transistor BJT es un
dispositivo electrnico activo que se encuentra aplicaciones en la electrnica
analgica, en la electrnica digital y el la electrnica de potencia.

MATERIAL:

Alambres y cables para conexiones.

1 resistencia de 15 k a watt.
1 resistencia de 2.7 k a watt.
1 resistencia de 680 .
1 resistencia de 120 k a watt.

Potencimetro de 5k.
Transistor BC547A.
Transistor BC557.

EQUIPO:

Fuente de voltaje de CD.

Multmetro.
Osciloscopio.
Tableta de conexiones.

POCEDIMIENTO EXPERIMENTAL:
I)

Resistencia internas del Transistor Bipolar de Juntura

1.- con el multmetro medimos la resistencia que tena los transistores que nos
peda la prctica los cuales son el NPN (BC547A) y el PNP(BC557) en cada una
de sus terminales base, colector, emisor. Con el multmetro. Anotando los datos
en la tabla 3.1.
Transistor

BC547A

BC557

Tipo

NPN

PNP

RBE

Infinito

RCB

Infinito

RCE

Infinito

Infinito

RBE

Infinito

RBC

Infinito

REC

Infinito

Tabla 3.1.
En esta tabla tuvimos un problema ya que cuando conectamos el multmetro no
nos media la resistencia de las terminales de los transistores, y fue por eso que
solo nos guiamos por los diodos que tienen internamente como lo habamos echo
anterior mente en clase.
II)

Paralizacin del transistor bipolar de juntura.

1.- para este punto armamos el circuito 3.1 que se muestra en la practica
paralizando correctamente cada una de sus terminales.

Figura 3.1
2. una vez que armamos correcta mente el circuito en la tableta de conexiones
realizamos la tabla 3.2 anotando sus correspondientes valores en cada medicin,
esto se realiz variando el voltaje VBB de 0 este voltaje solo es conectado en
tierra y poniendo un voltaje de 10 v. En nuestra fuente de voltaje.

VBB
0 (tierra)
10

VBE (v)

VCE (v)

IB (MA)

IC(mA)
0

9.8

.7

.06

582

14.24

REGION
Corte
Saturacin

Tabla 3.2.

Se puede observar que cuando el voltaje esta en 0 (tierra) se encuentra en la

regin de corte, esto sucede porque en la corriente tenemos 0 MA y tenemos un
voltaje mximo de 9.8 v.
Y cuanto tenemos conectado el voltaje VBB en 10 v se encuentra en la regin de
saturacin esto sucede porque nuestro voltaje es mnimo .06 v, y nuestra corriente
del colector es mxima tenemos 14.24 mA.

3.- Una vez medidos los datos del circuito anterior armamos el circuito 3.2
paralizndolo correcta mente cada uno de sus terminales.

Figura 3.2.
4.- Ya que habamos armado el circuito en la tableta de conexiones hicimos las
mediciones que nos peda la tabla 3.3.
Bsicamente es repetir las mediciones del circuito anterior solo que con un circuito
de divisor de voltaje.
VB (v)
1.48

VBE (v)
.7

VCE (v)
4.5

IB(MA)
570
Tabla 3.3

IC (mA)
6.73

B
11.80

REGUINON
Activa

Se muestra en la tabla que se encuentra en una regin activa ya que en voltaje

colector emisor tenemos un voltaje de 4.5, y en corriente del colector tenemos
6.73 mA, y por eso nuestro transistor en este punto esta operando.
Y el valor de beta (B) lo encontramos dividiendo IC/IB= 6.73mA/570MA=11.80.
5.- despus de que ya se hayan medido lo que nos peda la tabla cambiamos las
resistencias la de 1.5 k por una de 2.7k y la de 2.7k por una de 15 k. como se
muestra en la figura 3.3.

Figura 3.3
6.- una vez cambiadas las resistencias llenamos la tabla 3.4.
VB (v)
2.5

VBE (v)
.76

VCE (v)
.033

IB(MA)
2.62

IC (mA)
11.62

B
4.43

REGUINON
saturacin

Tabla 3.4
Se muestra en la tabla que se encuentra en una regin de saturacin ya que en
voltaje colector emisor tenemos un voltaje de .033, y en corriente del colector
tenemos 11.62 mA, y por eso nuestro transistor en este punto est operando.
Y el valor de beta (B) lo encontramos dividiendo IC/IB= 11.62mA/2.62MA=4.43.
7.- Ahora con el mismo circuito anterior (divisor de voltaje), solo cambiando la
resistencia de 15 k por un potencimetro de 5k como se muestra en la figura 3.4.

Figura 3.4.
8.- una vez haciendo el cambio de la resistencia por el potencimetro llenamos la
tabla 3.5. Variando el potencimetro para obtener los tres valores de la resistencia.
Las cueles eran en 0, luego con 2.5 k y la ultima de la resistencia mxima del
potencimetro que era de 5 k.
Rp K

VB (v)

VBE(v)

VCE (V) IB (MA)

IC (mA)

Regin

0.0

10

Corte

2.5

1.50

.7

13.9

Corte

5.0

2.5

.7

.14

50.9

12.3

24.5

Saturacin

Tabla 3.5
Cuando tenemos el potencimetro en 0V en la tabla que se encuentra en una
regin de corte ya que en voltaje colector emisor tenemos un voltaje de 10, y en
corriente del colector tenemos 0 mA, y por eso nuestro transistor en este punto
est el transistor no est operando.
Y el valor de beta (B) lo encontramos dividiendo IC/IB= 0mA/0MA=0.
Cuando tenemos el potencimetro en 2.5k en la tabla que se encuentra en una
regin de corte ya que en voltaje colector emisor tenemos un voltaje de 4, y en
corriente del colector tenemos 0 mA, y por eso nuestro transistor en este punto
est el transistor no est operando.

Y el valor de beta (B) lo encontramos dividiendo IC/IB= 0mA/0MA=0.

Cuando tenemos el potencimetro en 5k en la tabla que se encuentra en una
regin de corte ya que en voltaje colector emisor tenemos un voltaje de .14, y en
corriente del colector tenemos 12.3 mA, y por eso nuestro transistor en este punto
est el transistor no est operando.
Y el valor de beta (B) lo encontramos dividiendo IC/IB= 12.3mA/50.9MA=24.6.

CUESTIONARIO.
1. En base a los datos obtenidos en la tabla 3.1.
a) Si se le diera un transistor bipolar de juntura Qu mediciones hara para
saber la distribucin de sus terminales y si el transistor en cuestin es un
NPN o un PNP?
b)
R= para saber la cual es el emisor, base o colector de un transistor mediramos
con el multmetro y de base a emisor la resistencia marca infinita es un NPN y si
marca una resistencia muy baja es un PNP.

c) Si se le diera un transistor que usted ya conociera, por ejemplo un 2N2218A

Cmo determinara si est en buen estado?
d) R= midiendo las resistencias internas del transistor.
2. Explique detalladamente el funcionamiento de la figura 3.1.
En la terminal base base se tiene un voltaje de 0 de tal manera que va afectar los
voltaje y corrientes que circulan en el transistor.
El voltaje que va de colector a emisor est definido por la fuente que en este caso
est definido por 10 v., la IB es igual a 0 ya que ningn voltaje hay en VBB, Ya
graficado la respuesta del circuito se puede dar cuenta que la corriente de IC es 0
ya no hay conduccin y el punto BCEQ es igual a 12 por lo tanto este el transistor
se encuentra en zona de corte ya que la corriente es pequea y el voltaje es alto.

3. Con los datos de las tablas 3.2, 3.3, 3.4, y 3.5 llene la tabla 3.6
considerando que la potencia disipada por el transistor est dada por la
formula Pdc =VCE IC y B es la ganancia de CD.

Tabla
3.2

IB (MA)
0

IC (mA)
0

VBE (v)
10

B
0

Pdc (mv)
0

VCB

3.2
3.3
3.4
3.5
3.5
3.5

615
13.1
13
0
13.9
50.9

14.8
6.82
6.7
0
0
12.3

0
4.54
4.5
10
4
.14
Tabla 3.6

24.065
521.6
515.38
0
0
24.6

0
30.96
30.15
0
0
1.722

4. Cual circuito hace que el transistor disipe mayor potencia y en qu regin

de operacin se encuentra el transistor en este circuito?
El de la figura 3.3 y se encuentra en zona activa.

5. Explique la diferencia de los diferentes valores de B obtenidos en la tabla

3.6.
La diferencia consta de la corriente de colector(Ic) y la corriente de base ya que si
IC es mayor a IB beta es mayor.
6. Llene la columna de la tabla para el voltaje colector-base de operacin.
Cmo es este voltaje cuando el transistor esta: a) cortado b) amplificado
c) Saturado?
Cuando est en corte el voltaje es alto y la corriente es 0.
Cuando est en activa cuando el incremento del voltaje es proporcional al
incremento de la corriente.
Cuando est en saturacin la corriente es alta y el voltaje es 0.

7. Explique detalladamente la diferencia si existe entre la figura 3.2 y la figura

3.3. Cmo son estos valores, con los tericos? Explique su respuesta.
El valor de las resistencias R1 y R2

8. Realice una tabla que incluya los datos tericos, los simulados y los
medidos de la tabla 3.6. comente sus resultados.

En la tabla 3.7 se muestran los resultados obtenidos de los circuitos 3.2, 3.3 y 3.4
de cada una de los resultados obtenidos tanto de manera fsica, terica y
simulados.

SIMULADOS
Eje.
VBB (v)
VBE (v)
VCE (v)
IB (MA)
IC (mA)
B
REG

3.2
9
.7
.7
540
15.2
Cor.

3.3
2.2
.7
.4.0
560
7.0
12.0
Act.

3.4
2.6
.7
.40
2.5
12.0
5.0
Sat.

TEORICOS
3.2
1.39
.7
5.37
52.56
5.78
109.8
Act.

3.3
9.8
.7
51.92
703.8
77.41
109.98
Sat
Tabla 3.7

FISICOS

3.4
1.39
.7
5.37
52.55
5.78
109.98
Cor.

0
0
9.8
0
0

3.1
10
.7
.06
582
14.2

Cor. Sat.

3.2
1.48
.7
4.5
570
6.73
11.80
activa

3.3
2.5
.76
.033
2.62
11.62
4.43
Sat.

Es la tabla 3.7 observamos que varean los resultados en mi opinin los resultados
fsicos son ms precisos ya que lo comprobamos con el multmetro y nos ayud la
profesora a realizarlos.
En la tabla 3.8 se muestran los datos del circuito 3.5 que este fue con un
potencimetro y se muestran los resultados tanto simulados, tericos y fsicos.
SIMULADOS
RP
VBB (v)
VBE (v)
VCE (v)
IB (MA)
IC (mA)
B
REG

0 k
532.2v
1.39v
69.2m
532.2mA
13.6
24
activa

2.5k
532v
1.3
70.1
532.1
13.3
14.4
corte

TEORICOS
5k
532.2
1.39
69.2
532.2
13.3
24
avtiva

0 k
1.39
5.37
-52.5

2.5k
1.31
.7
5.90
46.5
5.78
5.12
109.9 109.9
Cor.
Act.
Tabla 3.8

5k
2.09
.7
.72
105.4
11.59
109.9
Sat.

FISICOS
0 k
0
0
10
0
0
0
corte

2.5 k
2.50
.7
4
13.9
0
0
corte

3.3k
2.5
.7
.14
50.9
12.3
24.5
Sat.