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Bryan Abril
Jaime Huilca
Sebastin Tapia
Freddy Caar
Edgar Chuva
Amplificador diferencial
0 El amplificador tiene dos entradas y produce una
Amplificador diferencial
0 Existen razones por las cuales es conveniente usar
amplicadores diferenciales:
interferencias.
0 La segunda es porque esta conguracin permite
polarizar al amplicador y conectar etapas de
amplicadores sin la necesidad de capacitores de
derivacin y acoplamiento.
Amplificador diferencial
Amplificador MOSFET
0 Los MOSFET o transistores de xido de metal de
Q1 Q2
I D1 I D 2
I
2
vs vCM VGS
I 1 'W
k n (VGS Vt ) 2
2 2 L
vD1 vD 2 VDD I D RD
ID
Q1 y Q2 en saturacin
vDS vGS Vt
(VDD I D RD ) vS vCM vs Vt
VCS
I
vCM (max) Vt VDD RD
2
vCM (min) Vss VCS Vt (VGS Vt )
vGS Vt vCM vs Vt
vCM (VCS VSS ) Vt
vCM VCS VSS vGS
Ejercicio:
ID
1 'W
k n (VGS Vt ) 2
2 L
I
0.2 2m(VGS 0.5) 2
2
VGS 0.816V
W
4mA / V 2 ,Vt 0.5V , I 0.4mA, RD 2.5k
L
VCM 1V
VDS VGS Vt
VD VS VG VS Vt
VD VG Vt VD VCM Vt
VD 1 1 0.5
0.48
vid 0
I D1 I
1 'W
k n (VGS 1 Vt ) 2
2 L
VGS 1 Vt 2 I / k n' (W / L)
vGS 1 vGS 2
iD1 iD 2
Q2
vo vD 2 vD1 0
if
off vGS 2 Vt
vGS 1 Vt 2 I / k n' (W / L)
vid vs Q2 off
2.
vid 0
vGS 1 vGS 2
iD1 iD 2
vo vD 2 vD1 0
El par diferencial MOS con una seal de entrada diferencial aplicado vid. Con vid positivo:
Vgs1> VGS2, ID1> iD2, y Vd1 <Vd2; por lo tanto (VD2 - VD1) ser positivo. Con vid
negativo: Vgs1 <VGS2, ID1 <iD2, y Vd1> Vd2; por lo tanto (VD2 - VD1) ser negativo.
Q4
Q1
V
g m id
2
ro1
ro3 //
1
gm
Vid
2
Q2
g mVgs4 ro 4
ro 2
gm (
Vid
)
2
Q3
Ro ro 2 // ro 4
Carga activa
Ro ro RSS
Carga pasiva
Carga activa
vo g m ( v2id v gs 4 )(ro 2 // ro 4 )
v gs 4 g m
vid
2
(ro1 // ro 3 //
1
) gm
gm
vid
2
1
v2id
gm
g m (ro 2 // ro 4 )
vid
vid
cuando ro 2 ro 4 ro
Ad
gm
ro
2
Carga pasiva
Ad g m ( RD // ro )
id
ViCM
id
Vo
i1
1
gm
2 Rss
ro1
vicm i1 2 RSS
vicm i2 2 RSS
ro 3 //
1
gm
g mVgs4
ro 4
i1
vo ro 4 ( g m v gs4 i2 )
v gs4 i1 (ro 4 //
i2
V gs4
1
)
gm
id
ro 2
i2
v
vo ro 4 ( g m v gs4 icm )
2 RSS
v gs4
1
gm
2 Rss
( Rss ro )
vicm
1
(ro 3 //
)
2 RSS
gm
vo ro 4 [
Acm
ViCM
g m vicm
v
1
(ro 3 //
) icm ]
2 RSS
gm
2 RSS
vo
r
1
o4
vicm
2 RSS 1 ro 3 g m
1. Encontramos la transconductancia Gm
Determinacin de la transconductancia
cortocircuito Gm ; io/vid del par diferencial MOSactivo cargado.
vid 1
v g 3 g m1 ( )(
// ro 3 // ro1 )
2 g m3
ro1 , ro 3 (1 / g m 3 )
vg 3
g m1 vid
( )
g m3 2
vid
io g m 4 v g 3 g m 2 ( )
2
g m 4 vid
vid
io g m1 (
)( ) g m 2 ( )
g m3 2
2
g m 3 g m 4 , g m1 g m 2 g m
io g m vid
Gm g m
ro 4
ro 4
Ro 2 ro 4
vx
Ro ro 2 // ro 4
ix
vo
Gm Ro g m (ro 2 // ro 4 )
vid
when ro 2 ro 4 ro
Ad
gm
ro
2
i1 i2
vicm
2 Rss
1
// ro 3 )
g m3
i4 g m 4 v g 3 g m 4i1 (
1
// ro 3 )
g m3
1
// ro 3 ) i2 ]ro 4
g m3
vo
ro 4
1
vicm
2 Rss 1 g m 3 ro 3
g m 3 ro 3 1, ro 3 ro 4
Acm
1
2 g m 3 Rss
CMRR
let
Ad
[ g m (ro 2 // ro 4 )][2 g m 3 Rss ]
Acm
ro 2 ro 4 ro , g m 3 g m
CMRR g m ro g m Rss