1.4.

Desafos en Nanotechnology
Aunque muchos de los fundamentos hayan sido mucho tiempo establecidos en
campos diferentes tal como en fsica, qumica, ciencia de materiales y ciencia y
tecnologa de dispositivo, y la investigacin en nanotechnology est basada en
estos fundamentos establecidos y tecnologas, investigadores en la cara de
campaa muchos nuevos desafos que son nicos para nanostructures y
nanomaterials. Los desafos en nanotechnology incluyen la integracin de
nanostructures y nanomaterials en o con sistemas macroscpicos que pueden
conectar con la gente.
Los desafos incluyen el edificio y la demostracin de instrumentos nuevos para
estudiar al nivel de nanmetro lo que est siendo manifestado al nivel macro. El
tamao pequeo y la complejidad de estructuras nanoscale hacen el desarrollo de
nuevas tecnologas de medida ms provocativo que alguna vez. Las nuevas
tcnicas de medida tienen que ser desarrolladas en la escala de nanmetro y
pueden requerir nuevas innovaciones en la tecnologa metrological. Las medidas
de propiedades fsicas de nanomaterials requieren la instrumentacin muy
sensible, mientras el nivel del ruido debe ser guardado muy bajo. Aunque las
propiedades materiales, como la conductividad elctrica, resistencia a la tensin,
constante dielctrica, sean independientes de dimensiones y peso del material
inquestion, en la prctica, las propiedades de sistema son medidas
experimentalmente. Por ejemplo, conductance elctrico, la capacitancia y la
tensin extensible son medidos y usados para calcular la conductividad elctrica,
resistencia a la tensin y constante dielctrica. Como las dimensiones de
materiales no tienen valor para la escala de milmetro o centmetro a la escala de
nanmetro, las propiedades de sistema cambiaran en consecuencia, y
generalmente disminuiran con las dimensiones que reducen de los materiales de
muestra. Tal disminucin puede ser fcilmente tanto como 6 ordenes de magnitud
ya que el tamao de la muestra reduce del centmetro a la escala de nanmetro.
Otros desafos se levantan en la escala de nanmetro, pero no son encontrados
en el nivel macro. Por ejemplo, drogar en semiconductores ha sido un proceso
muy bien establecido. Sin embargo, las fluctuaciones arbitrarias que drogan se
hacen muy importantes en la escala de nanmetro, ya que la fluctuacin de drogar
la concentracin ya no no sera tolerable en la escala de nanmetro. Con una
concentracin tpica que droga de 10'8/cm3, habr slo un tomo dopant en un
dispositivo de 10 X 10 X 10 nm3 en la talla. Cualquier fluctuacin de distribucin
de dopants causar bctionality totalmente diferente del dispositivo en tal variedad
de talla. La fabricacin de la situacin hrther complicado es la posicin de los
tomos dopant. El tomo superficial se comportara seguramente diferentemente
del tomo centrado. El desafo ser no slo para conseguir la distribucin
reproductiva y uniforme de tomos dopant en la escala de nanmetro, sino
tambin controlar exactamente la posicin de tomos dopant. Para encontrar tal
desafo, la capacidad de supervisar y manipular el procesamiento material en el
nivel atmico es crucial. Adems, drogar s mismo tambin impone otro desafo en

nanotechnology, ya que la autopurificacin de nanomaterials hace drogar muy

difcil.

Para la fabricacin y procesamiento de nanomaterials y nanostructures,

los desafos siguientes deben ser encontrados:
(1) Venza la energa superficial enorme, un resultado de rea de superficie enorme
o superficie grande a la proporcin de volumen.
(2) Asegure todo nanomaterials por talla deseada, distribucin de talla uniforme,
morfologa, crystallinity, composicin qumica, y microestructura, que totalmente
causan propiedades fsicas deseadas.
(3) Prevenga nanomaterials y nanostructures de embrutecerse a travs de
maduracin de Ostwald o a travs de aglomeracin como el tiempo evolutes.