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Eletrnica de Potncia
Semicondutores de Potncia
Simulao computacional
Uso de softwares para simulao de circuitos (PSIM, Orcad,
Proteus, Matlab etc)
Semicondutores de Potncia
Semicondutores de Potncia
Semicondutores de Potncia
Semicondutores de Potncia
Semicondutores de Potncia
Semicondutores dopados
Quando se faz a adio de tomos de materiais que possuam 3
(como o alumnio ou o boro) ou 5 eltrons (como o fsforo) em sua
camada de valncia estrutura dos semicondutores, os tomos
vizinhos a tal impureza tero suas ligaes covalentes incompletas ou
com excesso de eltrons, como mostra abaixo.
Semicondutores de Potncia
Semicondutores de Potncia
Semicondutores de Potncia
Semicondutores de Potncia
Recombinao
Uma vez que a quantidade ni determinada apenas por
propriedades do material e pela temperatura, necessrio que exista
algum mecanismo que faa a recombinao do excesso de portadores
medida que novos portadores so criados pela ionizao trmica.
Tal mecanismo inclui tanto a recombinao propriamente dita de um
eltron com uma lacuna em um tomo de Si, quanto a captura dos
eltrons pela impureza ionizada ou, adicionalmente, por imperfeies
na estrutura cristalina. Tais imperfeies fazem com que os tomos
adjacentes no necessitem realizar 4 ligaes covalentes.
Pode-se definir o tempo de vida de um portador como o tempo
mdio necessrio para que o eltron ou a lacuna sejam neutralizados
pela consecuo de uma ligao covalente. Em muitos casos pode-se
considerar o tempo de vida de um portador como uma constante do
material. No entanto, especialmente nos semicondutores de potncia,
esta no uma boa
simplificao.
Semicondutores de Potncia
Semicondutores de Potncia
Diodo
Eletrnica de Potncia
Semicondutores de Potncia
Simulao computacional
Uso de softwares para simulao de circuitos (PSIM, Orcad,
Proteus, Matlab etc)
PSIM
Simulao:
VR
20
19.98
19.96
19.94
19.92
19.9
I(D2)
0.2
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0
0.002
0.004
0.006
Time (s)
0.008
0.01
Simulao:
V1
17.88
17.84
17.8
V2
7.2
7.16
7.12
Vo
2.4
2.2
2
I(D1)
0.004
0.0036
0.0032
0
0.002
0.004
0.006
Time (s)
0.008
0.01
Simulao:
Vs
200
100
0
-100
-200
VR
200
100
0
VD
0
-100
-200
I(D)
0.2
0.1
0
0
0.01
0.02
Time (s)
0.03