De propsito general

De alta velocidad

Diodos de
potencia

Schottky

Dispositivos
Semiconductores
de potencia

Tiristores

Transistores

Se consiguen hasta para 6000 V y 4500 A

Capacidad de hasta para 6000 V y 1100 A

Tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5 s
Esenciales para una conmutacin de alta frecuencia de
los convertidores de potencia

Su capacidad se limita a 100 V, 300 A

Tienen un tiempo de recuperacin muy pequeo

Tiristor conmutado forzado: Se apagan con un circuito de conmutacin.

Tiristor conmutado por lnea: Capacidad de hasta 6000 V, 4500 A.
Tiristor de abertura de compuerta (GTO): Tiempo de abertura de 10 a 20 s para 3000V y 3600 A.
Tiristor de conduccin inversa (RCT): Alta velocidad de conmutacin, aplicaciones de traccin.
Tiristor de induccin esttica (SITH): No requieren circuito alguno de conmutacin.
Tiristor de abertura de compuerta asistida (GATT): Velocidad de conmutacin de 8 s.
Rectificador fotoactivado controlado de silicio (LASCR): Adecuado para sistemas de potencia de
alto voltaje, en especial los de corriente directa de alto voltaje.
Tiristor abierto por MOS (MTO): Aplicaciones de gran potencia desde 1 hasta 20 MVA.
Tiristor abierto por emisor (ETO): Capacidad de corriente y voltaje de hasta 4 kA y 6 kV
respectivamente.
Tiristor conmutado por compuerta integrada (IGCT): Se apaga por medio de una tarjeta de circuito
activador de compuerta.
Tiristores controlados por MOS (MCT): Es como un GTO pero con ganancia de abertura muy alta.
BJT: Activacin y desactivacin controladas.
MOSFET: Los MOSFETS de potencia se usan en convertidores de potencia y se consiguen con
capacidades relativamente bajas de potencia de 1000v y 100 A.
IGBT: Se consiguen hasta para 1700 V y 2400 A y frecuencias hasta de 20 kHZ.
SIT: Tiene posibilidades de poco ruido, poca distorsin y alta potencia en alta audiofrecuencia.

Cerrado y abertura
no controlado
Cerrado controlado y
abertura no
Caractersticas controladas
de cerrado y abertura

Caractersticas de
control de los
semiconductores
de potencia.

Diodo

SCR, RCT, TRIAC

BJT, MOSFET, COOLMOS, IGBT, SIT, GTO, MTO, ETO, IGCT, SITH, MCT

Necesidad de seal
contina en compuerta

BJT, MOSFET, COOLMOS, IGBT, SIT

Necesidad de impulso en
compuerta

SCR, RCT, TRIAC, GTO, MTO, ETO, IGCT, SITH, MCT

Capacidad de resistencia
a voltaje bipolar

SCR, RCT, TRIAC, GTO, MTO, ETO, IGCT, SITH, MCT

Capacidad de resistencia
a voltaje unipolar

BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT

Capacidad de corriente
bidireccional

MOSFET, COOLMOS, TRIAC, RCT

Capacidad de corriente
unidireccional

SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SITH, SIT, diodo

Rectificadores de
diodo

Un circuito rectificador de diodo convierte el voltaje de ca en un voltaje

fijo de cd.

Convertidores de CA-CD
(rectificadores controlados)

Un ejemplo es un convertidor monofsico con dos tiristores

conmutados, su voltaje de salida se puede controlar variando el tiempo
de conduccin de los tiristores.

Convertidores CA-CA
(controladores de voltaje de CA)

El voltaje de salida se controla variando el tiempo de conduccin de un

TRIAC, o el ngulo de retardo de disparo .

Tipos de circuitos
convertidores de
potencia
Convertidores de CD-CD
(regulador de conmutacin)

El voltaje promedio de salida Vo se controla haciendo

variar el tiempo de conduccin t del transistor

Convertidores de CD-CA
(inversores)

El valor del voltaje se puede controlar variando el tiempo de

conduccin de los transistores.

Interruptores estticos

Ya que los dispositivos de potencia se puede hacer trabajar como

interruptores estticos o contactores, el suministro a ellos podra ser
de ca o de cd, y los dispositivos se llaman interruptores estticos de ca
o interruptores de cd.