Chapitre II Les interrupteurs semi-conducteurs

LES INTERRUPTEURS SEMI-CONDUCTEURS

Ltude des composants de puissance semi-conducteur est une discipline part entire. La
physique des semi-conducteurs nest pas le but de ce paragraphe, nous allons dcrire simplement les
principales caractristiques externes des composants. Ils peuvent tre classs en trois groupes :
les diodes, composants non commandables, o les tat ON et OFF dpendent des grandeurs
lectriques du circuit,
les thyristors, composants commandables uniquement lamorage (passage de ltat OFF
ltat ON).
les interrupteurs entirement commandables : les transistors bipolaires (BJT), les transistors
effet de champ grille isole (MOSFET), les transistors hybrides des deux premiers (IGBT), le
thyristor command louverture (GTO).
I- Les diodes :
Les diodes utilises en lectronique de puissance sont les diodes PIN et Shottky. Leurs
commutations ne sont pas commandes, elles sont appeles spontanes.
A- Les diodes PIN :
A
P+

v D(t)

i D(t)
i D(t)

N-

v D0

N+
3

v Dim

i D(t)

v D(t)
v D(t)

Figure 1 : Structure, Symbole, Caractristiques relle et idale dune diode jonction PN.

1- Structure :
La zone N- assure lessentiel de la tenue en tension (quivalente la zone
intrinsque).
2- Caractristique relle :
Si vD(t) tend devenir positif, la diode devient passante, alors VD est sensiblement
gal VD0.
Si iD(t) tend devenir ngatif, la diode se bloque, alors ID est sensiblement gal zro.
Dans le quadrant 1, les grandeurs caractristiques sont :
VD0 : tension de seuil,
RD0 : rsistance dynamique.
Les deux termes prcdents sont donns par les constructeurs, soit directement, soit devant tre
calculs partir de courbes.
Le circuit dans lequel est insre la diode, dtermine les valeurs de courant efficace et moyen,
respectivement IDeff et IDmoy.
Ainsi, partir de toutes les grandeurs prcdentes, nous pouvons calculer les pertes par conduction
(tat ferm de la diode).
Pour simplifier les calculs, la caractristique relle dans le quadrant 1, est assimile 2 segments de
1
droite. Le premier est horizontal de 0 VD0, le second part de VD0 est une pente de
.
R D0
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VD(t)= VD0 + RD0.iD(t)

P=

1
V t . i.D t . dt =V D0 . I Dmoy R D0 . I 2Deff
T 0 D

Informations constructeurs -exemple pris pour le composant de la Figure 3- :

Informations lectriques
VRRM : tension rptitive de points, 1200V,
IFAV : courant direct moyen, 50A,
i2t : donne servant dimensionner le fusible de protection, 5000A2s,
VF : chute de tension directe, 1,5V,
IR : courant inverse de fuite, 10mA.
Informations thermiques pour le calcul du dissipateur
Informations mcaniques
hauteur : 250mm
diamtre : 20mm
3- Caractristique idale :
Elle nous permet de comprendre le fonctionnement du convertisseur. Elle reprsente
la diode comme tant un interrupteur parfait.
En lectronique de puissance, un des critres permettant de choisir une diode est sa rapidit pour
passer de ltat passant ltat ouvert. Durant cette commutation apparat le phnomne de
recouvrement qui impose la prsence simultane dun courant et dune tension (Figure 7), ce qui est
synonyme de pertes (pertes par commutation).
i D(t)

t
v D(t)

Figure 2 : Formes dondes idalises pendant le

recouvrement.

Reverse Recovery Time :

trr = t3 + t4

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Description des phases lors du blocage dune diode :

Phase 1 : La diode est passante / accumulation de charges dans la jonction.
Phase 2 : Dcroissance du courant / le diD/dt est impose par les inductances du
circuit. Une partie de la charge stocke est limine par recombinaison.
Phase 3 : Le dbut de cette phase correspond au moment o le courant dans la diode
est nul. La charge restante est vacue par un courant inverse. Cest la phase de
recombinaison : la diode est toujours passante.
Phase 4 : La diode souvre, il faut quelle retrouve son pouvoir de blocage : le
courant dans la diode augmente jusqu 0 A. A loppos, le courant dans le circuit
diminue entranant une surtension aux bornes de la diode (inductance parasite).
Phase 5 : Le courant est nul, la commutation est termine.

Figure 3 :
Diode.

4- Grandeurs caractristiques :
Nous pouvons considrer deux types de diode utilise dans des applications
compltement diffrentes.
Diodes "50 Hz" : trr = 25 s ; VD0 = 1V ; IDmoy = 5 kA ; VDim = 5 kV, utilises dans les redresseurs.
Diodes rapides : trr < 1 s ; 0,5 V < VD0 < 3V ; IDmoy = qq 100 A ; VDim = qq 100 V , utilises dans
les alimentations dcoupage.
La Figure 3 reprsente une diode de puissance de la socit Semikron, ayant pour calibre 320 A et
1600 V.
B - Les diodes Schottky :
Les diodes Shottky ne font pas intervenir de mcanisme
bipolaire. Le phnomne de recouvrement est absent.
Pour parvenir ce rsultat, des jonctions mtal / semiconducteur sont utilises. Ces composants interviennent
dans des applications basse tension.
Grandeurs caractristiques :
Tension de seuil < 3 V,
Idmoy = qq 100 A,
Vdim < 100 V,
Frquence de travail leve.

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A
Mtal

v D(t)

i D(t)

NN+

K
Figure 4: Structure dune diode
Shottky.

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II- Les thyristors :

A- Fonctionnement :
A

v TH(t)
P

i TH

(t)

G
i G(t)

i(t)

i TH(t)

amorage

v Dim

v TH(t)

v(t)

Figure 5 : Structure, Symbole, Caractristiques relle et idale dun thyristor.

Ce composant est le premier interrupteur semi-conducteur commandable utilis en lectronique de

puissance. Il comporte en plus des deux lectrodes de puissance (A : anode ; K : cathode) une
troisime lectrode appele gchette permettant le contrle de lamorage. Le courant de gchette
permettant le passage de ltat bloqu ltat passant, ne doit tre envoy que lorsque VTH est
suprieur 0 V. Cest un phnomne davalanche qui permet cette commutation. Cet amorage est
donc retard par rapport lamorage naturel dune diode. Gnralement, cet angle de retard
lamorage est appel et il peut varier de 0 . Le thyristor se comporte ensuite comme une diode.
Quand iTH devient infrieur au courant de maintien, le thyristor se bloque.
Le circuit de commande sera tudi en travaux pratiques. Nanmoins, ce circuit peut tre
dcompos en trois parties :
Les ordres de commandes doivent tre synchroniss par rapport aux tensions du rseau de
distribution (mesure des tensions),
Linformation doit tre traite de manire analogique ou numrique pour tenir compte de
(lectronique bas niveau),
Linformation est ensuite amplifie et isole avant dtre envoye la gchette.
En plus du phnomne de recouvrement (comme la diode), il existe un autre phnomne propre ce
composant. En effet, lors du blocage (annulation du courant iTH), il faut appliquer une tension
ngative aux bornes du thyristor, sans quoi, il se ramorcerait de manire incontrle ds la
prsence dune tension positive. Ce temps minimum dapplication de tension ngative, est appel tq.
A cause de ce phnomne, la plage de rglage de langle est diminue et elle est fixe
gnralement entre 0 et ( - /6).

B- Informations constructeur :
IT : le courant efficace l'tat passant, 550A,
ITAV : courant moyen l'tat passant, 300A,
ITSM : courant de surcharge accidentel (tat passant), 10 000A,
i2t : donne servant dimensionner le fusible de protection, 500 000A2s,
di/dt : vitesse critique de croissance de la tension, 100A/s,
VRRM : tension inverse de pointe, 800V,
VDRM : tension critique de pointe, 800V,
dv/dt : vitesse critique de croissance de la tension, 200V/ s,
VGT : tension de gchette, 3V,
IGT : courant de gchette, 200mA.

Grandeurs caractristiques :
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1,5 V < VTH0 < 3 V ; ITHmoy = 4 kA ; VTHim = 7 kV.

utilises dans les onduleurs (pour machines lectriques), redresseurs commands, hacheurs.

Figure 6 : Thyristor de la socit

Semikron, 3 kA, 1,8 kV.

Remarque : Le Triac est compos de deux thyristors monts tte-bche, permettant une
rversibilit en courant et en tension. Ce composant est aussi commandable lamorage. Il
intervient dans les convertisseurs appels gradateur et fonctionnent gnralement sur le rseau de
distribution 50 Hz. Lune de ses applications est lclairage.
i(t)
v T (t)

amorage

i T (t)
v(t)

G
i G(t)

amorage

Figure 7 : Symbole du Triac et caractristique idale.

III- Interrupteurs entirement commands :

A- Les transistors bipolaires (Bipolar Junction Transistor : BJT) :
1- Fonctionnement :

i C(t)

satur
v CE(t)

C
B

bloqu
E

i C(t)

amorage
blocage

v CE(t)
Figure 8 : Structure, Symbole (NPN), Caractristiques relle et idale dun transistor.

Les transistors de puissance sont des transistors spcialement adapts et conus pour un
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fonctionnement tout ou rien (interrupteur).

Contrairement au thyristor, la base du transistor contrle la conduction pendant toute sa dure,
permettant ainsi dassurer le blocage.
Vcc

iC(t)

R
c
b
Vbe

Vce
vCE(t)

Figure 9

Daprs la caractristique relle du transistor, il semble vident que le point de fonctionnement doit
se trouver sur lun des segments en trait gras, pour viter davoir simultanment du courant et de la
tension. Lors de la commutation, passage de ltat ouvert (ferm) ltat ferm (ouvert), il va y
avoir forcment des pertes, appeles pertes par commutation. Il existe des circuits auxiliaires
appels CALC (snubber) pour diminuer les pertes dans le composant (CALC = circuit daide la
commutation).
2- Grandeurs caractristiques :
Temps de commutation : quelques centaines de ns quelques s.
Transistor de puissance : VCE = 1000 V ; IC = 1000 A ; f = 5 kHz.
Gain en courant, < 10, configuration Darlington pour diminuer le courant de base.
Complexit et cot de la commande.
Faibles pertes en conduction.
Ce composant est de moins en moins utilis dans les nouveaux produits.
B- Les transistors MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor) :
i D(t)
T satur
D
G

T bloqu

i D(t)

v DS(t)

amorage
blocage

v DS(t)

Figure 10 : Structure dun transistor MOSFET canal N et enrichissement, Symbole, Caractristiques

relle et idale.
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Issus de la microlectronique, il est apparu dans des applications de llectronique de puissance,

dans les annes 1975-1980. Ses principaux atouts sont des performances dynamiques leves (trs
grande frquence de travail), ainsi quune commande trs facile mettre en uvre. Son principal
inconvnient reste ses pertes en conduction cause par une rsistance Drain-Source (RDSON)
importante.
1- Fonctionnement :
Ce composant est command en tension par VGS ( loppos du BJT command par
son courant de base). Lorsque VGS est nul alors le courant de drain est nul, le composant est ouvert.
Lorsque VGS est suprieur 10 V (en gnral les MOSFET de puissance sont commands en +15
V), VDS est nulle, le composant est ferm. Vu des bornes Grille et Source, le transistor quivaut
une capacit de quelques centaines de picofarads (10-12 F). Le temps douverture et de fermeture,
correspondent la dcharge et la charge de cette capacit. Les temps de commutation sont donc
brefs.
2- Grandeurs caractristiques :
VDS (V)
100
500
1 000

ID (A)
40
20
qq A

RDSON ()
0,04
0,3
qq

Le tableau prcdent montre les diffrents calibres des MOSFET de puissance. Lorsque ce
composant doit supporter une tension importante ses bornes, sa rsistance ltat passant
augmente, entranant des pertes par conduction importantes. Cest pour cette raison que le courant
de charge dcrot.

C- Les transistors IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) :

Les concepteurs ont voulu regrouper les avantages des BJT et des MOSFET :
Tension leve ltat ouvert (caractristique BJT),
Tension faible ltat ferm (faibles pertes) (caractristique BJT),
Facile commander (caractristique MOSFET),
Bonnes performances dynamiques(caractristique MOSFET).

Les IGBT sont trs rpandus dans les systmes de conversion conus depuis les annes 1990. Il
remplace les BJT et GTO dans le domaine des moyennes et fortes puissances.

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i D(t)
T satur

v DS(t)

D=C
T bloqu

G
S=E

i C(t)

amorage
blocage

v CE(t)
Figure 11 : Structure dun transistor IGBT, Symbole, Caractristiques relle et idale.

1- Fonctionnement :
Ce composant est command en tension. Lamorage est identique celui du
MOSFET. Lors de louverture, "leffet transistor" va ralentir le blocage. Les charges stockes
sliminent par recombinaison, ce qui a pour consquence ltablissement dun courant diminuant
trs lentement. Il est appel courant de "queue" et est responsable de lessentiel des pertes par
commutation de lIGBT.
2- Grandeurs caractristiques :
Les pertes par commutation ( louverture essentiellement) dun IGBT et la chute de
tension directe, sont lies et rsultent dun compromis. Le compromis idal diffre selon
lapplication. Il consiste obtenir les pertes totales (par conduction et par commutation) les plus
faibles possibles pour une surface de silicium donne (cot). Ainsi, les fabricants dIGBT proposent
plusieurs gammes :
Des IGBT avec une faible chute de tension (1,8 2,5 V) mais des pertes par commutation assez
importantes (utilisation frquence peu leve),
Des IGBT avec des pertes par commutation rduites mais une chute de tension leve (4 V) pour
une frquence de travail (de dcoupage) leve.
Quelques ordres de grandeur des IGBT de puissance :
VCE = 4,5 kV ; IC = 1,2 kA ; fdec = 20 kHz 50 kHz (REE n5 mai 2002).
La figure suivante montre sous quelles formes sont disponibles les IGBT.
Un module est constitu de deux interrupteurs forms par lassociation dun IGBT en parallle
(inverse) avec une diode (= voir paragraphes Hacheur 4 quadrants et onduleur monophas).

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Figure 12 : Composant
discret.
Figure 13 : Module IGBT.

IC = 60 A; VGE = 15 V
VCE = 600 V; VCE(ON) = 1,67 V
IGBT avec Ultrafast Soft Recovery Diode
IRG4PSC71UD
Socit : International Rectifier.

IC = 300 A; VGE = 15 V
VCE = 300 V; VCE(ON) = 2,5 V;
Association de deux IGBT et de deux diodes
(cellule de commutation)
SKM 300 GB 063 D
Socit : Semikron.

Ces composants sont de plus en plus utiliss dans les systmes modernes de traitement de lnergie
lectrique, comme les onduleurs, les redresseurs MLI, les convertisseurs multi-niveaux,
D- Les thyristors GTO (Gate Turn Off) :
A
i D(t)
v D(t)

v D(t)

A
i D(t)

v TH(t)

G
i G(t)

amorage
blocage

v Dim

G
i G(t) K

i(t)

i TH(t)

v(t)

Figure 14 : Symboles, Caractristiques relle et idale dun Thyristor GTO.

1- Fonctionnement :
Par rapport au thyristor classique, le thyristor GTO est en plus commandable
louverture par un courant, iG, ngatif.
Ce composant entirement commandable est 3 segments la diffrence des transistors prcdents.
Du point de vu de sa commande, il se rapproche plus du BJT, puisque la gchette est parcourue en
permanence lors de la phase de conduction, par le courant iG. Sa commande est donc plus difficile
mettre en uvre que pour les composants grille isole.
Un autre inconvnient est la prsence de pertes importantes lors de louverture (le courant met un
certain temps sannuler), ce qui limite les possibilits de monte en frquence.
2- Grandeurs caractristiques :
Composants utiliss en fortes puissances (traction ferroviaire) : VTH= 5 kV ;
ITH = 5 kA.
Lors du blocage, le courant iG, qui est ngatif, peut atteindre jusqu 1/3 du courant iTH(t).

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E- Comparaison entre les diffrents interrupteurs entirement commandables :

Ce tableau reprsente les caractristiques des diffrents interrupteurs. Il est bien vident
quun tel tableau ne peut pas faire apparatre les subtilits entre les diffrents semi-conducteurs. Il
permet davoir une vue densemble de leurs performances.
Puissance dutilisation

Rapidit de commutation

BJT

Moyen

Moyen

MOSFET

Faible

Rapide

IGBT

Moyen

Moyen

GTO

Fort

Lent

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