MEMORIA EPROM

Las EPROM, o Memorias slo de Lectura Reprogramables, se programan mediante impulsos elctricos y su
contenido se borra exponindolas a la luz ultravioleta (de ah la ventanita que suelen incorporar este tipo de
circuitos), de manera tal que estos rayos atraen los elementos fotosensibles, modificando su estado.
Las EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM. y aplicando en un pin especial
de la memoria una tensin entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al
mismo tiempo se direcciona la posicin de memoria y se pone la informacin a las entradas de datos. Este
proceso puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad de memoria.

Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, se hace pasar una
corriente a travs del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta (obviamente, los electrones
siguen el camino inverso). Al mismo tiempo se aplica una relativamente alta tensin sobre la compuerta
superior o de control del transistor, crendose de esta manera un campo elctrico fuerte dentro de las capas
del material semiconductor.
Ante la presencia de este campo elctrico fuerte, algunos de los electrones que pasan el canal fuentecompuerta ganan suficiente energa como para formar un tnel y atravesar la capa aislante que normalmente
asla la compuerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan en la compuerta flotante, dicha
compuerta toma carga negativa, lo que finalmente produce que la celda tenga un 0.
Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz ultravioleta, oscilan entre 10 y 30
minutos.
Tal como mencionramos anteriormente, el proceso de borrado de los datos contenidos en una EPROM es
llevado a cabo exponiendo la misma a luz ultravioleta. El punto reside en que la misma contiene fotones
(Cuantos de energa electromagntica) de energa relativamente alta.

Leer ms: http://www.monografias.com/trabajos18/memorias-programables/memoriasprogramables.shtml#ixzz3RRc38O1a

Dispositivo 2
MCM 2708L
El dispositivo corresponde a una memoria EPROM, a continuacin se muestran sus principales
funcionalidades y los materiales que compone.
EPROM
Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de fabricacin,
en vez de ello la programacin la efecta el usuario y se puede realizar una sola vez, la
informacin se puede borrar y volver a grabar varias veces. Su nombre proviene de la sigla en
ingls Erasable Read Only Memory.
La programacin se efecta aplicando en un pin especial de la memoria una tensin entre 10 y
25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona
la posicin de memoria y se pone la informacin a las entradas de datos. Este proceso puede
tardar varios minutos dependiendo de la capacidad de memoria.
La memoria EPROM, tal como las memorias vistas anteriormente se compone de un arreglo de
transistores MOSFET de Canal N de compuerta aislada. En la figura 10.3.5 se observa el
transistor funcionando como celda de memoria en una EPROM.

Figura 10.3.5. Celda de memoria de una EPROM

Cada transistor tiene una compuerta flotante de SiO 2 (sin conexin elctrica) que en estado
normal se encuentra apagado y almacena un 1 lgico. Durante la programacin, al aplicar una
tensin (10 a 25V) la regin de la compuerta queda cargada elctricamente, haciendo que el
transistor se encienda, almacenando de esta forma un 0 lgico. Este dato queda almacenado de

forma permanente, sin necesidad de mantener la tensin en la compuerta ya que la carga

elctrica en la compuerta puede permanecer por un perodo aproximado de 10 aos.
Por otra parte el borrado de la memoria se realiza mediante la exposicin del dispositivo a rayos
ultravioleta durante un tiempo aproximado de 10 a 30 minutos. Este tiempo depende del tipo de
fabricante y para realizar el borrado, el circuito integrado dispone de una ventana de cuarzo
transparente, la cual permite a los rayos ultravioleta llegar hasta el material fotoconductivo
presente en las compuertas aisladas y de esta forma lograr que la carga se disipe a travs de
este material apagando el transistor, en cuyo caso todas las celdas de memoria quedan
en 1 lgico. Generalmente esta ventana de cuarzo se ubica sobre la superficie del encapsulado y
se cubre con un adhesivo para evitar la entrada de luz ambiente que pueda borrar la
informacin, debido a su componente UV.

Tomado de:

Universidad Nacional de Colombia

N.N Electrnica Digital 1 [Online] Disponible en:

http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2000477/lecciones/100301.ht
m

Tomado de: https://sicuaplus.uniandes.edu.co/bbcswebdav/pid-1078317-dtcontent-rid-11619029_1/courses/201510_IELE2206L_02/EDS%20-%20PRACTICA

%201B.pdf

Datasheet
Tomado de: Motorola UV-Erasable PROM (EPROM) [Online] 1996 Agosto 24 Disponible en:
http://www.datasheetarchive.com/MCM2708L-datasheet.html