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Jp 0
y
SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Los semiconductores intrnsecos no presentan propiedades prcticas, por
esto se les aaden impurezas para alterar la probabilidad de ocupacin de
las bandas de energa, y por lo tanto, aumentar la conductividad de los
mismos.
Si a un semiconductor intrnseco se le aade un pequeo porcentaje de
impurezas, el semiconductor se denomina extrnseco y se dice que est
dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura
cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio o germanio.
Las impurezas utilizadas en un semiconductor extrnseco pueden ser:
En
refraccin.
Uno
modelo
matemtico
del
LED
para
analizar
suyo
chip
del
Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual
fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre
otros.
LED rojo: Formado por GaP consiste en una unin p-n obtenida por
el mtodo de crecimiento epitaxial del cristal en su fase lquida, en un
substrato.
La fuente luminosa est formada por una capa de cristal p junto con un
complejo de ZnO, cuya mxima concentracin est limitada, por lo que su
luminosidad se satura a altas densidades de corriente. Este tipo de LED
funciona con baja densidades de corriente ofreciendo una buena
luminosidad, utilizndose como dispositivo de visualizacin en equipos
porttiles. El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por
difusin de Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado en
Los primeros leds construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo,
permitiendo el desarrollo tecnolgico posterior la construccin de diodos para
longitudes de onda cada vez menores. En particular, los diodos azules fueron
desarrollados a finales de los aos noventa por ShujiNakamura, aadindose
a los rojos y verdes desarrollados con anterioridad, lo que permiti por
combinacin de los mismos la obtencin de luz blanca. El diodo de
seleniuro de cinc puede emitir tambin luz blanca si se mezcla la luz azul que
emite con la roja y verde creada por fotoluminiscencia. La ms reciente
innovacin en el mbito de la tecnologa led son los leds ultravioleta, que se
GaAs, GaP, InAs, Inp, elementos de la tabla peridica de los grupos III
yV
Donde R
J).
MODULACIN PTICA
Resto de la electrnica.
frecuencia
DIODO LSER
La modulacin ptica puede ser directa, donde la fuente de luz es modulada
directamente por una inyeccin de corriente electrnica, proveniente del
circuito driver, o ella puede ser una modulacin externa, donde la luz es
primera generada por la fuente ptica y despus a travs de un modulador
externo es modulada. Para que el nmero de fotones estimulados sea mayor
que el de los emitidos de forma espontnea, para que se compensen las
perdidas, y para que se incremente la pureza espectral, es necesario por un
lado tener una fuerte inversin de portadores, la que se logra con una
polarizacin directa de la unin, y por el otro una cavidad resonante, la cual
posibilita tener una trayectoria de retroalimentacin positiva facilitando que se
emitan ms fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes
de onda haciendo ms angosto al espectro emitido.
La presencia de una inversin grande de portadores y las propiedades de la
cavidad resonante hacen que las caractersticas de salida (potencia ptica
como funcin de la corriente de polarizacin) tenga un umbral a partir del
cual se obtiene emisin estimulada, el cual es funcin de la temperatura.
Un diodo lser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente lo
que significa que todas las ondas luminosas estn en fase entre s. La idea
bsica de un diodo lser consiste en usar una cmara resonante con espejos
que refuerza la emisin de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. A
causa de esta resonancia, un diodo lser produce un haz de luz estrecho que
es muy intenso, enfocado y puro.
El diodo lser tambin se conoce como lser semiconductor o tambin
conocidos como lseres de inyeccin, Estos diodos pueden producir luz
visible (roja, verde o azul) y luz invisible (infrarroja).Se usan en productos de
consumo y comunicaciones de banda ancha
FABRY PEROT.
Este diodo laser est constituido por dos espejos en los extremos de la gua,
constituyndose en una cavidad resonante en donde la luz es reflejada y
vuelta a reflejar entre los dos espejos a ambos lados del semiconductor,
presenta algo de inestabilidad en la potencia de salida y se utiliza para la
transmisin de datos en el retorno.
PROCESO DE EMISIN.
El proceso de generacin de luz es similar al del LED. Las diferencias
radican en el volumen de generacin, ms pequeo en los diodos laser, y en
una alta concentracin de portadores inyectados. Se consigue as una
ganancia ptica alta y un espectro muy estrecho que da lugar a luz
coherente. La pastilla lser suele tener una longitud de 300mm, con dos
caras cuidadosamente cortadas en ambos extremos a modo de espejos. El
origen de la misin de fotones es la recombinacin directa electrn-hueco en
la capa activa.
Lser se
utiliza
generalmente
en
sistemas
de
comunicacin
con:
TEORA DE FUNCIONAMIENTO
Un diodo lser est formado por dopaje una capa muy delgada sobre la
superficie de una oblea de cristal. El cristal est dopado para producir una
regin de tipo n y una regin de tipo p, una encima de la otra, lo que resulta
en una unin pn o diodo.
Los diodos lser forman un subconjunto de la clasificacin ms grande de
semiconductores diodos de unin pn. Polarizacin directa elctrico a travs
del diodo lser provoca que las dos especies de portador de carga - huecos y
de
inyeccin".
semiconductores,
Como
tambin
lseres
pueden
ser
de
diodos
clasificados
son
dispositivos
como
lseres
manera que la luz se limita a una lnea relativamente estrecha. Los dos
extremos del cristal se escinden para formar bordes perfectamente lisas,
paralelas, formando un resonador de Fabry-Prot. Los fotones emitidos en un
modo de la gua de ondas viajarn a lo largo de la gua de ondas y se refleja
varias veces de cada lado frontal antes de que sean emitidos. Como una
onda de luz pasa a travs de la cavidad, que es amplificada por emisin
estimulada, pero tambin la luz se pierde debido a la absorcin y la reflexin
por incompleta de las facetas finales. Por ltimo, si hay ms de amplificacin
de la prdida, el diodo comienza a "laser".
Algunas propiedades importantes de los diodos lser estn determinadas por
la geometra de la cavidad ptica. En general, en la direccin vertical, la luz
est contenida en una capa muy delgada, y la estructura soporta slo un
nico modo ptico en la direccin perpendicular a las capas. En la direccin
transversal, si la gua de ondas se ampla en comparacin con la longitud de
onda de la luz, a continuacin, la gua de ondas puede soportar mltiples
modos pticos transversales, y el lser es conocido como "multimodo". Estos
lseres transversalmente multi-modo son adecuados en los casos en que se
necesita una cantidad muy grande de energa, pero no un pequeo haz de
difraccin limitada, por ejemplo en la impresin, la activacin de los
productos qumicos, o de bombeo de otros tipos de lseres.
En aplicaciones donde se necesita un pequeo haz enfocado, la gua de
ondas debe hacerse estrecho, del orden de la longitud de onda ptica. De
esta manera, slo un modo transversal se apoya y se termina con un haz de
difraccin limitada. Tales dispositivos de modo espacial individuales se
utilizan para el almacenamiento ptico, punteros lser, y la fibra ptica. Tenga
en cuenta que este tipo de lser puede todava soportar mltiples modos
longitudinales, y por lo tanto puede lasear en mltiples longitudes de onda
simultneamente.
OPERACIN PULSADA
Operacin de pulsado de los lseres se refiere a cualquier lser no
clasificados como onda continua, de modo que la potencia ptica aparece en
pulsos de una cierta duracin en algn tasa de repeticin. Esto abarca una
Donde n es
la
densidad
de
portadores
es
prcticamente
Donde ae son las prdidas en los espejos, aint otras prdidas intrnseca de la
cavidad.
EFICIENCIA CUNTICA
La Eficiencia cuntica es una cantidad definida para un dispositivo
fotosensible como la pelcula fotogrfica o un CCD como el porcentaje de
fotones que chocan con la superficie fotorreactiva que producir un par
electrn-hueco. Es una medida precisa de la sensibilidad del dispositivo. A
menudo se mide sobre un rango de diferentes longitudes de onda para
caracterizar la eficiencia del dispositivo a cada energa. La pelcula
fotogrfica tiene tpicamente una eficiencia cuntica de menos del 10%,
mientras los CCDs pueden tener una eficiencia cuntica sobre 90% en
algunas longitudes de onda.
FRECUENCIA DE RESONANCIA
Se denomina frecuencia de resonancia a aquella frecuencia caracterstica de
un cuerpo o un sistema que alcanza el grado mximo de oscilacin.
Todo cuerpo o sistema tiene una, o varias, frecuencias caractersticas.
Cuando un sistema es excitado a una de sus frecuencias caractersticas, su
vibracin es la mxima posible. El aumento de vibracin se produce porque a
estas frecuencias el sistema entra en resonancia.
La eficiencia de Acople es la medida de la cantidad de potencia ptica
emitida desde una fuente que puede ser acoplada con una Fibra ptica
= PF / PS
Pf= Potencia Acoplada a la Fibra
Ps= Potencia Emitida desde la Fuente de Luz
La eficiencia de Acople depende del tipo de fibra conectada a la fuente y del
proceso de acople (lentes u otro complemento).
LASER MONOMODO
Las comunicaciones led se producen principalmente a partir de GaAsp o
GaAs. Debido a que los ledesGaAsp operan a una mayor longitud de onda
que los ledesGaAs (1,3 micrmetros contra 0,81-0,87 m), su espectro de
salida es ms ancho en un factor de alrededor de 1,7 veces. El ancho de
amplio espectro de los ledes causa una alta dispersin en la fibra, lo que
limita considerablemente su producto tasa de bits-distancia (medida comn
de utilidad). Los ledes son adecuados principalmente para aplicaciones de
red de rea local con velocidades de 10 a 100 Mbit/s, y distancias de
transmisin de unos pocos kilmetros. Los leds se han desarrollado para
usar varios pozos cunticos para emitir luz en diferentes longitudes de onda
en un amplio espectro, y actualmente estn en uso en redes de rea local de
multiplexado por divisin de longitud de onda.
Un lser semiconductor transmite luz a travs de la emisin estimulada en
vez de emisin espontnea, lo que da como resultado una alta potencia de
salida (~100 mW), as como otros beneficios de la luz coherente. La salida
del lser es relativamente direccional, lo que permite un acoplamiento de alta
eficiencia (~50%) en fibras monomodo. La anchura espectral estrecha
permite altas tasas de transferencia de bits, ya que reduce el efecto de
dispersin cromtica. Los lseres semiconductores pueden ser modulados
directamente a altas frecuencias, debido a la recombinacin de tiempo corto.
A menudo, los diodos lser se modulan directamente, que es la salida de luz
controlada por una corriente aplicada directamente al dispositivo. Para tasas
de datos muy altas o enlaces de muy larga distancia, una fuente de lser
puede ser de onda continua y la luz modulada por un dispositivo externo
como un modulador de electro absorcin
MODULACIN DE DIODOS LSER
MODULACIN
EFECTO AUGER:
La ya mencionada recombinacin de Auger da lugar a calor en vez de a
fotones por lo que una fraccin de la corriente no estar disponible para la
creacin fotones y, en consecuencia, habr que aumentar el nivel de
inyeccin para alcanzar la misma densidad de fotones. Adems se produce
CONCLUSIN
Los semiconductores son los materiales slidos clave en la fabricacin de
dispositivos electrnicos, el modelo de bandas de energa permite explicar
con una excelente aproximacin el fenmeno de la conduccin elctrica en
los slidos, segn este modelo, la materia est constituida por tomos, cuyos
electrones se distribuyen en bandas de energa. Segn el modelo de las
bandas de energa, los slidos se clasifican en: aislantes, metales y
semiconductores.
Por otra parte Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro cuya
estructura cristalina est formada exclusivamente por tomos del propio
semiconductor, sin que est incrustado en ella ningn tomo de otro material,
los semiconductores intrnsecos no presentan propiedades prcticas, por
esto se les aaden impurezas para alterar la probabilidad de ocupacin de
las bandas de energa, y por lo tanto, aumentar la conductividad de los
mismos. Si a un semiconductor intrnseco se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, el semiconductor se denomina extrnseco y se dice
que est dopado. Cuando en el semiconductor aparece una mayor cantidad
de electrones que de huecos; se dice que los electrones son los portadores
mayoritarios de la corriente y puesto que este excedente de electrones
procede de las impurezas pentavalentes, a stas se las llama donadoras, y el
semiconductor se caracteriza como de tipo N.
REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
http://www.monografias.com/trabajos60/diodo-led/diodo
led.shtml#xestled#ixzz3GoYnBu3E
http://centrodeartigo.com/articulos-noticias-consejos/article_141987.html
file:///C:/Documents%20and%20Settings/kattiuskka/Mis
%20documentos/Comunicacion%20Optica/Proyecto_Final_de_Carrera.pdf