Propriedades Elétricas e Magnéticas Dos Materiais

ESCOLA POLITCNICA DA UNIVERSIDADE DE SO PAULO
Departamento de Engenharia Metalrgica e de Materiais
PROPRIEDADES ELTRICAS E
MAGNTICAS DOS MATERIAIS
PMT 2100 - Introduo Cincia dos Materiais para Engenharia
2 semestre de 2012
ROTEIRO DA AULA
Condutividade eltrica
Bandas de energia nos slidos
Condutividade eltrica dos metais
Condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos
Condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos tipo n e tipo p
Campo Magntico H
Induo Magntica B
Magnetizao M
Dipolos e Momentos Magnticos
O Magnetismo dos Materiais
Ferromagnetismo
Domnios Magnticos e paredes de Domnio
Curva de Magnetizao Inicial
Curva de histerese
Materiais magnticos moles e duros
PMT 2100 Introduo Cincia dos Materiais para Engenharia EPUSP - 2012
PROPRIEDADES ELTRICAS
CONDUTIVIDADE ELTRICA
Os materiais slidos podem ser classificados, de acordo com a magnitude
de sua condutividade eltrica, em trs grupos principais: CONDUTORES,
SEMICONDUTORES e ISOLANTES.
Condutividade em (.m)-1 de uma variedade de materiais temperatura ambiente.
poliestireno
polietileno
NaCl
madeira
seca
quartzo
SiO2
porcelana
concreto
(seco)
grafite
Fe
mica
Mn
Si dopado
Ag
borracha
vidro
Ge
GaAs
Si
10-18 10-16 10-14 10-12 10-10 10-8 10-6 10-4 10-2 100 102
ISOLANTES
Cu
SEMICONDUTORES
104
106 108
CONDUTORES
O MODELO DOS ELTRONS LIVRES dos metais supe que o material
composto por um gs de eltrons que se movem num retculo cristalino
formado por ons pesados. Esse modelo prev corretamente a forma
funcional da lei de Ohm. No entanto, ele prev incorretamente os valores
observados experimentalmente para a condutividade eltrica.
Por exemplo, para o cobre temos:
calculado = 5,3 x 106 (.m)-1 e experimental = 59 x 106 (.m)-1.
Para uma compreenso aprofundada das propriedades eltricas dos
materiais necessitamos considerar o carter ondulatrio dos eltrons e
fazer uso de conceitos da mecnica quntica, mas isto est alm do
escopo desta disciplina.
Na aula de hoje, explicaremos a condutividade eltrica dos materiais
utilizando, de forma simplificada, alguns conceitos provindos da mecnica
quntica. Em particular, consideraremos o MODELO DE BANDAS DE
ENERGIA ELETRNICA NOS SLIDOS.
BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Considere um conjunto de N tomos. A distncias de separao
relativamente grandes, cada tomo independente de todos os demais, e
tem os nveis de energia atmica e a configurao eletrnica que teria se
estivesse isolado. Contudo, medida que esses tomos se aproximam
uns dos outros, os eltrons sentem a ao dos eltrons e ncleos dos
tomos adjacentes ou so perturbados por eles. Essa influncia tal que
cada estado atmico distinto pode se dividir em uma srie de estados
eletrnicos proximamente espaados no slido, para formar o que
conhecido por BANDA DE ENERGIA ELETRNICA.
A extenso da diviso depende da separao interatmica e comea com
as camadas eletrnicas mais externas, uma vez que elas so as primeiras
a serem perturbadas quando os tomos coalescem.
Dentro de cada banda, os estados de energia so discretos, embora a
diferena de energia entre os estados adjacentes seja excessivamente
pequena.

Grfico esquemtico da energia eletrnica em funo da separao interatmica
para um agregado de 12 tomos (N = 12). Com a aproximao cada um dos
estados atmicos 1s e 2s se divide para formar uma banda de energia eletrnica
que consiste em 12 estados. Cada estado de energia capaz de acomodar dois
eltrons que devem possuir spins com sentidos opostos.
Energia
Banda de energia
eletrnica 2s
(12 estados)
Estado eletrnico 2s
Estados energticos individuais permitidos
Estado eletrnico 1s
Banda de energia
eletrnica 1s
(12 estados)
Separao interatmica

Bandas de energia eletrnica para um material slido formado por N tomos.
Representao convencional
da estrutura da banda de
energia eletrnica para um
material slido na separao
interatmica de equilbrio.
Energia eletrnica em funo da separao interatmica para um agregado de N tomos, ilustrando como a
estrutura da banda de energia na
separao interatmica de equilbrio
gerada.
Representao convencional
da estrutura da banda de
Banda de energia
energia eletrnica para um
Gap de energia
material slido
na separao
Banda de energia
interatmica
de equilbrio.
2s (N estados)
1s (N estados)
Separao
Interatmica
de equilbrio
Separao
interatmica
Energia
Energia
2p (3N estados)
ESTRUTURAS DE BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Estruturas de bandas de energia possveis para slidos a 0 K.
(a)
(b)
Banda
vazia
Banda
vazia
Estados vazios
Ef
Banda de
conduo
vazia
Gap de energia
Ef
Gap de energia
Estados
preenchidos
(c)
Banda
preenchida
Banda de
valncia
preenchida
(d)
Banda de
conduo
vazia
Gap de energia
Banda de
valncia
preenchida
(a) Bandas de energia de METAIS tais como o cobre (Z = 29, 3d10 4s1) nos quais se
encontram disponveis, na mesma banda de energia, estados eletrnicos no
preenchidos acima e adjacentes a estados eletrnicos preenchidos.
(b) Bandas de energia de METAIS tais como o magnsio (Z = 12, 1s2 2s2 2p6 3s2) nos quais
ocorre a superposio das bandas de energia mais externas, a preenchida e a nopreenchida.
(c) Bandas de energia tpicas de ISOLANTES: a BANDA DE VALNCIA (banda de energia
preenchida) separada da BANDA DE CONDUO ( banda de energia no-preenchida)
por um GAP DE ENERGIA (banda de energia proibida, ou seja, barreira de energia) de
largura relativamente grande (>2 eV).
(d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia
semelhante dos isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).
A ENERGIA DE FERMI, Ef, uma conseqncia do carter estatstico do
comportamento dos eltrons e do Princpio de Excluso de Pauli. Para
metais a T = 0 K, Ef definida como a energia mxima dos estados
eletrnicos ocupados. Para semicondutores e isolantes Ef tem um valor
situado na faixa de energias do poo de potencial.
Nos metais, somente eltrons com energia maior que Ef podem ser
acelerados na presena de um campo eltrico. Esses eltrons so os que
participam do processo de conduo e so chamados de ELTRONS
LIVRES.
Em semicondutores e isolantes, os BURACOS ELETRNICOS tm energia
menor que Ef e tambm participam do processo de conduo.
O processo de conduo se origina na mobilidade dos PORTADORES DE
CARGA.
10
CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS
11
Em metais, um eltron torna-se livre quando passa para um estado de energia disponvel e
no preenchido acima de Ef; pequena a energia necessria para tal mudana.
A condutividade eltrica dos metais pode ser representada pela equao
OCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS
Antes da
excitao eletrnica
Aps a
excitao eletrnica
Ef
Estados
preenchidos
Energia
Estados
vazios
Ef
Excitao
do eltron
= n |e| e
n = nmero de portadores de carga (eltrons)
por unidade de volume
|e| = magnitude da carga
dos
portadores
(1,602x10-19 C)
e = mobilidade dos
portadores de carga
A condutividade eltrica
dos metais condutores
diminui medida que a
sua temperatura
aumenta.
No link http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/elmat_en/kap_2/backbone/r2.html (do site da Technische Fakultt der ChristianAlbrechts-Universitt zu Kiel) h diversos tpicos sobre condutores. Veja em particular o item 2.1.1 que explica o conceito de
condutividade eltrica.
CONDUTIVIDADE ELTRICA - SEMICONDUTORES E ISOLANTES
Gap de
energia
EG
Excitao
do eltron
Banda de
valncia
Quando o eltron salta da banda de valncia para a banda de

conduo so gerados tanto um eltron
livre quanto um buraco eletrnico.
Energia
Banda de
conduo
No caso de isolantes e semicondutores, um eltron torna-se livre quando salta da

banda de valncia para a banda de conduo, atravessando o gap de energia. A
energia de excitao necessria para tal mudana aproximadamente igual
largura da barreira.
A diferena entre
OCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS
semicondutores e isoAntes da
Aps a
lantes est na largura
excitao eletrnica
excitao eletrnica
do gap de energia.
Comparada com a
Eltron
livre
largura do gap de
energia dos isolantes,
a dos semicondutores
bastante pequena.
Buraco na
banda de
valncia
12
MATERIAIS SEMICONDUTORES
so aqueles cujo comportamento eltrico
depende basicamente da estrutura eletrnica do material puro. Sua condutividade
eltrica geralmente pequena e varia muito com a temperatura.
SEMICONDUTORES INTRNSECOS
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS so aqueles cujo comportamento eltrico
depende fortemente do tipo e da concentrao dos tomos de impurezas. A

adio de impurezas para a moldagem do comportamento eltrico dos semicondutores chamada de DOPAGEM.
A maioria dos semicondutores comerciais elementais so extrnsecos; o mais
importante exemplo o Si, mas tambm esto nesta categoria o Ge e o Sn. a
possibilidade de adicionar impurezas diversas ao material puro que permite a
fabricao de uma variedade de dispositivos eletrnicos a partir do mesmo material
semicondutor.
Os semicondutores extrnsecos tm condutividade que varia pouco com a
temperatura e cujo valor controlado pela concentrao de impurezas. As
concentraes utilizadas variam de 1014 cm-3 (1 parte em 108, considerando 1022
tomos por cm3) a 1020 cm-3 (1 parte em 102, que muito alta).
Semicondutores intrnsecos de compostos dos grupos III-V e II-VI vm adquirindo
crescente importncia para a indstria eletrnica nos ltimos anos.
13
14
Modelo de ligao eletrnica para a conduo eltrica no Silcio intrnseco
Campo E
(b)
(a)
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
eltron de valncia
eltron livre
buraco
Campo E
(c)
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
(a) Antes da excitao eletrnica.

(b) e (c) Aps a excitao eletrnica
(os movimentos subseqentes do
eltron livre e do buraco em resposta
a um campo eltrico externo).
A condutividade eltrica dos materiais semicondutores pode ser representada pela
equao
= n |e| e + p |e| b ,
onde: n = nmero de eltrons livres por unidade de volume;
p = nmero de buracos eletrnicos por unidade de volume;
|e| = magnitude da carga dos portadores (1,6x10-19 C);
e = mobilidade dos eltrons livres;

b = mobilidade dos buracos eletrnicos.
Note que e > b.
A condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos aumenta medida que a

temperatura aumenta.
Para semicondutores intrnsecos, n = p. Portanto,
= n |e| (e + b)
15
16
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n

Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo n.
Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com P (valncia 5) gera eltrons
livres; uma impureza desse tipo chamada de doadora.
Campo E
(c)
(b)
(a)
Campo E
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
(a) O tomo de impureza (P) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando em um eltron extra
ligado ao tomo de impureza.
(b) Excitao do eltron extra como conseqncia da aplicao de um campo eltrico externo,
formando-se um eltron livre.
(c) Movimento do eltron livre em resposta ao campo eltrico externo.
Para semicondutores do tipo n, os eltrons livres so os principais portadores de

corrente, isto , n >> p. Portanto,
n |e| e .
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n

Excitao de um estado doador
em que um eltron livre gerado
na banda de conduo.
Gap de
energia
Banda de
valncia
Energia
Gap de
energia
Estado
doador
Banda de
valncia
Energia
Banda de
conduo
Banda de
conduo
Esquema da banda de energia

eletrnica para um nvel de impureza doadora localizado dentro do
gap de energia, imediatamente
abaixo da parte inferior da banda
de conduo.
Eltron livre
na banda de
conduo
17
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p
18
Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo p.

Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com B (valncia 3) gera buracos
eletrnicos; uma impureza desse tipo chamada de receptora.
Campo E
(b)
(a)
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
(a) O tomo de impureza (B) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando na deficincia de um
eltron de valncia ou, de forma equivalente, num buraco eletrnico associado ao tomo de
impureza.
(b) Movimento do buraco eletrnico em resposta a um campo eltrico externo.
Para semicondutores tipo p, os buracos eletrnicos so os principais portadores de

corrente, isto , p >> n. Portanto,
p |e| b .
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p

Excitao de um eltron para o
nvel receptor, deixando para trs
um buraco na banda de valncia.
Gap de
energia
Banda de
valncia
Energia
Gap de
energia
Estado
receptor
Banda de
valncia
Energia
Banda de
conduo
Banda de
conduo
Esquema da banda de energia

para um nvel de impureza
receptora localizado dentro do
gap de energia, imediatamente
acima da parte superior da banda
de valncia.
Buraco na
banda de
valncia
19
20
PROPRIEDADES MAGNTICAS
CAMPO MAGNTICO H
21
CAMPOS MAGNTICOS so produzidos por cargas eltricas em movimento. Assim,
uma corrente eltrica em um condutor gera um campo magntico. Campos

magnticos tambm podem ser produzidos por magnetos permanentes (ms).
Neste caso, o movimento dos eltrons (spin e orbital) dos tomos que compem o
magneto o responsvel pelo campo magntico.
LINHAS DE FORA so utilizadas para representar o campo magntico. Para cada
ponto do espao, a reta tangente linha de fora fornece a direo do campo
naquele ponto. A intensidade do campo se correlaciona com o nmero de linhas
de fora que atravessam uma rea unitria na direo perpendicular definida
pelas linhas de fora.
Fio retilneo
Espira circular
Bobina
Magneto Permanente
Configuraes das linhas de fora dos campos magnticos obtidas com limalha de ferro para trs geometrias diferentes de fios
que conduzem corrente eltrica e para um magneto permanente (segundo D. Jiles, pg. 5).
CAMPO MAGNTICO H
22
A intensidade do campo magntico H criado por um FIO RETILNEO

longo e que conduz uma corrente eltrica I vale
H = I/2r
(A / m)
onde r a distncia radial em relao ao eixo definido pelo fio.
Quando uma corrente eltrica constante I flui em uma BOBINA

formada por N espiras proximamente espaadas ao longo de
um comprimento L, um campo magntico H, aproximada-mente
constante, gerado na regio central da bobina. A intensidade
de H
H = NI/ L
(A / m)
N
voltas
I
23
INDUO MAGNTICA B
A INDUO MAGNTICA ou DENSIDADE DO FLUXO MAGNTICO B representa a intensidade do campo no interior de um
material sujeito a um campo magntico externo.

A induo magntica B0 no vcuo
B0 = 0 H
voltas
(T ou Wb / m2= V / s-m2)
onde 0 a PERMEABILIDADE MAGNTICA DO VCUO e vale

0 = 4 x 10-7 H / m (ou Wb / A.m).
A induo magntica B no interior de um material slido vale
B = H
(1)
sendo a PERMEABILIDADE MAGNTICA DO MATERIAL.

Definimos a PERMEABILIDADE RELATIVA DO MATERIAL como
r = / 0
(2)
ALGUNS COMENTRIOS
24
A expresso B = H representa um anlogo magntico da lei de Ohm da

eletricidade J = E.
Induo magntica (B) Densidade de corrente (J)
Campo magntico (H) Campo eltrico (E)
Permeabilidade magntica () Condutividade eltrica ()
O campo magntico (Ampre/metro) representa um gradiente de energia.
A induo magntica (Tesla=Weber.metro2) representa o nmero de linhas
de campo por unidade de rea.
A permeabilidade magntica uma medida da facilidade com a qual B
pode ser induzido num material na presena de H.
Uma diferena importante que, enquanto a condutividade uma
constante, a permeabilidade varia com H.
MAGNETIZAO
25
A MAGNETIZAO M de um material indica como o material responde a um

campo magntico externo. Por definio, a magnetizao
B = 0 H + 0 M = 0H + polarizao magntica
(3)
Assim, M o campo magntico que leva em conta desvios no valor da

induo magntica em relao ao seu valor no vcuo, originados pela
presena de um meio material.
A magnetizao se correlaciona com o campo magntico por meio da
relao
M = m H
(4)
onde m a SUSCEPTIBILIDADE MAGNTICA do material.

Combinando as equaes (1) a (4) obtemos
m = r - 1
UNIDADES MAGNTICAS
Grandeza
Smbolo
Unidade (SI)
derivada
primria
26
CGS
Converso
Induo
magntica
tesla (Wb/m2)
kg / s-C
gauss
1 Wb/m2 = 104 gauss
Campo
magntico
amp-volta/m
C/ m-s
oersted
1 amp-volta/m = 4 x 10-3 oersted
Magnetizao
amp-volta/m
C/m-s
Permeabilidade
magntica
henry/m
kg m / C2
Permeabilidade
relativa
Susceptibilidade
magntica
Wb / amp m
sem unidade
maxwell/cm2 1 amp-volta/m = 4 x 10-3 maxwell/cm2

sem
unidade
sem unidade
sem
unidade
sem unidade
sem unidade
sem
unidade
4 x 10-7 henry/m = 1 emu
DIPOLOS E MOMENTOS MAGNTICOS
27
Uma espira de corrente pode ser representada por um DIPOLO MAGNTICO. Um dipolo magntico, por sua vez, pode ser descrito pelo vetor
MOMENTO MAGNTICO.
Exemplos:
A magnitude do momento magntico m de uma espira de rea A que transporta uma corrente
I m = I A.
A magnitude do momento magntico mi correspondente a um im composto por dois polos
magnticos de intensidade p e separados por uma distncia d mi = p d.
possvel mostrar que campos magnticos idnticos podem ser produzidos por uma espira de
corrente e por um im. Assim, um dipolo magntico
pode ser considerado como sendo um im.
momento magntico
O TORQUE num dipolo magntico de momento m sob a ao de um

campo magntico H = m ^ oH
Quando imerso em um campo magntico, um dipolo tende a se orientar na
direo do campo devido ao do torque .
O MAGNETISMO DOS MATERIAIS
28
O momento angular (orbital e de spin) dos eltrons, dos tomos que

formam a matria, d origem a dipolos magnticos microscpicos. Esses
dipolos magnticos permitem associar momentos magnticos aos tomos.
Assim, cada tomo pode ser pensado como se fosse um pequeno im.
A magnetizao de um material definida como o momento magntico
dos dipolos por unidade de volume (M=m/V, [Am2/m3=A/m]).
Dependendo da origem dos dipolos magnticos e da natureza da
interao entre eles, os materiais podem ser classificados em uma das
seguintes categorias:
DIAMAGNTICOS magnetismo fraco (em direo oposta) que existe apenas em presena de H
PARAMAGNTICOS momento magntico nos tomos, que apresentam orientao aleatria para
H = 0 e orientam-se fracamente (na direo de H) por rotao em presena de H. Permeabilidade
relativa menor que 2.
FERROMAGNTICOS momento magntico atmico alinha-se paralelamente dentro de domnios
mesmo quando H = 0 (permeabilidade relativa maior que 100)
ANTIFERROMAGNTICOS acoplamento de spins em direes exatamente opostas (MnO)
FERRIMAGNTICOS ocorre acoplamento de spins em direes opostas com cancelamento
incompleto (Ferritas compostos de Fe3O4)
O MAGNETISMO DOS MATERIAIS

DIAMAGNTICOS
PARAMAGNTICOS
FERROMAGNTICOS
29
(a) diamagntico, induo

de dipolos em direo
oposta a H
<0
B = H
m = r - 1
r = / 0
(b) paramagntico, dipolos

permanentes dos momentos
magnticos do spin
eletrnico
r > 1
= 10-5 10-2
(c)
(c) ferromagntico,
momento magntico na
ausncia de campo H.
Valores elevados de (106).
Consideraremos nesta aula apenas o caso dos materiais Ferromagnticos.

FERROMAGNETISMO
30
Certos materiais metlicos possuem um momento magntico permanente

mesmo na ausncia de um campo externo e manifestam magnetizaes
muito grandes que podem ser permanentes. Esses materiais so
denominados FERRO-MAGNTICOS e essas caractersticas representam o
FERROMAGNETISMO.
Fe, Co, Ni e algumas terras raras so materiais
ferromagnticos na forma elementar. Ferromagnetismo tambm observado em diversos compostos
(xidos, carbonetos, nitretos etc.).
Sendo:
M = m H
B = 0 H + 0 M
Para materiais ferromagnticos

m 106 H << M
B 0 M
Como a susceptibilidade dos materiais ferromagnticos muito elevada,

permitindo uma magnetizao grande e permanente com a aplicao de H.
FERROMAGNETISMO
31
Os momentos magnticos permanentes dos tomos resultam do momento

angular de spin. A magnitude do momento magntico associado ao spin
de um eltron conhecida como MAGNETON DE BOHR b.
b = 9,27x10-24 A / m2
Os momentos magnticos permanentes so devidos aos momentos de
spin no cancelados, ou seja, somente eltrons desemparelhados
contribuem para o momento magntico lquido permenente dos tomos.
So ferromagnticos na forma elementar alguns metais de transio
(orbital 3d no preenchido) e algumas terras raras (orbital 4f no
preenchido).
Nos materiais ferromagnticos, alinhamentos cooperativos de momentos
de spin ocorrem em volumes grandes (em relao ao volume atmico)
dando origem aos domnios magnticos.
DOMNIOS MAGNTICOS e PAREDES DE DOMNIO
32
Os materiais ferromagnticos so constitudos de regies

volumtricas microscpicas onde os momentos de dipolo
magntico se encontram alinhados, tendo a mesma
direo e sentido. Tais regies so chamadas de
DOMNIOS. Cada domnio est magnetizado at a sua
magnetizao de saturao.
Geralmente, o tamanho dos domnios est na escala
micromtrica e, para um material policristalino, cada gro
pode conter mais de um domnio.
Um domnio Outro domnio
Os domnios adjacentes esto separados por
Parede de domnio
CONTORNOS DE DOMNIO (ou PAREDES DE DOMNIO),
atravs dos quais a direo da magnetizao varia
gradualmente. A parede de domnio tem uma
densidade de energia (J/m2).
A magnitude do campo M para um slido como um
todo a soma vetorial das magnetizaes de todos
os domnios, onde a contribuio de cada domnio
ponderada de acordo com a sua frao volumtrica.
No caso de uma amostra no magnetizada, a soma
vetorial
apropriadamente
ponderada
das
Parede de domnio
magnetizaes de todos os domnios igual a zero.
CURVA DE MAGNETIZAO INICIAL
33
B e H no so linearmente proporcionais para os materiais ferromagnticos.
Curva obtida para B (ou M) em funo do

campo externo H, para uma amostra inicialmente desmagnetizada, medida que a
intensidade de H aumenta.
Uma vez que a permeabilidade, ,

a inclinao da curva B em funo
de H (isto , dB/dH), pode-se
observar que varia e
dependente do valor de H.
Ocasionalmente, a permeabilidade
inicial i (dB/dH para H = 0)
especificada como uma propriedade do material.
A magnetizao atinge um valor
mximo, chamado MAGNETIZAO
DE SATURAO (Ms).
MAGNETIZAO INICIAL e DOMNIOS MAGNTICOS
medida que um campo externo H de magnitude

crescente aplicado, os domnios mudam de
forma e de tamanho mediante o movimento das
paredes de domnio.
34
Inicialmente, os momentos dos domnios constituintes esto orientados

aleatoriamente de tal modo que no
existe qualquer induo magntica B
(ou M) lquido.
medida que um campo H crescente
aplicado, os domnios que esto favoravelmente orientados em relao
direo de H crescem s custas dos
domnios com orientaes desfavorveis.
Esse processo continua com o aumento de H, at que a amostra macroscpica se torne um nico domnio
(ou um mono-domnio), o qual se
encontra praticamente alinhado com
H.
A saturao atingida quando esse
domnio, por meio de rotao, fica
orientado na direo de H.
ESTRUTURA DOS DOMNIOS MAGNTICOS

Fotomicrografias de um monocristal de ferro, mostrando os domnios magnticos e suas alteraes de forma, medida que um
campo magntico H aplicado.
A direo da magnetizao de cada domnio est indicada por uma
seta.
Aqueles domnios que esto
orientados favoravelmente em relao a H crescem custa dos
domnios que esto orientados
desfavoravelmente.
35
HISTERESE
36
Se a partir da saturao inicial (ponto

S) o campo H passa a ser reduzido, a
curva de magnetizao no retorna seguindo seu trajeto original. Produz-se
um efeito de HISTERESE.
O efeito de histerese gerado pela
resistncia movimentao de paredes de domnio.
A REMANNCIA (Br) corresponde a
induo magntica B residual na amostra
aps a retirada do campo H (ou seja,
quando H = 0).
Induo magntica (B) em funo do campo

magntico externo (H) para um material
ferromagntico saturado ciclicamente em um
campo H positivo e negativo (pontos S e S).
O CICLO DE HISTERESE representado pela
linha slida; a linha tracejada indica a curva
de magnetizao inicial.
A COERCIVIDADE (Hc) corresponde ao

campo magntico H necessrio para
reduzir a induo magntica B no interior
da amostra a zero.
MATERIAIS MAGNETICAMENTE MOLES
Mole
Duro
37
A rea compreendida pela CURVA DE

HISTERESE corresponde a uma perda
de energia por unidade de volume, por
ciclo de magnetizao-desmagnetizao, liberada na forma de calor
perda por histerese.
Materiais MAGNETICAMENTE MOLES
perdem pouca energia e so usados
em ncleos de transformadores.
Materiais MAGNETICAMENTE MOLES

apresentam alta permeabilidade inicial
i e baixa coercividade Hc [menor que
1 kA.m-1 (12,5 Oe)].
B = H
m = r - 1
r = / 0
MATERIAIS MAGNETICAMENTE DUROS
38
IMS PERMANENTES.
Altas remanncia, coercividade [maior

que 10 kA.m-1 (125 Oe)] e induo de
saturao correspondem a altas perdas
de energia por histerese.
A energia necessria para desmagnetizar um im dada pelo produto de
energia
B-H medido no segundo
quadrante do ciclo de histerese. Bhmax a
maior rea dentro do quadrante, valores
maiores de Bhmax correspondem a
maiores energias de desmagnetizao.
Impedir a movimentao de paredes de
domnio, aumenta a coercividade Hc.
GRAVAO MAGNTICA DIGITAL

Uma das aplicaes modernas mais importantes
dos materiais magnticos no armazenamento de
informaes nos discos rgidos de computadores
onde a gravao magntica digital utilizada.
Caractersticas gerais dos discos rgidos
comercias
atuais
com
midia
magntica
perpendicular:
Capacidade de gravao: 320 GB.
Massa do dispositivo: um pouco superior a 100g.
Densidade de gravao areal : 250 Gb/pol2.
rea de um bit de informao: ~ 100nm x 20nm.
N de gros por bit de informao: ~ 50 a 100.
Dimetro mdio dos gros: 8 nm.
Densidades de gravao areal das midias
magnticas perpendiculares:
Demostraes de laboratrio: entre 420 Gb/pol2
e 600 Gb/pol2 .
Limite superior previsto para a tecnologia: 1000
Gb/pol2 (com gros de reas ligeiramente
superiores a 8 nm2).
Polo
de
Retorno
39
Polo
Principal
Midia
de
Gravao
Subcamada Mole
O limite inferior do volume dos gros

nessa tecnologia definido pelo limite
SUPERPARAMAGNTICO. Nesse limite, o a
energia associada ao momento magntico
dos gros se torna comparvel com a
energia trmica (a temperatura ambiente)
e o armazenamento de informao no
mais confivel.
Referncias:
Z.Z. Bandic,
Litvinov
M. Rooks,
MRS
Bulletin,
PMT 2100 Introduo
CinciaD.
dos
Materiaisepara
Engenharia
EPUSP
- 2008 Vol. 33, 9, Setembro 2008.
H.J. Richter e S.D. Harkness IV, MRS Bulletin, Vol. 31, 384, Maio 2006.
RESUMO
Propriedades eltricas:
A corrente eltrica o resultado da movimentao dentro do material de portadores
de carga: eltrons, buracos eletrnicos, ctions e nions. A condutividade eltrica ()
do material uma medida da facilidade de conduo de corrente eltrica e depende
do nmero, carga e mobilidade do(s) portador(es):
= n |carga|
Com relao condutividade eltrica os materiais podem ser classificados em:
condutor, semicondutor e isolante.
O modelo de bandas de energia eletrnica dos materiais consegue predizer a
condutividade observada nos materiais.
Semicondutores extrnsecos so obtidos pela dopagem (expressa em partes por
milho; ppm) formando semicondutores p ou n. Estes semicondutores apresentam
maior condutividade e maior estabilidade com a variao da temperatura.
RESUMO
Propriedades magnticas:
O momento angular (orbital e de spin) dos eltrons dos tomos d origem a dipolos
magnticos microscpicos. Aos dipolos magnticos podem ser associados
momentos magnticos.
A propriedade magntica do material resultante das interaes entre um campo
magntico H e os momentos dipolares magnticos dos seus tomos constituintes.
A magnetizao M de um material definida como o momento magntico dos dipolos
por unidade de volume.
Ferromagnetismo a propriedade dos materiais que permite magnetizaes grandes
e permanentes, observadas em alguns metais. Os spins magnticos atmicos esto
acoplados e alinhados com os momentos de tomos adjacentes.
Nos ferromagnticos a induo magntica B e a magnetizao M crescem com o
aumento do campo magntico H at a saturao.
O ciclo de histerese obtido pela medida da induo magntica B em funo do
campo magntico H aplicado at a saturao nos sentidos positivo e negativo
(reverso). A rea definida pela curva representa a energia de (des)magnetizao. A
rea compreendida no ciclo de histerese define os materiais magneticamente duros
ou moles.
Captulos do Callister, 7 ed (2008) tratados nesta aula

Captulo 18
sees 1 a 7, 9, 10 e 11
Captulo 20
sees 1, 2, 4, 7 a 10.
Outras referncias importantes

Callister 5ed - Captulo 19: sees 1 a 7, 9, 10 e 11.
Callister, 5 ed, Captulo 21: sees 1, 2, 4, 7 a 9.
J. F. Shackelford Cincia dos materiais, 6 ed., 2008, Captulos 15, 17 e
18
D. Jiles em Introduction to Magnetism and Magnetic Materials, 1
edio, Editora Chapman & Hall, reimpresso 1994.
B. D. Cullity em Introduction to Magnetic Materials, Editora AddisonWesley Publishing Company, Inc., 1972.
R. N. Faria e L. F. C. P Lima em Introduo ao Magnetismo dos
Materiais, Editora Livraria da Fsica, 2005.
42
43
No applet em http://lectureonline.cl.msu.edu/~mmp/kap18/RR447app.htm voc pode

deslocar no espao duas cargas eltricas, mudar a magnitude (intensidade e sinal) dessas
cargas e observar o efeito que essas alteraes causam nas linhas do campo eltrico por elas
produzido.
Em http://jas.eng.buffalo.edu (The Semiconductor Applet Service) voc encontrar
diversas simulaes do comportamento de materiais semicondutores.
No site http://britneyspears.ac/lasers.htm (Britney Spears guide to Semiconductor
Physics) alm de dar boas risadas, voc poder aprender muito sobre semicondutores. Leia
em particular o item: The basics of semiconductors.
O site http://www.educypedia.be/index.htm contm dezenas de animaes sobre os mais
variados tpicos cientficos (inclusive sobre as propriedades eltricas dos materiais).
INFORMAES COMPLEMENTARES
44
RESISTNCIA ELTRICA
O comportamento dos materiais, em resposta aplicao de um CAMPO
ELTRICO externo, define as PROPRIEDADES ELTRICAS dos materiais.
As propriedades eltricas dependem de diversas caractersticas dos
materiais, dentre as quais mencionamos a configurao eletrnica, o tipo
de ligao qumica e os tipos de estrutura e microestrutura.
A CORRENTE ELTRICA o movimento de portadores de carga que ocorre
dentro dos materiais, em resposta ao de um campo eltrico externo.
So portadores de carga: eltrons, buracos eletrnicos, ctions e nions.
45
RESISTNCIA ELTRICA
Em 1827 Georg Simon Ohm, baseado em
evidncias experimentais e utilizando o
conceito RESISTNCIA ELTRICA (R) de um
corpo, formulou uma lei que relaciona a
VOLTAGEM (U) aplicada sobre o corpo com a
CORRENTE ELTRICA (I) que o atravessa.
Resistor Varivel
Ampermetro
Bateria
U=RI
LEI DE OHM
Unidades SI: U Volts (V) = J / C

I Ampres (A) = C / s
R Ohms () = V / A
rea da seo
Transversal, A
Amostra
Voltmetro
Representao esquemtica de um arranjo experimental

que permite medir a resistncia eltrica de um corpo.
No applet http://www.mste.uiuc.edu/users/Murphy/Resistance/default.html h uma animao em que voc pode variar a

resistncia de um resistor e a voltagem sobre ele aplicada enquanto observa a corrente que flui pelo resistor.
Em http://www.cvs1.uklinux.net/calculators/ voc encontrar uma calculadora da lei de Ohm.
RESISTIVIDADE E CONDUTIVIDADE ELTRICA
46
Para um corpo cilndrico de comprimento L e seo transversal de rea A (veja a

figura da transparncia n 4), define-se a RESISTIVIDADE ELTRICA () do material
do qual o corpo constitudo por
= R (A / L)
Unidade SI: Ohms-metro ( .m) = V.m / A
Note que a resistncia uma PROPRIEDADE DO CORPO enquanto a resisitividade

uma PROPRIEDADE DO MATERIAL do qual o corpo constitudo.
A CONDUTIVIDADE ELTRICA () de um material uma medida da facilidade com
que ele capaz de conduzir uma corrente eltrica. Define-se a condutividade
eltrica como sendo o inverso da resistividade,
=1/
Unidade SI: (Ohms-metro)-1 ( .m) -1 = A / V.m
Cuidado com a notao! Observe que, de acordo com a notao do livro texto, estamos utilizando
a letra A para denotar tanto a rea da seo transversal do corpo cilndrico como a unidade de
corrente o mpere.
LEI DE OHM
47
Utilizando o conceito de CONDUTIVIDADE (), a LEI DE OHM

determina que a DENSIDADE DE CORRENTE (J) num dado
material diretamente proporcional ao CAMPO ELTRICO
(E) aplicado sobre o mesmo.
J=E
Unidades SI: E = U/ L Volts-metros-1 (V/m) = J / m.C
J = I/A Ampres -metros-2 (A/m 2) = C / m 2.s
Observao: O carter vetorial das diversas grandezas aqui consideradas ser
omitido em nosso tratamento matemtico, ou seja, trataremos apenas de casos de
materiais isotrpicos sujeitos a campos eltricos constantes.
Como exerccio para casa, mostre que as equaes U = R I (veja o slide n 4) e
J = E so equivalentes.

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ESCOLA POLITCNICA DA UNIVERSIDADE DE SO PAULO

Departamento de Engenharia Metalrgica e de Materiais

BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

Estados energticos individuais permitidos

BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

ESTRUTURAS DE BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS

CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS

CONDUTIVIDADE ELTRICA - SEMICONDUTORES E ISOLANTES

Quando o eltron salta da banda de valncia para a banda de

No caso de isolantes e semicondutores, um eltron torna-se livre quando salta da

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS so aqueles cujo comportamento eltrico

depende fortemente do tipo e da concentrao dos tomos de impurezas. A

(a) Antes da excitao eletrnica.

e = mobilidade dos eltrons livres;

A condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos aumenta medida que a

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n

Para semicondutores do tipo n, os eltrons livres so os principais portadores de

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n

Esquema da banda de energia

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p

Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo p.

Para semicondutores tipo p, os buracos eletrnicos so os principais portadores de

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p

Esquema da banda de energia

CAMPOS MAGNTICOS so produzidos por cargas eltricas em movimento. Assim,

uma corrente eltrica em um condutor gera um campo magntico. Campos

A intensidade do campo magntico H criado por um FIO RETILNEO

onde r a distncia radial em relao ao eixo definido pelo fio.

Quando uma corrente eltrica constante I flui em uma BOBINA

A INDUO MAGNTICA ou DENSIDADE DO FLUXO MAGNTICO B representa a intensidade do campo no interior de um

material sujeito a um campo magntico externo.

onde 0 a PERMEABILIDADE MAGNTICA DO VCUO e vale

sendo a PERMEABILIDADE MAGNTICA DO MATERIAL.

A expresso B = H representa um anlogo magntico da lei de Ohm da

A MAGNETIZAO M de um material indica como o material responde a um

Assim, M o campo magntico que leva em conta desvios no valor da

onde m a SUSCEPTIBILIDADE MAGNTICA do material.

1 Wb/m2 = 104 gauss

1 amp-volta/m = 4 x 10-3 oersted

maxwell/cm2 1 amp-volta/m = 4 x 10-3 maxwell/cm2

4 x 10-7 henry/m = 1 emu

DIPOLOS E MOMENTOS MAGNTICOS

O TORQUE num dipolo magntico de momento m sob a ao de um

O MAGNETISMO DOS MATERIAIS

O momento angular (orbital e de spin) dos eltrons, dos tomos que

O MAGNETISMO DOS MATERIAIS

(a) diamagntico, induo

(b) paramagntico, dipolos

Consideraremos nesta aula apenas o caso dos materiais Ferromagnticos.

Certos materiais metlicos possuem um momento magntico permanente

Para materiais ferromagnticos

Como a susceptibilidade dos materiais ferromagnticos muito elevada,

Os momentos magnticos permanentes dos tomos resultam do momento

DOMNIOS MAGNTICOS e PAREDES DE DOMNIO

Os materiais ferromagnticos so constitudos de regies

CURVA DE MAGNETIZAO INICIAL

B e H no so linearmente proporcionais para os materiais ferromagnticos.

Curva obtida para B (ou M) em funo do

Uma vez que a permeabilidade, ,

MAGNETIZAO INICIAL e DOMNIOS MAGNTICOS

medida que um campo externo H de magnitude

Inicialmente, os momentos dos domnios constituintes esto orientados