CURSO DE MTODOS

ELCTRICOS

Profesor: Dr. Marco Antonio Prez Flores,

Departamento de Geofsica Aplicada,
CICESE,
Ensenada, Baja California.

Actualiz: Jessica Jazmn Salas Ariza

Mtodos elctricos 2010
1

ndice
I.1
I.2

ECUACIONES BSICAS DEL ELECTROMAGNETISMO

Propiedades elctricas de las rocas

1
1

I.2.1

Permitividad elctrica de las rocas

I.2.2
I.3
I.4

Permeabilidad magntica
Diferencia entre resistencia y resistividad

4
5
6

I.4.1

Tipos de conduccin elctrica

I.4.2
I.4.3

Conduccin electrnica

6
8

Conduccin electroltica
Conduccin dielctrica
Medio homogneo y heterogneo
Isotropa y anisotropa

9
9

I.6.1

Isotropa

I.6.2
II
II.1
II.2
II.2.1
II.3

Anisotropa
TEORA BSICA
Condiciones de frontera
Resistividad aparente para varios arreglos
Factores geomtricos ms comunes
Potencial sobre la superficie de un semi-espacio

11
14
17
18
21
23

homogneo
Potencial de un punto fuente sobre un semiespacio

27

estratificado.
Representacin matricial para 2 y 3 capas
Equivalencia en el caso de tres capas
Solucin recursiva del sistema de ecuaciones

33
33
36

I.5
I.6

II.4
II.5
II.6
II.7

mtodo de Pakeris
II.8

II.9
II.10
II.11
II.12
III

Expresin de

para un medio de multicapas con

arreglos tetrapolares
Asntotas horizontales de la curva Schlumberger
Resistividad en 2 dimensiones
Punto de atribucin en el dipolo-dipolo
Sensibilidad mtodo dipolo-dipolo
MODELADO BIDIMENSIONAL PARA MEDIOS

40

42
44
47
48
49

HETEROGNEOS E ISOTRPICOS
III.1

Diferencias finitas

50

III.2

Elementos finitos

52
2

III.3

Ecuacin integral

53

III.4
I.V

Resumen
CONSIDERACIONES TERICAS DE COSAS PRCTICAS

57
59

I.V.1

Efecto topogrfico

59

I.V.2

Longitud del cable en el receptor como filtro

60

I.V.3

Caractersticas de la fuente

60

I.V.4
V

Caractersticas del receptor

POLARIZACIN INDUCIDA

63
65

V.1

Polarizacin de membrana

66

V.2

Polarizacin electrdica

66

V.3
VI

Aproximacin de Siegel
MTODO ELCTRICO DE POTENCIAL ESPONTANEO

68
69

VI.1

(SP)

VI.2

Introduccin

69

VI.3

Principios Tericos

70

VI.4

Objetivo del mtodo

74

VI.5

Equipo

74

VI.6

Control de Datos en Campo

76

VI.7

Procesado e interpretacin de los datos

76

Semi-Interpretacin cualitativa

79

Bibliografa:

81

I.1-. ECUACIONES BSICAS DEL ELECTROMAGNETISMO

Las ecuaciones bsicas son las ecuaciones de Maxwell
X E=

H
Ley de Faraday
t

X H = E+

E
Ley de Ampere
t
J = E ; D= E ; B= H Ecuaciones Constitutivas

Maxwell fue quien logro expresar en forma diferencial los resultados de

Faraday y de Ampere. Estas ecuaciones muestran las relaciones que
existen entre un campo Magntico y Elctrico, a travs de las
propiedades elctricas del medio.

I.2-.Propiedades elctricas de las rocas

De acuerdo a las ecuaciones de Maxwell las tres propiedades elctricas
que distinguen a un medio o bien a las rocas son:
0=Permeabilidad Magn tica

=Permitividad elctrica

4 x 107 h enry
m

( faradios
m )

=Conductividad elctrica(

(Vacio)

8.854 187 817 x 10-12 (Vacio)

siemens
)
m

En mtodos elctricos

solo se trabaja

con el campo elctrico,

especficamente con corrientes elctricas en el subsuelo, por lo que no

se miden campos magnticos, estos son medidos en los mtodos
electromagnticos.
1

Como en mtodos elctricos se trabaja con corriente continua, es decir

de frecuencia cero, solo se puede generar un campo magntico de
frecuencia cero.

Sin embargo este campo magntico es difcil de medir y de poco inters,

al no ser de inters para corriente directa (DC), no se trabaja con las
ecuaciones de Maxwell, nicamente con la Ley de Ohm.
J = E

Por lo tanto la propiedad elctrica de inters es la conductividad

elctrica, la cual se usa normalmente para el tratamiento matemtico,
pero en la prctica resulta ms til trabajar con el inverso de la
conductividad, es decir la resistividad, la cual se expresa:
1
= ( ohms .m )

De las propiedades fsicas que distinguen a los materiales, densidad,

magnetizacin, velocidad de propagacin de las ondas ssmicas, la
resistividad es la que exhibe un mayor rango de variacin. La
resistividad de los metales est alrededor de

=108 ohmm . La

resistividad de un aislante elctrico anda alrededor de

107 ohms .m , los

materiales

se

que

quedan

entre

estos

dos

rangos

les

llama

semiconductores. De esta manera vemos que la matriz de las rocas

tiene una resistividad por arriba de 10,000
secos por arriba de 3,000

ohms . m

y los sedimentos

ohms . m . Esto significa que para rocas y

sedimentos esperamos resistividades superiores a 3000

ohms . m , el

contenido de agua disminuye la resistividad de las rocas o de los

2

sedimentos y obviamente depender de la resistividad del agua o fluido.

(Ley de Archie).
Por ejemplo arenas con agua potable tienen una resistividad alrededor
de 80
0.5

ohms . m , sin embargo si le agregamos agua salada bajara hasta

ohms . m .

Anexar tabla de valores tpicos de resistividad elctrica.

I.2.1-.Permitividad elctrica de las rocas

La permitividad elctrica tambin se le conoce como polarizacin
elctrica, la polarizacin se puede dar ya sea electrnica, inica, o
molecular.
Los primeros se dan en los no conductores y la inica en los minerales
formadores de roca, mientras que el agua y los hidrocarburos poseen
polarizacin molecular.
Bajo la influencia de un campo elctrico, la estructura se deforma, o sea
se polariza, esta deformacin no necesariamente es en la direccin del
campo.

En la presencia de un campo alterno la estructura molecular cambia de

direccin

en

su

deformacin

en

cada

ciclo.

Algunos

materiales
3

responden rpidamente al cambio de polarizacin del campo elctrico,

pero otros responden ms lentamente. Por lo tanto sucede que la
mayora de los materiales responden diferente de acuerdo a la
frecuencia del campo E.
=8.854 x 1012

farads
en el vacio
m

Como se sabe la luz es una onda electromagntica. La velocidad de la

luz es una constante y se mide como la onda electromagntica al
propagarse en un medio no tan resistivo, su velocidad disminuye. De
hecho la velocidad de propagacin de la luz en un medio como un cristal
V EM =

o una lente es:

C=V EM en el vacio

r r Indice de refraccin

De la ecuacin de Ampere

X H = E+

E
t

podemos decir que para las

frecuencias usadas en geofsica (0.001 a 10000 Hz) y los tipos de

materiales terrestres, el trmino

E
t

de forma que podemos

despreciarlo. Sin embargo para los que trabajan con antenas, donde la
onda electromagntica se propaga por el aire

es casi cero.

En geofsica el radar electromagntico utiliza frecuencias del orden de

MHz con las de FM. A ese nivel el trmino

E
t

empieza a ser

importante.
El agua es el elemento de mayor

a frecuencias relativamente bajas.

Por eso es que la onda de radar EM es muy sensible al contenido de

agua en el suelo. La mayora de los mtodos EM pueden ver debajo de
una zona saturada de agua, mientras que la onda de radar se amortigua
casi totalmente al llegar a una cama saturada de agua y no ve ms
abajo.
Anexar una tabla de valores tpicos de la permitividad.

I.2.2-.Permeabilidad magntica
El valor de es importante y no se puede despreciar de las ecuaciones
de Maxwell, el problema es que en la mayora de los materiales
terrestres no vara mucho. La magnetita tiene un valor alto, pero al
quedar diseminada en una roca, disminuye mucho su valor efectivo. Por
eso para prospeccin con frecuencia variable es cercana a la del aire.
Anexar una tabla de valores tpicos de permeabilidad magnetica

I.3-.Diferencia entre resistencia y resistividad

La resistencia es un parmetro que mide la oposicin de un material a
que circule una corriente dentro de l. La resistencia no es un parmetro
intrnseco del medio, pues este depende de la longitud de la muestra y
su rea.

R=

L
A

O sea que la resistencia de una muestra cilndrica aumenta solo con

aumentar su longitud aunque no cambie , por eso es que para calcular

se debe desnormalizar para recuperar la propiedad que no dependa

de la longitud L A.
=

RA
L

Se le llama resistividad al grado de dificultad que encuentran los

electrones en sus desplazamientos. Se designa por la letra griega rho
minscula () y se mide en ohm-m, su valor describe el comportamiento
de un material frente al paso de corriente elctrica, por lo que da una
idea de lo buen o mal conductor que es. Un valor alto de resistividad
indica que el material es mal conductor mientras que uno bajo indicar
que es un buen conductor.
Calcular la resistividad de un electrodo del taller de geofsica.

I.4-. Tipos de conduccin elctrica

La electricidad se define como el movimiento de electrones a lo largo de
un material, existen tres tipos de conduccin elctrica:

 Electrnica
Electroltica
Dielctrica

I.4.1-. Conduccin electrnica

Se da en los metales y materiales slidos, se trata del movimiento de
electrones libres en las ltimas capas electrnicas que se desplazan en
presencia de un campo elctrico. Obviamente los materiales metlicos
favorecen mucho la conduccin, pero los materiales rocosos (sedimentos
secos) no lo hacen tanto.
Por lo tanto las resistividades de rocas secas o sedimentos secos sin
arcilla, resultan ser muy altas.

I.4.2-.Conduccin electroltica
Tambin es conocido como conduccin inica, pues aqu no se mueven
electrones, sino iones a lo largo de la parte fluida de una roca. Como
sabemos la mayora de las rocas son porosas en mayor o menor grado y
tales poros son ocupados con frecuencia por agua de algn tipo.
En tales tipos de materiales se realiza conduccin electrnica a lo largo
de los granos de la roca y conduccin inica a lo largo de los poros de la
misma. En rocas con poco contenido de metales, la conduccin inica es
muchas veces superior a la conductividad electrnica. Esto significa que
si tomamos sedimentos secos o una roca seca y medimos su
resistividad, pues ser la debida a la conduccin electrnica y si le
agregamos

agua

tendremos

conduccin

inica,

por

lo

tanto

la

resistividad de la roca o sedimento variara.

Se han hecho numerosos intentos para poder predecir la resistividad de

una roca con un porcentaje determinado de porosidad. Estas ecuaciones
por desgracia aun son muy empricas y su aplicacin muchas veces es
demasiado local. La ecuacin ms comn de este tipo es la ecuacin de
Archie (1942):
e =a

m n

s w

e =Resistividad efectiva
=Fraccinde porosidad ( 0 a 1 )
s=Fraccion de poros conteniendo agua

w =Resistividad del agua en el poro

a=parmetro entre 0.5 y 2.5
m= parmetro entre 1.3 y 2.5

n=parmetro 2

Aunque se determine con exactitud

, s , w

, la estimacin de

ser

muy vaga, pues a, m, n, dependen de la permeabilidad de la roca y de la

geometra de los poros, por lo que son valores totalmente empricos que
a veces solo pueden servir para hacer una estimacin aproximada.
Buscar la definicin de petrofsica.
I.4.3-.Conduccin dielctrica
Este sistema de conduccin se da en materiales no metlicos o no
conductores, se trata de corrientes de desplazamiento, esto significa que
hay ciertos materiales que al estar bajo la influencia de campos
elctricos variables, se comportan como capacitores, es decir se induce
una corriente a travs de ellos.

Sucede solo cuando el material rocoso esta bajo la influencia de un

campo variable que no es el caso de CD. Los materiales que hacen esto
se comportan como capacitores, as tardan un cierto tiempo en cargarse
y descargarse, aunque interrumpamos la corriente estos permanecen
cargados un cierto tiempo, es decir permanecern polarizados. Este
fenmeno se trata de medir por el mtodo de polarizacin inducida.
Pues no todos los materiales se descargan a la misma velocidad. Por lo
regular los sulfuros (pirita, galena, etc.) son materiales altamente
polarizables.

I.5-.Medio homogneo y heterogneo

HOMOGNEO

1D

2D

3D

I.6 .Isotropa y anisotropa

I.6.1-. Isotropa
Isotropa es cuando la propiedad es la misma no importando la direccin
de los campos, por ejemplo el caso de la ley de Ohm.
J
( x , J y , J z )= ( Ex , E y , E z )
J = E

10

Si suponemos que

es un escalar, entonces decimos que el medio es

isotrpico, por lo que no importa en qu sentido vaya el campo, la

propiedad es la misma y J siempre estar en la misma direccin que E.

J x = Ex
J y = E y
J z = E z

J = E

Si invertimos el sentido de E, y la corriente medida es la misma, indica

que es indistinta la direccin en qu se mueva la corriente. Esto es de
gran importancia en la geofsica, pues se dice que obedece el principio
de reciprocidad.
La tierra responde igual, no importa el sentido en que vengan las lneas
de corriente

es la misma. La imagen presenta un dipolo de fuente

que inyecta corriente, esta va de polo positivo al negativo.

11

J = (E)

Vista perfil lneas equipotenciales en un

medio isotrpico

Vista planta lneas equipotenciales

I.6.2-. Anisotropa
En un medio anisotrpico

ya no es un escalar, sino un tensor.

| ||

||

J x xx xy xz E x
J y = yx yy yx E y
J z zx zy zz E z

Lo cual quiere decir que la anisotropa va a estar en la propiedad del

medio.
J x = xx E x + xy E y + xz E z
J y = yx E x + yy E y + yx E z
J z = zx E x + zy E y + zz E z

12

Quiere decir que Ex gracias a

Ex

la misma
Jy

y en

Jz

xx

en las direcciones

producir una corriente en

yx

zx

Jx

, pero

producir una corriente en

respectivamente, la tierra tendra un comportamiento tal

que aunque solo se tenga E en una direccin, se obtendr J en todas las

direcciones. Por lo tanto si tenemos un campo E que tiene tres
componentes

(E x , E y , Ez )

entonces necesitaremos toda la expresin

tensorial de la ley de Ohm.

Sin embargo en la expresin anterior si suponemos que
adems que
en

Ey

Ex y Ey

xy = yx

son iguales, quiere decir que al incidir un campo

en el material gracias a

xy

obtendremos un

incidimos un

Ex

de la misma magnitud que

obtenemos un

Jy

que en magnitud es igual a

Ey
Jx

Jx

y cuando

, gracias a

yx

Si

Ex y Ey

xy = yx

entonces

J y =J x

No importa como fluyan las

corrientes la propiedad es la
misma.
Esto quiere decir que el medio favorece u opone menos resistencia
cuando la corriente se mueve ms en un sentido u otro. Si se tratara de

13

conduccin electrnica, pareciera que los electrones responden ms

dependiendo de la direccin y sentido de la fuerza (campo).
Por lo regular los materiales terrestres son tales que el vector

es

simtrico donde el triangulo superior e inferior del tensor son iguales.

Hay diferentes grados de anisotropa en la tierra, el ms complicado es
cuando utilizamos todos los elementos de

en un tensor simtrico.

J y = yx E x J x = xy E y
yx=
xy= yx

Jy
J
y xy = x
Ex
Ey

Por lo tanto la matriz es simtrica, tambin cumple el

principio de reciprocidad.
El caso que sigue es aquel donde suponemos que

Ex

no produce

Jy

. Es decir, el tensor se reduce a una matriz diagonal.

xx 0
0
0 yy 0
0
0 zz

El tratamiento de una ecuacin con tensores hace ms complicada su

matemtica. Quiz la tierra sea tan complicada como para utilizar todo
un tensor simtrico, pero por mltiples pruebas de laboratorio con
diferentes materiales, se ha observado que es una buena aproximacin
trabajar, en el peor de los casos con:

14

m o o
o m o m Horizontal v Vertical
o o v

Es decir que en algunos materiales la estratificacin hace que en la

propagacin de una corriente en la horizontal sea diferente a la vertical,
pero entre los dos ejes horizontales tal corriente sea la misma, como
ejemplo estn las lutitas.
m v

En planta las lneas equipotenciales se comportan circulares, sin

embargo en un medio estratificado se muestra de forma elipsoidal en
direccin Z.

II-.TEORA BSICA

15

1. Como se menciono anteriormente, la ecuacin bsica que controla

el fenmeno de corriente directa es la Ley de Ohm.
J = E

Donde s suponemos que el material es isotrpico entonces

es un

E yJ

a travs

escalar. Esta ecuacin supone linealidad entre el campo

de

, esto quiere decir que si E aumenta tambin lo har

de

manera lineal, asi como la pendiente de una lnea.

Pero lo que sucede en realidad en materiales superconductores no existe

una relacin lineal entre

E yJ .

Para campos elctricos muy grandes existe una saturacin, sin embargo
para los materiales terrestres los campos elctricos no son tan altos.
Esta ecuacin es una buena aproximacin.
2. En el caso de los mtodos elctricos de frecuencia cero, debido a que
tratamos con un campo conservativo, E se puede expresar entonces
a travs del gradiente de un potencial.

V ^ V ^ V ^
i+
j+
k
E= V =
x y
z

]
16

El gradiente del potencial (V) cuyas unidades son volts y las de E son
volt/m se puede expresar como:
J = E= V

Por el principio de la conservacin de la carga, esto es que si rodeamos

un material que est bajo la influencia de un campo elctrico, las
corrientes que entran y salen de la superficie suman 0, a esto se le llama
que no hay fuentes ni sumideros de corriente.
Esto se ilustra en la siguiente imagen y est dada por la integral cerrada
de J n^ :

J
E

J n^ =0

Las corrientes que entran son las mismas de las que salen, si hacemos
una seccin de esa esfera queda:
n

Donde

n^

es el vector normal a la

superficie
y J es el vector de corriente

J
n

J =ai+bj

Entonces
n^ 1=i+ j
n^ 2=i j
17

1= a+ b
J n^
2=ab
J n^
J n^ 1 + J . n^ 2=0

Y as cada punto a lo largo de la superficie tendr una contraparte que

lo anule. De la ecuacin anterior por el teorema de Gauss.

J n^ ds= J dv
Si esto es cierto por lo tanto,

J =0

principio de no

fuentes ni sumideros.
3. Ecuacion diferencial para un medio homogneo hasta tridimensional.
Aplicando el teorema de Gauss en trminos del potencial elctrico, nos
queda:
. ( V ) =0
Si

suponemos

un

medio

isotrpico,

pero

heterogneo

en

la

conductividad.
2

V + V =0
Si suponemos que la conductividad es homognea.
0
2
2
2
V =0 para un medio h omogeneo V = = V =0 ecuaci n de Laplace

Resumiendo:

18

Para un medio tri-dimensional, la ecuacin diferencial es:

V + 2 V =0
(x , y , z) V (x , y , z )+ (x , y , z ) 2 V ( x , y , z )=0
Para un medio bi-dimensional, la ecuacin diferencial es:
(x , z ) V ( x , y , z)+ (x , z ) 2 V ( x , y , z )=0
Para un medio homogneo, nos queda la ecuacin de Laplace.
2 V =0

Para un medio uni-dimensional, se aplica la ecuacin de Laplace para

cada capa. Existe una solucin general de la ecuacin de Laplace para
cada capa y luego se pegan las soluciones por medio de las condiciones
en las fronteras.

constante

19

II.1-.Condiciones de frontera
Antes de poder resolver problemas ms complicados debemos saber cmo se comportan E
y J al pasar una interface entre dos medios de diferente conductividad.
Por la ley de Gauss

J . n^ ds= . J dv=0
J

Jt1 n1
1

Jn1
J

dz

Jt2

2
n2

Jn2

Figura 17. Comportamiento de J en la frontera

En puntos muy cercanos a la interface o frontera se debe cumplir que

J . n^ ds=0

condicin de no-fuentes o no-sumideros.

De acuerdo con la figura y haciendo que dz=0

j . n1 j. n 2=0

En interface las corrientes normales deben ser iguales, solo en

la frontera
Jn1=Jn2
Significa que las corrientes normales son continuas en la interface.
Aplicable a interfaces no-planas.
En funcin del campo:
1 E n1= 2 E n2

E n 1=

2
E
1 n2

La ecuacin nos dice que es discontinuo en las fronteras y que los campos elctricos
normales son continuos.

20

Buscar Discontinuidad, funcin derivable, tangente de una curva.

El comportamiento de En no es derivable en la discontinuidad ya que la tangente en ese
punto es indeterminado. Y Jn es derivable en cualquier punto, adems es igual en la
frontera

|En| |Jn|
1
Frontera

Figura 18. Comportamiento discontinuo de E normal y continuo de J normal

El comportamiento de E y J normal es aplicable para cualquier frecuencia, como DC, MT,

Radar, etc.
Ahora falta ver el comportamiento de E tangencial en las fronteras, por lo cual se considera
las siguientes condiciones:
Tarea: Demostrar la siguiente ecuacin:
E= ( V )=0

Para campos esttico o conservativo

E dS= E d l

Et1 n1
1

En
1

J
En

Teorema de Stokes

dz

Et2

2
n2

21

Figura 19. Comportamiento de Et (campo tangencial) en la frontera

En puntos muy cercanos en la frontera se debe cumplir que el rotacional de E es cero y el
teorema de Stokes. Realizando la integral de lnea de E tangencial en las direcciones
opuestas se cumple que:
Et 1 dl E t 2 dl=0

Lo anterior equivale a decir que en las fronteras Et1= Et2

Y las J tangenciales:

J t 1 Jt 2
=
1 2 , por lo cual

J t 1=

1
J
2 t2

Son discontinuas en la interface.

En resumen:

|En|
z

|Jn|
1
2

|Jt|

|Et|
Fronter
a

Figura 20. Comportamiento del campo normal y tangencial en una frontera

Tarea. Existe campo elctrico tangencial y normal en la interface aire-tierra?

II.2-. Resistividad aparente para varios arreglos

Es usual en geofsica nombrar los electrodos de corriente como A y B y
los de potencial como M y N. La siguiente figura muestra un arreglo
tetrapolar colineal:
22

La frmula para el potencial nos quedara:

V=

((

I
2

1
1
1
1

R AM
R BM
R AN R BN

)(

))

G Factor geometrico

V=

Si nombramos el factor geomtrico G tenemos:

Finalmente despejando obtenemos la resistividad:

=2

I
G
2
V 1
G
I

Donde

2 viene de la superficie de una semiesfera

V es la diferencia de potencial que medimos

es la corriente que inyectamos

1

resistividad verdadera del medio homogeneo

a cuando no es homogeneo

es el factor geomtrico que depende del arreglo

23

Existen muchos tipos de arreglos en exploracin geoelctrica colineales,

no colineales, simtricos y no simtricos, pero los ms usados son los
colineales simtricos. Tambin existen arreglos dipolares, tripolares,
tetrapolares.

Colineales

No colineales

24

II.2.1-.Factores geomtricos ms comunes

1-. Dispositivo Wenner
G=

( 1a 2a1 21a + 1a )=( 2a 1a )= 1a

G1=a
a=2

V
a
I

2-. Dispositivo Dipolo-Dipolo

G=

[(

[(

1
1
1
1

+
a+na na
2 a+ na a+ na

)(

naana
a+na2 ana

( a+ na ) ( na )
( 2 a+na ) ( a+na )

)(

)]

)]
25

a
a
+
( a+na ) ( na) ( 2a+ na ) (a+ na)

a ( 2 a+na )( a+ na ) +a ( a+ na ) (na)
( a+ na )( na )( 2 a+ na ) (a+na)
G=

2 ana+na
n ( a+na ) (2 a+na)

G=

2a
n ( a+na ) (2 a+na)

3-. Dispositivo Schlumberger

2
L

a
2

L+

AB/2=L

1
a
L
2

a
2

] [(
=

a
a
( L+ )
2
2

2a
2
a
2
L
4

1 2 a2
G = (L )
2a
4

=a
MN

G=

a
a
2 L+ L+
2
2

1
a
L+
2

1
a
L+
2

1
a
L
2

a=2

V 1 V 2 a 2
G =
(L ) Exacta
I
a I
4

Es costumbre en el arreglo Schlumberger hacer que a sea mucho

menor que L. esto es:
a=

V 2 a2
(L )
a I
4

a=lim

a 0

a=

2 a2 V
(L )
I
4 a

2 dV 2
L
= L Ex
I
da I

26

V
a , tiende

O sea que en el Schlumberger al hacer ms pequea a;

E x=

dV
dx , es aproximadamente el campo elctrico. Esto para el caso

limite; pero para el caso prctico, seguimos considerando a.

Esta aproximacin es vlida para cuando

L 5 a

(de la experiencia en

campo y de pendiendo de la litologa de la zona la relacin es

aproximadamente

L 10 a ), si en campo no se cumple con esto,

entonces se debe usar la expresin sin aproximacin del Schlumberger.

Tomando el ejemplo del arreglo Schlumberger podemos mover los

electrodos AB, tal que

AB
5 MN
2

o sea que se puede dejar fijo MN y

solo mover simtricamente AB, esto nos generar una curva del
siguiente tipo.

La respuesta de la tierra al fenmeno de resistividad est muy

relacionada con logaritmos.
El mtodo de resistividad es muy sensible al cambio de

cerca de la

superficie, por lo tanto esos cambios sern bien definidos para AB/2
27

pequeos, pero en la medida que abrimos AB/2, el mtodo ser sensible

, esto quiere decir que el mtodo tiene

solo a cambios grandes de

una sensibilidad logartmica a los cambios de

con la profundidad.

Por eso es que se acostumbra graficar las curvas en escala logartmica

tanto en AB/2 como en

Despus se demostrara que para AB/2 pequeos

capa y para AB/2 grandes

a=

a=

en la primera

en la ltima capa.

Tarea: Expresar el Laplaciano del potencial en coordenada cartesianas y

esfricas.

II.3-. Potencial sobre la superficie de un semi-espacio

homogneo
Si estamos sobre un espacio semi-homogneo de conductividad

entonces la ecuacin diferencial que gobierna el fenmeno de DC, es la

ecuacin de Laplace.
2 V =0
Considerando una fuente puntual sobre una superficie plana, entonces
existir simetra esfrica en todo el semiespacio.

28

Para

el

caso

superficies

homogneo

equipotenciales

las
son

semi-esferas.

Por lo tanto podemos expresar el Laplaciano en coordenadas esfricas:

2 V =

2 V V
1 V 1 V
1
V
+
+
+ 2
+ 2

2
2
2
R R R Rsen R R sen 2

Pero debido a que el potencial V solo vara con respecto al radio R y no respecto a
la latitud o longitud, nos queda:
2 V 2 V
1 V 1 2 V
1
2 V
V=
+
+
+
+
R R R 2 Rsen R2 2 R2 sen 2 2
2

Nos queda solo estos dos trminos:

d 2 V 2 dV
V=
+
=0 Ec . lineal de 2 do grado
2
d R R dR
2

La solucin a esta ecuacin diferencial es del tipo

R= r 2 + z 2

V=

C
R

donde

que es la distancia a la fuente y C es una constante, como

se puede observar el potencial disminuye con la distancia. Como

sabemos

termino

E= V

E=

pero en coordenadas esfricas solo nos queda el

V
R

29

Evaluando el campo a una distancia R=a y sobre Z=0 entonces

E=

V
R

R=a

C C
=
R R a2

( )

Ahora la densidad de corriente es:

J =E=

C
a2

Pero adems sabemos que la corriente total que sale de una

equipotencial es:
I = J . n^ ds=|J| ds=|J | ds
I =2 a2 J
Entonces sustituyendo nos queda
J=

I
C
I
= 2 , C=
2
2
2 a
a

Por lo tanto
V ( r , z )=

I
I
=
con la fuente en la superficie
2 R 2 R

Esta es la ecuacin para un arreglo Polo-Polo.

V ( r , z )=

I
con la fuente dentro de latierra , o en el fondo de unlago .
4 R

Si en lugar de una fuente tenemos dos, pero como una de ellas es de

signo contrario, la ecuacin de Laplace dice que el potencial dentro del
semiespacio es igual a la suma de los potenciales individuales.

30

V ( P )=V

V ( P )=

I 1
1

2 R1 R 2

Esta es la ecuacin para un arreglo Dipolo-Polo.

Si medimos el potencial pero en otro punto P
V ( Po ) =

I 1
1

2 R3 R 4

En geofsica es usual medir la diferencia de potencial entre dos puntos,

as la diferencia entre (P, Po) es:
V ( P , Po )=

I
2

{[

][

1
1
1
1

R1 R2
R3 R 4

]}

Esta es la diferencia de potencial entre dos puntos receptores y dos

puntos fuente. A esto se le llama arreglo tetrapolar. Recodar que esto es
para una interface aire-tierra plana y para un medio homogneo e
isotrpico.

Para un arreglo equiespaciado

Para un arreglo equiespaciado
figura:

como el que se indica en la siguiente

31

Donde:
A y B son electrodos de corriente
M y N electrodos de potencial
a separacin entre electrodos
V=

I
2

[(

V=

I
2

a
2 aa
I a2 a2a+ a
(
=
([ a2
)
)
]
2a
2a ] 2 [
2a

V=

I 2 a
I 1
I
=
=
G
2
2 2a
2 a
2

1 1
1 1

2a a
a 2a

)(

)]

[ ] [ ]

V
IG

=2

Si el medio es homogneo y la superficie plana entonces la resistividad

es verdadera, pero en la realidad es aparente.
a=2

Donde

V 1
G
I
G1

es el facto geomtrico y en este caso es negativo.

32

II.4 Potencial de un punto fuente sobre un semiespacio

estratificado.
Las lneas de igual potencial sobre un semiespacio estratificado tienen
simetra radial en el plano xy, en la coordenada z varan las lneas
equipotenciales en forma, por lo tanto el problema tiene simetra
cilndrica. La ecuacin de Laplace se puede resolver en coordenadas
cilndricas.
NOTA: Recordando series de tiempo

F (u , v , z )=

1
f ( x , y , z) ei (ux+ vy) dx dy
2
2

Transformada doble de Fourier

F ( , z )= rf ( r , z ) J 0 ( r ) dr

Transformada de Hankel

La trasformada doble de Fourier en coordenadas cilndricas se convierte

en una transformada de Hankel

1
f ( x , y , z)e(ux+vy ) dx dy= rf ( r , z ) J 0 ( r)dr
2
2
0
Donde

r= x 2 + y 2 ,

es el nmero de onda espacial y radial

La transformada de Hankel es igual a una transformada doble de Fourier

en el espacio, donde el numero de onda u, v son iguales, por eso se les
sustituye por

= u 2+ v 2

Aplicando Hankel a la ecuacin de Laplace nos queda:

2

[ V ( r , z) ] J 0 ( r ) dr V (2 , z ) 2 V ( , z )=0
z
2

33

Con la transformacin logramos obtener una ecuacin ms simple y con

solucin exponencial. Aplicando la transformada de Hankel, llegamos a
la ecuacin de un punto sobre un semiespacio estratificado.
z

V ( , z )=C1 e

+C 2 e

Como nos interesa

V ( r , z ) y no V ( , z )

aplicamos una transformada

V ( r , z )= V ( , z ) Jo(r ) d

inversa de Hankel a la solucin.

(e

A1
+B 1 e z) Jo ( r ) d

V ( r , z )=
0

Donde:
A 1 ( )=C 1 , B1 ( )= C 2

34

De la figura anterior q es una fuente puntual (delta de dirac).

q=I ( xx 0 ) ( y y 0 ) (z )
La solucin general para la ecuacin de Hankel en coordenadas
cilndricas queda

V ( r , z )= [ A ( ) e z +B ( ) e z ] J 0 ( r ) d
0

Donde

A ( )

es una constante por determinar y es el efecto de las

corrientes que se alejan de la fuente.

B()

es otra constante, nos da el

efecto de cuando las corrientes se reflejan en la interface, por eso es

positivo.
Para el trmino de fuente como solo est en superficie, por el teorema
de de Leipschit

35

En la siguiente figura se muestra el potencial en 4 capas considerando

en su solucin las corrientes que suben y bajan.

1
= e z J 0 ( r ) d
r 0
Para

la

primera

capa
segunda
tercera
cuarta

V 1=

1 I 1 I
+
( A1 ez + B1 e z )Jo ( r ) d

2 r 2

V 2=

1 I
( A 2 ez + B2 e z ) Jo ( r ) d

V 3=

1 I
( A 3 ez + B3 e z ) Jo ( r ) d

V 4=

1 I
A 4 ez Jo ( r ) d

Para hallar el valor de V en cada capa debemos determinar el valor de A

1,2,3,

etc

y B

1,2,3,etc.

Estos coeficientes se determinan a partir de las

condiciones de frontera para un campo elctrico de tal manera que nos

queda un sistema de igual nmero de ecuaciones e igual nmero de
incgnitas.
En una interface cualquiera
Condicin 1 En1=0 en z=0
Condicin 2
Condicin 3

E t 1=E t 2
J n 1=J n 2

en todas las interfaces

en todas las interfaces

Caso de dos capas

Condicin 1

36

Aplicando la condicin
porque

J n 0=J n 1= 0 E n 0,= 1 E n1 .

entonces se hace que

lo tanto

J n 0=0

En 1=0.

J n 0=0

esto se logra fcilmente del lado del aire

Del lado de la capa de aire
. Del lado de la capa de tierra

No hay lneas de corriente

0 =0

1 0

, por

perpendicilares en la

interface aire-tierra.
E z=

V
=0 en z =0
z

e z + A 1e z +B 1
e z + A 1e z +B 1
( e z ) J 0 ( r ) d

( e z) J 0 ( r ) d=
z
V

=0=
z
z
ez + A 1 ez + B 1
e zA 1e z + B 1 e z

J
(
r
)
d=
(A 1+ B1 ) J 0 ( r ) d
z=0 0

[ ( e z )]J 0 ( r ) d= )
0
z

37

Se ocupa que

V
=0
z

y esto solo se logra si

A 1=B1

para Jn=0

(Jzo=0), por lo que nos queda la integral

J 0 ( r ) d=0
0

En la superficie Aire-Tierra

A 1=B1 (1)

Condicin 2
Para las otras interfaces

J n 1=J n 2 1 E z 1= 2 E z 2

Aplicando la condicin ahora para z=h

1

V 1
V 2
= 2

z
z z =h

e z + A 1 ez + B1

( e ) J 0 ( r ) d= 2 A 2 ez J 0 ( r ) d
z 0

1
z
z

Quitando las integrales se supone que la ecuacin se cumple con:

1 e z 1 A1 ez + 1 B 1 e z z=h = 2 A 2 ez z=h
1 e h 1 A1 e h+ 1 B1 e h= 2 A 2 e h

(2)

Condicin 3
Tambin sabemos que Et es continuo en la interface, entonces V1 y V2
tambin

38

E 2 dl= E x dx
E1 dl= V 2=
V 1 =
Los integrandos deben ser iguales
V 1=V 2 solo en la interface z=h
ez + A1 ez + B1

z =h

( e ) J 0 ( r ) d

= A 2 ez J 0 ( r ) d z =h
0

e h+ A 1 eh + B1 e h= A 2 eh . ( 3 )
De esta manera las tres ecuaciones nos quedan:
A 1=B1
1 e

(1)

1 A1 e

+ 1 B1 e = 2 A2 e

(2)
(3)

e h+ A 1 eh + B1 e h= A 2 eh

La solucin de las tres ecuaciones se resuelve por sustitucin.

Sustituyendo 1 en 2
h

1 e

1 A 1 e

+ 1 A 1 e = 2 A2 e

..(4)

Sustituyendo 1 en 3
h

+ A1 e

Despejando
A 2=

+ A1 e = A2e
A2

(5)

de (4) y factorizando

1 1

+ A 1 1 A 1 e 2 h= 1 + 1 A 1 ( 1e 2 h) ..(6)
2 2
2
2 2

39

Despejando

A 2 en(5)

A 2=1+ A1 + A 1 e 2 h=1+ A1 ( 1+ e 2 h ) ..(7)

Igualamos 6 y 7
1 1
+ A 1 ( 1e2 h ) =1+ A 1 ( 1+ e2 h )
2 2
1

A1 ( 1e 2 h ) A 1 ( 1+e 2 h )=1 1
2
2

A1

1 A1 e h 1 +1 =1 1
2
2
2

( )

( )

1 2
1
2
+
A 1=
x 1 2

+
1
( 2 1 )+( 2 1 )e2 h +
2
2
1
2
1 + coeficiente de impedanciaelectrica

K= 1 2

Si

A 1=

K
solo para 2 capas
e K
2 h

Solo falta obtener

Pero

B 1= A 1

B1 y A2
A2

no nos interesa pues las mediciones las haremos

en superficie, si utilizramos pozos entonces ah si importara

Como quedara

A2

V 1 en z =0 ?

40

V 1=

1 I 1 I
+
( A1 ez + B1 e z )|z=0 Jo ( r ) d

2 r 2 0

1+ A1 + B1
()Jo ( r ) d
1 I
V 1=

V 1=

1 I
( 1+ 2 A1 )Jo ( r ) d
2

A 1=

K
e K
2 h

V 1=

1 I
( 1+ 2 A1 )Jo ( r ) d
2 0

Frmula para fuente superficial de un

polo

Esta es la solucin general para

V1

con n capas y

A1

contiene la

informacin de cuantas capas hay, resistividad y espesor. Al trmino

(1+2 A 1)

se le conoce como Kernel de Stefanesku. Es vlido solo para

interface aire-tierra.
El Kernel es vlido slo en la frontera aire-tierra.
En resumen para el caso de 2 capas,
de abajo,
A 1,

capas

A2

A1

trae informacin de las capas

debe traer informacin de arriba y abajo. Si fueran ms

cambiaria.

Tarea:
a) Hacer la transformada de Hankel para la ecua. De Laplace en
coordenadas cilndricas.
41

b) Graficar el Kernel de Stefanesku, la funcin de Bessel de orden

cero y el producto.

II.5 REPRESENTACION MATRICIAL PARA 2 Y 3 CAPAS

A 1B1=0
ez + A 1 e z +B 1 e z= A 2 ez

1 (z A 1 e

e
+ B 1 e z)= 2 (A 2 ez )

En forma matricial para 2 capas

A1

B 1 A2

]( ) ( )

1
1
0
A1
0
ez
e z ez B 1 = ez
1 ez 1 e z 2 ez A2
1 ez

La solucin de este sistema puede ser por Kramer, u otros programas

Para 3 capas
A 1 B1 A 2 B2 A 3

1
1
0
0
0
z
z
z
z
e
e
e
e
0
z
z
z
z
1 e
1e
2 e
2 e
0
z
z
0
0
e
e
e z
0
0
2 ez 2 e z 3 ez

]( ) ( )
A1
0
B1
e z
A 2 = 1 e z
B2
0
0
A3

42

II.6 Equivalencia en el caso de tres capas

La expresin para el potencial

V1

queda

1 I
V 1=
( 1+2 A 1 ) J 0 ( r ) d
2 0
Donde:
A 1=
R1=

R1 e2 h

1+ R1 e2 h

T=

12 T
1 + 2 T

1R2 e2 h
1+ R 2 e2 h

R 2=

23
2 + 3

CASO PARA UNA CAPA DELGADA

Por series de Taylor, se puede demostrar que para capas intermedias
muy delgadas, podemos truncar al segundo trmino.
e2 h 12 h2
2

Esto simplificara

R1

R1

13 1+

(1 3 ) 2 h2
2
2

1 + 3 + 1+

( 1 3 ) 2 h 2
2
2

( )
( )

PARA UNA CAPA DELGADA Y RESISTIVA

El caso en el cual

h2 h 1 y 2 1 y 3 se obtiene que

43

R1

13 2 h 2
1 + 3 + 2 h2

Donde producto

2 h2

se la resistencia total de la capa delgada. En un

proceso de inversin. Los mtodos recuperan mejor los valores mas

altos. El producto

2 h2

es casi del mismo tamagno que los dems

trminos, por eso no se puede recuperar

h2

por separado. O sea,

que si es un tnel super resistivo y delgado, solo podremos determinar

la resistencia. O cupamps que el tnel sea grueso para poder determinar
los parmetros separados.
PARA UNA CAPA DELGADA Y CONDUCTOR
Si

h2 h 1 y 2 1 y 3 se obtiene que

R1

3 1 2 h2
3 + 1+ 2 h2

44

En la relacin anterior
pero

se puede recuperar por separado

no se puede recuperar por tratarse de una capa muy delgada.

Donde el producto

conductancia=

2 h2

se le llama la conductancia de esa capa

h2
= 2 h 2
2

Ejemplo:
Un modelo con
ejemplo

2 h2

constante producir la misma resistencia, por

(500)(1)=(250)(2),

estos

modelos

producirn

la

misma

resistencia, es decir que hay una equivalencia.

Si la capa intermedia es conductora quiere decir que
h2
1 2
. ejemplo =
2
2 4
O sea que para capas intermedias delgadas existe un fuerte problema
de equivalencia. Esto nos indica que solo aquellas capas intermedias
que no sean tan delgadas, van a producir una respuesta significativa en
a

y al hacer el problema inverso, podremos intentar recuperar

espesores y resistividades de esa capa intermedia.

En este ejemplo no se puede

resolver por separado

h2

En este caso si se puede,

2

45

Aprovechando este principio de equivalencia existen algoritmos que

ajustan la curva de

con muchas capas delgadas. Obviamente no es

lo mejor, pero es un mtodo aproximado, y es

rpido, pues las

ecuaciones se simplifican.

II.7 SOLUCION RECURSIVA DEL SISTEMA DE ECUACIONES.

METODO DE PAKERIS
El mtodo de Pakeris es el que se utiliza para determinar los coeficientes
A y B para n capas, ahora ser una solucin numrica.
z

e + A1
z
(e +B 1 e z) Jo ( r ) d

V 1=

(e

1I

2 0

A2
+B 2 e z)Jo ( r ) d

V 2=

1I

2 0

V n=

1I
A ez Jo ( r ) d
2 0 n

Sin embargo para utilizar la ecuacin de recurrencia de Pakeris debemos

definir

V1,

V2,

Vn

ecuaciones. Debido a que

de

de tal manera que exista uniformidad en las

A1

A2

B2

etc. son funciones arbitrarias

, pero que no conocemos. Para un sistema recursivo, no es til

esta representacin, por lo que se presentara de la siguiente manera:

46

e +1
z
(e +1 e z ) Jo ( r ) d

V 1=

1 I

2 0
ez +2
(ez +2 e z ) Jo ( r ) d

1 I
V 2=

2 0
z

e +n
z
(e +n e z ) Jo ( r ) d

V n=

1 I

2 0

Donde:
1= A1

2= A2 ez

n= A n ez

1=B1

2=B2

n=0

El objetivo de resolver el sistema es hallar los valores de

A1

A2

A n B 1 , B 2 , Bn
Pero

al

cambiar

de

variable

ahora

el

objetivo

es

encontrar

1 , 2 ,n , 1 , 2 , n
Aplicando las condiciones de frontera:
V i=V i +1

V i V i+1
=

z
z i+1

47

 zi

zi

+i e

zi

zi

+ i e =e

zi

+i+1 e

zi

+i +1 e (1)

e z i +1 e z + i+1 e z (2)
1
1
e z i e z + i e zi )=

(
i
i+1
i

Simplificando al dividir

e z

en la ecuacin (1) y

e z

la ecuacin

(2)
1+i+ i e2 z =1+ i+1 +i+1 e 2 z ..(3)
i

1
1
1+ii e 2 z ) =
1+i +1i+1 e 2 z ) (4)
(
(
i
i+1
i

Dividiendo 3 entre 4
i

1+i+ i e2 z

1+ i1 e2 z

Si definimos

K i ( )=

) (
=i +1

1+i +1+ i+1 e 2 z

1+i +1i+1 e 2 z

1+i+1 +i+ 1 e 2 z

1+ i+1i +1 e 2 z

(4b)

=K i+1 . ( 5 )

Ki

Por lo tanto para

1+ i+ i e 2 z

i1

1+i i e2 z

i1

.(6)

===========================================
======
Ejemplo para la primera capa:
K 1 ( )=

1+ 1+ 1 e 2 z

i1

1+1 1 e 2 z

i1

pero 1=1 y Z i1=0

48

K 1 ( )=

1+ 1+1 (1)
1+11 (1)

K 1 ( )=1+2 1 Kernel de Stefanesku

Continuando, podemos expresar

V1

en trminos de K a esto se le llama

transformada de la resistividad.
===========================================
=======
Regresando a nuestro intento por obtener una ecuacin recursiva.
1+i
i

Despejando

de (6)

1+i+ i e2 z =K i(1+i i e2 z )
i1

i1

2 z i1

( 1+i )K i ( 1+i )=K i i e

2 z i1

i e

Factorizando

( 1K i ) ( 1+i ) = i e
1+i
K +1 2 z
= i
e
i
K i1

2 zi1

(1+ K i)

i1

Dividiendo ecuacin (4b) entre

1+1 2 z
+e
i
i
= i+1 K i +1
1+ 1 2 z
e
i
i

(7)

Sustituyendo en ecuacin (7)

49

K i +1 2 z
e
+ e2 z
K i1

( )
( )

i1

K i+1 2 z
e
e2 z
K i 1
i1

= i+1 K i+1

(8)

K i1

Multiplicando (8) por

K
K
2 z
2 z
i ( i+1)e
( K i1)e = i+1 K i +1
i ( i+1)e 2 z +( K i1)e2 z

i1

i1

Dividiendo por

e2 z

i1

K
K
K
( i+ 1)( i1)e2 (z z )= i+1 K i +1

( i+ 1)+(K i1)e 2 ( z z )

i
i

i1

Si definimos

t i =zi z i1

i1

y adems

Pi =

i
i+1

Desglosando y volviendo a agrupar, la idea es dejar a

sola

K i ( 1+ e2 t ) (e 2 t 1)
i

K i+1=P i

K i+1

( e 2 t +1 ) K i (e 2 t 1)
i

Hay una identidad para la tangente hiperblica en trminos de

exponenciales.
2 ti

tanh ( t i )=

e 1
2 ti
e +1
50

Sustituyendo en la ecuacin anterior

K i+1=P i

K i tanh ( t i )
1K i tanh ( t i )

Esta ecuacin no es til pues necesitamos saber

y no sabemos el valor de

Ki

para calcular

Ki

La ecuacin de recurrencia funciona al revs, despejamos

K i=

K i+1 + Pi tanh ( t i )
Pi+ K i+1 tanh ( t i )

K2

Ki

Ecuacin de recurrencia de Pakeris

Ejemplo:
Sabemos que
K 3=

K 2=

K 1=

n=0

1+1 +1 e2 zi1
=1
1+11 e 2 zi1
K 3 + P2 tanh ( t 2 )
P2+ K 3 tanh ( t 2 )
K 2+ P1 tanh ( t 1 )
P1+ K 2 tanh ( t 1 )

. Usando la ecuacin (6) para tres capas.

en la ltima capa

en la otra capa

=12 1

debe ser igual aunque no se vea obvio.

Se llega a la capa 1 numericamente, no analticamente. Sin embargo,

podemos demostrar el caso para dos capas analticamente
analiticamente. Tarea.

En el sistema de recurrencia sabemos el K de la ltima capa y de

K1
manera recurrente llegamos a

51

1 I
( 1+21 ) J 0 ( r ) d
2 0
I
V 1= 1
2 0

K 1 ( ) J 0( r) d=

Para un polo polo

Es conocida como la transformada de la resistividad que incluye al

1
A
V1
Kernel de Stefanescu donde ahora
= 1 . Ya podemos calcular
para un medio de n capas con una fuente y un receptor distantes por
r.

II.8 Expresin de

para un medio de multicapas con arreglos

tetrapolares
Para un arreglo polo-polo:
K 1 ( ) J 0( r)d
1 I
V 1=

2 0

Para un arreglo tetrapolar

V =V ( AM )V ( BM )V ( AN ) +V ( BN )

52

K 1 J 0 ( r BN ) d

K 1 J 0 ( r AN )d+
0

K 1 J 0( r AM ) d K 1 J 0 (r BM ) d
0

V=

1 I

Si existiera una pequea inclinacin en las capas se tendra que resolver.

Se podra reducir a tres integrales, pues la distancia AM=BN.
a=2

V 1
GD D
I

El factor geomtrico del dipolo-dipolo es:

GD D =

2 a
n ( a+na ) (2 a+ na)

Pero ahora como las computadoras son rpidas podemos usar la

definicin general que es:
G=

(r

1
AM

1
r BM

) (r

1
AN

1
r BN

Para un arreglo Wenner.

r AM =a
r BM =2a
r AN =2a
r BN =a
53

I
V W = 1 2 K 1 J 0 (a) d2 K 1 J 0 ( 2 a)d
2
0
0

GW =

( 1a 21a 21a + 1a )=( 2a 1a )= 1a

a=2

V W 1
GW
I

Pero igual se puede usar la definicin de

y G en su expresin

general y no especificas. Hace algunas dcadas ahorrar tiempo en la

computadora significaba mucho, ahora no tanto.

Para un arreglo Schlumberger

a= r 2

Ex
I

Con la aproximacin de AB mucho mayor que MN, recordemos que nos

queda en trminos del campo elctrico en x y r que es AB/2.
a= r 2

Ex
I

La expresin para el campo elctrico en trminos del potencial es:

54

E x=

I
V 1 I

=
K 1 ( ) [ J 0 ( r ) ] d= 1 K 1 [J 1 ( r ) d ]

r
2 0
r
2

V + 1 I
E x=
=
K 1 J 1 ( r ) d solouna integral gracias ala aproximacin
r
2 0

r=

Donde

AB
2

En trminos de

es la funcin de Bessel de orden 1

a

a= 1 r

K 1 ( ) J 1 ( r ) d
0

Con la expresin anterior se pueden calcular las curvas de resistividad

aparente en lugar de
V =V ( AM )V ( BM )V ( AN ) +V ( BN )

Pero la expresin nos obliga en el campo a respetar

AB /2>5 MN .

Ecuacin en trminos de un semi-espacio.

Poniendo la ecuacin anterior en trminos del primario
K

( 11+1) J 1 ( r ) d=1 r

J 1 ( r ) d+r

a=1 r

[ K 1 ( )1 ] J 1 ( r ) d
0

55

Sin embargo sabemos que:

J 1 ( r ) d= r12

Transformada de Hankel

a=

1
efecto
semiespacio

1+ r

[ K 1 ( ) 1 ] J 1 ( r ) d
0

perturbacion debida
a un semiespacio estratificado

II.9 ASINTOTAS HORIZONTALES DE LA CURVA SCHLUMBERGER

Para conocer el comportamiento de la curca Schlumberger debemos
saber cmo se comporta

K1( )

para

=0 y = , recordemos que las

unidades de son inversas de la distancia, pues estn en el nmero de

onda.
Se puede demostrar en el caso de 2 capas que
K 1 ( )=2 cuando 0

Al termino

K1( )

K 1 ( )=1 cuando x

tambin se le conoce como transformada de la

resistividad.
Demostracin:
K 1 ( )=
Para

K
e K

K=

2 h1

=0

1 2
1 + 2

tenemos

56

1 2
1 + 2
( 12 ) ( 1+ 2) 12
K
K 1 ( )=
=
=
=
12 1 + 2 1+ 2
2 2
1+ 2 ) (2 2)
(
1
1 + 2
1 + 2
tanh ( 0 )=0
1+
K 1=

K 1=

tanh ( )=1

1
tanh ( t i )
2

1
+ tanh ( t i )
2

2
1

2
1

Si

K 1=1

En trminos de (r)
Este resultado es importante para demostrar las propiedades asintticas
a

de la curva de

del Schlumberger.

a (r )=r

d=

K 1 ( ) J 1 ( r ) d
0

r =w ,o sea =

Haciendo que

w
r

dw
r

nos queda:

w
dw
a ( r )=r K 1 ( ,r ) J ( w )
= 1 K 1 ( , r ) w J 1 ( w ) dw
r 1
r
0
0
2

1) Para el limite donde r tiende a cero, equivale a

a ( r )= a ( r ) =1 w J 1 ( w ) dw= 1
0

2) Para el limite donde r tiende a , equivale a

57

a ( r )= a ( r ) =2 w J 1 ( w ) dw= 2
0

Esto es para el caso de 2 capas, pero para n capas es decir el lmite

cuando

a ( r )= n

Para aberturas pequeas de AB/2

grandes

a= 1

y para aberturas muy

a 2

Otra propiedad importante es que la mxima pendiente de la curva de

resistividad aparente cuando se grafica en forma bi-logaritmica es
cuando

45 0

58

II.10

Resistividad en 2 dimensiones

Recordemos

que

cuando

decimos

2D

nos

referimos

que

la

conductividad en la tierra vara solo en 2 coordenadas, porque los

campos son tridimensionales, debido a que la fuente es puntual. Muchos
a esto le llaman 2.5D. Solo cuando los campos son verdaderamente 2D,
entonces se dice que estructura y campos son 2D.
. V + 2 2 V =0

Donde

=f ( x , z ) V =f (x , y , z )

Sin embargo existen soluciones analticas para esta ecuacin diferencial,

para estructuras simples. Tal es el caso

de un contacto vertical, una

capa inclinada, un cilindro, una esfera, etc, el primero es uno de los ms

sencillos porque se resuelve por el mtodo de imgenes.

Dipolo dipolo
Coeficientes de reflexin

59

K es el coeficiente de impedancia
K=(21)/(2+1)

CASO 1
El siguiente caso analtico de un contacto vertical se obtiene V con el
mtodo de imgenes (coeficientes de reflexin) empleando un arreglo
Wenner. El mtodo calcula el efecto de C 1 y C2 (electrodos de corriente)
medidos en P1 y P2 (electrodos de potencial) de las corrientes que se
transmiten y se reflejan.

CASO 1
V ( P 1 )=

I 1
2

1
+K
1
+K
+
( +
([ a+na
)
2 sana
na 2 s2ana )]

V ( P 2 )=

I 1
2

[(

1
+K
1
+K
+

+
2ana 2 s2 ana
na+a 2 s3 an

)(

CASO 2
V ( P 1 )=

I 1
2

[(

1
+K
1
+K
+

+
a+na 2 sana
na 2 s2ana

V ( P 2 )=

)(

I 2
2

1K
(
([ 21K
)
a+na
a+ na ) ]

60

)]

CASO 3
V ( P 1 )=

I 2
2

[( ) ( )]

V ( P 2 )=

I 2
2

[(

1K
1K

a+na
na

1K
1K

2 a+na
a+ na

)(

)]

CASO 4
V ( P 1 )=

I 2
2

[( ) (

V ( P 2 )=

I 2
2

1
K
(
+
([ 21K
)
a+na
a+ na 2 a2 s+na+ a )]

1K
1
K

+
a+na
na 2 a2 sna

)]

CASO 5
V ( P 1 )=

I 2
2

1
K
1
K
+
( +
([ a+na
)
2 s+ a+na
na 2 s+2 a+ na )]

V ( P 2 )=

I 2
2

[(

1
K
1
K
+

+
2 a+na 2 s +2 a+na
a+na 2 s +3 a+ n

)(

V =V ( P1 ) V ( P 2 )

61

II.11

Punto de atribucin en el dipolo-dipolo

Xo,Yo(pseudoprofundidad)
Yo=(a/2)+(na/2)

Es una convencin que no tiene nada que ver con la realidad. Se

acostumbra representar los datos dipolo-dipolo de la siguiente forma
Pseudo- seccin de isoresistividad aparente
0

10

12

14

16

18

20

22

24

0
289

P R O FU N D ID A D A P A R EN T E (m )

-2

250
179

200
173

105

-4

194
120

94

110
66

66

45
74

-6

169

81

30

221

125

120

250

375

500

625

157

162

73

66

172

105

71

71

302

104

58

59

141

70

56

108

53

L N E A 1

102

73

44

169
131

91

62

88

-1 0

124

73

13

136

103

52

103

-8

133

36

136

152

174
179

136
98

70
65

58
55

294
759

750

62

26

II.12

Sensibilidad mtodo dipolo-dipolo

La sensibilidad es la forma como se altera una medicin debido a un

cambio en la conductividad. Gmez-Trevio demostr que para cualquier
caso

de

mtodos

elctricos

electromagnticos

la

funcin

de

sensibilidad es:

63

III

MODELADO BIDIMENSIONAL PARA MEDIOS HETEROGENEOS

E ISOTROPICOS

La ecuacin que se debe resolver es:

. V + 2 V =q
Para 2D

Para 3D

=f ( x , z )

=f ( x , y , z )

V =f ( x , y , z )

V =f ( x , y , z )

Para resolver esta Ecuacin diferencial, existen al menos 3 mtodos.

1.- Diferencias
Finitas

2.- Elementos
Finitos

3.- Ecuacin
Integral
3

E= G ( r 1 r 0 ) . E ( r 1 r 0 ) (r ) d r

64

III.1-.Diferencias finitas
Es uno de los mtodos ms accesibles para resolver cualquier ecuacin
de manera numrica.
. V + 2 V =q ( xx 0 ) ( y y 0 ) (zz 0 )
Resolviendo para 3D

V V V
2 V 2 V 2 V
+
+
.
+
+
+
+
+
=q ( xx 0 ) ( y y 0 ) ( zz 0 )
x y z
x y z
x2 y 2 z 2

)(

) (

i , j, k =
i +1= i +1, j , k
j+1= i , j+1,k
Donde las direcciones son: j y,
kz, ix

La primera derivada de V se aproxima a:

V V i+1V i V iV i1 V i +1V i1

,
;o
x
x
x
2x
es Aproximacin de primer orden (es una diferencia simtrica)
V i +1V i V i V i1

V i+12 V i +V i1
V
x
x

=
2
2
x
x
x
2

Ponindolo en trmino de las aproximaciones queda:

65

V i +12 V V i1 V j+12 V V j1 V k+1 2V V k1

+
+
=q ( xx 0 ) ( y y 0 ) ( z z0 )
x2
y2
z2
i+1 i1 V i +1V i1 j+1 j1 V j+1 V j1 k+1 k1 V k +1V k1
.
+
.
+
.
+
2 x
2x
2 y
2 y
2z
2 z
Simplificando:
x=

i+1 i1
4 x

; y=

j +1 j1
4 y

; z=

k +1 k1
4 z

Reordenando la ecuacin (1)

x V i +1 x V i1 + y V j +1 y V j1+ z V k +1 z V k1+

V i +1 2 V + 2 V i1 +
V j +1
V+
2
2
2
2
x
x
x
y
y
y

Si hacemos
+=

+ x
x2
ai

x
x2
ai

+=

+y
y2
bj

y
y2
bj

+=

+ z
z2
c k

z
z2
c k

d=2

1
1
1
+
+ 2
2
2
x y z

Reescribiendo
V k1 + d V i , j ,k =q
+ V k+1 +c k
V j1+ ck
+ V j+1 +bj
V i1 +bj
+ V i+1 +a i
a i

66

III.2-.Elementos finitos
Es otro mtodo para resolver la ecuacin diferencial, pero la diferencia
es que aqu nos queda una integral del tipo:
F ( V )= ( V + 2 V ) d V j
J

Donde

. J s Trmino de la fuente

67

F ( V ) -> Es una funcin objetivo que depende del potencial y cuyo

objetivo es minimizarla. El propsito del mtodo de elementos finitos, es
hallar los potenciales V dentro de los nodos tales que la energa del
sistema sea mnima. La rejilla de elementos finitos puede ser arbitraria,
pero por lo regular es triangular.

III.3-.Ecuacin integral
La ecuacin diferencial de Helmholtz se puede pasar a una ecuacin
integral
2 E+ K 2 E=0 ya contiene a lasecuaciones de Maxwell
Se puede pasar a la ecuacin de Scattering
de

E
(r 0 ) = G
E ( r , )
(r ) dV '
( r 1 , r 0 , 0 )

perturbacion
del campo

V'

funcin

campo
electrico

perturbacion
enrho

Contiene la informacin heterognea del medio

Contiene la parte homognea del medio (sin el cuerpo que produce

2)
r1

(x,y) coordenadas del semiespacio

68

ro

(x,y) coordenadas de la fuente

Lo que nos dice esta ecuacin es que una perturbacin en la resistividad

del medio produce una perturbacin en el campo E medido a travs de
una funcin de sensibilidad representada por la funcin de Green y el
Campo elctrico interno.
Si es homogneo va a medir un campo E en el receptor, si alteran la
homogeneidad, entonces va a haber una variacin de ese campo. Esa
variacin ser pequea o grande de acuerdo a la sensibilidad fsica del
mtodo. Esa funcin est formada por

E(r 0 , )

que es el campo

elctrico medido dentro del cuerpo y suponiendo que est ah. Es el

campo elctrico debido a una fuente elctrica E debido a una fuente
elctrica en superficie.
G(r , 0)

Es el campo elctrico medido en superficie (receptor) debido a

un dipolo puntual localizado en cada punto dentro del cuerpo

perturbador, este dipolo puede estar orientado en
el receptor

x, y ,z ,

x, y ,z

y medido en

la Funcin de Green es un artificio matemtico que

supone que colocamos una fuente elctrica a lo largo del volumen V la

cual es medida en los electrodos receptores.
En el campo suponiendo que el cuerpo no est ah, por eso solo depende
de

, el campo elctrico debido a la fuente (dipolo elctrico o bobinas

para MT) y el medido debido a la presencia

del cuerpo con 2 que

produce scattering.

E= G ( r , 0 ) E ( r , r o , ) (r )dV '
V'

69

Gxx campo medido en x (receptor debido a un dipolo puntual en x )

Gxy campomedido en y debido a un dipolo en x

Gxz campo medido en z debido a un dipolo en x

Gyx campomedido en x debido aun dipolo en y

Gxx Gxy Gxz

G E Gyx Gyy Gyz
Gzx Gzy Gzz

La funcin de Green parece complicada pero es fcil de calcular pues

son solo campos elctricos debidos a dipolos elctricos puntuales dentro
de un semiespacio homogneo. Existen soluciones analticas en los
libros que nos dan la expresin para cada elemento.
E ( r 0 ) es la perturbacin del Campo elctrico medico en la superficie

Si hacemos modelado

E
= G ( r , 0 ) E ( r , ro , ) (r
) dV '
desconocido

V'

A partir de
(r 0)=

conocido

se calcula

se calcula

se puede calcular

(r s )

1
G ( r , 0 ) . E ( r , r 0 , ) (r)d 3 r

C termino de conversin de E

En el caso inverso:

70


a (r o )=
conocido

1
G ( r , 0 )
E ( r ,r o , ) (r
) dV '
C
conocido

desconocido

desconocido

Li & Olderborg (1962) dijeron, porque no consideramos

E(r , r 0 , 0)

E ( r , r0 , )

como

para un semiespacio homogneo, Esto sera posible si no

es muy diferente de

Esto es equivalente a

a ( r o )=

1
(r , r 0 ,) ( r)dV '
G ( r , 0 ) E ( r , r 0 , 0 ) ( r ) dV + G ( r , 0 ) E

CV
V
diferenciade E
no eshomogeneo

Como no puedo resolver la segunda integral la hago 0 bajo el argumento

de contrastes pequeos de resistividad o sea

E ( )

es casi 0

Una vez que lo convierto a semiespacio homogneo.

a (r o )

1
E(r , r 0 , 0)
(r ) dV '
G ( r , 0 )

CV
conocido

Al hacer

E ( )

conocido

desconocido

casi 0, se vuelve una aproximacin

Bajo esa aproximacin

a ( r ) =a ( r )0

1
a (r ) 0 + G ( r , 0 ) E(r ,r 0 , 0 ) (r )dV '
C V

71

En el caso de Li & Oldenburg promedian las observaciones

suponen el
que

(r )

0= promedio de a

. De la ecuacin anterior ellos requieren

no se desvi mucho de

, para que la aproximacin

funcione.

1 2 3 n no deben ser muy diferentes de 0

En 1996 Gmez obtiene una ecuacin integral muy diferente a la de
Scattering
E(r )= G ( r , ) . E ( r , r 0, ) (r )d 3 r
Parte de una derivada de Frechet, que es como una expansin de Taylor
y evala el Kernel en el mismo sitio.
f ( x )=f ( a ) +

f (a)
( x i) +
xi

Esto nos lleva a una ecuacin:

( r )=

1
G ( r , ) . E (r , r0 , ) ( r ) d3 r
C

72

III.4 Resumen
Modelado
Scattering

a ( r )= 0+ G ( r , r 0 , 0 ) E(r , ) (r ) dV '
V

Gmez

a ( r )= G ( r , r 0 , ) E(r , ) (r) dV '

V

Inversin
Scattering

a (r ) 0 + G ( r , r 0 , 0 ) E (r , ) (r) dV '
V

Gmez

a ( r ) G ( r , r 0 , ) E(r , ) (r )dV '

V

Gmez utiliza un sistema lineal

Y = x Lo que se hace es medir

promedios, y con la inversin lo que tratamos es de des- promediar.

Para Scattering
1 no debe ser muy diferente de 0
n tampoco debe ser muy diferente de 0

73

Para Gmez
1 y 2 no deben ser muy diferentes
n1 y n no deben ser muy diferentes
1 y n pueden ser muy diferentes debido a
que no estamos amarrados a 0 podemos permitirnos valores
de resistividad mayores y espaciados

Ventaja numrica de inversin con ecuacin de Gmez

( r )= G ( r , r 0 , 0 ) . E ( r , 0 ) ( r ) dV

Si suponemos que medimos sobre un semiespacio homogneo

(r )

se

vuelve constante por lo tanto se puede sacar de la integral

a ( V ) 0 G ( r , r 0 , 0 ) . E ( r , 0 ) dV

Y como

a= 0

el integrando debe ser igual a 1

74

I.V

CONSIDERACIONES TERICAS DE COSAS PRCTICAS

I.V.1-. Efecto topogrfico

Recordemos que en la superficie no hay componente Ez, por lo tanto las
equipotenciales deben ser normales a la superficie. En superficies
irregulares como valles y crestas las lneas equipotenciales se deforman,
pero siempre son normales a la superficie del terreno.

Como

a=2

V 1
G
Los efectos topogrficos causan que las mediciones de la
I
resistividad aparente:

En los valles se medirn V grandes y por lo tanto a es grandes.

En un semiespacio de constante parecer una anomala con
resistividades muy grandes que podra interpretarse como una
caverna.
En crestas o lomas se medirn V menores por lo tanto menores
a. En un semiespacio de constante parecer que hay presencia
de un conductor.
El tamao del dipolo (MN) en el valle o cresta determinara que el
efecto topogrfico se mayor (dipolos del tamao del valle o de la
cresta) o menor.
Mientras mayor sea la pendiente, mayor ser el efecto.

75

I.V.2-. Longitud del cable en el receptor como filtro

N

V = E . dl
M

es un promedio de todos campos E a lo largo del cable. Si el cable

es corto podemos medir la influencia de objetos pequeos (pero tambin

se ven los grandes) cerca de MN.
filtro pasa altas frecuencias espaciales

Si alargamos MN, promediaremos mas los Es a lo largo del cable. La

presencia del cuerpo pequeo desaparecer o se ira disminuido y solo
veremos la respuesta de objetos ms grandes.
filtro pasa bajas frecuencias espaciales

I.V.3-. Caractersticas de la fuente

Lo que llamamos fuente consiste de una fuente de poder que manda
corriente, un medidor de corriente y una resistencia interna. La corriente
puede ser CD (corriente directa) o AC (corriente alterna). En el caso de
CD puede ser una corriente que no vara con el tiempo (lnea recta) o
bien una onda cuadrada. En el caso de AC puede ser un generador de
gasolina y luego se rectifica hasta obtener corriente. Para DC se puede
ocupar bateras de carro u otro tipo de bateras y esto hace al equipo
portable.
76

En el caso de AC se necesita cargar con un generador de gasolina y esto

le quita al equipo lo portable. La fuente de poder puede ser de DC o de
AC de baja frecuencia, preferiblemente menor a 60 Hz. El siguiente
diagrama muestra la conversin a corriente directa a partir de alterna.

Hay equipos que miden DC y P.I. la nica diferencia es que para medir
P.I. al dejar de inyectar corriente deben registrar mediciones.

77

En el caso del supersting el tiempo estndar es de 1.2 segundos.

Todo lo que no es de fuente artificial como el SP se filtra, los equipos
modernos miden el SP y lo suprimen, en el caso de los equipos
artesanales suprimen el SP en papel.
Todo lo que no es de fuente artificial como el SP se filtra, los equipos
modernos miden el SP y lo suprimen, en el caso de los equipos
artesanales suprimen el SP en papel. Los equipos comerciales modernos
miden SP antes de inyectar corriente y luego lo quitan.
Hay equipos viejos como el Bison que tambin trabajan con ondas
cuadradas.

NOTA.- Cuando los datos estn ruidosos, ya sea porque el receptor est
muy lejos o la resistencia de contacto es muy baja entonces

son

tan pequeos que andan en el nivel de precisin del equipo.

Si ya no se puede inyectar ms corriente, alargo la onda y el periodo de
integracin para mejorar la estadstica de

V .

78

Al inyectar corriente en la cresta y el valle de la onda cuadrada estoy

midiendo DC+SP+e, por lo que tengo errores en las mediciones de las
resistividades. La forma de disminuir este error es inyectar corriente por
ms tiempo ya que el equipo hace un promediado de la seal y con eso
se disminuye el error (e).

La fuente consiste de una fuente de voltaje (batera, generador) y una

resistencia variable.

El voltaje de la fuente no es fijo pero no excede al de la batera usada, es

casi constante.
I=

V
voltaje de la fuente
R resistencia de la fuente+ resistenciadel terreno

La suma de los trminos del denominador se pretende que sea

constante independientemente de que ambos sean variables.
La resistencia del terreno es
Resistenciadel terreno=Resistencia especifica+ Resistenciade contacto
La mayora de los equipos modernos tratan de inyectar una corriente
casi constante, se ocupa una resistividad de la fuente variable, para
tratar de dar una I ms o menos constante, sin embargo no siempre es
79

posible y por eso se acostumbra anotar en un papel o en un disco duro

este valor.

I.V.4-. Caractersticas del receptor

Consiste de un voltmetro con muy alta impedancia, debido a que las
corrientes son muy pequeas, como

V =RI

y la corriente es muy

pequea, entonces ocupamos una R muy grande para que V sea

medible por un multimetro convencional.

80

V POLARIZACION INDUCIDA
La polarizacin inducida es una tcnica ms reciente que el resto de las
tcnicas en geofsica, desde los aos 20s los hermanos Schlumberger
observaron el efecto de sobrevoltaje, pero fue hasta los aos 50s,
cuando el fenmeno se empez a estudiar sistemticamente en los
trabajos de Siegel.
El efecto de sobrevoltaje es un efecto bien conocido en fisicoqumica. El
efecto de PI consiste bsicamente en que al dejar de inyectar corriente
en el suelo, el voltaje en el receptor no cae sbitamente sino que tarda
en hacerlo, y esta cada depende del tipo de suelo, algunos han
comparado la curva de PI con una curva de un circuito de descarga RC
(resistencia- capacitor).

El efecto de PI se puede medir en el dominio del tiempo (curva de

decaimiento) pero tambin en el dominio de la frecuencia (para ondas
de frecuencia fija).
Se dice que el efecto de PI es debido a un efecto de almacenamiento de
energa, qumicamente este almacenamiento se puede realizar de las
siguientes maneras
1.- Variacin en la movilidad de los iones de los fluidos a travs de la
roca.
2.- Variacin entre la conductividad inica y electrnica cuando hay
minerales metlicos en la roca.
81

V.1-. Polarizacin de membrana

La conduccin electroltica es la predominante o nica, cuando no hay
minerales metlicos en la roca. La roca debe ser porosa y permeable
para permitir la movilidad de iones de los fluidos cuando hay un campo
elctrico aplicado.

arcilla
s

arcilla
s

+++++
- - -+- - -

Efecto
+++++ de pila
+

Cuando cesa sbitamente el campo elctrico los iones tardan un tiempo

en regresar a su estado original. Tardaran ms si las trayectorias son
tortuosas. Si la porosidad es muy alta rpidamente se neutralizaran y si
la porosidad es muy baja no habr movimiento de iones y el efecto de PI
ser bajo.
El mayor efecto de PI est entre ambos lmites. Los granos de arcilla
tambin impedirn a los iones positivos regresar rpidamente a sus
posiciones originales. Si hay mucha arcilla (que ocupe todo el poro) el
efecto de PI disminuye y si no hay arcilla en el poro el efecto de PI
tambin disminuye.
El mximo est entre 10% del poro. Estos no son todos los factores que
afectan la polarizacin de membrana pero si los ms importantes por su
magnitud.

82

V.2-. Polarizacin electrdica

Este tipo es similar al de membrana pero existe cuando hay minerales
metlicos, existe conduccin electroltica y un poco de electrnica,
ocurre una reaccin qumica en las paredes del mineral metlico.
Existe un efecto de electrolisis entre el grano metlico y electroltico
(fluido dentro del poro). Hay intercambio de electrones entre el metal y
la solucin de iones, a este efecto se le conoce en fisicoqumica como
sobrevoltaje.
Esto produce un retraso adicional en el tiempo de recuperacin de los
iones.
Los minerales con alta conductividad inica son los que desarrollan
polarizacin electrdica como:
Sulfuros (galena, calcopirita, pirita, etc.) y algunos xidos (magnetita,
ilmenita, calciterita, y tambin el grafito).

Cuando cesa el campo elctrico las cargas tardan un tiempo en llegar a

la normalidad, pues la superficie del metal mantiene pegadas las cargas
por un tiempo.
El efecto de polarizacin electrdica depende de la porosidad, de la
concentracin

de granos

de

metal,

pero

es

un

fenmeno

que

principalmente se desarrolla alrededor de la superficie de los granos

metlicos.

83

La suma de superficie en la pirita maciza es menor a la suma de

superficie en la pirita diseminada.

t2

M=

1
V ( t ) dt
V c t1

Cargabilidad (unidades en milisegundos)

V.3 Aproximacin de Siegel

Se dice que hay una aproximacin entre el efecto de PI en el tiempo y en
la frecuencia, la cargabilidad es igual a la resistividad en DC menos la
resistividad variable con la frecuencia y normalizando por la resistividad
en DC.
84

M=

dc
Transformacin
dc

Despejando
dc =

1M

Esto quiere decir que datos de PI en forma de cargabilidad se pueden

transformar a su equivalente en resistividad. Una vez en resistividad
podemos hacer uso de todas las tcnicas de inversin que dispongamos.

85

VI MTODO ELCTRICO DE POTENCIAL ESPONTANEO (SP)

VI.1 Introduccin
El mtodo del Potencial espontneo (Self-potencial o Spontaneous
potential) es un mtodo de prospeccin elctrica que tuvo sus orgenes
en la bsqueda de recursos minerales, si bien su uso se ampli al mundo
de la ingeniera civil y medioambiental, resultando ser una herramienta
eficaz en el anlisis de problemas de filtracin de aguas en el subsuelo.
Tcnica de aplicacin generalizada en la dcada de los 80 y principios de
los 90, hoy en da es una tcnica en desuso dadas las prestaciones que
nos ofrecen otros mtodos en este mbito (i.e. Tomografa elctrica). Sin
embargo su sencillez del equipo que precisa as como la facilidad de
implementacin

en

el

campo

justifican

como

herramienta

de

reconocimiento general en aplicaciones en ing. civil, medio ambiental y

principalmente para registro de pozos justifican la descripcin de este
mtodo
Las investigaciones de las propiedades elctricas naturales del subsuelo
estn basadas en la medicin de diferencia de potencial entre un par de
electrodos implantados en la tierra. Las diferencias naturales en el
potencial ocurren en relacin a los cuerpos del subsuelo donde ellos
mismos crean sus propios campos elctricos. Los cuerpos actan como
simples

celdas

voltaicas;

su

potencial

tiene

origen

niveles

electroqumicos. Las corrientes naturales (llamadas corrientes telricas)

fluyen a travs de la corteza y manto terrestre. En el estudio de los
potenciales y las corrientes naturales, los cientficos no tienen control
sobre la fuente de origen. Esto restringe las interpretaciones, las cuales
son mayoritariamente a nivel cualitativo. Los mtodos naturales no son
tan tiles como los mtodos de induccin controlada, tal como las
tcnicas de resistividad y electromagnticas, pero son baratas y rpidas.
El Potencial Espontneo (PE) se basa en medir entre dos puntos del
86

terreno la diferencia de potencial elctrica generada de forma natural en

el subsuelo, generados y asociado a diferentes fenmenos como las
variaciones de las propiedades del terreno (humedad, composicin,
etc.), presencia de cuerpos metlicos, actividad biolgica de la materia
orgnica, etc.

VI.2 Principios Tericos

El PE tiene fuentes de ruido como las corrientes telricas, deriva de los
electrodos, efectos topogrficos asociados con potencial electrocintico,
potencial fotovoltaico y cambios en la composicin del suelo, humedad y
cubierta vegetal. Pero en sitios las lneas de electricidad, metales
enterrados y cualquier objeto de metal en contacto con el suelo
incrementan el nivel de ruido. En la mayora de los casos el nivel de la
seal de SP es de uno o dos rdenes de magnitud arriba del ruido de
fondo.

Fenmenos que inducen el Potencial Espontneo

Difusin y potencial de membrana.

Potencial que est asociado con gradientes en concentracin de

especies inicas en el subsuelo que preveen potenciales de difusin. Si
los aniones y cationes involucrados tienen diferente movilidad, resulta
entonces diferencias de equilibrio que crear un potencial elctrico. El
campo elctrico resultante depender de la rapidez o lentitud de
movilidad inica y alcanzar la electroneutrolidad. En equilibrio, el
potencial de difusin Ed est dado por:
Donde: Ia y Ic son las movilidades de los aniones y cationes
respectivamente, n es la carga elctrica del ion, R es la constante
87

universal de los gases, T es la temperatura absoluta, F es la constante

de Faraday y C1 y C2 es la concentracin de la solucin creada por el
gradiente de difusin. En general, este mecanismo puede crear
anomalas de decenas de milivolts y es slo fuente de ruido en la
mayora de los estudios de PE (Nyquist, 2002).

Potencial de Membrana y potencial de difusin.

Es considerado como potencial de arcilla en los registros de pozos. Si

la arcilla est en contacto con areniscas, desarrolla un voltaje a travs
del contacto porque la arcilla es impermeable a iones de Na pero no lo
es para iones de Cl. La difusin del Na de la arenisca en la arcilla dispone
un potencial de gradiente que tiende a llevar a los iones de Na de
regreso a la arenisca.

El equilibrio entre la difusin y la carga elctrica llevada por la migracin

del ion est dado por la ecuacin de Nernst, que es el potencial de
difusin sin la diferencia en la movilidad de iones.

Potencial Bioelectrico

La accin de las races de las plantas en la seleccin de iones y bombeo

de agua pueden crear anomalas PE. La adhesin de iones selectos en
las races inducen PE de membrana que puede alcanzar cientos de
88

milivolts. Cambios abruptos en el PE pueden ser notados en el campo

cuando hay cambios de vegetacin, asociados comnmente a cambios
en la composicin del suelo o rocas subyacentes.

Potencial Electrocintico

Tambin conocido como potencial de electrofiltracin o potencial zeta, el

potencial electrocintico ocurre cuando agua u otro fluido corre a travs
de un cuerpo de arenoso, roca porosa, morrenas, basaltos, etc. En reas
de alta precipitacin, topografa abrupta y rocas porosas, el potencial
electrocintico puede ser de gran amplitud.
El fenmeno fue estudiado por primera vez por Helmholtz en el siglo XIX.
Para el flujo en un tubo capilar en el que corre un electrolito el campo
elctrico, E, (Vm-1) est dado por:

Donde: = contante dielctrica del electrolito (Fm-1), = resistividad del

electrolito (m), = parmetro determinado por la pared capilar del
material y el electrolito, p = gradiente de presin (Pa m-1), y =
viscosidad dinmica del electrolito (Pa s). E es el la misma direccin del
gradiente de presin, y opuesto al flujo del electrolito.

Potencial Redox

Los depsitos de mineral generan las ms grandes anomalas de PE

89

siendo los ms notables los cuerpos de sulfuros, mediciones de hasta 2

volts han sido reportadas. Este potencial aparentemente surge de
reacciones geoqumicas de oxido-reduccin, equivalente a una pila
galvnica de electroqumica.
En

1960,

Sato

Mooney

propusieron

el

modelo

clsico

de

funcionamiento de esta reaccin geoqumica, se modela un deposito de

sulfuros sobre el nivel fretico, en donde tienen lugar reacciones de
oxido-reduccin

con el cuerpo de mineral, que acta como un

conductor. Siendo pues, la parte superior e inferior del depsito mineral

como los dos polos de una pila galvnica. La parte superior (nodo)
cargada

negativamente

la

parte

inferior

(ctodo)

cargada

positivamente. En respuesta a la carga elctrica, los iones migran a

travs de los poros de la roca rodeando el cuerpo mineral de sulfuros. La
medicin de la anomala PE en superficie es simplemente la cada de
potencial creada por el patrn de flujo de corriente.

Potencial termoelctrico

En reas geotrmicas y volcnicas, se han observado anomalas

90

considerables atribuibles a la combinacin de efectos de gradientes de

temperatura y movimiento de fluidos ionizados subterrneos, con
amplitudes de decenas hasta centenas de mV y polaridad positiva que
reflejan mecanismos de polarizacin que ocurren a profundidad (Finizola
A., 2004).

VI.3 Objetivo del mtodo

El mtodo del Potencial espontneo se basa en medir entre dos puntos
del terreno, cual es la diferencia de potencial elctrica generada de
forma natural en el subsuelo.
El

origen

de

estos

campos

elctricos

naturales

(potenciales

espontneos) est asociado a diferentes fenmenos como por ejemplo a

las variaciones de las propiedades del terreno (cambios de humedad, de
su qumica, etc.), la presencia de cuerpos metlicos, actividad biolgica
de la materia orgnica, etc.. Sin embargo de todo el conjunto de
potenciales espontneos, el que nos interesa es el denominado Potencial
electrocintico (Electrokinetic potential o Streaming potential) dado que
su gnesis est ligada al paso de un fluido a travs de un medio poroso.
Por consiguiente, el objetivo de este mtodo se reduce simplemente a
detectar en nuestro registro de campo, las variaciones espaciales del
potencial

electrocintico

si

es

que se est

interesado

en

esta

componente del fenmeno.

VI.4 Equipo
El equipo necesario para una adquisicin SP es muy simple, consiste de
un voltmetro de gran impedancia interna y altamente sensible, ste
mide la diferencia de potencial espontneo entre dos electrodos
implantados en la tierra. Simples estacas metlicas son inadecuadas
para este mtodo debido a la polarizacin que ocurre en ellas.
91

Reacciones electroqumicas toman lugar entre el metal y la humedad de

la tierra causando falsas cargas en los electrodos, las cuales pueden
falsear u obscurecer las lecturas naturales del potencial espontneo.
Existen dos mtodos usados muy comnmente en campo, para medir el
potencial espontneo:

(a): principalmente usado para superficie.

(b): principalmente usado para perfilaje de pozos.
De electrodos no polarizables existen de diversos tipos siendo los de 4
Cu CuSO los ms utilizados.

92

VI.5 Control de Datos en Campo

Para el control de los datos en campo se hace uso de la ley de las
mallas o tensiones de Kirchoff que enuncia En toda malla la suma de
todas las cadas de tensin es igual a la suma de todas las subidas de
tensin

VI.6 Procesado e interpretacin de los datos

Para cada perfil obtendremos una grfica, en donde en el eje de abscisas
colocaremos cada una de las estaciones de medida que conformen el
perfil, mientras que en el eje de ordenadas ubicaremos cada uno de los
valores del potencial espontneo medido.
93

Ahora, nuestro objetivo consiste en detectar y filtrar los diferentes

ruidos y errores que puedan existir en nuestras medidas, a fin de
quedarnos simplemente con las variaciones espaciales del potencial
electrocintico. Su magnitud suele ser del orden de algunas decenas de
mV. Este proceso puede ser muy complicado en zonas de elevado nivel
de ruido (i.e. Cardona).
Adems de los perfiles, tambin es muy frecuente confeccionar mapas
de isolneas de potencial electrocintico, en los que a partir del aumento
o disminucin relativa del valor del potencial en el sentido del flujo,
podremos caracterizar el problema de filtracin en el subsuelo.
A la hora de interpretar los resultados, la variacin exacta del potencial
espontneo en zonas con presencia de flujos de agua, es una funcin
compleja que depende de aspectos tales como la seccin geoelctrica,
la intensidad del flujo, o la profundidad y geometra de ste (Wilt and
Corwin). Sin embargo en la prctica, y como resultado de diversos
estudios as como de la experiencia acumulada en casos reales, se han
observado ciertas tendencias en el comportamiento del potencial que se
usan a modo de reglas en la interpretacin.
En el caso de analizar los resultados obtenidos a travs de los perfiles,
identificaremos como zonas susceptibles de presentar filtraciones,
aquellas zonas en donde se produzcan anomalas negativas, es decir un
descenso relativo del valor del potencial electrocintico.
Dado que en la naturaleza mayoritariamente tenemos soluciones salinas
mono- y bivalentes, la capa mvil de la doble capa de Helmotz est
compuesta por cationes, de forma que los iones positivos son
transportados en la direccin del flujo (Bogolovsky).
Esto conlleva que en el caso de trabajar con mapas de isolneas, en
zonas

en donde tengamos

flujos

de agua con una

trayectoria
94

subhorizontal o descendente (i.e. Al penetrar travs de un dique de

tierra o bajo el fondo de un reservorio), en general observaremos una
disminucin relativa del valor del potencial en el sentido del flujo
(anomala negativa), mientras que si el flujo tiene una trayectoria
ascendente con respecto a la superficie del terreno, generalmente se
producir un aumento relativo del potencial en el sentido del flujo.
Bogolovsky ; Corwin.

Sin embargo e independientemente de los aspectos anteriormente

comentados, se ha observado tambin que las anomalas del potencial
electrocintico pueden verse afectados por la litologa (Bogolovsky). En
este sentido, zonas con alto contenido en arcilla pueden provocar
95

anomalas positivas (lnea de referencia de las lutitas usada en registro

de pozos), mientras que zonas con predominio de material arenoso
pueden producir anomalas negativas. En definitiva, y dada la variedad
de factores que influyen en las anomalas del potencial, la interpretacin
de los datos obtenidos depender de las caractersticas de cada
problema en concreto.

VI.7 Semi-Interpretacin cualitativa

Se basan prcticamente en la determinacin de la profundidad de una
estructura simple de datos de potencial espontaneo, ajustando una
geometra simple (esfera, cilindro horizontal y cilindro vertical) a un
perfil de donde se reconoce una flexin positiva o negativa. Mas detalles
en Abdelrahaman et al.
Se parte de la siguiente ecuacin que es la expresin de una anomala
producida por una estructura geolgica simple:

donde: z es la profundidad, es el ngulo de polarizacin, K es el

momento dipolar elctrico, x es la coordenada de posicin y q es un
factor relacionado por la estructura enterrada y que es igual a 0.5, 1.0 y
1.5 para un cilindro vertical semi-infinito, cilindro horizontal y esfera
respectivamente.

96

50

-5 0

p r o f u n d id a d z

3 .5

-1 0 0

-1 5 0

-2 0 0
-2 5

S o lu c i n 2 a d e r q - z

4 .5

2 .5

-2 0

-1 5

-1 0

-5

10

15

20

25

s=2
s=3
s=4
s=5

1 .5
0 .5

0 .6

0 .7

0 .8

0 .9
1
1 .1
F a c t o r g e o m t r ic o q

1 .2

1 .3

La figura muestra el efecto causado en superficie por un cilindro

horizontal a 3m de profundidad, a 40 grados de ngulo de polarizacin, y
un momento dipolar de -600 mV.
A la derecha el resultado de la inversin-modelacin linealizando la
ecuacin de arriba por segundas derivadas ( Abdelrahaman et al, 2003).

97

1 .4

1 .5

Bibliografa:
Fundamentos de la teora EM, John Reits, Fondo Educativo
Interamericano
Principles of Direct Current Resistivity Prospecting, Geza Kunetz
Principles of Induced Polarization for Geophysical Exploration, J. S.
Summer, Elsevier
Frequency and Transient Soundings, Alexander Kanfman y George
Keller
Interpretation theory in applied Geophysics, Grant y West
Applied Geophysics, Sheriff
Apuntes de clase S. Ontiverios, Universidad Politcnica de
Catalunya, 26 de Enero 2009.
D.Casas, Victor et al., Medicin de las Propiedades Elctricas del
Subsuelo (II), Universidad Central de Venezuela, Fac. De Ing.,
Escuela Geolgica, Minas y Geofsica. Tema 10, 17 oct . 2005.
ORELLANA, E. 1982. Prospeccin geoelctrica en corriente
continua. Paraninfo, Madrid.
Western Atlas, 1994. Introduccin al Perfilaje de Pozos (varios
captulos).
El-Sayed M. Abdelrahman, Hesham M. El-Araby, Abdel-Rady G.
Hassaneenz, and Mahfooz A. Hafez, New methods for shape and
depth determinations from SP data, GEOPHYSICS, VOL. 68, NO. 4
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98