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Regulacin de potencia a travs de tiristores

Para regular potencia a travs de tiristores se utilizan mdulos tiristores, los que contienen dos
S.C.R conectados en antiparalelo.

Cuando el S.C.R. es disparado en el comienzo del ciclo (aproximadamente a 0), el mdulo


conduce aproximadamente 360 y esto ocasiona una transmisin de mxima potencia a la carga.
En cambio, cuando el S.C.R es disparado cerca del pico positivo, el mdulo conduce 180 y esto
produce una transmisin menor de potencia a la carga.
A travs de ajustes en el circuito de disparo, el accionamiento de los S.C.R. puede retrasarse y, de
esta forma, tenemos una transmisin variable de potencia.
En la actualidad, una de las seales ms empleadas en procesos industriales es la seal de 420
mA y los sistemas de control para tiristores utilizan esta seal para modular la potencia.
Una de las aplicaciones ms utilizadas en el control de potencia es el de temperatura a travs de
calefactores elctricos, en el cual se utiliza un controlador de temperatura con salida 420 mA y un
sistema de regulacin de potencia por tiristor. Con estos componentes es posible obtener un
control proporcional de la potencia de los calefactores, a travs de la modulacin de voltaje que el
sistema realiza. Tambin es posible aplicar este sistema a controles de tipo ON-OFF a travs de
una salida rel en un control de temperatura.

Los sistemas reguladores de potencia con tiristores tienen aplicaciones trifsicas y monofsicas.
Cuando se realiza un sistema de control a travs de tiristores, el ahorro de energa es
considerable, ya que al trabajar el voltaje en funcin de la seal de 420 mA, se produce
solamente la transmisin de potencia necesaria de acuerdo a la demanda del proceso.

ARREGLO PULL UP Y PULL DOWN


Las resistencias Pull Up y Pull Down no son ms que resistencias dispuestas en una configuracin
determinada. Dicha configuracin determina si la resistencia es de pull up o pull Down. Este tipo de
configuracin establece un estado lgico a la entrada de un circuito lgico cuando dicho circuito
est en reposo, siendo para pull up un estado lgico alto y para pull Down bajo. De esta forma, se
evita falsos estados producidos por ruido elctrico si dejramos una entrada con un valor
indeterminado.

Fig. 1
Como vemos en la Fig. 1, cuando S1 no est pulsado, la entrada 2 de la puerta NAND tiene un
valor indeterminado por no estar conectado a un nivel lgico alto ni bajo.
Veamos las configuraciones pull up y pull down, donde Vout se conectara a la entrada de un
circuito lgico:

En la configuracin pull up, cuando el pulsador est en reposo, Vout ser prcticamente Vcc
pudindose considerar como nivel lgico alto. Ahora bien, cuando se pulsa S1, se deriva toda la
corriente a masa, por tanto Vout ser 0v, valor lgico bajo. Esto mismo ocurre con la configuracin
pull down pero a la inversa. Cuando el circuito esta en reposo, la cada de tensin en R1 es

prcticamente 0v que es la misma tensin de Vout. En ese momento tendremos un nivel lgico
bajo. Al pulsar S1, la cada de tensin en R1 ahora ser Vcc, Vout ser un nivel lgico alto.