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Fecha________________________
Instructor__________________________
EXPERIMENTO
Caractersticas del
Diodo
Objetivo
Llegar a familiarizarse con diodos de silicio y germanio.
Equipo requerido:
Instrumento: multmetro digital.
Componentes:
Resistencias 1 de 1-kohm y 1 de 1-Mohm
Diodos:
Silicio y germanio
Equipo:
Fuente de corriente continua.
Miscelneos:
Demostracin 1 pistola de calor.
Resumen de la teora:
R DC =
VD
ID
ohms
rd =
V
I
ohms
Esto se puede demostrar a travs del clculo diferencial que la resistencia de corriente
alterna de un diodo en la seccin de subida vertical de las caractersticas est dada por:
( 26ImV )
rd =
r d =2
26 mV
ID
unin a arcas, y un voltaje en la vecindad de 0.7V (7000 mV) deberan ser obtenidos para
el silicio y .3V (300 mV) para el germanio. Si los conductores son invertidos, un OL deber
ser obtenido.
Si
Ge
Basndose en los resultados de la tabla los dos diodos estn en buen estado?
Escalas de resistencia.
Como se indica en el Resumen de la teora, la condicin de un diodo tambin se puede comprobar
con las escalas de resistencia de un VOM o medidor digital. Usando las escalas apropiadas del
VOM o DMM, determinar los niveles de resistencia de polarizacin directa e inversa de los diodos
de Si y Ge. Anotar los resultados en la Tabla 2.2.
Prueba
Adelantado
Opuesto
Si
Ge
b. Aumenta la tensin de alimentacin hasta VT (no E) lea 0,1 V. Entonces medir VD e insertar en la
Tabla 2.3. Calcular ID utilizando la ecuacin se muestra en la Tabla 2.3.
e. Sobre fig 2.5. Trace ID contra VD para diodos de germanio y silicio. Termnese con las
curvas ampliando la regin inferior de la curva a la interseccin del eje en ID = 0 mA y VD
=0 V etiquetar cada curva e indicar claramente los puntos de datos. Sea ordenado!
f . En qu difieren las dos curvas? Cules son sus similitudes?
Rm
(medido) V R
(Calculado) I s
(medido) V R
(Calculado) I s
R DC =
V D V D EV R
=
=
ID
Is
Is
(Calculado) R DC ( Si)=
(Calculado) R DC ()=
Los niveles de resistencia lo suficientemente altas como para ser considerados apertura
equivalentes circuito si aparece en serie con resistencias en el rango bajo kilohm?
Parte 4. Resistencia de CC
a. Utilizando la curva de Si de la Fig. 2.5 determinar la tensin del diodo en los niveles de
corriente de diodos indicados en la Tabla 2.5. A continuacin, determinar la resistencia de
CC en cada nivel actual. Mostrar todos los clculos.
Io(mA)
VD
R DC
0.2
1
5
10
b. Repita la parte 4 (a) para el germanio y completa la tabla 2.6 (Tabla 2.6 es la misma
que la Tabla 2.5) .
Io(mA)
VD
R DC
0.2
1
5
10
c. Hay cualquier tendencia en la resistencia de corriente continua (para Si y Ge) como
los aumentos de corriente de diodo y como subimos la seccin de subida vertical de las
caractersticas?
Parte 5. Resistencia AC
a. Usando la ecuacin rd = ISV/Al ( Ec. (2.2 ) 1 , determinar la resistencia de CA del
diodo de silicio a
ID = 9 mA usando la curva de la Fig .2.6 . Mostrar todos los trabajos.
(calculado) r d _______________
b . Determinar la resistencia de CA en en ID = 9 mA usando la ecuacin rd = 26 mV/ID
( mA) para el diodo de silicio. Mostrar todos los trabajos.
d
(calculado)r _______________
d
(calculado)r ______________
d
(calculado)r ______________
Cmo los resultados del inciso 5 (c) y 5(d) se comparan?
Parte 6.
Determinar grficamente el potencial de disparo (umbral de tensin) de cada diodo de sus
caractersticas como definir en la reanudacin de la teora. Mostrar las aproximaciones en lnea
recta en la figura. 2.5.
V T ( silicio )= _________________
V T ( Germanio )= _________________
VR
ajustando a 1 V
a) Colocar la seccin voltmetro en el DMM a travs del diodo y anote la lectura como
el instructor calienta el diodo con la pistola de calor. Registre el efecto sobre VD de
calentar el diodo.
b) Deje que el diodo se enfre y luego coloque la seccin voltmetro travs del
resistor R. nota los efectos sobre VR de calentar el diodo. Desde ID = VR / R qu
efecto sobre la corriente del diodo de los resultados de la red de calefaccin del
diodo?
c) Puesto que
Preguntas
1. Comparar las caractersticas de silicio y germanio en el avance y regiones de
polarizacin inversa. En particular, el cual diodo est ms cerca de la aproximacin
de cortocircuito en el delantero Bais regin y que est ms cerca de la
aproximacin circuito abierto en la regin de polarizacin inversa? cmo son
similares y cules son sus diferencias ms notables?
2. Investigar el efecto del calor en la resistencia de terminal de materiales
semiconductores y revisar brevemente por qu la resistencia terminal disminuir
con la aplicacin de calor.