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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA
Escuela de ciencias bsicas tecnologa e Ingeniera
Proyecto de grado (Electrnica). Cdigo 205101
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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA
UNAD
ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERIA
TUTOR:
ORLANDO HARKER
205101_3
ESTUDIANTE:
Hctor Julio Becerra Valderrama
Cdigo: 74376262
21 de Febrero de 2015
Duitama, Boyac
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INTRODUCCIN
El presente trabajo escrito tiene por finalidad presentar los resultados en el desarrollo de la
actividad de reconocimiento del curso Proyecto de Grado (Electrnica), partiendo por la
interaccin con el grupo colaborativo en el sentido de identificar los actores que interviene en
el proceso de aprendizaje, sus nombres, ocupacin y expectativas, por otro lado se
encuentra el reconocimiento de la estructura del curso, protocolo y unidades temticas
evidenciadas en el desarrollo y reconocimiento de los contenidos del curso realizados
mediante la investigacin e identificacin de conceptos y componentes investigativos de un
proyecto para alcanzar un ttulo profesional en nuestro caso el de ingenieros.
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OBJETIVO GENERAL
1. Identificar la estructura general del curso Proyecto de Grado, adquiriendo el
conocimiento, los conceptos, principios y aplicabilidades enmarcadas en la temtica
desarrollada dentro del curso como un aporte significativo a nuestro devenir como
futuros ingenieros, con lo cual encuadramos pautas investigativas en la elaboracin,
presentacin y ejecucin de proyectos investigativos.
OBJETIVOS ESPECFICOS
2. Identificar a nivel
grado.
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DESARROLLO DE LA ACTIVIDAD
1. Participacin en el foro de reconocimiento, presentacin e interaccin
2. Mapa conceptual reconocimiento protocolo del curso:
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De
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Voltios (V).
Ley de corrientes de Kirchhoff: La Ley de
corrientes de Kirchhoff establece que la
suma de todas las corrientes entrantes en
un nodo es cero en todo instante.
Ley de ohm: V = I * R
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR
Diodo; zener avalancha - varicap
Diodo Schottky
Fotodiodo
Transistor BJT
Transistor MOSFET
Amplificador operacional
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reductor, como carbono o magnesio, en un horno elctrico. El silicio cristalino tiene una
dureza de 7, suficiente para rayar el vidrio, de dureza de 5 a 7. El silicio tiene un punto de
fusin de 1.410 C, un punto de ebullicin de 2.355 C y una densidad relativa de 2,33.
Su masa atmica es 28,086.
Se disuelve en cido fluorhdrico formando el gas tetrafluoruro de silicio, SiF4 y es
atacado por los cidos ntrico, clorhdrico y sulfrico, aunque el dixido de silicio formado
inhibe la reaccin. Tambin se disuelve en hidrxido de sodio, formando silicato de sodio
y gas hidrgeno. A temperaturas ordinarias el silicio no es atacado por el aire, pero a
temperaturas elevadas reacciona con el oxgeno formando una capa de slice que impide
que contine la reaccin. A altas temperaturas reacciona tambin con nitrgeno y cloro
formando nitruro de silicio y cloruro de silicio respectivamente.
GERMANIO: El germanio pertenece a la misma familia qumica que el carbono, el silicio y
el plomo; se parece a estos elementos en que todos ellos forman derivados orgnicos
como el tetraetilo de germanio y el tetrafenilo de germanio. El germanio forma hidruros
germanometano o germano (GeH4), germanoetano (Ge2H6) y germanopropano (Ge3H8)
anlogos a los formados por el carbono en la serie alcanos (vase Qumica orgnica).
Sus compuestos ms importantes son el xido germnico (GeO2) y los haluros. El
germanio se separa de otros metales por destilacin de su tetracloruro.
SELENIO: El elemento selenio aparece en unos pocos minerales como seleniuro, siendo
el ms comn de ellos el seleniuro de plomo. Tambin se da combinado con azufre en
numerosas menas de este elemento. Se obtiene generalmente como subproducto en el
refinado de menas de sulfuro de cobre, aunque esta ltima fuente de obtencin es
insuficiente para satisfacer la creciente demanda del elemento en la industria. El mayor
depsito destinado a explotacin comercial se descubri en 1955 en Wyoming (EEUU).
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CONCLUSIONES
Se observa que la estructura del curso Fsica de semiconductores obedece a un campo
de formacin terico que corresponde a dos crditos acadmicos estructurados en dos
unidades temticas desarrolladas mediante el uso de los campus virtuales y evaluados de
manera colaborativa en autoevaluacin, coevaluacin y heteroevaluacin.
Adems se puede concluir que aplicabilidades enmarcadas en la temtica desarrolladas
dentro del curso se convierten en un aporte significativo a nuestro devenir como futuros
ingenieros en el contexto social de las organizaciones y su necesidad de una innovacin
tecnolgica.
En conclusin el curso de Fsica de semiconductores permite al estudiante iniciar el
aprendizaje en el desarrollo y anlisis de componentes electrnicos con el objetivo de
estructurar habilidades de anlisis y resolucin de problemas en el diseo de soluciones
electrnicas.
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REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
UNAD, Mdulo Introduccin a la ingeniera electrnica. Bogot. 2009. Pginas 114 185
UNAD, Protocolo Fsica de semiconductores. Bogot. 2009. Pginas 1 11
SEMANA, COLTAN. 2009. [En lnea]. Disponible en http://www.semana.com/nacion/guerracoltan/131652-3.aspx [Recuperado el 22 de agosto de 2012].
SABELOTODO, Dispositivos semiconductores. 2010. [En lnea]. Disponible en SEMANA,
COLTAN. 2009. [En lnea]. Disponible en http://www.semana.com/nacion/guerracoltan/131652-3.aspx [Recuperado el 22 de agosto de 2012].
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