William Gilbert

(Colchester, Inglaterra, 1544 - Londres, 1603) Fsico y mdico ingls. Fue uno de los pioneros en
el estudio experimental de los fenmenos magnticos. Estudi medicina en la Universidad de
Cambridge, viaj por Europa durante algunos aos y en 1573 regres definitivamente a
Inglaterra, en cuya capital ejerci la medicina.

William Gilbert

Pronto consigui amplia fama como mdico y como cientfico: en 1589 era uno de los comisarios
encargados de la direccin de la Pharmacopeia Londinensis, obra que no vio la luz hasta 1618.
En 1601 fue nombrado mdico de la corte; a la muerte de la reina Isabel (marzo de 1603), su
sucesor Jacobo I Estuardo le confirm en el cargo. Ese mismo ao fue nombrado miembro del
Real Colegio de Mdicos, pero Gilbert muri poco despus. Fue sepultado en Colchester, donde
se le erigi un monumento sepulcral.
Para la posteridad ha quedado sobre todo como un notable astrnomo y fsico: fue uno de los
primeros que acept en Inglaterra la teora copernicana. Es notable su obra De mundo nostro
sublunari philosophia nova, publicada despus de su muerte por su hermano (Amsterdam,
1615). En ella, adems de defender con vehemencia el sistema copernicano, aventur como
hiptesis que las estrellas fijas pueden encontrarse a diferentes distancias de la tierra, y no en
una nica esfera.
Pero su fama se apoya especialmente en sus estudios sobre el magnetismo contenidos en El
imn y los cuerpos magnticos (De magnete magneticisque corporibus). Esta obra, que Galileo
calific de fundamental, fue publicada en Londres en 1600 y debe considerarse como el primer
tratado importante de fsica aparecido en Inglaterra. Gilbert compil en ella sus investigaciones
sobre cuerpos magnticos y atracciones elctricas.
Gilbert distingue netamente los fenmenos elctricos de los magnticos, refiriendo los resultados
de algunas de sus experiencias dirigidas a demostrar que el hierro, al ser frotado por cuerpos
electrizados como el diamante, no presenta fenmenos magnticos. Con este propsito introdujo

el autor nuevos trminos que seran despus usados corrientemente en la fsica ("polos
magnticos", "fuerza elctrica", "cuerpos elctricos y no elctricos"). Al mostrar que el hierro, a
altas temperaturas, no presenta alteraciones magnticas, se adelant a los modernos
descubrimientos de Curie.
Gilbert descubri adems que la aguja de la brjula apunta al norte-sur y gira hacia abajo
debido a que el planeta Tierra acta como un gigantesco imn; hay que entender la atraccin
slo como un caso particular de la atraccin magntica entre polos opuestos. Construy, con
fines experimentales, un pequeo globo magntico llamada Terrella que mostraba la orientacin
de la aguja magntica de las brjulas en la direccin de los polos y explicaba la variacin de la
declinacin en funcin de la posicin de la brjula.

Tales de Mileto
(Mileto, actual Turqua, 624 a.C.-?, 548 a.C.) Filosfo y matemtico griego. En su juventud viaj
a Egipto, donde aprendi geometra de los sacerdotes de Menfis, y astronoma, que
posteriormente enseara con el nombre de astrosofa. Dirigi en Mileto una escuela de nutica,
construy un canal para desviar las aguas del Halis y dio acertados consejos polticos. Fue
maestro dePitgoras y Anaxmenes, y contemporneo deAnaximandro.

Tales de Mileto

Fue el primer filsofo griego que intent dar una explicacin fsica del Universo, que para l era
un espacio racional pese a su aparente desorden. Sin embargo, no busc un Creador en dicha
racionalidad, pues para l todo naca del agua, la cual era el elemento bsico del que estaban
hechas todas las cosas, pues se constituye en vapor, que es aire, nubes y ter; del agua se
forman los cuerpos slidos al condensarse, y la Tierra flota en ella. Tales se plante la siguiente

cuestin: si una sustancia puede transformarse en otra, como un trozo de mineral azulado lo
hace en cobre rojo, cul es la naturaleza de la sustancia, piedra, cobre, ambas? Cualquier
sustancia puede transformarse en otra de forma que finalmente todas las sustancias sean
aspectos diversos de una misma materia? Tales consideraba que esta ltima cuestin sera
afirmativa, puesto que de ser as podra introducirse en el Universo un orden bsico; quedaba
determinar cul era entonces esa materia o elemento bsico.
Finalmente pens que era el agua, pues es la que se encuentra en mayor cantidad, rodea la
Tierra, impregna la atmsfera en forma de vapor, corre a travs de los continentes y la vida no
es posible sin ella. La Tierra, para l, era un disco plano cubierto por la semiesfera celeste
flotando en un ocano infinito. Esta tesis sobre la existencia de un elemento del cual estaban
formadas todas las sustancias cobr gran aceptacin entre filsofos posteriores, a pesar de que
no todos ellos aceptaron que el agua fuera tal elemento. Lo importante de su tesis es la
consideracin de que todo ser proviene de un principio originario, sea el agua, sea cualquier
otro. El hecho de buscarlo de una forma cientfica es lo que le hace ser considerado como el
"padre de la filosofa".
En geometra, y en base a los conocimientos adquiridos en Egipto, elabor un conjunto de
teoremas generales y de razonamientos deductivos a partir de estos. Todo ello fue recopilado
posteriormente por Euclides en su obra Elementos, pero se debe a Tales el mrito de haber
introducido en Grecia el inters por los estudios geomtricos.
Ninguno de sus escritos ha llegado hasta nuestros das; a pesar de ello, son muy numerosas las
aportaciones que a lo largo de la historia, desde Herodoto, Jenfanes o Aristteles, se le han
atribuido.
Aristteles consider a Tales como el primero en sugerir un nico sustrato formativo de la
materia; adems, en su intencin de explicar la naturaleza por medio de la simplificacin de los
fenmenos observables y la bsqueda de causas en el mismo entorno natural, Tales fue uno de
los primeros en trascender el tradicional enfoque mitolgico que haba caracterizado la filosofa
griega de siglos anteriores.

Electricidad
Para el lbum de Jesse y Joy, vase Electricidad (lbum).

Los Rayos son un ejemplo de fenmeno elctrico natural.

La electricidad (del griego lektron, cuyo significado es mbar) es el conjunto de

fenmenos fsicos relacionados con la presencia y flujo de cargas elctricas. Se manifiesta en

una gran variedad de fenmenos como los rayos, la electricidad esttica, la induccin
electromagntica o el flujo de corriente elctrica. La electricidad es una forma de energa tan
verstil que tiene un sinnmero de aplicaciones, por
ejemplo: transporte, climatizacin, iluminacin y computacin.1
La electricidad se manifiesta mediante varios fenmenos y propiedades fsicas:

Carga elctrica: una propiedad de algunas partculas subatmicas, que determina

su interaccin electromagntica. La materia elctricamente cargada produce y es influida
por los campos electromagnticos.

Corriente elctrica: un flujo o desplazamiento de partculas cargadas elctricamente

por un material conductor; se mide en amperios.

Campo elctrico: un tipo de campo electromagntico producido por una carga

elctrica incluso cuando no se est moviendo. El campo elctrico produce una fuerza en
toda otra carga, menor cuanto mayor sea la distancia que separa las dos cargas. Adems
las cargas en movimiento producen campos magnticos.

Potencial elctrico: es la capacidad que tiene un campo elctrico de realizar trabajo;

se mide en voltios.

Magnetismo: La corriente elctrica produce campos magnticos, y los campos

magnticos variables en el tiempo generan corriente elctrica.

La electricidad se usa para generar:

luz mediante lmparas

calor, aprovechando el efecto Joule

movimiento, mediante motores que transforman la energa elctrica en energa

mecnica

seales mediante sistemas electrnicos, compuestos de circuitos elctricos que

incluyen componentes activos (tubos de vaco, transistores, diodos y circuitos integrados)
y componentes pasivos como resistores, inductores y condensadores

Conductor elctrico

Conductor elctrico de cobre.

Un conductor elctrico es un material que ofrece poca resistencia al movimiento de carga

elctrica.
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1 Descripcin

2 Usos

3 Vase tambin

4 Referencias

5 Enlaces externos

Descripcin[editar]
Son materiales cuya resistencia al paso de la electricidad es muy baja. Los mejores
conductores elctricos son metales, como el cobre, el oro, el hierro y el aluminio, y sus
aleaciones, aunque existen otros materiales no metlicos que tambin poseen la propiedad de
conducir la electricidad, como el grafito o las disoluciones y soluciones salinas (por ejemplo, el
agua de mar) o cualquier material en estado de plasma.
Para el transporte de energa elctrica, as como para cualquier instalacin de uso domstico
o industrial, el mejor conductor es el cobre (en forma de cables de uno o varios hilos). Aunque
la plata es el mejor conductor, pero debido a su precio elevado no se usa con tanta frecuencia.
Tambin se puede usar el aluminio, metal que si bien tiene una conductividad elctrica del
orden del 60% de la del cobre, es sin embargo un material tres veces ms ligero, por lo que su

empleo est ms indicado en lneas areas que en la transmisin de energa elctrica en

las redes de alta tensin.1 A diferencia de lo que mucha gente cree, el oro es levemente peor
conductor que el cobre; sin embargo, se utiliza en bornes de bateras y conectores elctricos
debido a su durabilidad y resistencia a la corrosin.
La conductividad elctrica del cobre puro fue adoptada por la Comisin Electrotcnica
Internacional en 1913 como la referencia estndar para esta magnitud, estableciendo
el International Annealed Copper Standard (Estndar Internacional del Cobre Recocido) o
IACS. Segn esta definicin, la conductividad del cobre recocido medida a 20 C es igual a
58.0 MS/m.2 A este valor es a lo que se llama 100% IACS y la conductividad del resto de los
materiales se expresa como un cierto porcentaje de IACS. La mayora de los metales tienen
valores de conductividad inferiores a 100% IACS pero existen excepciones como la plata o los
cobres especiales de muy alta conductividad designados C-103 y C-110. 3

Usos[editar]
Aplicaciones de los conductores:

Conducir la electricidad de un punto a otro (pasar electrones a travs del conductor;

los electrones fluyen debido a la diferencia de potencial).

Crear campos electromagnticos al constituir bobinas y electroimanes.

Modificar la tensin al constituir transformadores.

Semiconductor
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como
un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridicase indican en la
tabla adjunta.

Grupos

Electrones en
la ltima capa

Cd

12

2 e-

Al, Ga, B, In

13

3 e-

Elemento

Si, C, Ge

14

4 e-

P, As, Sb

15

5 e-

Se, Te, (S)

16

6 e-

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico

comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de
los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente
se ha comenzado a emplear tambin elazufre. La caracterstica comn a todos ellos es que
son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.
ndice
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1 Tipos de semiconductores
o

1.1 Semiconductores intrnsecos

1.2 Semiconductores extrnsecos

1.2.1 Semiconductor tipo N

1.2.2 Semiconductor tipo P

2 Vase tambin

3 Enlaces externos

4 Semiconductores y electrnica

Tipos de semiconductores[editar]

Semiconductores intrnsecos[editar]
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de
conduccin dejando el correspondiente hueco en labanda de valencia (1). Las energas
requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer,
desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la
banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede
que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de
recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos
permanece constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los

semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente
elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres
de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos
(2), originando unacorriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin
contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos[editar]
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado
aadir impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una
modificacin del material.
Semiconductor tipo N[editar]
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder
aumentar el nmero deportadores de carga libres (en este caso negativos
o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo
n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia
atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los
tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As)
o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de
silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no
enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones
libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de
huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos
son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones
de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores.
Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion

dopante positivo inmvil, y el material dopadotipo N generalmente tiene una carga

elctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo P[editar]
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido
un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le
une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la
tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco
producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando
un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan
ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son
los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que
se produce de manera natural.

Aislamiento elctrico
Para otros usos de este trmino, vase Aislamiento.
El aislamiento elctrico se produce cuando se cubre un elemento de una instalacin
elctrica con un material que no es conductor de la electricidad, es decir, un material que
resiste el paso de la corriente a travs del elemento que alberga y lo mantiene en su
desplazamiento a lo largo del semiconductor. Dicho material se denomina aislante elctrico.

Cinta aislante elctrica.

La diferencia de los distintos materiales es que los aislantes son materiales que presentan
gran resistencia a que lascargas que lo forman se desplacen y los conductores tienen cargas
libres y que pueden moverse con facilidad.
De acuerdo con la teora moderna de la materia (comprobada por resultados experimentales),
los tomos de la materia estn constituidos por un ncleo cargado positivamente, alrededor
del cual giran a gran velocidad cargas elctricas negativas. Estas cargas negativas, los
electrones, son indivisibles e idnticas para toda la materia.
En los elementos llamados conductores, algunos de estos electrones pueden pasar libremente
de un tomo a otro cuando se aplica una diferencia de potencial (o tensin elctrica) entre los
extremos del conductor.
A este movimiento de electrones es a lo que se llama corriente elctrica. Algunos materiales,
principalmente los metales, tienen un gran nmero de electrones libres que pueden moverse a
travs del material. Estos materiales tienen la facilidad de transmitir carga de un objeto a otro,
estos son los antes mencionados conductores.
Los mejores conductores son los elementos metlicos, especialmente el oro, plata (es el ms
conductor),1 el cobre, el aluminio, etc.
Los materiales aislantes tienen la funcin de evitar el contacto entre las diferentes partes
conductoras (aislamiento de la instalacin) y proteger a las personas frente a las tensiones
elctricas (aislamiento protector).
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1 Ley de Ohm

2 Notas

3 Vase tambin

4 Enlaces externos

Ley de Ohm[editar]
Ley de Ohm: V = I x R
El voltaje hace que la electricidad fluya a lo largo de los alambres de cobre, mientras que el
aislamiento que cubre dichos alambres ejercen una resistencia al paso decorriente, que es
mucho menor a lo largo del alambre.
Al aplicar la Ley de Ohm al alambre, tendremos que a menor resistencia del alambre, se
tendr ms corriente con el mismo voltaje. Es importante tener presente que ningn
aislamiento es perfecto (su resistencia no es infinita), de modo que cierta cantidad de
electricidad fluye a lo largo del aislamiento a travs de la tierra. Esta corriente puede ser de
millonsimas de amperios, pero se debe medir con un buen instrumento de prueba de
aislamiento, como el meghmetro, popularmente conocido como "Megger".
En resumen, un buen aislamiento es el que no se deteriora al aumentar el voltaje y por ende,
la corriente, obtenindose una resistencia alta, la cual se debe mantener en el tiempo. Esto se
visualiza al realizar mediciones peridicas y estudiando la tendencia que provoca que un
aislamiento se deteriore.
Existen diferentes tipos de solicitaciones:

Sobretensiones en rgimen permanente, o sobretensiones permanentes o en sus

proximidades). Se caracterizan por un frente escarpado de duracin comprendida
entre microsegundos y milisegundos:

Frente lento: Frente de 20 microsegundos a 500 microsegundos, cola de hasta 20

milisegundos.

Frente rpido: Frente de 0`1 microsegundos a 20 microsegundos, cola de hasta 300

microsegundos.

Frente muy rpido: Frente menor(que haya contacto elctrico) Los materiales
utilizados ms frecuentemente son los plsticos y las cermicas.

El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre

las bandas de valencia y conduccin, que dificulta la existencia de electrones libres capaces
de conducir la electricidad a travs del material (para ms detalles ver semiconductor).

Un material aislante de la electricidad tiene una resistencia tericamente infinita. Algunos

materiales, como el aire o el agua son aislantes bajo ciertas condiciones pero no para otras. El
aire, por ejemplo, aislante a temperatura ambiente y bajo condiciones de frecuencia de la
seal y potencia relativamente bajas, puede convertirse en conductor.
Materiales conductores: metales, hierro, mercurio, oro, plata, cobre, platino, plomo, etc.
Materiales aislantes: plstico, madera, cermicas, goma.