Lgica de Inyeccin Integrada

Lgica de Inyeccin Integrada :En la Lgica de

Inyeccin Integrada o IL la celda bsica est constituida
por

Lgica de Inyeccin
Integrada
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transistores de unin bipolar. Presenta la ms alta

densidad de integracin bipolar, con mucho menor
consumo que TTL. No se necesitan islas de aislamiento y
como muchas de las interconexiones entre elementos se
realizan internamente a travs de las regiones P y N de la
pastilla de silicio la densidad de circuitos que se pueden
obtener superan a la tecnologa MOSFET, es adecuada
para integracin a gran escala (IGE).

Contenido
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1 Caractersticas de las IL para poder ser usados en

IGE
o

1.1 Celda bsica

2 Funciones lgicas usando circuitos I 2L

3 Interfase IL y TTL

4 Ventajas y desventajas de los IL

5 Fuente

Caractersticas de las IL para poder

ser usados en IGE
El proceso tecnolgico de fabricacin debe ser lo ms
simple posible para que brinde un rendimiento aceptable.
La celda bsica (compuerta) debe ser simple y lo ms
compacta posible , para poder integrar gran cantidad de
ellas en una misma pastilla. El producto potencia- demora
debe ser tal que cuando se opere a
una frecuencia razonable no provoque disipacin
excesiva.

Celda bsica
Consiste en:

Un transistor multicolector NPN

Un transistor PNP
El transistor npn multicolector es vertical, funciona como
inversor, mientras que el pnp es lateral y realiza la
inyeccin de corriente. No se requieren de resistencias
elevadas y la base del npnmulticolector es comn al
colector del inyector pnp lateral. Como resultado se
obtiene que una puerta I 2L ocupa el rea de un solo
transistor multiemisor de la Familia lgica TTL.

Funciones lgicas usando circuitos I

2L
Con los circuitos IL se puede realizar cualquier
funcin lgica a pesar de actuar como inversores. Ejemplo
funciona NOR: consiste en efectuar una conexin
cableada de los colectores de los transistores npn.

Interfase IL y TTL
El acoplamiento de un circuito IL a un circuito TTL se
puede realizar al conectar una resistencia externa en el
terminal de salida del circuito integrado IL, alimentndola
con + 5v. Cuando en la salida IL existe el estado 0,

el transistor de salida se encontrar saturado y le

entregar la tensin adecuada aproximadamente 0,1 v a
la entrada TTL; s por el contrario en la salida IL existe el
estado 1, el transistor estar cortado y en la entrada TTL
aparecer aproximadamente un nivel de 5v , adecuado
para circuitos TTL.

Ventajas y desventajas de los IL

La ventaja fundamental de los circuitos IL en
comparacin con otras familias bipolares es la pequea
rea de silicio que ocupa en el circuito integrado debido a
la compacta estructura que presenta su celda bsica. Baja
potencia de disipacin. Esta potencia es proporcional a la
corriente promedio Icc inyectada por la fuente de
alimentacin al circuito integrado. S se elige
adecuadamente el valor de la resistencia RX se pueden
bajar los tiempos de conmutacin as como reducir los
valores de potencia disipada.

Lgica IL

La velocidad de los circuitos IL aunque no alcanza las

velocidades de los circuitos ECL o Schottky TTL, no es de
las peores. Del funcionamiento de los circuitos IL se
puede apreciar que los niveles lgicos internos al circuito
integrado correspondern a Vce(sat) y Vbe, es decir, 0,1 y
0,7 aproximadamente .Por esto, los mrgenes de ruido
son pequeos comparados con otras familias lgicas. La
tecnologa IIL fue desplazada finalmente por la tecnologa
de los transistores MOS

Fuente

Microelectronics, Jacob Millman, 1979

Electrnica Digital. Julio Daz Calvo. Editorial Pueblo

y Educacin, 1989

Circuitos Electrnicos Digitales II, Elas Muoz

Merino,Editorial Pueblo y Educacin, 198